JPH1140527A - シリコンウエハの洗浄方法 - Google Patents
シリコンウエハの洗浄方法Info
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- JPH1140527A JPH1140527A JP9195959A JP19595997A JPH1140527A JP H1140527 A JPH1140527 A JP H1140527A JP 9195959 A JP9195959 A JP 9195959A JP 19595997 A JP19595997 A JP 19595997A JP H1140527 A JPH1140527 A JP H1140527A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハの汚染除去及び表面改質の向
上と全ての種類のシリコンウエハに対して、エッチング
処理後の工程の一元化と簡約化に寄与することができる
シリコンウエハの洗浄方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウエハをエッチング処理した
後、洗浄改質溶液を用いて、シリコンウエハを洗浄およ
び改質処理し、次いで、酸化膜形成溶液を用いて、シリ
コンウエハ表面に酸化膜を形成する。
上と全ての種類のシリコンウエハに対して、エッチング
処理後の工程の一元化と簡約化に寄与することができる
シリコンウエハの洗浄方法を提供する。 【解決手段】 シリコンウエハをエッチング処理した
後、洗浄改質溶液を用いて、シリコンウエハを洗浄およ
び改質処理し、次いで、酸化膜形成溶液を用いて、シリ
コンウエハ表面に酸化膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、エッチング処理
後のシリコンウエハの汚染除去及び表面改質を図ったシ
リコンウエハの洗浄方法に関する。
後のシリコンウエハの汚染除去及び表面改質を図ったシ
リコンウエハの洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】 一般に、エッチング処理後のシリコン
ウエハの洗浄方法は、シリコンウエハの種類によってそ
れぞれ異なり、主に以下に示すような方法が挙げられ
る。
ウエハの洗浄方法は、シリコンウエハの種類によってそ
れぞれ異なり、主に以下に示すような方法が挙げられ
る。
【０００３】 第一の方法は、エッチング工程終了後、
シリコンウエハをスピンドライ乾燥させ、そのまま熱処
理用前処理工程（エッチドスライスクリーニング工程）
を行うものである。また、第二の方法は、エッチング工
程終了後、オゾン（Ｏ3）処理することにより、シリコ
ンウエハの表面に酸化膜を形成した上で、スピンドライ
乾燥させ、サンドブラスト工程又はエッジポリッシュ工
程を経て、熱処理用前処理工程（エッチドスライスクリ
ーニング工程）を行うものである。更に、第三の方法
は、特定のシリコンウエハにのみ行われる方法であり、
エッチング工程終了後、シリコンウエハを無機塩基性溶
液に浸漬した上で、熱処理用前処理工程（エッチドスラ
イスクリーニング工程）を行うものである。
シリコンウエハをスピンドライ乾燥させ、そのまま熱処
理用前処理工程（エッチドスライスクリーニング工程）
を行うものである。また、第二の方法は、エッチング工
程終了後、オゾン（Ｏ3）処理することにより、シリコ
ンウエハの表面に酸化膜を形成した上で、スピンドライ
乾燥させ、サンドブラスト工程又はエッジポリッシュ工
程を経て、熱処理用前処理工程（エッチドスライスクリ
ーニング工程）を行うものである。更に、第三の方法
は、特定のシリコンウエハにのみ行われる方法であり、
エッチング工程終了後、シリコンウエハを無機塩基性溶
液に浸漬した上で、熱処理用前処理工程（エッチドスラ
イスクリーニング工程）を行うものである。
【０００４】 しかし、それぞれの方法（第一〜第三）
において、以下のような問題が生じていた。第一の方法
では、シリコンウエハの表面にほとんど酸化膜が存在し
ないため、放置時間が長くなると、雰囲気、容器及び測
定装置等からの汚染を受け易かった。又、エッチングさ
れたシリコンウエハの表面に、ごく僅かに存在する微粒
子が固化し、次の熱処理用前処理工程（エッチドスライ
スクリーニング工程）で除去しきれず、ステイン（し
み）になる場合があった。更に、エッチング工程終了時
に発生するシリコンウエハの表面のマイクロエッチムラ
の対策がなされていなかった。
において、以下のような問題が生じていた。第一の方法
では、シリコンウエハの表面にほとんど酸化膜が存在し
ないため、放置時間が長くなると、雰囲気、容器及び測
定装置等からの汚染を受け易かった。又、エッチングさ
れたシリコンウエハの表面に、ごく僅かに存在する微粒
子が固化し、次の熱処理用前処理工程（エッチドスライ
スクリーニング工程）で除去しきれず、ステイン（し
み）になる場合があった。更に、エッチング工程終了時
に発生するシリコンウエハの表面のマイクロエッチムラ
の対策がなされていなかった。
【０００５】 次に、第二の方法では、エッチング工程
終了後、サンドブラスト工程又はエッジポリッシュ工程
で用いられる薬品等によるシリコンウエハの表面のエッ
チングや汚染防止のため、オゾン（Ｏ3）処理を行い、
シリコンウエハの表面に酸化膜を形成させていた。しか
し、オゾン（Ｏ3）処理工程後に、シリコンウエハをス
ピンドライ乾燥する必要があるため、工程が煩雑化する
原因となっていた。また、エッチング工程終了時に発生
するシリコンウエハの表面のマイクロエッチムラの対策
がなされていなかった。
終了後、サンドブラスト工程又はエッジポリッシュ工程
で用いられる薬品等によるシリコンウエハの表面のエッ
チングや汚染防止のため、オゾン（Ｏ3）処理を行い、
シリコンウエハの表面に酸化膜を形成させていた。しか
し、オゾン（Ｏ3）処理工程後に、シリコンウエハをス
ピンドライ乾燥する必要があるため、工程が煩雑化する
原因となっていた。また、エッチング工程終了時に発生
するシリコンウエハの表面のマイクロエッチムラの対策
がなされていなかった。
【０００６】 そして、第三の方法では、エッチング工
程終了後、シリコンウエハの表面のマイクロエッチムラ
と汚染残渣（青白粉）の除去のため、無機塩基性溶液に
浸漬を行っていた。しかし、この浸漬工程後に、シリコ
ンウエハをスピンドライ乾燥する必要があるため、工程
が煩雑化する原因となっていた。更に、オゾン（Ｏ3）
処理がされていないため、シリコンウエハの表面に酸化
膜が形成されず、汚染を受けてステイン（しみ）の発生
につながる可能性があった。
程終了後、シリコンウエハの表面のマイクロエッチムラ
と汚染残渣（青白粉）の除去のため、無機塩基性溶液に
浸漬を行っていた。しかし、この浸漬工程後に、シリコ
ンウエハをスピンドライ乾燥する必要があるため、工程
が煩雑化する原因となっていた。更に、オゾン（Ｏ3）
処理がされていないため、シリコンウエハの表面に酸化
膜が形成されず、汚染を受けてステイン（しみ）の発生
につながる可能性があった。
【０００７】 以上のことから、それぞれの方法（第一
〜第三）では、オゾン（Ｏ3）処理と表面のマイクロエ
ッチムラの除去対策のどちらかが欠けているため、次の
工程で、ステインや外観上色ムラ発生の原因となってい
た。又、オゾン（Ｏ3）処理や浸漬工程後にスピンドラ
イ乾燥する必要があるため、工程の煩雑化の原因となっ
ていた。
〜第三）では、オゾン（Ｏ3）処理と表面のマイクロエ
ッチムラの除去対策のどちらかが欠けているため、次の
工程で、ステインや外観上色ムラ発生の原因となってい
た。又、オゾン（Ｏ3）処理や浸漬工程後にスピンドラ
イ乾燥する必要があるため、工程の煩雑化の原因となっ
ていた。
【０００８】 そこで、このような問題点を解消すると
ともに、全ての種類のシリコンウエハに対して、エッチ
ング処理後の工程の一元化と簡約化が望まれていた。
ともに、全ての種類のシリコンウエハに対して、エッチ
ング処理後の工程の一元化と簡約化が望まれていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は上記した従
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、シリコンウエハをエッチング処理した後、洗
浄改質溶液を用いて、シリコンウエハを洗浄および改質
処理し、次いで、酸化膜形成溶液を用いて、シリコンウ
エハ表面に酸化膜を形成することにより、シリコンウエ
ハの汚染除去及び表面改質の向上と全ての種類のシリコ
ンウエハに対して、エッチング処理後の工程の一元化と
簡約化に寄与することができるシリコンウエハの洗浄方
法を提供するものである。
来の課題に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、シリコンウエハをエッチング処理した後、洗
浄改質溶液を用いて、シリコンウエハを洗浄および改質
処理し、次いで、酸化膜形成溶液を用いて、シリコンウ
エハ表面に酸化膜を形成することにより、シリコンウエ
ハの汚染除去及び表面改質の向上と全ての種類のシリコ
ンウエハに対して、エッチング処理後の工程の一元化と
簡約化に寄与することができるシリコンウエハの洗浄方
法を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】 すなわち、本発明によ
れば、エッチング処理後のシリコンウエハを洗浄する洗
浄方法であって、シリコンウエハをエッチング処理した
後、（ａ）洗浄改質溶液を用いて、該シリコンウエハを
洗浄および改質処理し、（ｂ）次いで、酸化膜形成溶液
を用いて、該シリコンウエハ表面に酸化膜を形成するこ
とを特徴とするシリコンウエハの洗浄方法が提供され
る。
れば、エッチング処理後のシリコンウエハを洗浄する洗
浄方法であって、シリコンウエハをエッチング処理した
後、（ａ）洗浄改質溶液を用いて、該シリコンウエハを
洗浄および改質処理し、（ｂ）次いで、酸化膜形成溶液
を用いて、該シリコンウエハ表面に酸化膜を形成するこ
とを特徴とするシリコンウエハの洗浄方法が提供され
る。
【００１１】 また、本発明においては、工程（ａ）の
後、工程（ｂ）の前に、シリコンウエハをリンスし、工
程（ｂ）の後に、シリコンウエハを温水に浸漬し、次い
で熱風乾燥することが好ましい。
後、工程（ｂ）の前に、シリコンウエハをリンスし、工
程（ｂ）の後に、シリコンウエハを温水に浸漬し、次い
で熱風乾燥することが好ましい。
【００１２】 更に、本発明においては、洗浄改質溶液
が、過酸化水素含有の無機塩基性溶液か、あるいは界面
活性剤含有の無機塩基性溶液であることが好ましい。
が、過酸化水素含有の無機塩基性溶液か、あるいは界面
活性剤含有の無機塩基性溶液であることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】 本発明のシリコンウエハの洗浄
方法は、シリコンウエハをエッチング処理した後、洗浄
改質溶液を用いて、シリコンウエハを洗浄および改質処
理し、次いで、酸化膜形成溶液を用いて、シリコンウエ
ハ表面に酸化膜を形成してなるものである。
方法は、シリコンウエハをエッチング処理した後、洗浄
改質溶液を用いて、シリコンウエハを洗浄および改質処
理し、次いで、酸化膜形成溶液を用いて、シリコンウエ
ハ表面に酸化膜を形成してなるものである。
【００１４】 上記のようなシリコンウエハの洗浄方法
は、洗浄改質溶液の構成成分である無機塩基性溶液によ
るシリコンウエハ表面のエッチング作用と過酸化水素や
界面活性剤によるエッチング抑制（表面酸化作用、マス
キング作用等）とが協同することにより、エッチング後
のシリコンウエハ表面の汚染残渣（青白粉）及びマイク
ロエッチムラを確実に除去することができ、デバイス工
程での外観不良を大幅に抑制することができる。
は、洗浄改質溶液の構成成分である無機塩基性溶液によ
るシリコンウエハ表面のエッチング作用と過酸化水素や
界面活性剤によるエッチング抑制（表面酸化作用、マス
キング作用等）とが協同することにより、エッチング後
のシリコンウエハ表面の汚染残渣（青白粉）及びマイク
ロエッチムラを確実に除去することができ、デバイス工
程での外観不良を大幅に抑制することができる。
【００１５】 また、洗浄・改質処理後、酸化膜形成溶
液を用いて、シリコンウエハの表面に酸化膜を形成させ
ることにより、シリコンウエハ表面の表面汚染（ステイ
ン）も同時に防止することができる。
液を用いて、シリコンウエハの表面に酸化膜を形成させ
ることにより、シリコンウエハ表面の表面汚染（ステイ
ン）も同時に防止することができる。
【００１６】 以上のことから、シリコンウエハの汚染
除去及び表面改質の向上と全ての種類のシリコンウエハ
に対して、エッチング処理後の工程の一元化と簡約化に
寄与することができる。
除去及び表面改質の向上と全ての種類のシリコンウエハ
に対して、エッチング処理後の工程の一元化と簡約化に
寄与することができる。
【００１７】 更に、本発明のシリコンウエハの洗浄方
法を詳細に説明する。まず、洗浄・改質槽にエッチング
処理後のシリコンウエハを移し、２６〜４０ｋＨｚ、１
００〜６００Ｗの超音波をかけながら、シリコンウエハ
の表面を４〜１０分間洗浄改質する。尚、このときの洗
浄改質溶液の温度は、３５〜７０℃に保持することが好
ましい。これは、洗浄改質溶液の温度が３５℃未満の場
合、洗浄改質溶液中の界面活性剤の分離や懸濁が発生し
やすくなり、過酸化水素の分解を阻害し、洗浄改質溶液
の反応活性を低下させるためである。一方、洗浄改質溶
液の温度が７０℃超過の場合、過酸化水素の分解が著し
く、洗浄改質溶液の寿命を低下させる。
法を詳細に説明する。まず、洗浄・改質槽にエッチング
処理後のシリコンウエハを移し、２６〜４０ｋＨｚ、１
００〜６００Ｗの超音波をかけながら、シリコンウエハ
の表面を４〜１０分間洗浄改質する。尚、このときの洗
浄改質溶液の温度は、３５〜７０℃に保持することが好
ましい。これは、洗浄改質溶液の温度が３５℃未満の場
合、洗浄改質溶液中の界面活性剤の分離や懸濁が発生し
やすくなり、過酸化水素の分解を阻害し、洗浄改質溶液
の反応活性を低下させるためである。一方、洗浄改質溶
液の温度が７０℃超過の場合、過酸化水素の分解が著し
く、洗浄改質溶液の寿命を低下させる。
【００１８】 次に、超純水リンス槽にシリコンウエハ
を移し、２６〜４０ｋＨｚ、１００〜６００Ｗの超音波
をかけ、超純水（室温）をオーバーフローさせながら、
４〜１０分間リンスする。
を移し、２６〜４０ｋＨｚ、１００〜６００Ｗの超音波
をかけ、超純水（室温）をオーバーフローさせながら、
４〜１０分間リンスする。
【００１９】 そして、酸化膜形成槽にシリコンウエハ
を移し、２６〜４０ｋＨｚ、１００〜６００Ｗの超音波
をかけながら、酸化膜形成溶液に２〜１０分間浸漬する
ことにより、シリコンウエハ表面に均一に酸化膜を形成
させる。尚、このときの酸化膜形成溶液の温度は、オゾ
ン水の場合、２０〜２５℃、ＳＣ−１（Ｈ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ2
＋ＮＨ4ＯＨ）の場合、６０〜８０℃に保持することが
好ましい。
を移し、２６〜４０ｋＨｚ、１００〜６００Ｗの超音波
をかけながら、酸化膜形成溶液に２〜１０分間浸漬する
ことにより、シリコンウエハ表面に均一に酸化膜を形成
させる。尚、このときの酸化膜形成溶液の温度は、オゾ
ン水の場合、２０〜２５℃、ＳＣ−１（Ｈ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ2
＋ＮＨ4ＯＨ）の場合、６０〜８０℃に保持することが
好ましい。
【００２０】 更に、温水の温度を６０〜９０℃に保持
した温水槽に、シリコンウエハを移し、温水に６０〜２
７０秒浸漬させる。
した温水槽に、シリコンウエハを移し、温水に６０〜２
７０秒浸漬させる。
【００２１】 最後に、７０〜９０℃の熱風を用いて、
シリコンウエハを乾燥させることにより、本発明のシリ
コンウエハの洗浄方法は完了する。
シリコンウエハを乾燥させることにより、本発明のシリ
コンウエハの洗浄方法は完了する。
【００２２】 本発明で用いた洗浄改質溶液は、過酸化
水素含有無機塩基性溶液又は界面活性剤含有の無機塩基
性溶液であり、シリコンウエハの厚み減少及び表面粗さ
をできる限り抑制しながら、シリコンウエハをサブミク
ロンレベル以下でエッチングするため、以下に示すよう
な条件にすることが好ましい。
水素含有無機塩基性溶液又は界面活性剤含有の無機塩基
性溶液であり、シリコンウエハの厚み減少及び表面粗さ
をできる限り抑制しながら、シリコンウエハをサブミク
ロンレベル以下でエッチングするため、以下に示すよう
な条件にすることが好ましい。
【００２３】 過酸化水素含有無機塩基性溶液の組成
は、（過酸化水素）：（無機塩基性溶液）：（水）＝
（１〜２）：（１〜２）：（５〜５０）の体積比である
ことが好ましい。尚、無機塩基性溶液として、ＮａＯ
Ｈ，ＫＯＨのいずれかを用いることができる。
は、（過酸化水素）：（無機塩基性溶液）：（水）＝
（１〜２）：（１〜２）：（５〜５０）の体積比である
ことが好ましい。尚、無機塩基性溶液として、ＮａＯ
Ｈ，ＫＯＨのいずれかを用いることができる。
【００２４】 界面活性剤含有の無機塩基性溶液の組成
は、界面活性剤が０．０１〜１０．００重量％、無機塩
基性溶液が０．０５〜２５．００重量％であることが好
ましい。界面活性剤としては、特に限定されないが、例
えばポリオキシアルキルフェニルエーテル、ナフタレン
スルホン酸化合物等を用いることができる。無機塩基性
溶液としては、ＮａＯＨ，ＫＯＨ，ＣａＣＯ3，Ｎａ2Ｃ
Ｏ3，Ｋ2ＣＯ3のいずれかを用いることができる。
は、界面活性剤が０．０１〜１０．００重量％、無機塩
基性溶液が０．０５〜２５．００重量％であることが好
ましい。界面活性剤としては、特に限定されないが、例
えばポリオキシアルキルフェニルエーテル、ナフタレン
スルホン酸化合物等を用いることができる。無機塩基性
溶液としては、ＮａＯＨ，ＫＯＨ，ＣａＣＯ3，Ｎａ2Ｃ
Ｏ3，Ｋ2ＣＯ3のいずれかを用いることができる。
【００２５】 尚、界面活性剤含有の無機塩基性溶液を
用いた場合、過酸化水素含有無機塩基性溶液よりもマイ
クロエッチムラの除去効果を著しく向上することができ
る。
用いた場合、過酸化水素含有無機塩基性溶液よりもマイ
クロエッチムラの除去効果を著しく向上することができ
る。
【００２６】 次に、本発明で用いた酸化膜形成溶液
は、オゾン水又はＳＣ−１（Ｈ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ2＋ＮＨ4Ｏ
Ｈ）である。このオゾン水のオゾン濃度は、２〜１５ｐ
ｐｍであることが、スループットを向上するために好ま
しい。尚、オゾン濃度が２ｐｐｍ未満の場合、オゾン水
の酸化膜形成能力が低下し、シリコンウエハ表面の酸化
膜形成不良によるステインが発生しやすくなるため好ま
しくない。また、ＳＣ−１の組成は、（Ｈ2Ｏ）：（Ｈ2
Ｏ2）：（ＮＨ4ＯＨ）＝（１〜２）：（１〜２）：（５
〜５０）の体積比であることが好ましい。
は、オゾン水又はＳＣ−１（Ｈ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ2＋ＮＨ4Ｏ
Ｈ）である。このオゾン水のオゾン濃度は、２〜１５ｐ
ｐｍであることが、スループットを向上するために好ま
しい。尚、オゾン濃度が２ｐｐｍ未満の場合、オゾン水
の酸化膜形成能力が低下し、シリコンウエハ表面の酸化
膜形成不良によるステインが発生しやすくなるため好ま
しくない。また、ＳＣ−１の組成は、（Ｈ2Ｏ）：（Ｈ2
Ｏ2）：（ＮＨ4ＯＨ）＝（１〜２）：（１〜２）：（５
〜５０）の体積比であることが好ましい。
【００２７】
【実施例】 本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、本発明のシリコンウエハの洗浄方法によって
得られたシリコンウエハは、以下に示す方法により評価
した。
明するが、本発明はこれらの実施例に限られるものでは
ない。尚、本発明のシリコンウエハの洗浄方法によって
得られたシリコンウエハは、以下に示す方法により評価
した。
【００２８】 （ステイン、マイクロエッチムラの評価
方法）真空ピンセットでシリコンウエハ表面を観測軸に
対して４５°の傾斜を保持しつつ観測軸方向に回転さ
せ、且つシリコンウエハ表面に蛍光又は集光を観測軸に
垂直に照射する。この時のシリコンウエハ表面を観測点
から３０ｃｍの位置で目視・評価した。マイクロエッチ
ムラ及びステインは、シリコンウエハ表面に蛍光で茶褐
色、集光で白色となる部分の面積をシリコンウエハ表面
積に対する割合（％）で評価した。
方法）真空ピンセットでシリコンウエハ表面を観測軸に
対して４５°の傾斜を保持しつつ観測軸方向に回転さ
せ、且つシリコンウエハ表面に蛍光又は集光を観測軸に
垂直に照射する。この時のシリコンウエハ表面を観測点
から３０ｃｍの位置で目視・評価した。マイクロエッチ
ムラ及びステインは、シリコンウエハ表面に蛍光で茶褐
色、集光で白色となる部分の面積をシリコンウエハ表面
積に対する割合（％）で評価した。
【００２９】 （実施例１〜１４、比較例１〜９：洗浄
シリコンウエハの評価試験１）エッチング処理後のシリ
コンウエハを洗浄・改質槽に移し、２６ｋＨｚ，３００
Ｗの超音波をかけながら、シリコンウエハ表面を４分間
洗浄改質した。尚、洗浄改質溶液としては、過酸化水素
含有の水酸化カリウム溶液（液温：７０℃）と界面活性
剤含有の水酸化カリウム溶液（液温：４５℃）の２種類
のうち、いずれかを後掲の表１又は表２に示す条件で用
いた。
シリコンウエハの評価試験１）エッチング処理後のシリ
コンウエハを洗浄・改質槽に移し、２６ｋＨｚ，３００
Ｗの超音波をかけながら、シリコンウエハ表面を４分間
洗浄改質した。尚、洗浄改質溶液としては、過酸化水素
含有の水酸化カリウム溶液（液温：７０℃）と界面活性
剤含有の水酸化カリウム溶液（液温：４５℃）の２種類
のうち、いずれかを後掲の表１又は表２に示す条件で用
いた。
【００３０】 次に、超純水リンス槽にシリコンウエハ
を移し、２６ｋＨｚ，３００Ｗの超音波をかけ、超純水
（室温）をオーバーフローさせながら、４分間リンスし
た。
を移し、２６ｋＨｚ，３００Ｗの超音波をかけ、超純水
（室温）をオーバーフローさせながら、４分間リンスし
た。
【００３１】 そして、シリコンウエハを酸化膜形成槽
に移し、２６ｋＨｚ、３００Ｗの超音波をかけながら、
酸化膜形成溶液に４分間浸漬することにより、シリコン
ウエハ表面に均一に酸化膜を形成させた。尚、酸化膜形
成溶液としては、オゾン水（オゾン濃度５〜８ｐｐｍ、
液温：２３〜２６℃）を用いた。
に移し、２６ｋＨｚ、３００Ｗの超音波をかけながら、
酸化膜形成溶液に４分間浸漬することにより、シリコン
ウエハ表面に均一に酸化膜を形成させた。尚、酸化膜形
成溶液としては、オゾン水（オゾン濃度５〜８ｐｐｍ、
液温：２３〜２６℃）を用いた。
【００３２】 更に、温水の温度を６０〜９０℃に保持
した温水槽に、シリコンウエハを移し、温水に２７０秒
浸漬し、更に、７０〜９０℃の熱風を用い、シリコンウ
エハを乾燥後、ＲＣＡ洗浄を行い、酸化炉を用いて１１
５０℃、１４ｈｒでＮ2アニール処理後、シリコンウエ
ハ表面のマイクロエッチムラの評価を行った。得られた
結果を表１及び表２に示す。
した温水槽に、シリコンウエハを移し、温水に２７０秒
浸漬し、更に、７０〜９０℃の熱風を用い、シリコンウ
エハを乾燥後、ＲＣＡ洗浄を行い、酸化炉を用いて１１
５０℃、１４ｈｒでＮ2アニール処理後、シリコンウエ
ハ表面のマイクロエッチムラの評価を行った。得られた
結果を表１及び表２に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】 （考察：洗浄シリコンウエハのマイクロ
エッチムラの評価）表１の結果より、洗浄改質溶液とし
て過酸化水素含有の水酸化カリウム溶液を用いた場合
（実施例１〜７）では、マイクロエッチムラを少なくと
も３％以下に抑制することができた。また、洗浄改質溶
液として界面活性剤含有の水酸化カリウム溶液を用いた
場合（実施例８〜１４）では、マイクロエッチムラを少
なくとも０．３％以下に抑制することができた。更に、
洗浄改質溶液として過酸化水素又は界面活性剤のみを用
いた場合（比較例３〜８）では、洗浄改質処理をしない
場合（比較例９）と比較して、マイクロエッチムラがほ
とんど解消されていないことが判明した。
エッチムラの評価）表１の結果より、洗浄改質溶液とし
て過酸化水素含有の水酸化カリウム溶液を用いた場合
（実施例１〜７）では、マイクロエッチムラを少なくと
も３％以下に抑制することができた。また、洗浄改質溶
液として界面活性剤含有の水酸化カリウム溶液を用いた
場合（実施例８〜１４）では、マイクロエッチムラを少
なくとも０．３％以下に抑制することができた。更に、
洗浄改質溶液として過酸化水素又は界面活性剤のみを用
いた場合（比較例３〜８）では、洗浄改質処理をしない
場合（比較例９）と比較して、マイクロエッチムラがほ
とんど解消されていないことが判明した。
【００３６】 尚、洗浄改質溶液として水酸化カリウム
溶液のみを用いた場合（比較例１，２）では、過酸化水
素含有の水酸化カリウム溶液を用いた場合（実施例１〜
７）や界面活性剤含有の水酸化カリウム溶液を用いた場
合（実施例８〜１４）と比較して、エッチング力が大き
いため、シリコンウエハの搬送スピードが遅すぎたり、
シリコンウエハの水洗が不十分であると、液垂れ状のエ
ッチムラが広範囲に広がる可能性が高くなることを再確
認した。
溶液のみを用いた場合（比較例１，２）では、過酸化水
素含有の水酸化カリウム溶液を用いた場合（実施例１〜
７）や界面活性剤含有の水酸化カリウム溶液を用いた場
合（実施例８〜１４）と比較して、エッチング力が大き
いため、シリコンウエハの搬送スピードが遅すぎたり、
シリコンウエハの水洗が不十分であると、液垂れ状のエ
ッチムラが広範囲に広がる可能性が高くなることを再確
認した。
【００３７】 （実施例１５〜２４、比較例１０〜１
２：洗浄シリコンウエハの評価試験２）エッチング処理
後のシリコンウエハを洗浄・改質槽に移し、２６ｋＨ
ｚ，３００Ｗの超音波をかけながら、シリコンウエハ表
面を４分間洗浄改質した。尚、洗浄改質溶液としては、
界面活性剤としてポリオキシアルキルフェニルエーテル
（０．００１重量％）を含有した０．０１重量％の水酸
化カリウム溶液（液温：４５℃）を用いた。
２：洗浄シリコンウエハの評価試験２）エッチング処理
後のシリコンウエハを洗浄・改質槽に移し、２６ｋＨ
ｚ，３００Ｗの超音波をかけながら、シリコンウエハ表
面を４分間洗浄改質した。尚、洗浄改質溶液としては、
界面活性剤としてポリオキシアルキルフェニルエーテル
（０．００１重量％）を含有した０．０１重量％の水酸
化カリウム溶液（液温：４５℃）を用いた。
【００３８】 次に、超純水リンス槽にシリコンウエハ
を移し、２６ｋＨｚ，３００Ｗの超音波をかけ、超純水
（室温）をオーバーフローさせながら、４分間リンスし
た。
を移し、２６ｋＨｚ，３００Ｗの超音波をかけ、超純水
（室温）をオーバーフローさせながら、４分間リンスし
た。
【００３９】 そして、シリコンウエハを酸化膜形成溶
液に浸漬することにより、シリコンウエハ表面に均一に
酸化膜を形成させた。尚、酸化膜形成溶液としては、Ｓ
Ｃ−１（Ｈ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ2＋ＮＨ4ＯＨ）とオゾン水の２種
類のうち、いずれかを後掲の表３又は表４に示す条件で
用いた。
液に浸漬することにより、シリコンウエハ表面に均一に
酸化膜を形成させた。尚、酸化膜形成溶液としては、Ｓ
Ｃ−１（Ｈ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ2＋ＮＨ4ＯＨ）とオゾン水の２種
類のうち、いずれかを後掲の表３又は表４に示す条件で
用いた。
【００４０】 更に、温水の温度を６０〜９０℃に保持
した温水槽に、シリコンウエハを移し、温水に２７０秒
浸漬し、更に、７０〜９０℃の熱風を用い、シリコンウ
エハを乾燥後、ＲＣＡ洗浄を行い、酸化炉を用いて１１
５０℃、１４ｈｒでＮ2アニール処理後、シリコンウエ
ハ表面のステインの評価を行った。得られた結果を表３
及び表４に示す。
した温水槽に、シリコンウエハを移し、温水に２７０秒
浸漬し、更に、７０〜９０℃の熱風を用い、シリコンウ
エハを乾燥後、ＲＣＡ洗浄を行い、酸化炉を用いて１１
５０℃、１４ｈｒでＮ2アニール処理後、シリコンウエ
ハ表面のステインの評価を行った。得られた結果を表３
及び表４に示す。
【００４１】
【表３】
【００４２】
【表４】
【００４３】 （考察：洗浄シリコンウエハのステイン
の評価）表３の結果より、酸化膜形成溶液としてオゾン
水を用いた場合（実施例１５〜１８，比較例１０〜１
２）では、約４ｐｐｍ以上のオゾン濃度で、２分間浸漬
を行うことによって、ステインを防止することが確認さ
れた。また、約２ｐｐｍのオゾン濃度であっても、５分
間浸漬を行うことにより、ステインを防止することがで
きた（実施例１８）。
の評価）表３の結果より、酸化膜形成溶液としてオゾン
水を用いた場合（実施例１５〜１８，比較例１０〜１
２）では、約４ｐｐｍ以上のオゾン濃度で、２分間浸漬
を行うことによって、ステインを防止することが確認さ
れた。また、約２ｐｐｍのオゾン濃度であっても、５分
間浸漬を行うことにより、ステインを防止することがで
きた（実施例１８）。
【００４４】 更に、表４の結果より、酸化膜形成溶液
としてＳＣ−１（Ｈ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ2＋ＮＨ4ＯＨ）を用いた
場合（実施例１９〜２４）では、ＳＣ−１の組成が（Ｈ
2Ｏ）：（Ｈ2Ｏ2）：（ＮＨ4ＯＨ）＝（１〜２）：（１
〜２）：（５〜５０）の体積比の範囲内で、４分間浸漬
を行うことにより、ステインを防止することができた。
としてＳＣ−１（Ｈ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ2＋ＮＨ4ＯＨ）を用いた
場合（実施例１９〜２４）では、ＳＣ−１の組成が（Ｈ
2Ｏ）：（Ｈ2Ｏ2）：（ＮＨ4ＯＨ）＝（１〜２）：（１
〜２）：（５〜５０）の体積比の範囲内で、４分間浸漬
を行うことにより、ステインを防止することができた。
【００４５】
【発明の効果】 以上の説明から明らかなように、本発
明のシリコンウエハの洗浄方法は、シリコンウエハをエ
ッチング処理した後、洗浄改質溶液を用いて、該シリコ
ンウエハを洗浄および改質処理し、次いで、酸化膜形成
溶液を用いて、該シリコンウエハ表面に酸化膜を形成す
ることにより、シリコンウエハの汚染除去及び表面改質
の向上と全ての種類のシリコンウエハに対して、エッチ
ング処理後の工程の一元化と簡約化に寄与することがで
きる。
明のシリコンウエハの洗浄方法は、シリコンウエハをエ
ッチング処理した後、洗浄改質溶液を用いて、該シリコ
ンウエハを洗浄および改質処理し、次いで、酸化膜形成
溶液を用いて、該シリコンウエハ表面に酸化膜を形成す
ることにより、シリコンウエハの汚染除去及び表面改質
の向上と全ての種類のシリコンウエハに対して、エッチ
ング処理後の工程の一元化と簡約化に寄与することがで
きる。
Claims (4)
- 【請求項１】 エッチング処理後のシリコンウエハを洗
浄する洗浄方法であって、シリコンウエハをエッチング
処理した後、 （ａ）洗浄改質溶液を用いて、該シリコンウエハを洗浄
および改質処理し、 （ｂ）次いで、酸化膜形成溶液を用いて、該シリコンウ
エハ表面に酸化膜を形成することを特徴とするシリコン
ウエハの洗浄方法。 - 【請求項２】 工程（ａ）の後、工程（ｂ）の前に、シ
リコンウエハをリンスする請求項１記載のシリコンウエ
ハの洗浄方法。 - 【請求項３】 工程（ｂ）の後に、シリコンウエハを温
水に浸漬し、次いで熱風乾燥する請求項１又は２記載の
シリコンウエハの洗浄方法。 - 【請求項４】 洗浄改質溶液が、過酸化水素含有の無機
塩基性溶液か、あるいは界面活性剤含有の無機塩基性溶
液である請求項１〜３のいずれか１項に記載のシリコン
ウエハの洗浄方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9195959A JPH1140527A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | シリコンウエハの洗浄方法 |
| CN98807500A CN1265223A (zh) | 1997-07-22 | 1998-07-21 | 用来洗涤硅片的方法 |
| PCT/US1998/015358 WO1999005704A1 (en) | 1997-07-22 | 1998-07-21 | Method for washing silicon wafer |
| KR1020007000357A KR20010021793A (ko) | 1997-07-22 | 1998-07-21 | 규소 웨이퍼의 세척 방법 |
| EP98937071A EP0998751A1 (en) | 1997-07-22 | 1998-07-21 | Method for washing silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9195959A JPH1140527A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | シリコンウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140527A true JPH1140527A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16349837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9195959A Withdrawn JPH1140527A (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | シリコンウエハの洗浄方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0998751A1 (ja) |
| JP (1) | JPH1140527A (ja) |
| KR (1) | KR20010021793A (ja) |
| CN (1) | CN1265223A (ja) |
| WO (1) | WO1999005704A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006140409A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Sharp Corp | ステイン膜除去方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108746042B (zh) * | 2018-03-26 | 2020-09-01 | 江苏金晖光伏有限公司 | 一种金刚石线锯切割单、多晶硅片的清洗方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3261683B2 (ja) * | 1991-05-31 | 2002-03-04 | 忠弘 大見 | 半導体の洗浄方法及び洗浄装置 |
| JP3325739B2 (ja) * | 1995-03-27 | 2002-09-17 | 株式会社ピュアレックス | シリコンウエーハの清浄化方法 |
| JPH097990A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
-
1997
- 1997-07-22 JP JP9195959A patent/JPH1140527A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-07-21 KR KR1020007000357A patent/KR20010021793A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-07-21 CN CN98807500A patent/CN1265223A/zh active Pending
- 1998-07-21 WO PCT/US1998/015358 patent/WO1999005704A1/en not_active Application Discontinuation
- 1998-07-21 EP EP98937071A patent/EP0998751A1/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006140409A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Sharp Corp | ステイン膜除去方法 |
| JP4495572B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2010-07-07 | シャープ株式会社 | ステイン膜除去方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1265223A (zh) | 2000-08-30 |
| EP0998751A1 (en) | 2000-05-10 |
| WO1999005704A1 (en) | 1999-02-04 |
| KR20010021793A (ko) | 2001-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |