KR0137429B1 - 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법 - Google Patents
반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법Info
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼상에 형성된 양감광막에 파장이 200nm 이상인 자외선을 조사시키고, 자외선이 조사된 양감광막 패턴을 마스크로 하여 이온 주입 공정을 실시하여 접합부를 형성한 후 양감광막을 제거하므로써 양감광막 내의 탈가스(Gas)계의 형성을 방지하여 양감광막 제거가 용이하고 결함(defect)을 감소시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법에 관한 것이다.
Description
첨부된 도면은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법을 설명하기 위한 공정도.
본 발명은 반도체 웨이퍼의 감광막(photoresist film) 제거 방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼상에 형성된 감광막에 자외선을 조사시키고 자외선이 조사된 감광막 패턴을 마스크로 하여 이온 주입 공정을 통해 접합부를 형성한 후 감광막을 제거하므로써 감광막 내의 탈가스(Gas)계의 형성을 방지하여 감광막 제거가 용이하고 결함(defect)을 감소시킬 수 있도록 한 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조공정부 접합부(junction)를 형성하기 위하여 높은 도즈의 이온을 주입하는데, 양감광막 마스크(Positive Resist Mask)에 높은 도즈의 이온이 주입되면 이온 충격으로 인한 온도의 상승으로 양감광막 표면이 변하여 정상적인 O2플라즈마(Plasma)방식으로는 양감광막이 제거되지 않는다. 그러면 종래 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법을 설명하면 다음과 같다.
종래 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법은 양감광막을 경화(Hard Bake)시키기 위해 200℃이하의 온도상태에서 열처리를 진행하고 접합부 형성을 위한 높은 도즈의 이온을 주입한 후 O2플라즈마 방식에 의해 양감광막을 제거하였다. 이때 제거비(Ashing Rate)를 높이기 위해 고온으로 에이싱(Ashing)처리하게 되면 양감광막 하층부 내에서 탈가스(N2등)가 발생되어 양감광막이 세편으로 날아다녀 산화가 어려운 상태 즉, 펌핑(pumping)현상이 발생된다. 또한 양감광막 경화시 온도의 한계 때문에 에이싱(Ashing)후 미소한 찌꺼기가 많이 생기게 된다.
따라서 본 발명은 양감광막 패턴에 자외선을 조사하고 이 양감광막 패턴을 마스크로 이온 주입 공정을 실시하여 접합부를 형성한 후 양감광막 패턴을 제거하므로써 상기한 단점을 해소할 수 있는 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 감광막 제거 방법은 반도체 기판 상에 양감광막을 도포하는 단계와, 상기 도포된 양감광막의 선택된 부분을 자외선으로 노광하는 단계와, 상기 노광된 양감광막을 현상하여, 이로 인하여 상기 반도체 기판 상에 양감광막 패턴이 형성되는 단계와, 상기 양감광막 패턴에 200 내지 250nm 파장을 갖는 자외선을 조사하여 상기 양감광막 패턴의 표면을 전처리하는 단계와, 상기 표면 처리된 양감광막 패턴을 이온 주입 마스크로 한 이온 주입 공정으로 상기 반도체 기판에 이온 주입 영역을 형성하는 단계와, 상기 표면 전처리된 양감광막 패턴을 반응성 이온 식각 에이싱 공정 및 습식 세정 공정으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
반도체 소자 제조 공정중 양감광막 패턴(positive photoresist pattern)을 이온 주입 마스크로 한 이온 주입 공정으로 이온 주입 영역 형성을 형성한다. 이온 주입 공정 완료후에 양감광막 패턴을 제거할 때 양감광막 내에 탈가스계(N2등) 형성으로 펌핑(pumping) 현상(포지티브 포토레이스트 패턴을 구성하고 있는 양감광막이 세편으로 되어 날아 다니는 현상으로 산화가 어려운 상태)이 발생되는데, 본 발명은 이러한 현상을 방지하기 위함이다.
첨부된 도면은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 반도체기판 상에 양감광막 패턴을 형성한다. 양감광막 패턴은 공지의 공정으로 반도체 기판 상에 양감광막을 도포하고, 자외선(UV)을 이용하여 양감광막을 선택적으로 노광하고, 양감광막의 노광된 부분을 현상함에 의해 형성된다. 형성된 양감광막 패턴 표면에 포장이 200nm이상 예를 들어, 200 내지 250nm의 파장을 갖는 자외선(UV)을 조사하여 표면 전처리한다. 양감광막에 조사되는 자외선의 파장이 200nm이하일 경우 SiO2내에 전자 및 전공대가 발생되어 트랩(Trap) 또는 중성 트랩(Trap)이 생기게 되므로 파장이 200nm 이상의 자외선을 조사해야 한다. 표면 전처리된 양감광막 패턴을 이온 주입 마스크로 한 높은 도즈(DOSE)의 이온(Ion) 주입 공정으로 반도체 기판에 이온 주입 영역인 접합부를 형성한다. 이온 주입 공정을 완료한 후 표면 전처리된 양감광막 패턴을 이온 충격에 의한 반응 이온 식각(RIE)에이싱(Ashing) 공정 및 습식세정 공정을 진행하여 제거한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 양감광막 패턴을 이온 주입 마스크로한 이온 주입 공정으로 접합부와 같은 이온 주입 영역을 형성할 때, 높은 도즈(High DOSE)의 이온(Ion)을 주입(Implating)하기 전에 양감광막 패턴의 표면을 자외선으로 표면 전처리하고, 표면 전처리된 양감광막 패턴을 이온 주입 마스크로하여 이온 주입 공정을 실시하므로써, 이온 주입 공정 동안 양감광막 패턴의 표면이 변하는 것이 방지된다. 따라서, 이후 실시되는 양감광막 패턴 제거 공정시 양감광막내의 탈가스계 형성으로 인한 펌핑 현상을 방지할 수 있어 감광막 제거가 용이하고 결함을 감소시킬 수 있도록 하는 탁월한 효과가 있다.
Claims (1)
- 반도체 기판상에 양감광막을 도포하는 단계와, 상기 도포된 양감광막의 선택된 부분을 자외선으로 노광하는 단계와, 상기 노광된 양감광막을 현상하여, 이로 인하여 상기 반도체 기판 상에 양감광막 패턴이 형성되는 단계와, 상기 양감광막 패턴에 200 내지 250nm 파장을 갖는 자외선을 조사하여 상기 양감광막 패턴의 표면을 전처리하는 단계와, 상기 표면 처리된 양감광막 패턴을 이온 주입 마스크로 한 이온 주입 공정으로 상기 반도체 기판에 이온 주입 영역을 형성하는 단계와, 상기 표면 전처리된 양감광막 패턴을 반응성 이온 식각 에이싱 공정 및 습식 세정 공정으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940004049A KR0137429B1 (ko) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940004049A KR0137429B1 (ko) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR0137429B1 true KR0137429B1 (ko) | 1998-04-28 |
Family
ID=19378248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940004049A KR0137429B1 (ko) | 1994-03-03 | 1994-03-03 | 반도체 웨이퍼의 감광막 제거 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0137429B1 (ko) |
-
1994
- 1994-03-03 KR KR1019940004049A patent/KR0137429B1/ko not_active IP Right Cessation
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