JPH05251417A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH05251417A JPH05251417A JP4049699A JP4969992A JPH05251417A JP H05251417 A JPH05251417 A JP H05251417A JP 4049699 A JP4049699 A JP 4049699A JP 4969992 A JP4969992 A JP 4969992A JP H05251417 A JPH05251417 A JP H05251417A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被洗浄物の両面を同時に洗浄することができ
る洗浄装置を提供することにある。 【構成】 内部に被洗浄物９を装着する洗浄槽７と、そ
の被洗浄物９の被洗浄面両側にそれぞれ対向するように
配置された洗浄流体噴射ノズル５、６と、超純水を前記
洗浄流体噴射ノズル５、６に供給する超純水供給系統１
と、水蒸気を前記洗浄流体噴射ノズル５、６に供給する
水蒸気供給系統２とを備え、前記被洗浄物９の一方の面
に超純水を、他方の面に水蒸気を噴射することにより、
その水蒸気を噴射した被洗浄面に凝縮水を生じさせ洗浄
するようにしたことを特徴とするものである。
る洗浄装置を提供することにある。 【構成】 内部に被洗浄物９を装着する洗浄槽７と、そ
の被洗浄物９の被洗浄面両側にそれぞれ対向するように
配置された洗浄流体噴射ノズル５、６と、超純水を前記
洗浄流体噴射ノズル５、６に供給する超純水供給系統１
と、水蒸気を前記洗浄流体噴射ノズル５、６に供給する
水蒸気供給系統２とを備え、前記被洗浄物９の一方の面
に超純水を、他方の面に水蒸気を噴射することにより、
その水蒸気を噴射した被洗浄面に凝縮水を生じさせ洗浄
するようにしたことを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ等の洗浄装
置に係り、特にウエハ等の両面を蒸気の凝縮水で洗浄す
る洗浄装置に関する。
置に係り、特にウエハ等の両面を蒸気の凝縮水で洗浄す
る洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウエハ洗浄装置の推移につ
いて先ず説明する。洗浄操作は公知のごとく先ず水で洗
浄する方法で実施されてきたが、半導体洗浄では最近非
常に高度な洗浄度が要求されるようになつたので、洗浄
用水質は清澄水から純水、さらには超純水と高純度処理
された水が用いられるようになつた。
いて先ず説明する。洗浄操作は公知のごとく先ず水で洗
浄する方法で実施されてきたが、半導体洗浄では最近非
常に高度な洗浄度が要求されるようになつたので、洗浄
用水質は清澄水から純水、さらには超純水と高純度処理
された水が用いられるようになつた。
【０００３】しかし、洗浄用水の水質をどんなに高純度
に処理しても超純水製造装置から半導体ウエハ洗浄装置
に至る配管や貯槽等の構成材料から溶出する物質や弁類
から発生する摩耗粒子等の混入は防止することが不可能
であるので、これらの溶出混入物が半導体ウエハ表面に
付着して汚染源となることが判明した。
に処理しても超純水製造装置から半導体ウエハ洗浄装置
に至る配管や貯槽等の構成材料から溶出する物質や弁類
から発生する摩耗粒子等の混入は防止することが不可能
であるので、これらの溶出混入物が半導体ウエハ表面に
付着して汚染源となることが判明した。
【０００４】そこで、この水洗浄方法における不純物の
溶出混入を防止する洗浄方法として超純水を水蒸気と
し、更に多孔質膜等で水蒸気中の不純物を取除いた清浄
蒸気を洗浄用流体として直接半導体ウエハ表面に導き、
この表面が凝縮した水滴で汚染物を洗浄する方法があ
る。
溶出混入を防止する洗浄方法として超純水を水蒸気と
し、更に多孔質膜等で水蒸気中の不純物を取除いた清浄
蒸気を洗浄用流体として直接半導体ウエハ表面に導き、
この表面が凝縮した水滴で汚染物を洗浄する方法があ
る。
【０００５】図５は、従来の水蒸気洗浄装置を説明する
ための図である。図中の１００は水蒸気洗浄装置、１０
１は疎水性多孔質膜、１０２はヒータ、１０３は水蒸
気、１０４は洗浄液面、１０５は原水入口、１０６は洗
浄液排出口、１０７は被洗浄物、１０８は冷却水、１０
９はドレン口、１１０は抽気口、１１１は水蒸気発生
部、１１２は凝縮洗浄部である。
ための図である。図中の１００は水蒸気洗浄装置、１０
１は疎水性多孔質膜、１０２はヒータ、１０３は水蒸
気、１０４は洗浄液面、１０５は原水入口、１０６は洗
浄液排出口、１０７は被洗浄物、１０８は冷却水、１０
９はドレン口、１１０は抽気口、１１１は水蒸気発生
部、１１２は凝縮洗浄部である。
【０００６】水蒸気洗浄装置１００は同図に示すよう
に、水蒸気発生部１１１、凝縮洗浄部１１２、疎水性多
孔質膜１０１とから主に構成されている。水蒸気発生部
１１１で発生した水蒸気１０３を疎水性多孔質膜１０１
を通すことで不純物を取除いた水蒸気（以下、清浄蒸気
と記す）を凝縮洗浄部１１２に送り、被洗浄物１０７の
裏面に冷却水１０８を通して被洗浄物１０７の表面に清
浄蒸気を凝縮させ、その凝縮水で表面を洗浄する（以
下、本洗浄法を凝縮水洗浄と記す）。
に、水蒸気発生部１１１、凝縮洗浄部１１２、疎水性多
孔質膜１０１とから主に構成されている。水蒸気発生部
１１１で発生した水蒸気１０３を疎水性多孔質膜１０１
を通すことで不純物を取除いた水蒸気（以下、清浄蒸気
と記す）を凝縮洗浄部１１２に送り、被洗浄物１０７の
裏面に冷却水１０８を通して被洗浄物１０７の表面に清
浄蒸気を凝縮させ、その凝縮水で表面を洗浄する（以
下、本洗浄法を凝縮水洗浄と記す）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、 （１）被洗浄物１０７の片面は凝縮水洗浄が可能である
が、他の面は凝縮水洗浄できない上に、冷却水に超純水
を使用するとしても含まれる溶出成分や混入物による汚
染は防止しできず、水蒸気洗浄法の目的を達成し得な
い。
法では、 （１）被洗浄物１０７の片面は凝縮水洗浄が可能である
が、他の面は凝縮水洗浄できない上に、冷却水に超純水
を使用するとしても含まれる溶出成分や混入物による汚
染は防止しできず、水蒸気洗浄法の目的を達成し得な
い。
【０００８】（２）水蒸気洗浄法を適用しようとする半
導体ウエハは裏面に付着残留している汚染物質により半
導体加工工程中に他の半導体ウエハの表面に伝染するこ
とがある。
導体ウエハは裏面に付着残留している汚染物質により半
導体加工工程中に他の半導体ウエハの表面に伝染するこ
とがある。
【０００９】（３）冷却用水が半導体ウエハ取付け部か
ら漏洩して、水蒸気に面する側に流出して洗浄効果に支
障となるおそれがある。
ら漏洩して、水蒸気に面する側に流出して洗浄効果に支
障となるおそれがある。
【００１０】等の問題点を有している。
【００１１】本発明の目的は、前述した従来技術の欠点
を解消し、被洗浄物の両面を同時に洗浄することができ
る洗浄装置を提供することにある。
を解消し、被洗浄物の両面を同時に洗浄することができ
る洗浄装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、内部に被洗浄物を装着する洗浄槽と、その被
洗浄物の被洗浄面両側にそれぞれ対向するように配置さ
れた洗浄流体噴射ノズルと、超純水を前記洗浄流体噴射
ノズルに供給する超純水供給系統と、水蒸気を前記洗浄
流体噴射ノズルに供給する水蒸気供給系統とを備え、前
記被洗浄物の一方の面に超純水を、他方の面に水蒸気を
噴射することにより、その水蒸気を噴射した被洗浄面に
凝縮水を生じさせてその面を洗浄するようにしたことを
特徴とするものである。
するため、内部に被洗浄物を装着する洗浄槽と、その被
洗浄物の被洗浄面両側にそれぞれ対向するように配置さ
れた洗浄流体噴射ノズルと、超純水を前記洗浄流体噴射
ノズルに供給する超純水供給系統と、水蒸気を前記洗浄
流体噴射ノズルに供給する水蒸気供給系統とを備え、前
記被洗浄物の一方の面に超純水を、他方の面に水蒸気を
噴射することにより、その水蒸気を噴射した被洗浄面に
凝縮水を生じさせてその面を洗浄するようにしたことを
特徴とするものである。
【００１３】本発明はさらに前記目的を達成するため、
洗浄槽内に被洗浄物を装着することにより、洗浄槽内を
少なくとも２つの室に区切り、一方の室に水蒸気を導入
し、他方の室に被洗浄物を冷却するための低温流体を導
入して、水蒸気を導入した側の洗浄物の表面に凝縮水を
生成して洗浄するように構成されたことを特徴とするも
のである。
洗浄槽内に被洗浄物を装着することにより、洗浄槽内を
少なくとも２つの室に区切り、一方の室に水蒸気を導入
し、他方の室に被洗浄物を冷却するための低温流体を導
入して、水蒸気を導入した側の洗浄物の表面に凝縮水を
生成して洗浄するように構成されたことを特徴とするも
のである。
【００１４】
【作用】本発明は前述したような構成になつており、被
洗浄物の１回の装着で超純水と水蒸気の凝縮水による２
段階の洗浄を被洗浄物の両面に施すことができるので、
従来法では避けられなかつた被洗浄物裏面の汚染を取り
除いて、洗浄効果の高い洗浄装置を提供することができ
る。
洗浄物の１回の装着で超純水と水蒸気の凝縮水による２
段階の洗浄を被洗浄物の両面に施すことができるので、
従来法では避けられなかつた被洗浄物裏面の汚染を取り
除いて、洗浄効果の高い洗浄装置を提供することができ
る。
【００１５】
【実施例】本発明の洗浄装置においては、ウエハカセツ
トに被洗浄物を垂直に挿入し、洗浄槽中に設置する。洗
浄は下記の手順で行う。
トに被洗浄物を垂直に挿入し、洗浄槽中に設置する。洗
浄は下記の手順で行う。
【００１６】．被洗浄物の表面側ノズルから超純水を
噴射して、その表面の超純水洗浄を行う。
噴射して、その表面の超純水洗浄を行う。
【００１７】．被洗浄物の表面側ノズルから次に清浄
蒸気を噴射し、同時に裏面側ノズルから超純水を噴射す
る。これにより、裏面の超純水洗浄を行うと同時に表面
に噴射された清浄蒸気が凝縮し、凝縮水洗浄をする。こ
の時、裏面に噴射される超純水は清浄蒸気を凝縮させる
ための冷却水として作用する。
蒸気を噴射し、同時に裏面側ノズルから超純水を噴射す
る。これにより、裏面の超純水洗浄を行うと同時に表面
に噴射された清浄蒸気が凝縮し、凝縮水洗浄をする。こ
の時、裏面に噴射される超純水は清浄蒸気を凝縮させる
ための冷却水として作用する。
【００１８】．被洗浄物の裏面側ノズルから清浄蒸気
を噴射し、同時に表面側ノズルから清浄蒸気凝縮用の冷
却ガス（Ｎ2 ，ＣＯ2 等）を噴射する。これにより表面
に噴射された清浄蒸気が凝縮し、凝縮水洗浄をする。
を噴射し、同時に表面側ノズルから清浄蒸気凝縮用の冷
却ガス（Ｎ2 ，ＣＯ2 等）を噴射する。これにより表面
に噴射された清浄蒸気が凝縮し、凝縮水洗浄をする。
【００１９】以上の操作を行うことで被洗浄物の両面を
先ず超純水で予洗し、更に清浄蒸気の凝縮水で本洗を行
うという２段階洗浄できるので、従来法のように裏面が
不純物による汚染を受けることがない。
先ず超純水で予洗し、更に清浄蒸気の凝縮水で本洗を行
うという２段階洗浄できるので、従来法のように裏面が
不純物による汚染を受けることがない。
【００２０】なお、清浄蒸気は絶対圧力０．５〜２．０
ｋｇｆ／ｃｍ2 の飽和蒸気とし、水滴ミストは含まない
ものを使用することが凝縮水生成上好ましい。
ｋｇｆ／ｃｍ2 の飽和蒸気とし、水滴ミストは含まない
ものを使用することが凝縮水生成上好ましい。
【００２１】また、冷却用低温流体の温度は被洗浄物に
熱衝撃を生ぜしめない温度で、かつ極力低温とする必要
があるが、０℃以上とし反対側で凝縮した水滴が氷結し
ないことが最も凝縮水生成上好ましい。
熱衝撃を生ぜしめない温度で、かつ極力低温とする必要
があるが、０℃以上とし反対側で凝縮した水滴が氷結し
ないことが最も凝縮水生成上好ましい。
【００２２】後述する第３実施例ならびに第４実施例に
おいて、被洗浄物装着部の枠体とダイヤフラム膜の間に
作用させる空気圧Ｐ1 は被洗浄物の保持力と関係する。
従つて、Ｐ1 は清浄蒸気圧力と低温流体圧力の差圧によ
る被洗浄物の取外力より強い保持力を生じ得る圧力とし
なければならない。
おいて、被洗浄物装着部の枠体とダイヤフラム膜の間に
作用させる空気圧Ｐ1 は被洗浄物の保持力と関係する。
従つて、Ｐ1 は清浄蒸気圧力と低温流体圧力の差圧によ
る被洗浄物の取外力より強い保持力を生じ得る圧力とし
なければならない。
【００２３】清浄蒸気の圧力と低温流体の圧力の差圧
は、被洗浄物に応力を発生させるので、被洗浄物の許容
強度および機能を害さないように決定する必要がある。
は、被洗浄物に応力を発生させるので、被洗浄物の許容
強度および機能を害さないように決定する必要がある。
【００２４】洗浄蒸気の圧力は冷却用の低温流体の圧力
より５〜１００００ｍｍ水柱だけ高く制御することによ
り、被洗浄物を装着した隙間等からの漏洩がある場合、
漏洩方向は清浄蒸気側から低温流体側へとなるので、清
浄蒸気の湿り度に変化を与えず、よつて凝縮水生成速度
に悪影響を及ぼさなくすることが可能となる。
より５〜１００００ｍｍ水柱だけ高く制御することによ
り、被洗浄物を装着した隙間等からの漏洩がある場合、
漏洩方向は清浄蒸気側から低温流体側へとなるので、清
浄蒸気の湿り度に変化を与えず、よつて凝縮水生成速度
に悪影響を及ぼさなくすることが可能となる。
【００２５】被洗浄物の装着は被洗浄物の平面形状とほ
ぼ相似な形状をした枠体にダイヤフラム膜を取付けて、
枠体とダイヤフラムの間に空気圧を作用させてダイヤフ
ラムを膨らませることにより被洗浄物の全周で捕捉支持
すると共に、密閉効果も生じ、清浄蒸気と低温流体の仕
切壁としての機能を持たせることにより漏洩を防止する
ことが可能となる。
ぼ相似な形状をした枠体にダイヤフラム膜を取付けて、
枠体とダイヤフラムの間に空気圧を作用させてダイヤフ
ラムを膨らませることにより被洗浄物の全周で捕捉支持
すると共に、密閉効果も生じ、清浄蒸気と低温流体の仕
切壁としての機能を持たせることにより漏洩を防止する
ことが可能となる。
【００２６】次に本発明の実施例を図とともに説明す
る。
る。
【００２７】図１は本発明の第１実施例に係る半導体洗
浄装置の概略構成図である。図中の１は超純水入口ノズ
ル、２は蒸気入口ノズル、３は冷却ガス入口ノズル、４
は多孔質膜フイルター、５は表面側流体出口ノズル、６
は裏面側流体出口ノズル、７は洗浄槽、８はウエハカセ
ツト、９は板状被洗浄物、１０〜１５はバルブ、１６は
排水口である。
浄装置の概略構成図である。図中の１は超純水入口ノズ
ル、２は蒸気入口ノズル、３は冷却ガス入口ノズル、４
は多孔質膜フイルター、５は表面側流体出口ノズル、６
は裏面側流体出口ノズル、７は洗浄槽、８はウエハカセ
ツト、９は板状被洗浄物、１０〜１５はバルブ、１６は
排水口である。
【００２８】同図に示すようにこの半導体洗浄装置は、
洗浄用流体の供給部と洗浄槽７とで主に構成される。
洗浄用流体の供給部と洗浄槽７とで主に構成される。
【００２９】この洗浄用流体の供給部は、超純水供給系
統１、蒸気供給系統２、冷却ガス供給系統３、流体内の
不純物除去用の多孔質膜フイルタ４、及び超純水、水蒸
気ならびに冷却ガスなどの流体を表面側流体出口ノズル
５と裏面側流体出口ノズル６に切替える各種バルブ１０
〜１５から構成される。
統１、蒸気供給系統２、冷却ガス供給系統３、流体内の
不純物除去用の多孔質膜フイルタ４、及び超純水、水蒸
気ならびに冷却ガスなどの流体を表面側流体出口ノズル
５と裏面側流体出口ノズル６に切替える各種バルブ１０
〜１５から構成される。
【００３０】一方、洗浄槽７は内部に被洗浄物９を垂直
に挿入できるウエハカセツト８を設置することができ
る。又この洗浄槽７はウエハカセツト８の設置時、そこ
に挿入した被洗浄物９の両面に対して流体をむらなく噴
射できる位置に前記表面側流体出口ノズル５と裏面側流
体出口ノズル６を備えている。洗浄に使用した超純水と
凝縮水は、排水口６から排水する。
に挿入できるウエハカセツト８を設置することができ
る。又この洗浄槽７はウエハカセツト８の設置時、そこ
に挿入した被洗浄物９の両面に対して流体をむらなく噴
射できる位置に前記表面側流体出口ノズル５と裏面側流
体出口ノズル６を備えている。洗浄に使用した超純水と
凝縮水は、排水口６から排水する。
【００３１】この半導体洗浄装置の操作手順について説
明する。
明する。
【００３２】．表面の超純水洗浄 超純水供給系統１から導入した超純水をバルブ１０を開
き、表面側流体出口ノズル５から被洗浄物９に噴射し
て、表面の超純水洗浄を行う。
き、表面側流体出口ノズル５から被洗浄物９に噴射し
て、表面の超純水洗浄を行う。
【００３３】．表面の凝縮水洗浄及び裏面の超純水洗
浄 超純水供給系統１から導入した超純水をバルブ１０を開
き、裏面側流体出口ノズル６から被洗浄物９に噴射して
裏面の超純水洗浄を行う。これと同時に蒸気供給系統２
から導入した水蒸気を多孔質膜フイルタ４を通して不純
物を取り除く。次にバルブ１３を開いて、水蒸気を表面
側流体出口ノズル５から被洗浄物９に噴射する。この清
浄蒸気は裏面に噴射されている超純水が被洗浄物９を冷
却しているため、表面で凝縮して凝縮水洗浄を行う。つ
まり表面の凝縮水洗浄と裏面の超純水洗浄は同時に進行
する。
浄 超純水供給系統１から導入した超純水をバルブ１０を開
き、裏面側流体出口ノズル６から被洗浄物９に噴射して
裏面の超純水洗浄を行う。これと同時に蒸気供給系統２
から導入した水蒸気を多孔質膜フイルタ４を通して不純
物を取り除く。次にバルブ１３を開いて、水蒸気を表面
側流体出口ノズル５から被洗浄物９に噴射する。この清
浄蒸気は裏面に噴射されている超純水が被洗浄物９を冷
却しているため、表面で凝縮して凝縮水洗浄を行う。つ
まり表面の凝縮水洗浄と裏面の超純水洗浄は同時に進行
する。
【００３４】．裏面の凝縮水洗浄 蒸気供給系統２から導入した水蒸気を多孔質膜フイルタ
４を通して清浄蒸気とし、バルブ１２を開いて裏面側流
体出口ノズル６から被洗浄物９に噴射する。これと同時
に冷却ガス供給系統３から導入した冷却ガスを多孔質膜
フイルタ４を通し、バルブ１４を開いて表面側流体出口
ノズル５から被洗浄物９に噴射する。被洗浄物９の裏面
に噴射された清浄蒸気は表面に噴射されている冷却ガス
が被洗浄物９を冷却しているため、裏面で凝縮し凝縮水
洗浄を行う。
４を通して清浄蒸気とし、バルブ１２を開いて裏面側流
体出口ノズル６から被洗浄物９に噴射する。これと同時
に冷却ガス供給系統３から導入した冷却ガスを多孔質膜
フイルタ４を通し、バルブ１４を開いて表面側流体出口
ノズル５から被洗浄物９に噴射する。被洗浄物９の裏面
に噴射された清浄蒸気は表面に噴射されている冷却ガス
が被洗浄物９を冷却しているため、裏面で凝縮し凝縮水
洗浄を行う。
【００３５】以上の操作を順次行うことで、被洗浄物９
の両面を超純水と清浄蒸気の凝縮水による２段階洗浄を
行うことができる。これにより、従来法では避けられな
かつた裏面の汚染も取除くことができる。
の両面を超純水と清浄蒸気の凝縮水による２段階洗浄を
行うことができる。これにより、従来法では避けられな
かつた裏面の汚染も取除くことができる。
【００３６】図２は、本発明の第２実施例に係る半導体
洗浄装置の概略構成図である。
洗浄装置の概略構成図である。
【００３７】この実施例では、被洗浄物９を同時に多数
洗浄処理できるようになつている。すなわち、洗浄槽７
内に表面側流体出口ノズル５と裏面側流体出口ノズル６
を交互に、合計で（被洗浄物数＋１）個備えている。こ
れにより被洗浄物９を表面と表面が、又裏面と裏面が互
いに向き合う配置でウエハカセツト８に挿入すること
で、同時に多数の被洗浄物９を処理することができる。
洗浄処理できるようになつている。すなわち、洗浄槽７
内に表面側流体出口ノズル５と裏面側流体出口ノズル６
を交互に、合計で（被洗浄物数＋１）個備えている。こ
れにより被洗浄物９を表面と表面が、又裏面と裏面が互
いに向き合う配置でウエハカセツト８に挿入すること
で、同時に多数の被洗浄物９を処理することができる。
【００３８】図３は、本発明の第３実施例に係る半導体
洗浄装置の概略構成図である。
洗浄装置の概略構成図である。
【００３９】図中の２１は蒸気洗浄装置、２２は蓋、２
３は枠体、２４はダイヤフラム膜、２５は圧縮空気、２
６は通気孔、２７は被洗浄物、２８は左室、２９は右
室、３０は清浄蒸気、３１は蒸気入口弁Ａ、３２は低温
流体入口弁Ｂ、３３は入口Ａ、３４は出口Ａ、３５は蒸
気出口弁Ａ、３６は低温流体出口弁Ｂ、３７は排出蒸気
およびドレン、３８は低温流体、３９は低温流体入口弁
Ａ、４０は蒸気入口弁Ｂ、４１は入口Ｂ、４２は出口
Ｂ、４３は低温流体出口弁Ａ、４４は蒸気出口弁Ｂ、４
５は低温流体である。
３は枠体、２４はダイヤフラム膜、２５は圧縮空気、２
６は通気孔、２７は被洗浄物、２８は左室、２９は右
室、３０は清浄蒸気、３１は蒸気入口弁Ａ、３２は低温
流体入口弁Ｂ、３３は入口Ａ、３４は出口Ａ、３５は蒸
気出口弁Ａ、３６は低温流体出口弁Ｂ、３７は排出蒸気
およびドレン、３８は低温流体、３９は低温流体入口弁
Ａ、４０は蒸気入口弁Ｂ、４１は入口Ｂ、４２は出口
Ｂ、４３は低温流体出口弁Ａ、４４は蒸気出口弁Ｂ、４
５は低温流体である。
【００４０】この実施例では、水蒸気洗浄装置２１は、
被洗浄物２７を出し入れする蓋２２、被洗浄物２７を装
着する枠体２３、ダイヤフラム膜２４およびダイヤフラ
ム膜２４と枠体２３の間に圧縮空気２５を導入する通気
孔２６などで構成される。
被洗浄物２７を出し入れする蓋２２、被洗浄物２７を装
着する枠体２３、ダイヤフラム膜２４およびダイヤフラ
ム膜２４と枠体２３の間に圧縮空気２５を導入する通気
孔２６などで構成される。
【００４１】この装置の洗浄操作順序は先ず蓋２２を開
き、被洗浄物のハンドリング装置（図示せず）で、被洗
浄物２７を所定位置に正確に装着した状態で圧縮空気２
５を通気孔２６から枠体２３とダイヤフラム膜２４の間
の空間部に入れてダイヤフラム膜２４を膨らませて、被
洗浄物２７をその全周で弾性的に支持する。これにより
被洗浄物２７を装着すると共に、枠体２３、ダイヤフラ
ム膜２４及び被洗浄物２７は一体となつて仕切りの機能
を有する隔壁となる。
き、被洗浄物のハンドリング装置（図示せず）で、被洗
浄物２７を所定位置に正確に装着した状態で圧縮空気２
５を通気孔２６から枠体２３とダイヤフラム膜２４の間
の空間部に入れてダイヤフラム膜２４を膨らませて、被
洗浄物２７をその全周で弾性的に支持する。これにより
被洗浄物２７を装着すると共に、枠体２３、ダイヤフラ
ム膜２４及び被洗浄物２７は一体となつて仕切りの機能
を有する隔壁となる。
【００４２】次にこの隔壁で仕切られた２つの室の左側
の室（以下、左室という）２８に清浄蒸気３０を蒸気入
口弁Ａ３１を開き、入口Ａ３３より導入する。右側の室
（以下、右室という）２９には低温流体３８を低温流体
入口弁Ａ３９を開き、入口Ｂ４２より導入し、出口Ｂ４
２を経て低温流体出口弁Ａ４３から低温流体４５を排出
する。
の室（以下、左室という）２８に清浄蒸気３０を蒸気入
口弁Ａ３１を開き、入口Ａ３３より導入する。右側の室
（以下、右室という）２９には低温流体３８を低温流体
入口弁Ａ３９を開き、入口Ｂ４２より導入し、出口Ｂ４
２を経て低温流体出口弁Ａ４３から低温流体４５を排出
する。
【００４３】以上の操作により、被洗浄物２７は右室２
９に面する表面から冷却されて、清浄蒸気３０が導入さ
れている左室２８に面する表面も冷却される。そして清
浄蒸気３０は凝縮して左室２８側の被洗浄物２７表面に
水滴として点在して付着し、次第に凝縮が進むにつれて
被洗浄物２７の表面全体に水膜となつて流下することに
より洗浄が進行する。
９に面する表面から冷却されて、清浄蒸気３０が導入さ
れている左室２８に面する表面も冷却される。そして清
浄蒸気３０は凝縮して左室２８側の被洗浄物２７表面に
水滴として点在して付着し、次第に凝縮が進むにつれて
被洗浄物２７の表面全体に水膜となつて流下することに
より洗浄が進行する。
【００４４】予め設定された必要な洗浄時間が経過する
と、清浄蒸気３０が導入された左室２８に設けた出口Ａ
３４から蒸気出口弁Ａ３５を開き、余剰の清浄蒸気３０
及び凝縮水を排出蒸気及びドレン３７として排出させ
る。
と、清浄蒸気３０が導入された左室２８に設けた出口Ａ
３４から蒸気出口弁Ａ３５を開き、余剰の清浄蒸気３０
及び凝縮水を排出蒸気及びドレン３７として排出させ
る。
【００４５】以上により片面の凝縮洗浄が完了するの
で、次は蒸気入口弁Ａ３１を閉、低温流体入口弁Ｂ３２
を開、蒸気出口弁Ａ３５を閉、低温流体出口弁Ｂ３６を
開、低温流体入口弁Ａ３９を閉、蒸気入口弁Ｂ４０を開
とすることにより、左室２８側に低温流体３８が流れ、
右室２９側に清浄蒸気３０が導入されて、清浄蒸気側、
即ち右室２９側に面する被洗浄物２７の表面が前述と同
じように洗浄される。従つて被洗浄物２７は１回装着す
るだけで、両面とも清浄蒸気３０の凝縮水洗浄が可能で
あると共に、例えば超純水中の不純物等による再汚染等
の発生もなくなる。
で、次は蒸気入口弁Ａ３１を閉、低温流体入口弁Ｂ３２
を開、蒸気出口弁Ａ３５を閉、低温流体出口弁Ｂ３６を
開、低温流体入口弁Ａ３９を閉、蒸気入口弁Ｂ４０を開
とすることにより、左室２８側に低温流体３８が流れ、
右室２９側に清浄蒸気３０が導入されて、清浄蒸気側、
即ち右室２９側に面する被洗浄物２７の表面が前述と同
じように洗浄される。従つて被洗浄物２７は１回装着す
るだけで、両面とも清浄蒸気３０の凝縮水洗浄が可能で
あると共に、例えば超純水中の不純物等による再汚染等
の発生もなくなる。
【００４６】図４は、本発明の第４実施例を説明するた
めの蒸気洗浄装置の概略構成図である。本実施例は被洗
浄物２７を複数個同時に洗浄できるように配列した洗浄
装置を示し、洗浄能力を高める効果がある。
めの蒸気洗浄装置の概略構成図である。本実施例は被洗
浄物２７を複数個同時に洗浄できるように配列した洗浄
装置を示し、洗浄能力を高める効果がある。
【００４７】被洗浄物２７の装着は蓋２２から最も遠い
方から始め順次装着して、被洗浄物２７の取出しはこれ
と逆の順序とする。
方から始め順次装着して、被洗浄物２７の取出しはこれ
と逆の順序とする。
【００４８】前記実施例のように清浄蒸気と低温流体と
の差圧を制御することで、漏洩があつた場合でも低温流
体側に清浄蒸気が漏洩するので、低温流体の損失はな
く、洗浄操作に必要な資材費が安価となる。
の差圧を制御することで、漏洩があつた場合でも低温流
体側に清浄蒸気が漏洩するので、低温流体の損失はな
く、洗浄操作に必要な資材費が安価となる。
【００４９】また、被洗浄物の強度と機能に相応した装
着保持力と清浄蒸気と低温流体間差圧を選定できるの
で、被洗浄物の破損劣化不良等が防止できる。
着保持力と清浄蒸気と低温流体間差圧を選定できるの
で、被洗浄物の破損劣化不良等が防止できる。
【００５０】
【発明の効果】本発明は前述のような構成になつてお
り、超純水と清浄蒸気の凝縮水による２段階洗浄を被洗
浄物の両面に対して行うことができるので、従来法では
避けられなかつた裏面の汚染をも取除くことができる。
り、超純水と清浄蒸気の凝縮水による２段階洗浄を被洗
浄物の両面に対して行うことができるので、従来法では
避けられなかつた裏面の汚染をも取除くことができる。
【００５１】また、被洗浄物を１回の装着で両面とも洗
浄できるので、被洗浄物の清浄度が高くなり、洗浄操作
に続く被洗浄物の加工精度の向上、欠陥率の低下等に大
きく役立つ。
浄できるので、被洗浄物の清浄度が高くなり、洗浄操作
に続く被洗浄物の加工精度の向上、欠陥率の低下等に大
きく役立つ。
【００５２】さらに、洗浄操作は両面とも清浄蒸気から
生成する凝縮水のみで洗浄可能であり、他の洗浄用流
体、例えば超純水等は一切接触させないので、高い洗浄
度を得ることができる。
生成する凝縮水のみで洗浄可能であり、他の洗浄用流
体、例えば超純水等は一切接触させないので、高い洗浄
度を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る洗浄装置の概略構成
図である。
図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る洗浄装置の概略構成
図である。
図である。
【図３】本発明の第３実施例に係る洗浄装置の概略構成
図である。
図である。
【図４】本発明の第４実施例に係る洗浄装置の概略構成
図である。
図である。
【図５】従来の洗浄装置の概略構成図である。
【符号の説明】 １ 超純水供給系統 ２ 蒸気供給系統 ３ 冷却ガス供給系統 ４ 多孔質膜フイルタ ５ 表面側流体出口ノズル ６ 裏面側流体出口ノズル ７ 洗浄槽 ８ ウエハカセツト ９ 板状被洗浄物 １０〜１５ バルブ １６ 排水口 ２１ 蒸気洗浄装置 ２２ 蓋 ２３ 枠体 ２４ ダイヤフラム膜 ２５ 圧縮空気 ２６ 通気孔 ２７ 被洗浄物 ２８ 左室 ２９ 右室 ３０ 清浄蒸気 ３１ 蒸気入口弁Ａ ３２ 低温流体入口弁Ｂ ３３ 入口Ａ ３４ 出口Ａ ３５ 蒸気出口弁Ａ ３６ 低温流体出口弁Ｂ ３７ 排出蒸気およびドレン ３８ 低温流体 ３９ 低温流体入口弁Ａ ４０ 蒸気入口弁Ｂ ４１ 入口Ｂ ４２ 出口Ｂ ４３ 低温流体出口弁Ａ ４４ 蒸気出口弁Ｂ ４５ 低温流体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松崎 晴美 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 野村 貢 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 バ ブコツク日立株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 内部に被洗浄物を装着する洗浄槽と、 その被洗浄物の被洗浄面両側にそれぞれ配置された洗浄
流体噴射ノズルと、 超純水を前記洗浄流体噴射ノズルに供給する超純水供給
系統と、 水蒸気を前記洗浄流体噴射ノズルに供給する水蒸気供給
系統とを備え、 前記被洗浄物の一方の面に超純水を、他方の面に水蒸気
を噴射することにより、その水蒸気を噴射した被洗浄面
に凝縮水を生じさせてその面を洗浄するようにしたこと
を特徴とする洗浄装置。 - 【請求項２】 内部に被洗浄物を装着する洗浄槽と、 その被洗浄物の被洗浄面両側にそれぞれ対向するように
配置された洗浄流体噴射ノズルと、 超純水を前記洗浄流体噴射ノズルに供給する超純水供給
系統と、 水蒸気を前記洗浄流体噴射ノズルに供給する水蒸気供給
系統と、 冷却ガスを前記洗浄流体噴射ノズルに供給する冷却ガス
供給系統とを備え、 前記被洗浄物の一方の面に超純水を、他方の面に水蒸気
を噴射することにより、その水蒸気を噴射した被洗浄面
に凝縮水を生じさせて洗浄し、 また前記被洗浄物の一方の面に冷却ガスを、他方の面に
水蒸気を噴射することにより、その水蒸気を噴射した被
洗浄面に凝縮水を生じさせて洗浄するようにしたことを
特徴とする洗浄装置。 - 【請求項３】 洗浄槽内に被洗浄物を装着することによ
り、洗浄槽内を少なくとも２つの室に区切り、一方の室
に水蒸気を導入し、他方の室に被洗浄物を冷却するため
の低温流体を導入して、水蒸気を導入した側の洗浄物の
表面に凝縮水を生成して洗浄するように構成されたこと
を特徴とする洗浄装置。 - 【請求項４】 請求項３記載において、前記水蒸気の圧
力を前記低温流体の圧力よりも高くしたことを特徴とす
る洗浄装置。 - 【請求項５】 請求項３記載において、前記被洗浄物の
外形形状とほぼ相似した形状の枠体と、この枠体の内周
部に取り付けたダイヤフラム膜とを有し、その枠体とダ
イヤフラム膜で囲まれた空間部に圧縮空気を導入してダ
イヤフラム膜を膨らませることにより、被洗浄物の外周
をダイヤフラム膜で保持したことを特徴とする洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4049699A JPH05251417A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4049699A JPH05251417A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251417A true JPH05251417A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12838433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4049699A Pending JPH05251417A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251417A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010118681A (ja) * | 1999-08-12 | 2010-05-27 | Aqua Science Kk | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法 |
| KR101381634B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2014-04-04 | 청진테크 주식회사 | 다상유체 분사장치 |
| KR20140113348A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체 |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP4049699A patent/JPH05251417A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010118681A (ja) * | 1999-08-12 | 2010-05-27 | Aqua Science Kk | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法 |
| KR101381634B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2014-04-04 | 청진테크 주식회사 | 다상유체 분사장치 |
| KR20140113348A (ko) * | 2013-03-15 | 2014-09-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체 |
| JP2014199917A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |