KR20090023076A - 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20090023076A
KR20090023076A KR1020080069152A KR20080069152A KR20090023076A KR 20090023076 A KR20090023076 A KR 20090023076A KR 1020080069152 A KR1020080069152 A KR 1020080069152A KR 20080069152 A KR20080069152 A KR 20080069152A KR 20090023076 A KR20090023076 A KR 20090023076A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
supplying
substrate
casing
cup
Prior art date
Application number
KR1020080069152A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101275965B1 (ko
Inventor
데루오미 미나미
노리히로 이토
유지 가미카와
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20090023076A publication Critical patent/KR20090023076A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101275965B1 publication Critical patent/KR101275965B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 피처리 기판을 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리한 후, 유기 용매에 의해 건조시키는 방법을 이용한 경우에도, 상기 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지하는 것을 목적으로 한다.
액처리 장치(1)는, 케이싱(5)과, 웨이퍼(피처리 기판)(W)를 유지하는 기판 유지 기구(20)와, 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구(30)와, 처리액을 받는 배액컵(12)과, 처리액을 바깥쪽으로 배출하는 배액관(13)을 구비하고 있다. 처리액 공급 기구(30)는, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 기구와, 웨이퍼(W)를 건조시키기 위한 유기 용매를 공급하는 건조액 공급 기구를 가지고 있다. 제어부(50)는, 제1 약액 공급 기구에 의해 플루오르화수소산계 처리액을 공급시킨 후, 건조액 공급 기구에 의해 유기 용매를 공급시키고, 또한, 건조액 공급 기구에 의해 유기 용매를 공급시키기 전에, 세정 기구(10)에 의해 케이싱(5) 내의 알칼리 성분을 제거시킨다.

Description

액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체{LIQUID TREATMENT DEVICE, LIQUID TREATMENT METHOD AND RECORDING MEDIUM}
본 발명은 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리한 후, 유기 용매에 의해 건조시키는 방법을 이용한 액처리 장치 및 액처리 방법, 및 컴퓨터에 상기 액처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 관한 것이다.
종래부터, 처리 대상이 되는 웨이퍼에 부착된 파티클을 제거하는 방법으로서는, 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼에 대하여 암모니아과산화수소수 혼합 수용액을 토출시킨 후, 상기 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼에 대하여 플루오르화수소산을 토출시켜, 웨이퍼를 세정하는 액처리 방법이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2002-329696호 공보
이와 같은 액처리 방법에 있어서, 웨이퍼를 건조시키기 위해 유기 용매를 이용하면, 웨이퍼에 워터마크와 같은 얼룩이 발생하는 경우가 있다는 것을 발명자는 발견하였다. 즉, 웨이퍼를 암모니아 성분(알칼리 성분)의 처리액에 의해 처리한 후, 플루오르화수소산에 의해 처리하고, 그 후, 유기 용매를 이용하여 건조시키면, 웨이퍼에 얼룩이 발생하는 것이다.
이와 같이 웨이퍼에 얼룩이 발생하는 기구는 아직 분명하지 않지만, 이것은 아마, 플루오르화수소산에 의해 활성화된 웨이퍼의 표면이, 외부 분위기 내에 암모니아 성분(알칼리 성분)이 존재하고 있는 상태에서 유기 용매에 노출됨으로써, 이들 암모니아 성분과 유기 용매로부터 어떠한 공격을 받는 것에 의한 것이라고 추측된다.
또, 본원의 발명자가 실험한 결과에 의하면, 상술한 바와 같이 처리액으로서 암모니아 성분(알칼리 성분)으로 이루어지는 것을 이용하지 않는 경우에도, 외부 분위기 내에 약간의 암모니아 성분(알칼리 성분)이 있는 것만으로, 웨이퍼의 표면에 얼룩이 발생해 버리는 것을 발견하였다.
본 발명은 이와 같은 점을 고려하여 이루어진 것으로, 피처리 기판을, 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리한 후, 유기 용매에 의해 건조시키는 방법을 이용한 경우에도, 상기 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있는 액처리 장치 및 액처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 상기 액처 리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체를 제공하는 것도 목적으로 한다.
본 발명에 따른 액처리 장치는, 케이싱과, 케이싱 내에 설치되어, 피처리 기판을 유지하는 기판 유지 기구와, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 케이싱 내에서 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판을 둘레 가장자리 바깥쪽으로부터 덮으며, 피처리 기판을 세정한 후의 처리액을 받는 배액컵과, 이 배액컵에 연결되어, 배액컵을 경유한 처리액을 바깥쪽으로 배출하는 배액관을 구비하고,
상기 처리액 공급 기구가 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 기구와, 이 제1 약액 공급 기구에 의해 플루오르화수소산계 처리액을 공급한 후, 피처리 기판을 건조시키기 위한 유기 용매를 공급하는 건조액 공급 기구를 가지고,
케이싱 내의 알칼리 성분을 제거하는 제거 기구, 또는, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 침입 방지 기구가 설치되고,
제1 약액 공급 기구 및 건조액 공급 기구, 및 제거 기구 또는 침입 방지 기구가 제어부에 의해 제어되고,
제어부가 제1 약액 공급 기구에 의해 플루오르화수소산계 처리액을 공급시킨 후, 건조액 공급 기구에 의해 피처리 기판을 건조시키기 위한 유기 용매를 공급시키고, 또한, 건조액 공급 기구에 의해 유기 용매를 공급시키기 전에, 제거 기구에 의해 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거시키거나, 또는, 침입 방지 기구에 의해 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지시킨다.
이와 같은 구성에 따르면, 피처리 기판을 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리한 후, 유기 용매에 의해 건조시키는 방법을 이용한 경우에도, 건조액 공급 기구에 의해 유기 용매를 공급시키기 전에, 제거 기구에 의해 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거시키거나, 또는, 침입 방지 기구에 의해 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지시킬 수 있어, 상기 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 액처리 장치에 있어서, 제어부는, 제1 약액 공급 기구에 의해 플루오르화수소산계 처리액을 공급시키기 전에, 제거 기구에 의해 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거시키는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성에 따르면, 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거시킬 때에, 플루오르화수소산계 처리액에 의해 활성화된 피처리 기판의 표면이 불필요한 반응을 일으키는 것을 방지할 수 있어, 보다 확실하게, 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 액처리 장치에 있어서, 침입 방지 기구는, 케이싱 내의 기압을 높게 하는 여압 기구로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 액처리 장치에 있어서, 제거 기구는, 배액컵에 세정액을 공급함으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 세정 기구로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 액처리 장치에 있어서, 처리액 공급 기구는, 제어부에 의해 제어되며, 알칼리계 처리액을 공급하는 제2 약액 공급 기구를 가지고, 제어부는, 제2 약액 공급 기구에 의해 알칼리계 처리액을 공급시킨 후이면, 제1 약액 공급 기구에 의해 플루오르화수소산계 처리액을 공급시키기 전에, 세정 기구에 의해 배액컵에 세정액을 공급시킴으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 액처리 장치에 있어서, 배액관에 설치되어, 상기 배액관을 통과하는 처리액의 흐름을 막는 폐색 기구를 더 구비하고, 처리액 공급 기구는 기판 유지 기구에 유지된 피처리 기판에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구를 가지고, 상기 세정액 공급 기구, 상기 배액관 및 상기 폐색 기구에 의해, 상기 세정 기구가 구성되고, 제어부는, 폐색 기구에 의해 배액관을 폐색시킴으로써, 배액관 및 배액컵 내에 세정액을 저장하고 배액컵에 세정액을 공급하여, 배액컵에부착된 알칼리 성분을 제거하는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성에 따르면, 폐색 기구를 닫는 것만으로, 배액컵에 세정액을 공급하여, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거할 수 있어, 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 용이하고 저렴한 구성으로 방지할 수 있다. 또, 배액컵을 세정액에 담글 수 있기 때문에, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 확실하게 세정하여 제거할 수 있어, 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 높은 확률로 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 액처리 장치에 있어서, 상기 세정 기구는, 배액컵에 세정액을 분출함으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 세정액 분출 기구를 가 지는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성에 따르면, 배액컵을 향하여 세정액을 분출시킴으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거할 수 있다. 이 때문에, 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 용이하게 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 액처리 장치에 있어서, 케이싱 내에 배치되어, 기판 유지 기구에 유지된 피처리 기판에 위쪽으로부터 기체를 공급하는 기체 도입부와, 케이싱 내에서 배액컵을 둘러싸서 배치되어, 피처리 기판을 경유한 기체를 받아들여 배기하는 배기컵을 더 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 액처리 방법은, 케이싱과, 케이싱 내에 설치되어, 피처리 기판을 유지하는 기판 유지 기구와, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 케이싱 내에서 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판을 둘레 가장자리 바깥쪽으로부터 덮으며, 피처리 기판을 세정한 후의 처리액을 받는 배액컵과, 이 배액컵에 연결되어, 배액컵을 경유한 처리액을 바깥쪽으로 배출하는 배액관을 가지는 액처리 장치를 이용한 액처리 방법으로서,
기판 유지 기구에 의해, 피처리 기판을 유지하는 유지 공정과, 회전 기구에 의해, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판을 회전시키는 회전 공정과, 처리액 공급 기구에 의해, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정을 포함하고,
처리액 공급 공정은, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 공정과, 상기 제1 약액 공급 공정 후, 피처리 기판을 건조시키기 위한 유기 용매를 공급하는 건조액 공급 공정을 포함하고,
상기 건조액 공급 공정 전에, 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거하는 제거 공정, 또는, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 침입 방지 공정이 실시된다.
이와 같은 방법에 따르면, 피처리 기판을, 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리한 후, 유기 용매에 의해 건조시키는 방법을 이용한 경우에도, 피처리 기판을 건조시키기 전에, 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거하거나, 또는, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지할 수 있어, 상기 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 액처리 방법에 있어서, 상기 제거 공정은, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 상기 제1 약액 공급 공정 전에 실시되는 것이 바람직하다.
이와 같은 방법에 따르면, 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거시킬 때에, 플루오르화수소산계 처리액에 의해 활성화된 피처리 기판의 표면이 불필요한 반응을 일으키는 것을 방지할 수 있어, 보다 확실하게, 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 액처리 방법에 있어서, 상기 침입 방지 공정은, 케이싱 내의 기압을 높게 함으로써, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 액처리 방법에 있어서, 상기 제거 공정은, 배액컵에 세정액을 공급함으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 액처리 방법에 있어서, 처리액 공급 공정은, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 상기 제1 약액 공급 공정 전에, 알칼리계 처리액을 공급하는 제2 약액 공급 공정을 포함하고, 알칼리계 처리액을 공급하는 제2 약액 공급 공정 후이며, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 공정 전에, 배액컵에 세정액을 공급함으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 액처리 방법에 있어서, 배액관에 설치된 폐색 기구에 의해, 처리액 공급 기구로부터 공급된 배액관을 통과하는 세정액의 흐름을 막음으로써, 배액관 및 배액컵 내에 처리액을 저장하고 배액컵에 세정액을 공급하여, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것이 바람직하다.
이와 같은 방법에 따르면, 폐색 기구를 닫는 것만으로, 배액컵에 세정액을 공급하여, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거할 수 있어, 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 용이하고 저렴한 구성으로 방지할 수 있다. 또, 이와 같은 방법에 따르면, 배액컵을 세정액에 담글 수 있기 때문에, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 확실하게 세정하여 제거할 수 있어, 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 높은 확률로 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 액처리 방법에 있어서, 상기 세정 공정은, 배액컵에 세정액을 분출함으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것이 바람직하다.
이와 같은 방법에 따르면, 배액컵을 향하여 세정액을 분출시키는 것만으로, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거할 수 있어, 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 용이하게 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 기억 매체는, 컴퓨터에 액처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서,
상기 액처리 방법이, 피처리 기판을 유지하는 기판 유지 기구와, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판을 둘레 가장자리 바깥쪽으로부터 덮으며, 피처리 기판을 세정한 후의 처리액을 받는 배액컵과, 이 배액컵에 연결되어, 배액컵을 경유한 처리액을 바깥쪽으로 배출하는 배액관과, 적어도, 기판 유지 기구 및 배액컵을 수용하는 케이싱을 가지는 액처리 장치를 이용한 방법으로서,
기판 유지 기구에 의해, 피처리 기판을 유지하는 유지 공정과, 회전 기구에 의해, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판을 회전시키는 회전 공정과, 처리액 공급 기구에 의해, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정을 포함하고,
처리액 공급 공정은, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 공정과, 상기 제1 약액 공급 공정 후, 피처리 기판을 건조시키기 위한 유기 용매를 공급하는 건조액 공급 공정을 포함하고,
상기 건조액 공급 공정 전에, 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거하는 제거 공정, 또는, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 침입 방지 공정이 실시되는 방법이다.
이와 같은 구성에 따르면, 액처리 장치가 피처리 기판을 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리한 후, 유기 용매에 의해 건조시키는 방법을 이용하여 액처리를 실시하는 경우에도, 액처리 장치가 피처리 기판을 건조시키기 전에, 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거하거나, 또는, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지할 수 있어, 상기 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 피처리 기판을 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리한 후, 유기 용매에 의해 건조시키는 방법을 이용한 경우에도, 유기 용매를 공급하여 피처리 기판을 건조시키기 전에, 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거시키거나, 또는, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지시킴으로써, 상기 피처리 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
[제1 실시형태]
이하, 본 발명에 따른 액처리 장치(1), 액처리 방법 및 기억 매체의 제1 실시형태에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다. 여기서, 도 1 내지 도 5는 본 발명의 제1 실시형태를 도시한 도면이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 액처리 시스템은, 외부로부터 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼(W)(이하, 단순히 웨이퍼(W)라고도 함)를 수용한 캐리어를 적재하기 위한 적재대(81)와, 캐리어에 수용된 웨이퍼(W)를 꺼내기 위한 트랜스퍼 아암(82)과, 트랜스퍼 아암(82)에 의해 꺼낸 웨이퍼(W)를 적재하기 위한 선반 유닛(83)과, 선반 유닛(83)에 적재된 웨이퍼(W)를 수취하여, 상기 웨이퍼(W)를 액처리 장치(11) 내에 반송하는 메인 아암(84)을 포함하고 있다. 그리고, 이 액처리 시스템에는, 복수(본 실시형태에서는 12개)의 액처리 장치(1)가 편입되어 있다. 또한, 이 도 1은, 본 실시형태에 따른 액처리 장치(1)를 포함하는 액처리 시스템을 위쪽에서 본 위쪽 평면도이다.
이 액처리 장치(1)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 케이싱(5)과, 케이싱(5) 내에 설치되어, 웨이퍼(W)를 유지하는 기판 유지 기구(20)와, 기판 유지 기구(20)에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구(30)와, 케이싱(5) 내에서 기판 유지 기구(20)에 의해 유지된 웨이퍼(W)를 둘레 가장자리 바깥쪽으로부터 덮으며, 기판 유지 기구(20)와 일체로 되어 회전 가능한 회전컵(61)과, 상기 회전컵(61) 및 상기 기판 유지 기구(20)를 일체적으로 회전시키는 회전 기구(70)를 구비하고 있다. 또한, 이 도 2는, 본 실시형태에 따른 액처리 장치(1)의 종단면도이다.
또, 도 2에 도시한 바와 같이, 케이싱(5) 내에 있으며 회전컵(61)의 둘레 가장자리 바깥쪽에는, 웨이퍼(W)를 세정한 후의 처리액을 받는 환(環) 형상의 배액컵(12)이 배치되어 있다. 그리고, 이 배액컵(12)에는 배액컵(12)을 경유한 처리액을 바깥쪽으로 배출하는 배액관(13)이 연결되어 있다.
또, 도 2에 도시한 바와 같이, 케이싱(5)의 측벽에는, 웨이퍼(W)를 출납하기 위한 출입구(5a)가 형성되어 있다.
또, 도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 기판 유지 기구(20)는, 수평으로 설치된 원판 형상을 이루는 회전 플레이트(21)와, 회전 플레이트(21)의 둘레 가장자 리 단부에 설치되어, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지 부재(22)와, 회전 플레이트(21)의 하면의 중심부에 연결되어, 연직 아래쪽으로 연장되는 원통 형상의 회전축(23)을 가지고 있다. 또, 회전 플레이트(21)의 중심부에는, 원통 형상의 회전축(23)의 구멍(23a)에 연통되는 원형의 구멍(21a)이 형성되어 있고, 회전축(23)의 구멍(23a)의 내부에는, 승강 기구(56)에 의해 상하방향으로 승강 가능한 승강 부재(25)가 설치되어 있다. 또한, 이 도 4는, 본 실시형태에 따른 액처리 장치(1)의 일부를 도 2와는 다른 단면으로 절단한 종단면도이다.
또, 도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 이 승강 부재(25) 내에는, 웨이퍼(W)의 이면(하면)측으로부터 처리액을 공급하는 이면 처리액 공급로(26)가 설치되어 있다. 또, 승강 부재(25)의 상단부에는 웨이퍼 지지대(27)가 설치되고, 이 웨이퍼 지지대(27)의 상면에는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 웨이퍼 지지핀(28)이 설치되어 있다. 또한, 회전축(23)은, 베어링 부재(29)를 통해 베이스 플레이트(6)에 회전 가능하게 지지되어 있다.
또한, 도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 회전 기구(70)는, 모터축(71a)을 가지는 모터(71)와, 상기 모터축(71a)에 감겨지며, 회전축(23)의 하단부에도 감겨진 벨트(72)를 가지고 있다. 또한, 벨트(72)와 모터축(71a) 사이에는 풀리(pulley)(74)가 설치되고, 벨트(72)와 회전축(23) 사이에는 풀리(73)가 설치되어 있다.
또, 도 2에 도시한 바와 같이, 케이싱(5) 내의 상방부에는, 액처리 시스템의 팬·필터·유닛(FFU)(도시하지 않음)으로부터의 기체를 도입구(5b)를 통해 도입하 는 기체 도입부(3)가 설치되어 있고, 기판 유지 기구(20)에 유지된 웨이퍼(W)에 위쪽으로부터 청정 공기(기체)를 공급하도록 되어 있다. FFU는, 알칼리 성분을 흡착시키는 케미컬 필터를 가지고 있어, 외부로부터 케이싱(5) 내에 알칼리 분위기가 반입되는 것을 방지할 수 있다.
또, 도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 배액컵(12)의 둘레 가장자리 바깥쪽에는, 기체 도입부(3)로부터 공급되어 웨이퍼(W)를 경유한 청정 공기를 받아들여 배기하는 환 형상의 배기컵(66)이 배치되어 있다.
또, 이 배기컵(66)에는, 이 배기컵(66)을 경유한 기체를 바깥쪽으로 배출하는 배기관(67)이 1개 연결되어 있다. 또, 배액컵(12)의 하단에는, 슬릿 형상의 통기 구멍(66b)이 마련되어 있고, 배기컵(66)을 경유한 기체를 배기관(67)으로 안내하도록 되어 있다(도 2의 점선 화살표 참조).
또, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 처리액 공급 기구(30)는, 기판 유지 기구(20)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 표면에 처리액을 공급하는 노즐(31a, 31b)을 가지는 노즐 블록(31)과, 이 노즐 블록(31)에 연결되어, 상기 노즐 블록(31)을 기판 유지 기구(20)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면을 따라 이동시키는 노즐 아암(32)과, 상기 노즐 아암(32)으로부터 연직 아래쪽 방향을 향하여 연장되는 노즐 요동축(33)과, 상기 노즐 요동축(33)을 구동하는 노즐 구동부(75)를 가지고 있다. 또, 노즐 요동축(33)의 하단에는 노즐 블록(31), 노즐 아암(32), 노즐 요동축(33)과 노즐 구동부(75)를 상하방향으로 구동하는 노즐 승강 기구(57)가 연결되어 있다. 또한, 이 도 3은, 본 실시형태에 따른 액처리 장치(1)의 처리액 공급 기구의 구성을 도시한 개략도이다.
그리고, 이 노즐 구동부(75)는, 모터축(76a)을 가지는 모터(76)와, 상기 모터축(76a)에 감겨지며, 노즐 요동축(33)의 하단부에도 감겨진 벨트(77)를 가지고 있다. 또한, 벨트(77)와 모터축(76a) 사이에는 풀리(79)가 설치되고, 벨트(77)와 노즐 요동축(33) 사이에는, 풀리(78)가 설치되어 있다.
또, 도 3에 도시한 바와 같이, 처리액 공급 기구(30)의 노즐(31a, 31b)을 가지는 노즐 블록(31), 노즐 아암(32) 및 노즐 요동축(33) 내에는, 처리액이 통과하는 처리액 유로(35)와, 건조 용매가 통과하는 건조 용매 유로(38)가 설치되어 있다. 또, 처리액 유로(35)와 건조 용매 유로(38)는 처리액 공급부(40)에 연통되어 있다.
또, 이 처리액 공급부(40)는, 세정 처리를 위한 약액으로서, 플루오르화수소산계의 약액인 예컨대 희석된 플루오르화수소산(DHF)을 공급하는 DHF 공급원(41)과, 알칼리계의 약액인 예컨대 암모니아과수(SC1)를 공급하는 SC1 공급원(42)과, 린스액으로서 예컨대 순수(DIW)를 공급하는 DIW 공급원(45)과, 건조 용매로서 예컨대 IPA(이소프로필 알코올)를 공급하는 IPA 공급원(43)을 가지고 있다. 또한, 플루오르화수소산계의 약액으로서는, 상술한 바와 같은 희석된 플루오르화수소산(DHF) 이외에, BHF(HF와 NH4F의 혼합 용액)나 LAL(BHF와 계면 활성제의 혼합 용액) 등을 이용할 수 있다.
그리고, 처리액 유로(35)는, 제1 밸브(46)를 통해 DHF 공급원(41)과 연통되 고, 제2 밸브(47)를 통해 SC1 공급원(42)과 연통되고, 제3 밸브(48)를 통해 DIW 공급원(45)과 연통되어 있다. 또, 건조 용매 유로(38)는, 제4 밸브(49)를 통해 IPA 공급원(43)과 연통되어 있다.
그런데, 도 3에 있어서, 제1 밸브(46)만이 열려, 처리액 유로(35)와 DHF 공급원(41)이 연통되면, 처리액 공급 기구(30)는 세정 처리를 위한 약액으로서 희석된 플루오르화수소산(DHF)을 공급한다. 이와 같이, 노즐(31a, 31b)을 가지는 노즐 블록(31), 노즐 아암(32), 노즐 요동축(33), 처리액 유로(35), 노즐 구동부(75)(도 2 참조), 제1 밸브(46) 및 DHF 공급원(41)에 의해 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 기구가 구성되어 있다.
한편, 도 3에 있어서, 제2 밸브(47)만이 열려, 처리액 유로(35)와 SC1 공급원(42)이 연통되면, 처리액 공급 기구(30)는, 세정 처리를 위한 약액으로서 암모니아과수를 공급한다. 이와 같이, 노즐(31a, 31b)을 가지는 노즐 블록(31), 노즐 아암(32), 노즐 요동축(33), 처리액 유로(35), 노즐 구동부(75)(도 2 참조), 제2 밸브(47) 및 SC1 공급원(42)에 의해 알칼리계 처리액을 공급하는 제2 약액 공급 기구가 구성되어 있다.
또, 도 3에 있어서, 노즐(31a, 31b)을 가지는 노즐 블록(31), 노즐 아암(32), 노즐 요동축(33), 건조 용매 유로(38), 노즐 구동부(75)(도 2 참조), 제4 밸브(49) 및 IPA 공급원(43)에 의해, 웨이퍼(W)를 건조시키기 위한 IPA(유기 용매)를 공급하는 건조액 공급 기구가 구성되어 있다.
또, 도 3에 있어서, 제3 밸브(48)만이 열려, 처리액 유로(35)에 DIW 공급 원(45)이 연통되면, 처리액 공급 기구(30)는 약액의 린스액으로서 순수(세정액)를 공급한다. 이를 위해, 노즐(31a, 31b)을 가지는 노즐 블록(31), 노즐 아암(32), 노즐 요동축(33), 처리액 유로(35), 노즐 구동부(75)(도 2 참조), 제3 밸브(48) 및 DIW 공급원(45)에 의해, 기판 유지 기구(20)에 유지된 웨이퍼(W)에 순수(약액의 린스액)를 공급하는 세정액 공급 기구가 구성되어 있다.
또한, 도 2 및 도 4에 도시하는 이면 처리액 공급로(26)에 처리액을 공급하는 기구는, IPA 공급원(43)이 설치되어 있지 않은 것을 제외하고, 상술한 처리액 공급부(40)와 동일한 구성으로 이루어져 있다.
또, 도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 배액관(13)에는, 상기 배액관(13)을 통과하는 처리액의 흐름을 막는 폐색 밸브(폐색 기구)(11)가 설치되어 있고, 이 폐색 밸브(11)를 닫음으로써, 배액관(13)을 폐색시킬 수 있다. 이 때문에, 후술하는 바와 같이, 세정액 공급 기구에 의해 순수(D)를 공급할 때, 폐색 밸브(11)에 의해, 배액관(13)을 폐색시킴으로써, 배액관(13) 및 배액컵(12) 내에 순수(D)를 저장하여, 배액컵(12)에 순수(D)를 공급할 수 있다. 이를 위해, 세정액 공급 기구, 배액관(13) 및 폐색 밸브(11)에 의해, 배액컵(12)에 순수(D)를 공급하는 세정 기구(제거 기구)(10)가 구성되어 있게 된다.
또, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 밸브(46), 제2 밸브(47), 제3 밸브(48), 제4 밸브(49) 및 폐색 밸브(11)의 각각에는 제어부(50)가 접속되어 있고, 제1 약액 공급 기구, 건조액 공급 기구 및 폐색 밸브(11)의 각각은, 제어부(50)에 의해 제어된다.
또, 도 4에 도시한 바와 같이, 배기관(67)으로부터 회전축(23)측에는, 웨이퍼(W)와 기판 유지 기구(20) 사이에서 누설된 처리액[도 4에서는 순수(D)]을 받아 외부로 배출하는 안쪽 배출관(68)이 설치되어 있다. 또, 배기컵(66)의 아래쪽에는, 배기컵(66)이 설치된 공간(66a) 내에 유입된 처리액[도 4에서는 순수(D)]을 받아 외부로 배출하는 바깥쪽 배출관(69)이 설치되어 있다.
또, 도 2에 도시한 바와 같이, 케이싱의 상벽에는, 밸브(19)를 통해 저습도의 공기나 N2 등의 건조 기체를 공급하는 건조 기체 공급부(18)가 연결되어 있다.
다음으로, 이와 같은 구성으로 이루어지는 본 실시형태의 작용에 대해서 서술한다. 보다 구체적으로는, 본 실시형태에 따른 액처리 장치(1)에 의해, 웨이퍼(W)를 세정 처리하는 액처리 방법에 대해서 서술한다.
우선, 메인 아암(84)에 의해 유지된 웨이퍼(W)가, 출입구(5a)를 통해 액처리 장치(1)의 케이싱(5) 내에 반송된다. 그리고, 이와 같이 하여 반송된 웨이퍼(W)가, 승강 부재(25)를 상승시킨 상태에서, 웨이퍼 지지대(27)에 설치된 웨이퍼 지지핀(28) 상에 웨이퍼(W)를 전달한다. 그 후, 승강 부재(25)가 하강하고, 유지 부재(22)에 의해 웨이퍼(W)가 처킹(chucking)되어 유지된다(유지 공정)(도 1, 도 2 및 도 4 참조).
다음으로, 회전 기구(70)에 의해, 기판 유지 기구(20)에 의해 유지된 웨이퍼(W)를 회전컵(61)과 일체적으로 회전시킨다(회전 공정)(도 2 및 도 4 참조). 또한, 후술하는 건조 공정이 종료될 때까지, 웨이퍼(W)와 회전컵(61)은 계속 회전하 고 있다.
보다 구체적으로는, 모터(71)의 모터축(71a)을 회전시킴으로써, 모터축(71a)에 감겨지며, 회전축(23)의 하단부에도 감겨진 벨트(72)를 회전시켜, 회전축(23)을 회전시킨다. 여기서, 회전컵(61)은, 기판 유지 기구(20)와 일체로 되어 있기 때문에, 회전축(23)을 회전시킴으로써, 이 회전컵(61)을 기판 유지 기구(20)와 일체적으로 회전시킬 수 있다.
이때, 처리액 공급 기구(30)에 의해, 기판 유지 기구(20)에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 처리액이 공급된다(처리액 공급 공정)(도 2 내지 도 4 참조). 이 처리액 공급 공정에 있어서는, 구체적으로는, 이하의 공정이 실시된다. 또한, 처리액 공급 공정을 행하기 전에는 모든 밸브(46, 47, 48, 49)는 닫힌 상태로 되어 있다(도 3 참조).
우선, 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여, 제2 밸브(47)가 열려, SC1 공급원(42)으로부터 암모니아과수가 공급된다. 그리고, 암모니아과수가, 노즐(31a)을 통해, 기판 유지 기구(20)에 의해 유지된 웨이퍼(W)에 공급된다[제2 약액 공급 공정(91)](도 3 및 도 5 참조).
다음으로, 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여, 제2 밸브(47)가 닫히며 제3 밸브(48)가 열려, DIW 공급원(45)으로부터 순수(D)가 공급된다. 그리고, 노즐(31a)을 통해, 웨이퍼(W)에 순수(D)가 공급된다[린스 공정(92)](도 3 내지 도 5 참조).
소정 시간(예컨대 10초 정도), 웨이퍼(W)에 대하여 순수(D)가 공급되면, 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여, 폐색 밸브(11)가 닫힌다[세정 공정(93)](도 2 내지 도 5 참조). 이와 같이 폐색 밸브(11)를 닫음으로써, 배액관(13)을 통과하는 순수(D)의 흐름을 막을 수 있다. 이 때문에, 배액관(13) 및 배액컵(12) 내에 순수(D)를 저장하여, 배액컵(12)을 순수(D)에 담금으로써, 배액컵(12)에 순수(D)를 공급할 수 있다. 이 때문에, 배액컵(12)에 부착된 암모니아 성분(알칼리 성분)을 제거할 수 있다.
이와 같이, 본 실시형태에 따르면, 암모니아과수를 공급한 후의 린스 공정(92)에 있어서, 폐색 밸브(11)를 닫는 것만으로, 배액컵(12)에 순수(D)를 공급하여, 배액컵(12)에 부착된 암모니아 성분을 제거할 수 있다(도 4 참조). 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면이 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리된 후 유기 용매에 노출되는 경우에서는, 케이싱(5) 내에 약간의 암모니아 성분이 존재하는 것만으로 발생해 버리는 얼룩의 발생을 용이하고 저렴한 구성으로 방지할 수 있다.
또, 배액관(13) 및 배액컵(12) 내에 순수(D)를 저장하여, 배액컵(12)을 순수(D)에 담글 수 있다(도 4 참조). 이 때문에, 배액컵(12)에 부착된 암모니아 성분을 확실하게 세정하여 제거할 수 있어, 웨이퍼(W)에 얼룩이 발생하는 것을, 높은 확률로 방지할 수 있다.
상술한 바와 같이 배액컵(12)에 순수(D)를 공급한 후, 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여, 폐색 밸브(11)가 열린다(도 2 및 도 4 참조). 이에 따라, 배액컵(12)을 담그고 있었던 순수(D)가 배액컵(12)으로부터 제거된다.
다음으로, 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여, 제3 밸브(48)가 닫히며 제1 밸브(46)가 열려, DHF 공급원(41)으로부터 희석된 플루오르화수소산이 공급된다. 그리고, 희석된 플루오르화수소산이 노즐(31a)을 통해, 웨이퍼(W)에 공급된다[제1 약액 공급 공정(95)](도 2 내지 도 5 참조).
다음으로, 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여, 제1 밸브(46)가 닫히며 제3 밸브(48)가 열려, DIW 공급원(45)으로부터 순수(D)가 공급된다. 그리고, 노즐(31a)을 통해, 기판 유지 기구(20)에 의해 웨이퍼(W)에 순수(D)가 공급된다[린스 공정(97)](도 2 내지 도 5 참조).
이 린스 공정(97)에 있어서, 케이싱(5) 내에 유입되는 기체가, FFU로부터 공급되는 청정 공기에서, 건조 기체 공급부(18)로부터 공급되는 저습도의 공기나 N2 등의 건조 기체로 전환된다. 이와 같이, 건조 기체를 케이싱(5) 내에 공급함으로써, 케이싱(5) 내의 습도를 저감시킬 수 있어, 웨이퍼(W)에 워터마크가 형성되는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여, 제3 밸브(48)가 닫히고, 그 후, 제4 밸브(49)가 열려, 웨이퍼(W)를 건조시키기 위한 IPA가, 노즐(31b)을 통해 웨이퍼(W)에 공급된다[건조액 공급 공정(98)](도 2 내지 도 5 참조).
이때, 노즐 구동부(75)에 의해 노즐 요동축(33)이 구동되어, 노즐 아암(32)에 설치된 노즐 블록(31)의 노즐(31a, 31b)은, 노즐 요동축(33)을 중심으로 하여, 웨이퍼(W) 위쪽에서 웨이퍼(W)의 표면을 따라 요동된다(도 1 및 도 2 참조).
상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)에 IPA를 공급한 후, 기판 유지 기구(20)에 유지된 웨이퍼(W)를 건조액 공급 공정(98) 시보다 고속으로 회전시킴으로써, 웨이 퍼(W)에 부착된 IPA를 털어, 웨이퍼(W)를 건조시킨다(건조 공정).
그런데, 상술한 처리액 공급 공정의 각각에 있어서, 회전컵(61)은 기판 유지 기구(20)와 일체로 되어 회전하기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 튄 처리액이 회전컵(61)에 닿았을 때에 상기 처리액에는 원심력이 작용한다. 이 때문에, 상기 처리액은 바깥쪽으로 비산하기 어려우며 미스트(mist)화하기 어렵게 되어 있다.
마지막으로, 처리가 끝난 웨이퍼(W)가, 유지 부재(22)에 의한 처킹을 해소한 후, 기판 유지 기구(20)로부터 제거되어, 출입구(5a)를 통해 케이싱(5)의 바깥쪽으로 반출된다(도 2 참조).
상술에서는, 암모니아과수를 공급한 제2 약액 공급 공정(91) 후의 린스 공정(92)에서, 폐색 밸브(11)를 닫아, 배액컵(12)에 순수(D)를 저장했지만, 이에 한하지 않는다. 예컨대, 희석된 플루오르화수소산을 공급하는 제1 약액 공급 공정(95) 후의 린스 공정(97)에서, 폐색 밸브(11)를 닫아, 배액컵(12)에 순수(D)를 공급해도 된다. 그러나, 희석된 플루오르화수소산을 공급한 후에는, 웨이퍼(W)의 표면이 활성화되어 있기 때문에, 순수(D)에 웨이퍼(W)가 잠길 가능성이 있는 세정 공정에서는, 순수(D)와 웨이퍼(W)의 표면이 불필요한 반응을 일으킬 가능성이 있다. 따라서, 상술한 바와 같이, 암모니아과수를 공급한 제2 약액 공급 공정(91) 후의 린스 공정(92)에서, 폐색 밸브(11)를 닫아, 세정 공정(93)을 실시하는 편이 바람직하다.
또한, 상술한 본 실시형태에 있어서, 알칼리 성분으로서 암모니아 성분을 이용하여 설명했지만, 이에 한하지 않고, 다른 알칼리 성분이어도 된다.
또, 본 실시형태에 따르면, 상술한 바와 같은 액처리 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램이나, 이와 같은 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체도 제공할 수 있다.
또, 상기에서는, 배기컵(66)을 경유한 청정 공기를 바깥쪽으로 배출하는 배기관(67)이, 배기컵(66)에 1개 연결되어 있는 형태를 이용하여 설명했지만, 이에 한하지 않고, 복수개(예컨대 2개)의 배기관이, 배기컵(66)에 연결되어 있어도 된다.
이와 같이, 배기컵(66)에, 배기컵(66)을 경유한 청정 공기를 바깥쪽으로 배출하는 배기관을 복수개 연결함으로써, 제2 약액 공급 공정(91)에서 공급된 암모니아과수에 의한 암모니아 성분을 케이싱(5) 내로부터 보다 확실하게 배기할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)에 얼룩이 발생해 버리는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또, 상기에서는, DHF 공급원(41)으로부터 공급되는 희석된 플루오르화수소산과, SC1 공급원(42)으로부터 공급되는 암모니아과수가, 1개의 노즐 아암(32)과, 노즐(31a, 31b)을 가지는 1개의 노즐 블록(31)을 이용하여 웨이퍼(W)에 공급되는 형태를 이용하여 설명했지만, 이에 한하지 않고, DHF 공급원(41)으로부터 공급되는 희석된 플루오르화수소산과, SC1 공급원(42)으로부터 공급되는 암모니아과수 각각이, 전용 노즐 아암과 전용 노즐 블록(노즐을 포함한다)을 이용하여 웨이퍼(W)에 공급되어도 된다.
도 1 내지 도 5에 도시하는 제1 실시형태에서는, DHF 공급원(41)과 SC1 공급 원(42)이, 동일한 1개의 노즐 아암(32)과 노즐 블록(31)[노즐(31a, 31b)을 포함한다]을 이용하여 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하고 있다. 이 때문에, 이들 노즐 아암(32) 및 노즐 블록(31)[노즐(31a, 31b)을 포함]의 외면에 부착된, 제2 약액 공급 공정(91)에서 이용된 암모니아 성분(매우 조금의 양이기는 하지만)이, 세정 공정(93)보다 이후의 공정에서 웨이퍼(W)에 부착될 가능성을 부정할 수 없다. 그리고, 상술한 바와 같이, 약간의 암모니아 성분이 존재하는 것만으로 웨이퍼(W)에 얼룩이 발생하는 원인이 되기 때문에, 이와 같은 암모니아 성분에 의해 웨이퍼(W)에 얼룩이 발생하는 것도 부정할 수 없다.
이런 점에서, DHF 공급원(41)으로부터 공급되는 희석된 플루오르화수소산과, SC1 공급원(42)으로부터 공급되는 암모니아과수 각각이, 전용 노즐 아암과 전용 노즐 블록(노즐을 포함한다)을 이용하여 웨이퍼(W)에 공급됨으로써, 제2 약액 공급 공정(91)이 종료된 시점에서, 이들 노즐 아암과 노즐 블록(노즐을 포함)을 대기 위치로 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 제2 약액 공급 공정(91)이 종료되면 그 이후, 암모니아과수를 공급할 때에 이용된 노즐 아암과 노즐 블록(노즐을 포함)을 웨이퍼(W)로부터 떨어진 위치로 이동시킬 수 있다. 이 결과, 이들 노즐 아암과 노즐 블록(노즐을 포함한다)의 외면에 부착된 암모니아 성분이 웨이퍼(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있어, 웨이퍼(W)에 얼룩이 발생하는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
[제2 실시형태]
다음으로, 도 6에 의해, 본 발명의 제2 실시형태에 대해서 설명한다. 도 6에 도시하는 제2 실시형태는, 배액컵(12)에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 세정 기구(제거 기구)(10)가, 세정액 공급 기구, 배액관(13) 및 폐색 밸브(11)로 구성되는 대신에, 배액컵(12)에 순수(세정액)(D)를 분출함으로써, 배액컵(12)에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 세정액 분출 기구(15)로 구성되는 것이다. 또, 배액컵(12)의 둘레 가장자리 바깥쪽에 배치된 환 형상의 배기컵(66)이 상하방향으로 이동 가능하게 되어 있다(도 6의 화살표 A2 참조). 그 밖의 구성은 도 1 내지 도 5에 도시하는 제1 실시형태와 거의 동일하다.
도 6에 도시하는 제2 실시형태에 있어서, 도 1 내지 도 5에 도시하는 제1 실시형태와 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 상세한 설명은 생략한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 세정액 분출 기구(15)는, 케이싱(5) 내에서 요동축(16)을 중심으로 상하방향으로 요동 가능하게 배치되어 있다. 또, 이 세정액 분출 기구(15)는, 배액컵(12)을 향하여 순수(D)를 분출하는 분출 노즐(17)을 가지고 있다.
또한, 도 6에 도시한 바와 같이, 이 세정액 분출 기구(15)에는 제어부(50)가 접속되어 있고, 세정액 분출 기구(15)는 제어부(50)에 의해 제어되도록 되어 있다.
이하에, 이 세정액 분출 기구(15)의 작용에 대해서 서술한다.
우선, 암모니아과수가 공급되는 제2 약액 공급 공정(91) 동안에, 세정액 분출 기구(15)의 분출 노즐(17)은 상방 위치에 위치하고 있다. 이때, 배기컵(66)도 상방 위치에 위치하고 있다.
그리고, 이 제2 약액 공급 공정(91)이 끝나고 다음 린스 공정(92)이 개시되 어 소정의 시간이 경과하면, 배기컵(66)이 아래쪽으로 이동하기 시작한다.
그 후, 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여, 분출 노즐(17)이, 요동축(16)을 중심으로 요동되어(도 6의 화살표 A1 참조), 하방 위치(도 6에 나타내고 있는 위치)에 배치된다. 그리고, 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여, 하방 위치에 위치한 분출 노즐(17)로부터, 배액컵(12)을 향하여 순수(D)가 힘차게 분출되어, 배액컵(12)에 부착된 암모니아 성분(알칼리 성분)이 제거된다(도 6 참조).
이와 같이, 본 실시형태에 따르면, 암모니아과수를 공급한 후의 린스 공정(92)에 있어서, 하방 위치에 위치한 분출 노즐(17)로부터, 배액컵(12)을 향하여 세정액을 분출시킴으로써, 배액컵(12)에 세정액을 공급하여, 배액컵(12)에 부착된 암모니아 성분을 제거할 수 있다. 이 때문에, 케이싱(5) 내에 약간의 암모니아 성분이 존재하는 것만으로 발생해 버리는 얼룩이 웨이퍼(W) 상에서 발생하는 것을 용이하게 방지할 수 있다.
그리고, 상술한 암모니아를 공급한 후의 린스 공정(92)이 끝나면, 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여, 분출 노즐(17)은 요동축(16)을 중심으로 요동되어, 상방 위치에 도달한다.
그 후는, 제1 실시형태에서 나타낸 것과 마찬가지로, 제1 약액 공급 공정(95), 린스 공정(97) 및 건조액 공급 공정(98)이 순차적으로 실시된다(도 5 참조).
그런데, 상기에서는, 제1 실시형태에서 나타낸 세정 기구(제거 기구)(10) 대신에, 세정액 분출 기구(15)로 구성되는 세정 기구(제거 기구)(10)를 이용하여 설 명하였다. 그러나, 이에 한하지 않고, 제1 실시형태의 형태에, 세정액 분출 기구(15)를 더 추가함으로써, 세정 기구(제거 기구)(10)를 구성해도 된다.
[제3 실시형태]
다음으로, 도 7에 의해, 본 발명의 제3 실시형태에 대해서 설명한다. 도 7에 도시하는 제3 실시형태는, 케이싱(5) 내의 알칼리 성분을 제거하는 세정 기구(10)를 설치하는 대신에, 건조 기체 공급부(18)가 케이싱(5) 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 여압 기구(침입 방지 기구)로서의 기능을 수행하도록 한 것이다. 구체적으로는, 건조 기체 공급부(18)로부터 케이싱(5) 내로 유입되는 건조 기체의 기압을 높게 함으로써 케이싱(5) 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지한다. 그 밖의 구성은 도 1 내지 도 5에 도시하는 제1 실시형태와 거의 동일하다.
도 7에 도시하는 제3 실시형태에 있어서, 도 1 내지 도 5에 도시하는 제1 실시형태와 동일 부분에는 동일 부호를 붙이고 상세한 설명은 생략한다.
도 7에 도시한 바와 같이, 케이싱(5)에, 케이싱(5) 내의 기압을 높게 함으로써, 케이싱(5) 내로 암모니아 성분 등의 알칼리 성분이 침입하는 것을 방지하는 여압 기구(18)가 연결되어 있다. 또, 이 여압 기구(18)는, 제어부(50)에 접속되어 있으며, 상기 제어부(50)로부터의 신호에 기초하여 제어된다.
상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면이 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리된 후, 유기 용매에 노출되는 경우에서는, 케이싱(5) 내에 약간의 암모니아 성분(알칼리 성분)이 존재하는 것만으로, 웨이퍼(W)에 얼룩이 발생해 버린다. 이러한 점에 있어서, 본 실시형태에서는, 건조 기체 공급부(18)에 의해, 케이싱(5) 내의 기압을 높게 할 수 있어, 외부(예컨대, 클린룸 내)의 공기에 존재하고 있는 암모니아 성분이, 케이싱(5) 내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 플루오르화수소산계 처리액에 의해 처리한 후, 유기 용매에 의해 건조시키는 경우에도, 웨이퍼(W)에 얼룩이 발생해 버리는 것을 용이하게 방지할 수 있다.
또한, 케이싱(5) 내의 기압을 높게 함으로써, 케이싱(5) 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 공정(침입 방지 공정)은, 처리 대상이 되는 웨이퍼(W)가 케이싱(5) 내의 기판 유지 기구(20) 상에 적재되고 나서, 처리된 웨이퍼(W)가 케이싱(5)의 바깥쪽으로 반출되기까지의 사이에, 계속해서 실시된다(도 2 참조).
그런데, 본 실시형태에 따른 여압 기구(침입 방지 기구)로서의 건조 기체 공급부(18)는, 알칼리계 처리액인 암모니아과수(SC1)를 공급하는 SC1 공급원(42)을 가지고 있지 않아, 암모니아과수(SC1)를 공급하지 않는 경우에도 유효하다.
또, 상기에서는, 케이싱(5) 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 침입 방지 기구로서, 케이싱(5) 내의 기압을 높게 하는 건조 기체 공급부(18)를 이용하여 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 케이싱(5) 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 것이면, 모든 것을 침입 방지 기구로서 이용할 수 있다.
또한, 상기에서는, 제1 실시형태, 제2 실시형태 및 제3 실시형태의 각각을 별개로 설명했지만, 이들을 임의로 조합하거나, 혹은, 이들 모두를 조합하여도 된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 액처리 장치를 포함하는 액처리 시스템을 위쪽에서 본 위쪽 평면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 액처리 장치의 종단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 액처리 장치의 처리액 공급 기구의 구성을 도시한 개략도.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 액처리 장치의 일부를 도 2와는 다른 단면으로 절단한 종단면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 액처리 방법에 포함되는 공정의 일부를 도시하는 플로우도.
도 6은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 액처리 장치의 일부를 도 4에 대응하는 단면으로 절단한 종단면도.
도 7은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 액처리 장치의 종단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 액처리 장치
3: 기체 도입부
5: 케이싱
10: 세정 기구(제거 기구)
11: 폐색 밸브(폐색 기구)
12: 배액컵
13: 배액관
15: 세정액 분출 기구
16: 요동축
17: 분출 노즐
18: 건조 기체 공급부[여압 기구(침입 방지 기구)]
20: 기판 유지 기구
30: 처리액 공급 기구
31a, 31b: 노즐
31: 노즐 블록
32: 노즐 아암
33: 노즐 요동축
35: 처리액 유로
38: 건조 용매 유로
42: SC1 공급원
43: IPA 공급원
45: DIW 공급원
46: 제1 밸브
47: 제2 밸브
48: 제3 밸브
49: 제4 밸브
50: 제어부
61: 회전컵
66: 배기컵
70: 회전 기구
91: 제2 약액 공급 공정
92: 린스 공정
93: 세정 공정
95: 제1 약액 공급 공정
97: 린스 공정
98: 건조액 공급 공정
W: 웨이퍼(피처리 기판)

Claims (16)

  1. 케이싱과,
    케이싱 내에 설치되어, 피처리 기판을 유지하는 기판 유지 기구와,
    기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와,
    케이싱 내에서 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판을 둘레 가장자리 바깥쪽으로부터 덮으며, 피처리 기판을 세정한 후의 처리액을 받는 배액컵과,
    배액컵에 연결되어, 배액컵을 경유한 처리액을 바깥쪽으로 배출하는 배액관
    을 구비하고,
    상기 처리액 공급 기구는, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 기구와, 피처리 기판을 건조시키기 위한 유기 용매를 공급하는 건조액 공급 기구를 가지고,
    케이싱 내의 알칼리 성분을 제거하는 제거 기구, 또는, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 침입 방지 기구가 설치되고,
    제1 약액 공급 기구 및 건조액 공급 기구, 및 제거 기구 또는 침입 방지 기구는 제어부에 의해 제어되고,
    제어부는, 제1 약액 공급 기구에 의해 플루오르화수소산계 처리액을 공급시킨 후, 건조액 공급 기구에 의해 피처리 기판을 건조시키기 위한 유기 용매를 공급시키고,
    건조액 공급 기구에 의해 유기 용매를 공급시키기 전에, 제거 기구에 의해 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거시키거나, 또는, 침입 방지 기구에 의해 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지시키는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 제어부는, 제1 약액 공급 기구에 의해 플루오르화수소산계 처리액을 공급시키기 전에, 제거 기구에 의해 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거시키는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 침입 방지 기구는, 케이싱 내의 기압을 높게 하는 여압 기구로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 제거 기구는, 배액컵에 세정액을 공급함으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 세정 기구로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 처리액 공급 기구는, 제어부에 의해 제어되어, 알칼리계 처리액을 공급하는 제2 약액 공급 기구를 가지고,
    제어부는, 제2 약액 공급 기구에 의해 알칼리계 처리액을 공급시킨 후이며, 제1 약액 공급 기구에 의해 플루오르화수소산계 처리액을 공급시키기 전에, 세정 기구에 의해 배액컵에 세정액을 공급시킴으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  6. 제4항에 있어서, 배액관에 설치되어, 상기 배액관을 통과하는 처리액의 흐름을 막는 폐색 기구를 더 구비하고,
    처리액 공급 기구는, 기판 유지 기구에 유지된 피처리 기판에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구를 가지고,
    상기 세정액 공급 기구, 상기 배액관 및 상기 폐색 기구에 의해, 상기 세정 기구가 구성되고,
    제어부는, 폐색 기구에 의해 배액관을 폐색시킴으로써, 배액관 및 배액컵 내에 세정액을 저장하여, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 세정 기구는, 배액컵에 세정액을 분출함으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 세정액 분출 기구를 가지는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 케이싱 내에 배치되어, 기판 유지 기구에 유지된 피처리 기판에 위쪽으로부터 기체를 공급하는 기체 도입부와,
    케이싱 내에서 배액컵을 둘러싸서 배치되어, 피처리 기판을 경유한 기체를 받아들여 배기하는 배기컵
    을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  9. 케이싱과, 케이싱 내에 설치되어, 피처리 기판을 유지하는 기판 유지 기구와, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 케이싱 내에서 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판을 둘레 가장자리 바깥쪽으로부터 덮으며, 피처리 기판을 세정한 후의 처리액을 받는 배액컵과, 이 배액컵에 연결되어, 배액컵을 경유한 처리액을 바깥쪽으로 배출하는 배액관을 가지는 액처리 장치를 이용한 액처리 방법으로서,
    기판 유지 기구에 의해, 피처리 기판을 유지하는 유지 공정과,
    회전 기구에 의해, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판을 회전시키는 회전 공정과,
    처리액 공급 기구에 의해, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정
    을 포함하고,
    처리액 공급 공정은, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 공정과, 상기 제1 약액 공급 공정 후, 피처리 기판을 건조시키기 위한 유기 용매를 공급하는 건조액 공급 공정을 포함하고,
    상기 건조액 공급 공정 전에, 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거하는 제거 공정, 또는, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 침입 방지 공정이 실시되는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제거 공정은, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 상기 제1 약액 공급 공정 전에 실시되는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 침입 방지 공정은, 케이싱 내의 기압을 높게 함으로써, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 제거 공정은, 배액컵에 세정액을 공급함으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 처리액 공급 공정은, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 상기 제1 약액 공급 공정 전에, 알칼리계 처리액을 공급하는 제2 약액 공급 공정을 포함하고,
    알칼리계 처리액을 공급하는 제2 약액 공급 공정 후이며, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 공정 전에, 배액컵에 세정액을 공급함으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  14. 제12항에 있어서, 배액관에 설치된 폐색 기구에 의해, 처리액 공급 기구로부터 공급되어 배액관을 통과하는 세정액의 흐름을 막음으로써, 배액관 및 배액컵 내 에 처리액을 저장하고 배액컵에 세정액을 공급하여, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 세정 공정은, 배액컵에 세정액을 분출함으로써, 배액컵에 부착된 알칼리 성분을 제거하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  16. 컴퓨터에 액처리 방법을 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서,
    상기 액처리 방법은, 피처리 기판을 유지하는 기판 유지 기구와, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판을 둘레 가장자리 바깥쪽으로부터 덮으며, 피처리 기판을 세정한 후의 처리액을 받는 배액컵과, 이 배액컵에 연결되어, 배액컵을 경유한 처리액을 바깥쪽으로 배출하는 배액관과, 기판 유지 기구 및 배액컵을 수용하는 케이싱을 가지는 액처리 장치를 이용한 방법으로서,
    기판 유지 기구에 의해, 피처리 기판을 유지하는 유지 공정과,
    회전 기구에 의해, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판을 회전시키는 회전 공정과,
    처리액 공급 기구에 의해, 기판 유지 기구에 의해 유지된 피처리 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정을 포함하고,
    처리액 공급 공정은, 플루오르화수소산계 처리액을 공급하는 제1 약액 공급 공정과, 상기 제1 약액 공급 공정 후, 피처리 기판을 건조시키기 위한 유기 용매를 공급하는 건조액 공급 공정을 포함하고,
    상기 건조액 공급 공정 전에, 케이싱 내의 알칼리 성분을 제거하는 제거 공정, 또는, 케이싱 내로의 알칼리 성분의 침입을 방지하는 침입 방지 공정이 실시되는 방법인 것을 특징으로 하는 기억 매체.
KR1020080069152A 2007-08-31 2008-07-16 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 KR101275965B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007225868A JP4901650B2 (ja) 2007-08-31 2007-08-31 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JPJP-P-2007-00225868 2007-08-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090023076A true KR20090023076A (ko) 2009-03-04
KR101275965B1 KR101275965B1 (ko) 2013-06-17

Family

ID=40299362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080069152A KR101275965B1 (ko) 2007-08-31 2008-07-16 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20090056764A1 (ko)
JP (1) JP4901650B2 (ko)
KR (1) KR101275965B1 (ko)
DE (1) DE102008044754A1 (ko)
TW (1) TWI392009B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101399801B1 (ko) * 2011-12-19 2014-05-27 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템
KR20150035392A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4994501B2 (ja) * 2007-12-10 2012-08-08 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド 半導体ウエハの洗浄方法及び装置
JP5401255B2 (ja) * 2008-11-05 2014-01-29 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、洗浄方法、および記憶媒体
JP5318670B2 (ja) * 2009-06-09 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体
DE102010028883A1 (de) * 2010-05-11 2011-11-17 Dürr Ecoclean GmbH Prozessbehälter
KR101806191B1 (ko) 2010-06-17 2017-12-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치
KR101596750B1 (ko) 2010-06-23 2016-02-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치
US8944080B2 (en) 2011-08-02 2015-02-03 Visera Technologies Company Limited Cleaning system, cleaning device, and method of using cleaning device
JP5820709B2 (ja) 2011-11-30 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置
JP5716696B2 (ja) 2012-03-05 2015-05-13 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR102042635B1 (ko) * 2012-07-02 2019-11-08 삼성전자주식회사 매엽식 건조 장치 및 이를 포함하는 매엽식 세정 시스템
US20140053982A1 (en) * 2012-08-23 2014-02-27 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
JP6223839B2 (ja) 2013-03-15 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体
KR102152909B1 (ko) * 2013-12-31 2020-09-07 세메스 주식회사 기판처리방법
JP6341035B2 (ja) 2014-09-25 2018-06-13 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法、基板液処理装置、及び記憶媒体
CN107851572B (zh) * 2015-07-29 2022-02-18 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
JP6740028B2 (ja) 2015-07-29 2020-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6537398B2 (ja) * 2015-08-03 2019-07-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6046225B2 (ja) * 2015-10-05 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置
US10105732B2 (en) * 2016-01-05 2018-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Coater and surface treatment method
JP6765878B2 (ja) 2016-07-06 2020-10-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置
JP6961362B2 (ja) * 2017-03-03 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US11056358B2 (en) * 2017-11-14 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer cleaning apparatus and method
JP6987649B2 (ja) * 2018-01-12 2022-01-05 株式会社Screenホールディングス 処理液供給装置及びその脱気方法
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
CN113909195A (zh) * 2021-11-01 2022-01-11 迈得医疗工业设备股份有限公司 移送装置及医疗器械生产线

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH025524A (ja) * 1988-06-24 1990-01-10 Hitachi Ltd 処理装置
SG76527A1 (en) * 1996-09-24 2000-11-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning treatment
JP2001127032A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Pre-Tech Co Ltd 基板の洗浄・乾燥装置および洗浄・乾燥方法
JP4352606B2 (ja) * 2000-12-05 2009-10-28 ソニー株式会社 基板の湿式洗浄方法
JP3781983B2 (ja) 2001-05-02 2006-06-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4176485B2 (ja) * 2001-05-18 2008-11-05 ラム リサーチ コーポレーション 表面張力を低減させるプロセスを実現する基板処理の装置および方法
US20040003828A1 (en) * 2002-03-21 2004-01-08 Jackson David P. Precision surface treatments using dense fluids and a plasma
JP3761482B2 (ja) * 2002-03-26 2006-03-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置およびスプラッシュガードの洗浄方法
KR100483428B1 (ko) * 2003-01-24 2005-04-14 삼성전자주식회사 기판 가공 장치
JP3890025B2 (ja) * 2003-03-10 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布処理方法
JP4339026B2 (ja) 2003-06-13 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4212437B2 (ja) * 2003-09-04 2009-01-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7258599B2 (en) * 2005-09-15 2007-08-21 Fujitsu Limited Polishing machine, workpiece supporting table pad, polishing method and manufacturing method of semiconductor device
JP2007149890A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007225868A (ja) 2006-02-23 2007-09-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 光反射板
KR100979979B1 (ko) 2006-07-26 2010-09-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101399801B1 (ko) * 2011-12-19 2014-05-27 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템
KR20150035392A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20120312332A1 (en) 2012-12-13
JP4901650B2 (ja) 2012-03-21
TWI392009B (zh) 2013-04-01
US8371318B2 (en) 2013-02-12
TW200919569A (en) 2009-05-01
KR101275965B1 (ko) 2013-06-17
JP2009059895A (ja) 2009-03-19
DE102008044754A1 (de) 2009-03-05
US20090056764A1 (en) 2009-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101275965B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
JP4757882B2 (ja) 基板洗浄装置、基板洗浄方法、基板処理システムならびに記録媒体
KR101371572B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
KR100835776B1 (ko) 기판처리방법 및 기판처리장치
CN107026071B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
JP2003309102A (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2007335868A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20080028921A (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
JP2013128015A (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP5425745B2 (ja) 液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
KR101866640B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR100414775B1 (ko) 피처리기판용처리장치및세정장치
JP2001319849A (ja) 液処理装置及び液処理方法
KR100797081B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2004235559A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP6779769B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2004111857A (ja) 基板処理装置
KR20100066366A (ko) 액처리 방법, 액처리 장치 및 기억 매체
CN115565925A (zh) 基板处理装置和防雾件的清洗方法
KR20080009838A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102599614B1 (ko) 기판 이송 장치
KR100831989B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100771096B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2008124503A (ja) 液処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180530

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 7