KR20140113348A

KR20140113348A - 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체

Info

Publication number: KR20140113348A
Application number: KR1020140023586A
Authority: KR
Inventors: 다케히코 오리이; 나오키 신도
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2013-03-15
Filing date: 2014-02-27
Publication date: 2014-09-24
Also published as: TW201448018A; US20140261570A1; KR102159840B1; TWI579909B; JP6223839B2; JP2014199917A

Abstract

본 발명은 처리액의 공급량을 저감하면서, 기판의 표면 전체를 처리액으로 덮는 것을 목적으로 한다.
기판 액처리 방법은, 기판(W)을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시키면서, 기판 표면의 중심부에 제1 노즐(30)로부터 처리액을 공급하여, 기판의 직경보다 작은 직경의 처리액의 액막을 기판 표면에 형성하는 공정과, 제1 노즐에 의해 기판 표면에 형성된 처리액의 액막의 주연부에, 제1 노즐로부터 공급되고 있는 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐(33)로부터 공급하는 공정과, 그 후, 기판 표면에의 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 기판의 주연부를 향해 이동시키고, 이것에 의해 처리액의 액막을 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정을 포함한다.

Description

기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM}

본 발명은 기판을 회전시키면서 기판에 처리액을 공급함으로써 기판을 처리하는 기술에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼 등의 기판에 약액 처리, 린스 처리 등의 액처리를 실시할 때에 채용되는 가장 일반적인 방법은, 기판을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시킨 상태에서 기판 중심부에 처리액을 공급하는 것이다. 이 경우, 기판 중심부에 공급된 처리액은 원심력에 의해 확산되어, 기판의 표면 전체가 처리액의 액막에 의해 덮인다.

처리액에 덮여 있지 않은 부위가 기판의 표면에 존재하면, 예컨대 약액 처리의 경우에는 처리가 불균일하게 된다. 또한, 패턴이 형성된 기판을 DIW(순수) 린스 처리하는 경우에는, 예컨대 패턴 내에 이전 공정의 처리액(예컨대 약액)이 잔류하거나, 린스 처리 불충분에 의해 파티클이 발생할 우려가 있다.

처리액에 의한 기판 표면의 피복성은, 기판의 회전 속도와 처리액의 유량에 영향을 받는다. 기판 회전 속도가 높을수록, 처리액의 액막은 퍼지기 쉽지만, 처리액의 바람직하지 않은 비산(예컨대 컵의 외측으로의 비산)의 문제가 있다. 또한 처리액 유량이 클수록, 기판의 표면 전체에 처리액의 액막은 퍼지기 쉽지만, 처리액의 사용량이 증가한다는 문제가 있다. 특히, 기판 표면의 발수성이 높은 경우에는, 기판 주연부에 DIW의 액막을 형성하는 것이 곤란하다.

일본 특허 공개 제2009-59895호 공보

본 발명은 기판의 표면 전체를 처리액으로 덮는 공정에 있어서, 처리액의 공급량을 저감하고, 파티클을 줄일 수 있는 기술을 제공하는 것이다.

본 발명에 의하면, 기판 액처리 방법에 있어서, 기판을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과, 상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과, 그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 이동시키고, 이것에 의해 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정을 포함하는 기판 액처리 방법이 제공된다.

또한, 본 발명에 의하면, 기판 액처리 장치에 있어서, 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 구동부와, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 향해 처리액을 토출하는 제1 노즐과, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 향해 처리액을 토출하는 제2 노즐과, 상기 제2 노즐을 이동시키는 노즐 구동 기구와, 제어부를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 기판 액처리 장치의 동작을 제어하여, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과, 상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과, 그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 이동시켜, 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정을 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치가 제공된다.

또한, 본 발명에 의하면, 기판 액처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 프로그램이 기억된 기억 매체로서, 이 프로그램을 실행함으로써, 상기 제어 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 기판 액처리 방법을 실행시키는 것에 있어서, 상기 기판 액처리 방법이, 기판을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과, 상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과, 그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 이동시키고, 이것에 의해 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 매체가 제공된다.

본 발명에 의하면, 제2 노즐로부터의 처리액이, 제1 노즐로부터 공급된 처리액의 액막을 기판의 주연부를 향해 끌어당기기 때문에, 적은 처리액의 총 공급량으로, 기판의 표면 전체를 처리액의 액막으로 덮을 수 있다. 또한, 기판의 표면 전체를 처리액의 액막으로 덮을 수 있기 때문에, 파티클을 줄일 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 액처리 장치의 구성을 개략적으로 도시하는 종단면도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 기판 액처리 장치의 수평 단면도이다.
도 3은 린스 처리 공정에 대해서 설명하기 위한 개략 사시도이다.
도 4는 린스 처리 공정에서의 제2 노즐로부터의 린스액의 공급에 대해서 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 린스 처리 공정에 있어서 기판의 중심부에 DIW의 액적을 공급하는 실시형태에 대하여 설명하기 위한 개략 측면도이다.
도 6은 린스 처리 공정에 있어서 기판의 중심부에 DIW의 증기를 공급하는 실시형태에 대하여 설명하기 위한 개략 측면도이다.

이하에 도면을 참조하여 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 우선, 도 1 및 도 2에 의해, 기판 액처리 장치의 전체 구성에 대해서 설명한다. 기판 액처리 장치는, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼(W)」로 부름) 등의 기판을 수평 자세로 유지하고 수직축선 둘레로 회전 가능한 스핀척(기판 유지부)(20)을 갖고 있다. 스핀척(20)은 원반형의 베이스(21)와, 베이스(21)의 주연부에 설치되며, 웨이퍼(W)를 유지 및 해방하기 위해 가동되는 복수의 유지 부재(22)를 갖고 있다. 스핀척(20)은 모터를 갖는 회전 구동부(24)에 의해, 수직축선 둘레로 회전 구동된다. 스핀척(20) 주위에는, 웨이퍼(W)로부터 바깥쪽으로 비산하는 처리 유체를 수용하는 컵(26)이 설치되어 있다. 스핀척(20) 및 컵(26) 등의 기판 액처리 장치의 구성 부재는 하우징(10) 내에 수용되어 있다. 하우징(10)의 일측벽면에는, 웨이퍼(W)의 반출반입을 위해 셔터(12)를 갖는 반입반출구(11)가 형성되어 있다.

기판 액처리 장치는, 웨이퍼(W)에 약액 또는 순수를 공급하는 세정액 노즐(30)과, 웨이퍼(W)에 건조액을 공급하는 건조액 노즐(31)과, 웨이퍼(W)에 불활성 가스를 공급하는 가스 노즐(32)을 구비하고 있고, 이들의 노즐(30∼32)은 에어 실린더 등을 포함하는 제1 승강 기구(35A)를 통해, 제1 노즐 아암(34A)에 부착되어 있다. 제1 노즐 아암(34A)은 제1 아암 구동 기구(36A)에 의해, 수평 방향으로 연장되는 제1 가이드 레일(37A)을 따라 이동 가능하다. 따라서, 세정액 노즐(30), 건조액 노즐(31) 및 가스 노즐(32)은 웨이퍼의 중심부 위쪽의 위치로부터 웨이퍼의 주연부 위쪽의 위치까지 웨이퍼의 반경 방향으로 직선 운동할 수 있고, 또한 평면에서 봤을 때 컵(26)의 외측에 위치하는 후퇴 위치에 위치할 수 있으며, 또한 승강도 가능하다. 세정액 노즐(30), 건조액 노즐(31), 및 가스 노즐(32)은 제1 노즐 아암(34A)의 운동 방향을 따라 나열되어, 각 노즐(30∼32)은 스핀척(20)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심부 바로 위에 위치할 수 있다.

세정액 노즐(30)에는, 약액 공급 기구(40)가 접속되어 있다. 약액 공급 기구(40)는 약액으로서 희불산(DHF)을 공급하는 DHF 공급원(41)과, DHF 공급원(41)을 세정액 노즐(30)에 접속하는 DHF 공급 라인(42)과, DHF 공급 라인(42)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(43)를 갖고 있다. 따라서, 약액 공급 기구(40)는 세정액 노즐(30)에 밸브 장치(43)에 의해 제어된 유량으로 DHF를 공급할 수 있다.

세정액 노즐(30)에는, 제1 린스액 공급 기구(50)도 접속되어 있다. 제1 린스액 공급 기구(50)는, 린스액으로서 순수(DIW)를 공급하는 DIW 공급원(51)과, DIW 공급원(51)을 세정액 노즐(30)에 접속하는 DIW 공급 라인(52)과, DIW 공급 라인(52)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(53)를 갖고 있다. 따라서, 제1 린스액 공급 기구(50)는 세정액 노즐(30)에 제어된 유량으로 DIW를 공급할 수 있다.

건조액 노즐(31)에는, 건조액 공급 기구(60)가 접속되어 있다. 건조액 공급 기구(60)는, 이소프로필알코올(IPA)을 공급하는 IPA 공급원(61)과, IPA 공급원(61)을 건조액 노즐(31)에 접속하는 IPA 공급 라인(62)과, IPA 공급 라인(62)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(63)를 갖고 있다. 따라서, 건조액 공급 기구(60)는 건조액 노즐(31)에 제어된 유량으로 건조액으로서의 IPA를 공급할 수 있다. IPA는 DIW와 혼화성이 있기 때문에 DIW를 용이하게 치환할 수 있고, DIW보다 휘발성이 높기 때문에 용이하게 건조시킬 수 있으므로, 건조액으로서 적합하게 이용될 수 있다. 또한, IPA는 DIW보다 표면 장력이 낮기 때문에, 고(高)아스펙트비의 미세 패턴의 도괴를 억제할 수도 있다. 건조액은 IPA에 한정되는 것이 아니라, 상기한 특징을 갖는 다른 유기 용제를 건조액으로서 이용할 수도 있다.

가스 노즐(32)에는, 건조 가스 공급 기구(70)가 연결되어 있다. 건조 가스 공급 기구(70)는, 건조 가스로서의 질소 가스를 공급하는 질소 가스 공급원(71)과, 질소 가스 공급원(71)을 가스 노즐(32)에 접속하는 질소 가스 공급 라인(72)과, 질소 가스 공급 라인(72)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(73)를 갖고 있다. 건조 가스로서는, 저산소 농도, 저습도의 가스를 이용할 수 있고, 질소 가스 이외의 불활성 가스를 이용할 수도 있다.

또한, 기판 액처리 장치는, 웨이퍼(W)에 린스액으로서의 DIW를 공급하는 린스액 노즐(33)을 구비하고 있다. 이 린스액 노즐(33)은 에어 실린더 등을 포함하는 제2 승강 기구(35B)를 통해, 제2 노즐 아암(34B)에 부착되어 있다. 제2 노즐 아암(34B)은 제2 아암 구동 기구(36B)에 의해, 수평 방향으로 연장되는 제2 가이드 레일(37B)을 따라 이동 가능하다. 따라서, 린스액 노즐(33)은 웨이퍼의 중심부의 위쪽 위치로부터 웨이퍼의 주연부의 위쪽 위치까지 웨이퍼의 반경 방향으로 직선 운동할 수 있고, 또한, 평면에서 봤을 때 컵(26)의 바깥쪽에 위치하는 후퇴 위치에 위치할 수 있으며, 또한 승강도 가능하다. 또한, 상호 간섭 방지를 위해, 제1 노즐 아암(34A)은 웨이퍼(W)의 중심으로부터 그보다 도면 중 우측의 영역을 이동하고, 제2 노즐 아암(34B)은 웨이퍼(W)의 중심으로부터 도면 중 좌측의 영역을 이동한다.

린스액 노즐(33)에는, 제2 린스액 공급 기구(80)가 접속되어 있다. 제2 린스액 공급 기구(80)는, 순수(DIW)를 공급하는 DIW 공급원(81)과, DIW 공급원(81)을 린스액 노즐(33)에 접속하는 DIW 공급 라인(82)과, DIW 공급 라인(82)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(83)를 갖고 있다. 따라서, 제2 린스액 공급 기구(80)는 린스액 노즐(33)에 제어된 유량으로 린스액으로서의 DIW를 공급할 수 있다.

회전 구동부(24), 아암 구동 기구(36A, 36B), 약액 공급 기구(40), 제1 린스액 공급 기구(50), 건조액 공급 기구(60), 건조 가스 공급 기구(70) 및 제2 린스액 공급 기구(80) 등의 동작은 컴퓨터를 포함하는 제어부(90)에 의해 제어된다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 제어부(90)에는, 공정 관리자 등이 기판 액처리 장치를 관리하기 위해, 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 액처리 장치의 가동 상황 등을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등을 포함하는 입출력 장치(91)가 접속되어 있다. 제어부(90)는 기판 액처리 장치에서 실행되는 처리를 실현하기 위한 프로그램 등이 기록된 기록 매체(92)에 액세스 가능하다. 기록 매체(92)는 ROM 및 RAM 등의 메모리, 하드 디스크, CD-ROM, DVD-ROM, 및 플렉시블 디스크 등의 디스크형 기록 매체 등, 기지의 기록 매체로 구성할 수 있다. 제어부(90)가 기록 매체(92)에 미리 기록된 프로그램을 실행함으로써, 기판 액처리 장치에서 웨이퍼(W)의 처리가 행해진다.

다음에, 상기한 기판 액처리 장치의 동작에 대해서 설명한다. 또한 하기의 동작은 기록 매체(92)에 기록된 프로그램을 실행함으로써 제어부(90)가 생성하는 제어 신호에 의해 제어된다.

우선, 셔터(12)가 개방되어, 도시하지 않는 반송 아암에 유지된 웨이퍼(W)가 반입반출구(11)를 통해 하우징(10) 내에 반입된다. 다음에, 웨이퍼(W)가 반송 아암으로부터 스핀척(20)에 전달되고, 스핀척(20)의 유지 부재(22)에 유지된다.

[약액 처리 공정]

다음에, 제1 아암 구동 기구(36A)에 의해, 후퇴 위치에 위치하고 있던 세정액 노즐(30)이 스핀척(20)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심부 바로 위의 위치로 이동한다. 또한, 회전 구동부(24)에 의해, 웨이퍼(W)를 유지한 스핀척(20)이 회전 구동된다. 이 상태에서, 약액 공급 기구(40)에 의해 세정액 노즐(30)을 통해 DHF가 웨이퍼(W) 표면의 중심부에 토출되어, 웨이퍼(W)에 약액 처리(약액 세정)가 실시된다. 토출된 DHF는 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 확산되어, 웨이퍼(W) 표면에 DHF의 액막이 형성된다. 이 때, 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 예컨대 10 rpm∼500 rpm 정도가 된다. 웨이퍼(W)는 건조 공정이 완료될 때까지, 계속적으로 회전한다.

[린스 처리 공정]

정해진 시간 약액 처리를 행한 후, 린스 처리 공정이 행해진다. 이 린스 처리 공정에 대해서, 도 3 및 도 4도 참조하여, 상세히 설명한다. 정해진 시간 약액 처리를 행한 후, 약액 공급 기구(40)로부터의 DHF액의 공급을 정지하고, 대신에, 제1 린스액 공급 기구(50)에 의해 웨이퍼의 중심부 바로 위에 위치하는 세정액 노즐(30)을 통해 DIW가 웨이퍼(W) 표면의 중심부(도 4의 점 P1의 위치)를 향해 토출된다. 세정액 노즐(30)로부터 DIW를 토출하기 직전의 시점에서는, 웨이퍼(W)의 표면은 DHF의 액막에 의해 덮여 있다. 이 린스 처리 공정에서, 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 예컨대 200 rpm∼400 rpm 정도, 본 동작에서는 300 rpm으로 조정된다. 회전 속도는 처리액이 웨이퍼로부터 외측에 비산하여도 문제가 되지 않는 회전 속도이다. 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량은, 예컨대 2.5 L/min(리터/분)로 한다. 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량은, 린스 처리 공정 동안 동일한 값으로 유지된다. 그러나, 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량을, 린스 처리 공정 동안에 변동시켜도 상관없다.

회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 도달(낙하)한 DIW에는 원심력 및 마찰력(웨이퍼 회전 방향으로 끌리는 힘)이 작용하고, 따라서 DIW는 도 4에 도시하는 바와 같이 소용돌이형으로 바깥쪽을 향해 퍼지면서 흐르며, 이것에 의해 웨이퍼의 중심으로부터 정해진 거리의 원형 영역이 연속하는 DIW의 액막(L)에 덮인다. DIW의 액막(L)에 덮인 영역에서는, DHF가 DIW로 치환되어 간다. 액막(L)이 형성되는 원형 영역의 크기는, 웨이퍼(W)의 친수성(소수성)의 정도, 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량, 웨이퍼(W)의 회전 속도에 따라 변화한다. 웨이퍼(W)의 표면은 이전 공정의 DHF 세정 공정에 의해 소수성으로 되어 있기 때문에, 상기한 DIW 토출 유량 및 웨이퍼(W) 회전 속도라는 조건하에서는, 12인치(300 ㎜) 웨이퍼(W)의 직경의 대략 절반의 직경(예컨대 80 ㎜ 정도)의 원형 영역이 DIW의 액막(L)에 덮인다[도 3의 (a)를 참조]. 웨이퍼(W)의 표면 중 액막(L)이 형성되어 있는 영역보다 외측에서는, DHF의 액막은 남아 있지만, DIW는 연속된 액막을 형성할 수 없어, 줄기형으로 되어 바깥쪽으로 흐르게 된다. 이 줄기형의 DIW의 흐름은 도시하지 않는다. 또한 DIW의 액막(L)에 의해 덮이는 영역의 크기(직경)는 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량을 크게 함으로써, 또한 웨이퍼(W)의 회전 속도를 높임으로써 크게 할 수 있는 것이지만, 그러면 DIW 사용량의 증가 및 DIW가 바람직하지 않은 비산을 초래하는 것은, 「배경기술」의 항에 기재한 바와 같다. 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)의 중앙부 영역만이 DIW의 액막에 덮여 있는 상태가 계속되면, DIW의 액막에 덮여 있지 않은 영역에서는, 줄기형으로 흐르는 DIW에 의한 DHF의 부분적 치환이 생기거나 또는 DHF가 털어내어짐으로써, 웨이퍼(W)의 표면이 노출된다. 이러한 상황이 생기면 파티클이 발생한다.

그래서, 본 실시형태에서는, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(30)로부터 DIW를 웨이퍼(W)의 중심부를 향해 토출하고, 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 원형의 영역이 DIW의 액막에 덮이는 것과 대략 동시에, 세정액 노즐(30)로부터의 DIW의 토출 유량을 유지한 채, 도 3의 (b)에 도시하는 바와 같이 린스액 노즐(33)로부터 원형의 DIW의 액막(L)의 둘레 가장자리 부분(둘레 가장자리의 약간 내측의 도 4의 점 P2의 위치)을 향해 DIW의 토출을 시작한다. 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출 유량은, 예컨대 0.5 L/min로 한다. 또한 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출에 앞서, 제2 아암 구동 기구(36B)에 의해, 후퇴 위치에 위치하고 있던 린스액 노즐(33)을, 도 4의 점 P2를 향해 DIW를 토출하는 토출 시작 위치로 이동시켜 둔다. 이 토출 시작 위치는 세정액 노즐(30)로부터 DIW를 웨이퍼(W)의 중심부를 향해 토출하여 실제로 액막을 만드는 시험을 행하여, 미리 결정해 둔다.

린스액 노즐(33)로부터 DIW의 토출을 시작한 후, 도 3의 (c), (d)에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(30) 및 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출 유량을 유지한 채, 린스액 노즐(33)을 반경 방향 외측으로 이동시켜, 린스액 노즐(33)로부터 토출된 DIW의 웨이퍼(W) 표면 상의 도달 위치를 반경 방향 외측을 향해 이동시켜 간다. 그러면, 린스액 노즐(33)의 반경 방향 외측으로의 이동에 끌어 당겨져 원형의 DIW의 액막(L)은 퍼져간다. 이 때도, DIW의 액막(L)이 형성되어 있는 영역보다 외측에서는, DHF의 액막은 남아 있고, DIW는 줄기형이 되어 바깥쪽으로 흐르게 된다. 린스액 노즐(33)의 반경 방향 외측으로의 이동 속도는, 예컨대 약 8 ㎜/sec로 일정하지만, 변동시켜도 상관없다. 또한 린스액 노즐(33)의 반경 방향 외측으로의 이동 속도를 너무 높게 하면, 원심력에 의한 DIW의 액막(L)의 확장이 린스액 노즐(33)의 이동을 추종할 수 없게 되어, 세정액 노즐(30)과 린스액 노즐(33) 사이에서 액막(L)의 파단이 생긴다. 따라서, 린스액 노즐(33)의 반경 방향 외측으로의 이동 속도는 원심력에 의한 반경 방향 외측으로의 DIW의 확장 속도 이하인 것이 바람직하다.

린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 웨이퍼(W) 표면에의 도달 위치가 웨이퍼의 주연부 영역[웨이퍼(W)의 둘레 가장자리의 약간 내측]에 도달하면, 도 3의 (d)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(W) 표면의 전역이 DIW가 연속되는 액막(L)에 덮이게 된다. 이 상태가 되면, 린스액 노즐(33)의 이동을 정지하고, 세정액 노즐(30) 및 린스액 노즐(33)로부터의 DIW 토출량을 그대로 유지함으로써, 웨이퍼(W) 표면의 전역이 계속해서 연속적인 DIW의 액막에 덮인다. 이 상태를 정해진 시간 계속함으로써, 웨이퍼(W) 표면의 전역에서 DHF가 DIW로 치환된다. 즉, 상기한 바와 같이, 세정액 노즐(30)로부터 웨이퍼(W) 표면의 전역을 덮기에는 불충분한 유량으로 DIW를 웨이퍼(W)의 중심부에 토출하여 웨이퍼(W) 표면의 중심측 원형 영역이 DIW의 액막에 덮였다면 바로, 세정액 노즐(30)로부터 공급된 DIW에 의해 형성된 DIW의 액막의 주연부에 린스액 노즐(33)에 의해 DIW를 토출하고, 그 후 린스액 노즐(33)로부터의 웨이퍼(W) 상에의 DIW의 토출 위치를 웨이퍼(W) 주연부를 향해 이동시켜 감으로써, 웨이퍼(W)의 외측 영역이 주변 분위기에 의해 노출되는 것을 방지할 수 있다. 이것에 의해, 약액에 의해 젖은 표면이 주변 분위기에 노출됨으로써 생기는 파티클의 발생을 DIW의 적은 총 토출량으로 방지할 수 있다.

도 3의 (b)의 상태로부터 도 3의 (d)의 상태에 이르기까지의 전체 기간에서, 액막(L)을 형성하는 DIW의 흐름을 어지럽히지 않도록, 린스액 노즐(33)로부터 DIW의 액막(L)을 향해 DIW를 토출하는 것이 바람직하다. 도 4에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(30)로부터 웨이퍼(W)의 중심부 P1에 토출된 DIW는, 웨이퍼(W)의 중심부로부터 소용돌이형으로 외측을 향해 흐른다. 여기서, 평면에서 봤을 때, 린스액 노즐(33)로부터 토출된 DIW의 방향이, 린스액 노즐(33)로부터 토출된 DIW가 웨이퍼(W)의 표면[액막(L)의 표면] 상에 도달하는 위치 P2에서의 소용돌이형의 흐름 방향을 따르도록, 린스액 노즐(33)로부터 아래쪽으로 비스듬하게 DIW를 토출하는 것이 바람직하다. 이렇게 함에 따라, 도 3의 (b)∼(d)에 도시한 린스액 노즐(33)을 반경 방향 외측으로 이동시키는 것에 수반하는 액막(L) 형성 영역의 확장 작용을 원활하게 발현시킬 수 있다. 또한 위치 P2에서의 소용돌이형의 흐름 방향과, 린스액 노즐(33)로부터 토출된 DIW의 방향은 완전히 일치할 필요는 없고, 평면에서 봤을 때, 양자가 이루는 각도가 ±45도 이하 정도까지이면 어긋나 있어도 좋다.

또한, 액막(L)의 둘레 가장자리 부분[즉 린스액 노즐(33)로부터 토출되는 DIW의 도달 위치]에서의 액막(L)을 형성하는 DIW의 흐름 방향은, 액막(L)을 넓혀가는 과정에서 그다지 변화하지 않는다. 즉 액막(L)의 둘레 가장자리 부분에서는, 액막(L)을 형성하는 DIW의 흐름 방향이 원형인 액막(L)의 둘레 가장자리의 원주 방향과 이루는 각도는 비교적 작고, 또한 이 각도는 액막(L)을 넓혀가도 그다지 변화하지 않는다. 이 때문에, 도 1 및 도 2에 도시한 직선 운동형의 노즐 아암[제2 노즐 아암(34B)]을 이용하여, 이 제2 노즐 아암(34B)에 린스액 노즐(33)이 토출 각도 조정 불가능하게 부착되어 있다고 해도, 상기 작용을 발현시키는 데에 있어서, 실용상 아무런 지장이 없다. 또한, 선회 운동형의 노즐 아암을 이용하여, 이 노즐 아암에 린스액 노즐이 토출 각도 조정 불가능하게 부착되어 있다고 해도, 노즐 아암이 극단적으로 짧은 경우를 제외하고, 상기 작용을 발현시키는 데에 있어서, 실용상 아무런 지장이 없다. 그러나, 노즐 아암에 린스액 노즐을 토출 각도 조정 가능하게 부착하여, 린스액 노즐로부터의 DIW의 토출 방향과 상기 소용돌이형의 DIW의 흐름 방향의 관계가 최적이 되도록, 액막(L)을 넓혀가는 과정에서 린스액 노즐의 방향을 변화시켜도 상관없다.

[건조 공정]

린스 처리를 정해진 시간 행한 후, 세정액 노즐(30) 및 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출이 정지된다. 또한, 린스액 노즐(33)은 후퇴 위치로 이동한다. 다음에, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 100 rpm∼500 rpm 정도로 조정하고, 웨이퍼(W)의 중심부 바로 위에 건조액 노즐(31)을 위치시켜, 건조액 공급 기구(60)에 의해 건조액 노즐(31)을 통해 IPA가 웨이퍼(W) 표면의 중심부에 토출된다. 건조액 노즐(31)은 IPA를 토출한 채 웨이퍼(W)의 중심 위쪽의 위치와, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리 위쪽의 위치 사이에서 왕복 운동(스캔 동작)한다. 이것에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 DIW가 IPA액으로 치환된다.

계속해서, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 500 rpm∼800 rpm 정도로 조정하고, 건조액 노즐(31)로부터 IPA를 토출하고 가스 노즐(32)로부터 질소 가스를 토출하며, 건조액 노즐(31) 및 가스 노즐(32)을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 주연부에 대응하는 위치까지 이동(스캔)시킨다. 이 때, 건조액 노즐(31)은 가스 노즐(32)보다 이동 방향 전방에 위치한다. 이것에 의해, 웨이퍼(W)가 건조된다.

웨이퍼(W)가 건조되었다면, 웨이퍼(W)의 회전을 정지하고, 그 후, 반입 시와 반대의 수순으로 웨이퍼를 기판 액처리 장치로부터 반출한다.

다음에, 상기 실시형태의 효과를 확인하기 위한 시험 결과에 대해서 설명한다. 시험에는, 대략 도 1 및 도 2에 도시하는 구성을 갖는 기판 액처리 장치를 이용하였다. 300 ㎜ 베어 Si 웨이퍼를, 스핀척에 유지하여 회전시키고, 세정액 노즐(30)로부터 LAL 5000(스텔라 케미파 주식회사에 의해 제공되는 완충된 플루오르화수소산계 약제의 상품명)을 웨이퍼에 공급하여, 웨이퍼 표면의 자연 산화막을 제거하고, 발수성의 표면을 얻었다. 표면의 DIW에 대한 접촉각은 77도였다.

이 발수성 표면을 갖는 웨이퍼에 대하여, 종래 방법 및 상기 실시형태의 방법에 의해 DIW 린스 처리를 행하였다. 종래 방법에서는, 스핀척에 유지되어 회전하는 웨이퍼의 중심부에만 세정액 노즐(30)만으로 DIW를 토출하고, DIW 토출 유량을 변화시켜 웨이퍼 표면의 전체에 확실하게 액막(L)이 형성되는 DIW 토출 유량을 조사하였다. 실시형태의 방법에서는, 린스액 노즐(33)로부터는 0.5 L/min로 DIW를 공급하고, 세정액 노즐(30)로부터의 웨이퍼 중심부에의 DIW 토출 유량을 변화시켜 웨이퍼 표면 전체에 확실하게 액막(L)이 형성되는 DIW 총 토출 유량[린스액 노즐(33)로부터의 토출 유량과 세정액 노즐(30)로부터의 토출 유량의 총합]을 조사하였다. 웨이퍼 회전수는 300 rpm으로 하였다.

웨이퍼 표면의 전체에 확실하게 액막(L)을 형성하는 데 필요한 DIW의 총 토출 유량은, 종래 방법에서는 4.0 L/min인 것에 비해, 실시형태의 방법에서는 3.0 L/min로 크게 감소하였다.

이 시험 결과로부터, 상기 실시형태에 따른 방법을 이용함으로써, 린스 처리에 필요한 DIW의 총량을 삭감할 수 있는 것을 알았다. 또한, 웨이퍼(W)의 중심부에 DIW를 토출하는 세정액 노즐(30)로부터의 토출 유량을 적게 할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)로부터의 DIW가 튀는 것을 억제할 수 있는 것도 분명하다.

상기 실시형태에 따른 린스 처리 공정은, 플루오르화수소산계의 약액에 의해 자연 산화막이 제거된 것에 의해 표면이 소수화된 웨이퍼에 대하여 행했지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시형태에 따른 린스 처리 공정은 웨이퍼 등의 기판의 표면을 적극적으로 소수화할 목적으로 행하는 소수화 처리 후에 행해지는 경우에 특히 유효하다. 이러한 소수화 처리에 이용되는 소수화 처리액으로서는, 디메틸아미노트리메틸실란(TMSDMA), 디메틸(디메틸아미노)실란(DMSDMA), 1,1,3,3-테트라메틸디실란(TMDS), 헥사메틸디실라잔(HMDS) 등의 실릴화제나, 불소폴리머 약액 등이 예시된다.

또한, 상기 실시형태에서는, 약액 처리(DHF 세정 처리) 후에 연속적으로 DIW를 린스액으로서 이용하는 린스 처리를 행했지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 단독의 DIW 세정 처리만(연속되는 이전 공정 없음)을 행하여도 좋다. 이 경우에도, 적은 DIW 토출량으로 웨이퍼(W)의 표면 전체에 DIW의 액막을 형성할 수 있어, DIW 소비량을 삭감할 수 있다. 또한, 파티클을 감소시킬 수도 있다.

또한, 상기 실시형태에서는, 린스 처리 공정에서, 계속적으로 웨이퍼 중심부에 제1 처리액 노즐[세정액 노즐(30)]로부터 처리액으로서의 DIW를 토출하고, 제2 처리액 노즐[린스액 노즐(33)]을 웨이퍼의 둘레 가장자리를 향해 이동시키면서 처리액으로서의 DIW를 토출하였다. 그러나, 이러한 2개의 처리액 노즐(30, 33)로부터 토출되는 처리액은, DIW 린스액에 한정되는 것이 아니라, 다른 처리액 예컨대 산성 약액, 알칼리성 약액, 유기 용제, 현상액 등이어도 좋다. 이 경우도, 처리액 소비량의 삭감, 액 튐 방지, 파티클 감소의 효과를 기대할 수 있다. 또한 이 경우, 젖은 상태의 웨이퍼(W) 표면에 처리액을 공급하는 것에 한정되지 않고, 마른 상태의 웨이퍼(W)에, 산성 약액, 알칼리성 약액, 유기 용제, 현상액 등의 처리액을 2개의 처리액 노즐을 이용하여 공급하여도 좋다.

또한, 피처리 기판은 반도체 웨이퍼에 한정되는 것이 아니라, 유리 기판, 세라믹 기판 등이어도 좋다.

또한, 상기 실시형태에서는, 린스 처리 공정에 있어서, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(30)이 연속적인 수류(액류)(LC)의 형태로 DIW를 웨이퍼(W) 의 중심부를 향해 토출함으로써 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심부 영역에 원형의 액막을 형성했지만, 이것에는 한정되지 않는다. 다른 실시형태로서, 예컨대 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 세정액 노즐(30) 대신에 이류체 노즐로서 구성된 세정액 노즐(130)을 설치하고, 이 세정액 노즐(130)로부터 액적(LD)의 형태로 DIW를 웨이퍼(W)의 중심부를 향해 토출함으로써, 웨이퍼(W)의 중심부 영역에 원형의 액막을 형성하여도 좋다.

이러한 세정액 노즐(130)의 내부에는, 예컨대 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이, 가스가 흐르는 유로(131)가 설치되고, 또한 이 유로(131)에 합류하는 DIW의 유로(132)가 설치되어 있다. 유로(131)에는, DIW를 무화(霧化) 내지 액적화하기 위한 가스 여기서는 질소 가스를 공급하는 가스 공급 기구(140)가 접속되어 있다. 가스 공급 기구(140)는 가스 공급원(141)과, 가스 공급원(141)을 유로(131)에 접속하는 가스 공급 라인(142)과, 가스 공급 라인(142)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(143)를 갖고 있다. 따라서, 가스 공급 기구(140)는 세정액 노즐(130)의 유로(131)에 제어된 유량으로 가스를 공급할 수 있다. 유로(132)에는, 도 1에 도시한 것과 동일한 린스액 공급 기구(50)가 접속되어 있다.

가스가 흐르고 있는 유로(131)에 유로(132)로부터 DIW를 유입시키면, 유입된 DIW는 무화되어, 토출구(133)로부터 예컨대 50 ㎛ 정도의 사이즈의 액적의 형태로 웨이퍼(W)의 표면을 향해 토출된다. 웨이퍼(W)의 표면에 충돌한 액적은 서로 연결되어, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같은 액막(L)이 웨이퍼(W)의 중심부 영역에 형성된다. 액막(L)이 형성되었다면 도 3의 (b) 내지 (d)를 참조하여 앞에 설명한 수순으로 린스액 노즐(33)로부터 DIW를 토출하고 린스액 노즐(33)을 외측으로 이동시켜 감으로써, 웨이퍼(W) 표면의 전역에 DIW의 액막(L)을 형성할 수 있다.

세정액 노즐(130)을 이용한 경우의 작용은, 도 3에서의 세정액 노즐(30)을 세정액 노즐(130)로 간주하는 것에 의해 이해할 수 있다. 세정액 노즐(130)을 이용한 경우라도 린스액 노즐(33)에는 유사한 동작을 시키면 된다.

액적(LD)의 형태로 DIW를 토출할 때의 DIW의 토출 유량은, 연속된 수류(LC)의 형태로 DIW를 토출할 때의 DIW의 토출 유량과 비교하여, 대폭 적게 할 수 있다. 예컨대 전술한 바와 같이 후자가 1 L/min인 경우, 전자는 0.1 L/min로 약 1/10 정도로 감소시킬 수 있다.

단, 이 경우, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이 연속된 수류(LC)를 웨이퍼(W)에 공급하는 경우와 비교하여, 웨이퍼(W) 표면에 형성되는 액막(L)의 두께는 얇아지기 때문에, 액막(L)이 형성되는 영역도 좁아지는 경향이 있다. 이것에 맞춰, 최초에 린스액 노즐(33)로부터 웨이퍼(W)에 DIW를 공급하는 반경 방향 위치[도 3의 (b)에 도시한 위치]를 내측으로 옮겨, 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출 유량을 증대시켜야 한다.

그러나, 세정액 노즐(130)로부터의 DIW의 토출 유량을 0.1 L/min 정도로 했을 때에, 웨이퍼(W)의 표면 전체를 완전히 DIW의 액막(L)으로 덮기 위해 필요한 린스액 노즐(33)은 예컨대 1 L/min 정도이다. 즉, DIW의 합계 공급 유량은 1.1 L/min 정도이다. 이 값은, 세정액 노즐(30)을 이용한 경우의 합계 토출 유량 3.0 L/min[전술한 바와 같이 세정액 노즐(30)이 2.5 L/min, 린스액 노즐(33)이 O.5 L/min]와 비교하여 대폭 작고, 약 1/3이다. 즉, 웨이퍼(W)의 중심부에 DIW의 액적(LD)을 공급하여 웨이퍼(W)의 중심부 영역에 액막(L)을 형성함으로써, 전체 DIW의 소비량을 감소시킬 수 있다.

또 다른 실시형태로서, 도 5의 (a)에 도시하는 연속적인 수류(LC)의 형태로 웨이퍼(W)에 공급하는 세정액 노즐(30) 대신에, 도 6에 도시하는 바와 같이 증기(V)의 형태로 DIW를 웨이퍼(W)의 중심부에 토출하는 세정액 노즐(증기 노즐)(230)을 설치할 수도 있다. 세정액 노즐(230)에는, 증기 공급 기구(240)가 접속되어 있다. 증기 공급 기구(240)는 증기로서 순수(DIW)의 증기(수증기)(V)를 공급하는 증기 공급원(241)과, 증기 공급원(241)을 증기 노즐(230)에 접속하는 증기 공급 라인(242)과, 증기 공급 라인(242)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(243)를 갖고 있다. 따라서, 증기 공급 기구(240)는 세정액 노즐(230)에 제어된 유량으로 DIW의 증기를 공급할 수 있다.

웨이퍼(W)의 표면 상에서의 증기(V)의 응축을 촉진하기 위해, 웨이퍼(W)의 이면에 냉각액(C)을 공급하는 냉각액 노즐(250)이 웨이퍼(W)의 하면 중앙부의 아래쪽에 설치되어 있다. 도시예에서는, 냉각액 노즐(250)은 스핀척(20)의 베이스(21) 및 회전축을 관통하여 연장되는 냉각액 유로(251)의 상단 개구에 의해 형성되어 있다. 냉각액 유로(251)에는, 냉각액 공급 기구(260)가 접속되어 있다. 냉각액 공급 기구(260)는 냉각액(C)으로서 예컨대 상온의 DIW를 공급하는 냉각액 공급원(261)과, 냉각액 공급원(261)을 세정액 노즐(230)에 접속하는 냉각액 공급 라인(262)과, 냉각액 공급 라인(262)에 설치된 개폐 밸브 및 유량 조정 밸브 등을 포함하는 밸브 장치(263)를 갖고 있다. 따라서, 냉각액 공급 기구(260)는 세정액 노즐(230)에 제어된 유량으로 냉각액을 공급할 수 있다.

웨이퍼(W) 표면의 중심부에 세정액 노즐(230)로부터 DIW의 증기(V)를 공급하면, 그 증기(V)는 웨이퍼(W)에 열을 빼앗겨 웨이퍼(W)의 표면 상에서 결로(응축)하여 액적이 되고 이 액적이 서로 연결되어, 도 3의 (a)에 도시하는 바와 같은 액막(L)이 웨이퍼(W)의 중심부 영역에 형성된다. 액막(L)이 형성되었다면 도 3의 (b) 내지 (d)를 참조하여 앞에 설명한 수순으로 린스액 노즐(33)로부터 DIW를 토출하고 린스액 노즐(33)을 외측으로 이동시켜 감으로써, 웨이퍼(W) 표면의 전역에 DIW의 액막(L)을 형성할 수 있다. 이 경우도, 세정액 노즐(230)로부터의 DIW의 토출 유량(액체 환산의 토출 유량)을 대폭 저감할 수 있다. 단, 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출 유량을 증대시켜야 하는 것과, 린스액 노즐(33)로부터의 DIW의 토출 시작 위치를 반경 방향 내측으로 옮겨야 하는 점에 대해서는, 도 5의 (b)의 실시형태의 경우와 유사하다.

도 5의 (b) 및 도 6에서는, 도면의 간략화를 위해 도 1의 구성에 대한 변경 부분을 주로 도시하고 있다. 기판 액처리 장치의 구성 중, 도 1에는 도시되고 도 5의 (b) 및 도 6에는 도시되지 않은 부분은, 도 1과 같은 구성을 채용할 수 있는 것은 물론이다. 또한 도 1의 실시형태에서는, 세정액 노즐(30)이 약액 공급 기구(40)에 접속됨으로써 약액 공급 기능을 갖고 있었지만, 도 5의 (b)에 도시하는 세정액 노즐(130)도 마찬가지로 약액 공급 기능을 갖고 있어도 좋다. 또는 도 5의 (b)에 도시하는 세정액 노즐(130)을 설치하는 경우에는, 별도의 약액 공급 전용의 노즐을 설치하여도 좋다. 도 6에 도시하는 세정액 노즐(230)을 이용하는 경우에는, 별도의 약액 공급 전용의 노즐을 설치하는 것이 바람직하다.

20: 스핀척(기판 유지부) 24: 회전 구동부
30: 세정액 노즐(제1 노즐) 33: 린스액 노즐(제2 노즐)
36A, 36B: 아암 구동 기구(노줄 구동 기구) 90: 제어부(제어 컴퓨터)
92: 기록 매체

Claims

기판을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과,
상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과,
그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해서 이동시켜, 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정
을 포함하는 기판 액처리 방법.
제1항에 있어서, 평면에서 봤을 때, 상기 제2 노즐로부터의 처리액의 토출 방향이, 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액이 상기 기판의 표면에 도달하는 위치에서의 상기 제1 노즐로부터의 처리액의 흐름 방향을 따르는 것인 기판 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정 전에, 상기 기판의 중심부에 약액을 공급함으로써 상기 기판의 표면에 액막을 형성하여 상기 기판에 약액 처리를 실시하는 공정을 더 포함하며, 상기 처리액은 순수로 이루어지는 린스액인 것인 기판 액처리 방법.
제3항에 있어서, 상기 약액 처리는, 상기 약액 처리 후에 있어서의 상기 기판의 표면의 소수성을 상기 약액 처리 전에 있어서의 상기 기판의 표면의 소수성보다 증대시키는 처리인 것인 기판 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 노즐의 이동 속도는, 상기 처리액의 원심력에 의한 확장 속도와 같은 것인 기판 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 토출 유량은, 상기 제1 노즐로부터의 상기 처리액의 토출 유량보다 작은 것인 기판 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정에서, 상기 처리액이 연속된 액류의 형태로 상기 제1 노즐로부터 상기 기판을 향해 토출되는 것인 기판 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정에서, 상기 처리액이 액적의 형태로 상기 제1 노즐로부터 상기 기판을 향해 토출되는 것인 기판 액처리 방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정에서, 상기 처리액이 증기의 형태로 상기 제1 노즐로부터 상기 기판을 향해 토출되고, 상기 증기는 상기 기판 상에서 응축되어 액체가 되는 것인 기판 액처리 방법.
제9항에 있어서, 상기 증기의 응축을 촉진하기 위해, 상기 기판의 이면에 냉각액이 공급되는 것인 기판 액처리 방법.
기판 액처리 장치에 있어서,
기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 구동부와,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 향해 처리액을 토출하는 제1 노즐과,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 향해 처리액을 토출하는 제2 노즐과,
상기 제2 노즐을 이동시키는 노즐 구동 기구와,
제어부
를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판 액처리 장치의 동작을 제어하여,
상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과,
상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과,
그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 이동시키고, 이것에 의해 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 주연부를 향해 넓혀가는 공정
을 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
제11항에 있어서, 평면에서 봤을 때, 상기 제2 노즐로부터의 처리액의 토출 방향이, 상기 제2 노즐로부터 공급된 처리액이 상기 기판의 표면에 도달하는 위치에서의 상기 제1 노즐로부터의 처리액의 흐름 방향을 따르는 것인 기판 액처리 장치.
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 기판 유지부에 의해 유지된 기판을 향해 약액을 토출하는 제3 노즐을 더 구비하고,
상기 제1 및 제2 노즐로부터 토출되는 상기 처리액은 순수로 이루어지는 린스액이며,
상기 제어부는, 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정 전에, 상기 기판의 중심부에 약액을 공급함으로써 상기 기판의 표면에 액막을 형성하여 상기 기판에 약액 처리를 실시하는 공정을 더 실행시키는 것인 기판 액처리 장치.
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 처리액을 연속된 액류의 형태로 토출하도록 구성되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 처리액을 액적의 형태로 토출하도록 구성되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 제1 노즐은 상기 처리액을 증기의 형태로 토출하도록 구성되어 있고, 상기 증기는 상기 기판 상에서 응축되어 액체가 되는 것인 기판 액처리 장치.
제16항에 있어서, 상기 증기의 응축을 촉진하기 위해, 상기 기판의 이면에 냉각액을 공급하는 냉각액 노즐을 더 구비하는 기판 액처리 장치.
기판 액처리 장치의 제어 컴퓨터에 의해 실행하는 것이 가능한 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
이 프로그램을 실행함으로써, 상기 제어 컴퓨터가 상기 기판 액처리 장치를 제어하여 기판 액처리 방법을 실행시키며,
상기 기판 액처리 방법은,
기판을 수평 자세로 수직축선 둘레로 회전시키면서, 상기 기판의 표면의 중심부에 제1 노즐로부터 처리액을 공급하여, 상기 기판의 직경보다 작은 직경의 상기 처리액의 액막을 상기 기판의 표면에 형성하는 공정과,
상기 제1 노즐에 의해 상기 기판의 표면에 형성된 상기 처리액의 액막의 주연부에, 상기 제1 노즐로부터 공급되고 있는 상기 처리액과 동일한 처리액을 제2 노즐로부터 공급하는 공정과,
그 후, 상기 기판의 표면에의 상기 제2 노즐로부터의 상기 처리액의 공급 위치를 상기 기판의 주연부를 향해 이동시키고, 이것에 의해 상기 처리액의 액막을 상기 기판 주연부를 향해 넓혀가는 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.