JPH04354334A - 半導体の洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
半導体の洗浄方法及び洗浄装置Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ような被処理体に付着している付着物を完全に除去可能
な洗浄方法及び洗浄装置に関するものである。
程で洗浄する場合、純水を流しかけたり、純水に所定の
薬品を含ませたトリクレン(商品名)系液の噴霧を被処
理体に吹き付ける等の手段を用いていた。
体に付着したオイル成分を完全に除去することは難しく
、単分子層のオイルまでは除去することができないのが
現状である。
、フロン液を用いることが考えられるが、フロン液は優
れた洗浄力を有する一方、周知のように地球環境公害、
すなわちオゾン層破壊の要因物であり、規制が厳しくな
りつつある今日では積極的な使用は好ましくない。
を用いることなく、付着物の完全除去を可能とした洗浄
方法及び洗浄装置を提供することを目的とする。
、本発明の第1の要旨は、オゾンを含有する純水を被処
理体に吹き付けることを特徴とする洗浄方法に存在する
。
純水供給源から純水を該ノズルに導くための配管と、純
水を圧送するためのポンプと、該純水にオゾンを供給す
るための手段とを有していることを特徴とする洗浄装置
に存在する。
る純水が吹き付けられるため、オゾンの強力な酸化作用
により被処理体に付着したオイル等の異物成分を完全に
除去することができる。
替物たるオゾン水を用いることにより生ずる公害問題を
回避しつつ例えば、半導体製造等において重要な最終処
理としての洗浄を高清浄状態で行うことができる。
好ましい。1ppm未満だと、十分には洗浄し得ない場
合がある。
pmがより好ましい。5ppmを越えると、純水にパー
ティクルが混入し、被処理体表面を荒らしてしまう。特
に、被処理体が半導体ウエハの重大な影響をもたらす。 なお、このパーティクルを分析したところ、パーティク
ルは金属腐食物からなることを解明した。従って、パー
ティクルは、オゾンが配管内面を腐食することにより混
入するものと考えられる。なお、オゾンを5ppm以上
含有させたい場合には、配管の内面に、電解複合研磨等
による鏡面仕上げを施した後、高温(400℃〜500
℃)下で高純度(不純物濃度数ppb以下)の酸化性ガ
スを供給して酸化膜パシベーションを形成すればよい。 また、ノズルの直近にオゾンを供給するための手段を設
けてもよい。
比抵抗値が18MΩ・cm以上のものを使用することが
好ましい。特に半導体ウエハの洗浄の場合には、TOC
:1ppb以下、揮発分残さ:1ppb以下、パーティ
クル(0.07μm以上):1ケ/mlの純水(超純水
)を用いることがより好ましい。
けることが好ましい。加熱した純水を吹き付けることに
より、洗浄をより速やかに行うことができる。なお、加
熱温度としては、60℃以上が好ましい。
常温の純水を吹き付ける工程とを組み合わせて行うこと
が、迅速な洗浄とより高い洗浄力とを達成することがで
きる。このように、両工程を組み合わせると何故に迅速
な洗浄と高い洗浄力を達成することができるかは明かで
はないが、温度によってオゾンの溶解度が変化すること
が影響しているのではないかと推測される。
しては、30kg/cm2が好ましい。
き説明する。
供給源である貯水槽4から純水を該ノズル9に導くため
の配管1と、純水を圧送するためのポンプ2と、該純水
にオゾンを供給するための手段10とを有している。
管1と一体に形成してもよい。配管1の他端は、ポンプ
2の吐出口に接続し、ポンプ2の吸入口は貯水槽4に接
続すればよい。
手段を設けることが好ましい。純水を加熱するための手
段としては例えば、ヒーター7,8を用いればよく、ヒ
ーター7,8を配管の外周に配置すればよい。
を併せて設けてもよい。純水を冷却する手段を設けてお
けば、配管内の純水の温度を短時間でコントロールする
ことが可能となる。
るための手段は、純水供給源4にパイプ10を差し込む
ことにより構成されているが、図2に示すように、配管
1の途中に例えば、エゼクタ10a,10b(詳細は図
3に示す)を接続して配管中においてオゾンを供給する
ように構成してもよい。被処理体に吹き付けられる純水
中のオゾン濃度を正確にコントロールする上からは、配
管中においてオゾンを供給するようにした方が好ましく
、また、供給位置はできるだけ下流(ノズル9に近い位
置)に設けることがより好ましい。すなわち、図2に示
す例では、10bの位置よりは10aの位置に設けるこ
とがより好ましい。もちろん両方の位置に設けてもよい
。
うにするためには、図2、図3に示すようなエゼクタを
接続するほか、ばっき法、膜透過法をも用いることがで
きる。
体6の洗浄を行った。なお、被処理体としてオイルが付
着した半導体ウエハを用い、この半導体ウエハをノズル
9の出口に対向して配置した。
Ω・cmの純水)中にオゾンを3ppmになるように導
入し、貯水槽4からポンプ2により純水を配管1内を圧
送し、ノズル9の先端からオゾンを含む純水を噴霧化し
て半導体ウエハに吹き付けた。その際ヒーター7,8に
より純水を70℃に加熱した。また、吹き付ける圧力は
40kg/cm2とした。ノズル9から吹き出る純水中
におけるオゾン濃度を測定したところオゾン濃度は1.
5ppmであった。
べたところ単分子層のオイルも検出されなかった。
動態酸化膜を形成したものを用いた。不動態膜は、次の
ようにして形成した。すなわち、配管の内面を電解研磨
により鏡面仕上げした後、450℃において4ppb以
下の不純物濃度の酸化性ガス雰囲気(Arと酸素の混合
ガス)下で加熱することにより形成した。
mとなるように供給した。
ン濃度は3ppmであり、洗浄力は、実施例1の場合よ
りも優れており、また、半導体ウエハ表面に荒れは認め
られなかった。
オン・オフを繰り返し、加熱された純水と、常温の純水
とを交互に被処理体6に吹き付けた。他の点は実施例1
と同様とした。
洗浄を行うことができ、また、洗浄効果は、実施例1の
場合よりも高かった。
ズル9の近傍にエゼクタ10aを設けた装置を用いて洗
浄を行った。
pmとなるように配管1中の純水にオゾンを供給した。
、1.5ppmであった。
のオイルすら残存させることなく被処理体に付着したオ
イル等の異物成分を完全に除去することができる。
ン代替物たるオゾン水を用いることにより生ずる公害問
題を回避しつつ例えば、半導体製造等において重要な最
終処理としての洗浄を高清浄状態で行うことができる。
面図。
断面図。
。
8 純水を加熱するための手段(加熱ヒータ)、
9 ノズル、 10 オゾンを供給するための手段、10a
エゼクタ、 10b エゼクタ。
Claims (10)
- 【請求項1】 オゾンを含有する純水を被処理体に吹
き付けることを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項2】 前記オゾンの含有量を1ppm以上と
することを特徴とする請求項1記載の洗浄方法。 - 【請求項3】 前記オゾンの含有量を1〜5ppmと
することを特徴とする請求項2記載の洗浄方法。 - 【請求項4】 純水を加熱して被処理体に吹き付ける
ことを特徴とする請求項1記載の洗浄方法。 - 【請求項5】 純水を加熱して被処理体に吹き付ける
工程と、純水を常温で被処理体に吹き付ける工程とを組
み合わせることを特徴とする請求項1記載の洗浄方法。 - 【請求項6】 ノズルと、純水供給源から純水を該ノ
ズルに導くための配管と、純水を圧送するためのポンプ
と、該純水にオゾンを供給するための手段とを有してい
ることを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項7】 純水を加熱するための手段を設けたこ
とを特徴とする請求項6記載の洗浄装置。 - 【請求項8】 前記純水にオゾンを供給するための手
段は、純水の供給源においてオゾンを供給するように構
成されていることを特徴とする請求項6記載の洗浄装置
。 - 【請求項9】 前記純水にオゾンを供給するための手
段は、前記配管中においてオゾンを供給するように構成
されていることを特徴とする請求項6記載の洗浄装置。 - 【請求項10】 配管は、その内面に、電解複合研磨
等による鏡面仕上げ後400℃〜500℃において数p
pb以下の不純物濃度の酸化性ガス雰囲気下で形成され
た酸化不動態膜を有している配管であることを特徴とす
る請求項6ないし9のいずれか1項に記載の洗浄装置。
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