JPH01105537A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH01105537A JPH01105537A JP26301187A JP26301187A JPH01105537A JP H01105537 A JPH01105537 A JP H01105537A JP 26301187 A JP26301187 A JP 26301187A JP 26301187 A JP26301187 A JP 26301187A JP H01105537 A JPH01105537 A JP H01105537A
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- JP
- Japan
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- resist layer
- resist pattern
- treatment
- taper
- resist
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- Pending
Links
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- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 claims abstract description 8
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はレジストパターンの形成方法、特に１．０μｍ
以下の微細パターンに適したレジストパターンの形成方
法に関する。
以下の微細パターンに適したレジストパターンの形成方
法に関する。
（ロ）従来の技術
半導体デバイスの高集積化、高周波化に伴い、サブミク
ロンパターンの形成には多大の努力が払われている。
ロンパターンの形成には多大の努力が払われている。
第３図Ａ乃至第３図Ｃに従来のレジストパターンの形成
方法を示す。
方法を示す。
先ず第３図Ａにおいて、表面に酸化膜を形成した半導体
基板（１１）上に約３０００人のポジタイプレジスト層
（１２）がスピンコータ等を用いて塗布される。その後
半導体基板（１１）と共に８０〜９０℃で全体を１５〜
３０分間ベーキングして、レジスト層（１２）中の溶剤
、希釈液等を気化させて現像特性を妨げる物質を取り去
り、ポジタイプレジスト層（１２）が形成きれる。
基板（１１）上に約３０００人のポジタイプレジスト層
（１２）がスピンコータ等を用いて塗布される。その後
半導体基板（１１）と共に８０〜９０℃で全体を１５〜
３０分間ベーキングして、レジスト層（１２）中の溶剤
、希釈液等を気化させて現像特性を妨げる物質を取り去
り、ポジタイプレジスト層（１２）が形成きれる。
次に第３図Ｂにおいて、微細パターンを有するガラスマ
スク（図示せず）をレジスト層（１２）に重ねて、紫外
線を照射し現像処理を行うと、ガラスマスクの微細パタ
ーンの光透過部を通って紫外線が当った部分のポジタイ
プレジスト層（１２）が除去され、孔（１３）を形成す
る。
スク（図示せず）をレジスト層（１２）に重ねて、紫外
線を照射し現像処理を行うと、ガラスマスクの微細パタ
ーンの光透過部を通って紫外線が当った部分のポジタイ
プレジスト層（１２）が除去され、孔（１３）を形成す
る。
更に第３図Ｃにおいて、半導体基板（１１）全体を１５
０〜２０−０°Ｃでハードベーク処理し、レジスト層（
１２）に形成された孔（１３）の側面にテーパーを形成
する。
０〜２０−０°Ｃでハードベーク処理し、レジスト層（
１２）に形成された孔（１３）の側面にテーパーを形成
する。
なお斯る先行技術としては、特開昭５９−９９７２３号
公報（ＨＯＩ Ｌ ２１／３０）等がある。
公報（ＨＯＩ Ｌ ２１／３０）等がある。
（ハ）発明が解決しよ−うとする問題点しかしながら斯
上した従来のレジストパターンの形成方法では、ハード
ベーク処理時にレジスト層（１２）全体がフローして表
面張力によりレジスト層（１２）の中間部分がせり出し
て逆テーパーを形成する問題点があった。
上した従来のレジストパターンの形成方法では、ハード
ベーク処理時にレジスト層（１２）全体がフローして表
面張力によりレジスト層（１２）の中間部分がせり出し
て逆テーパーを形成する問題点があった。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は斯上した問題点に鑑みてなされ、ハードベータ
処理時にディープＵＶ照射を行うことにより、従来の問
題点を大幅に改善したレジストパターンの形成方法を提
供するものである。
処理時にディープＵＶ照射を行うことにより、従来の問
題点を大幅に改善したレジストパターンの形成方法を提
供するものである。
（＊）作用
本発明によれば、ハードベータ処理時にディープＵＶ照
射を行うので、レジスト層の表面近傍のみを他より速く
硬化させて熱的にフローさせているので、ゆるやかなテ
ーパー処理を促進できる。
射を行うので、レジスト層の表面近傍のみを他より速く
硬化させて熱的にフローさせているので、ゆるやかなテ
ーパー処理を促進できる。
（へ）実施例
本発明の一実施例を第１図Ａ乃至第１図Ｃを参照して膠
述する。
述する。
先ず第１図Ａにおいて、表面に酸化膜を形成した箪導体
基板（１）上に約３０００人のポジタイプレジスト層（
２）がスピンフータ等を用いて塗布される。その後半導
体基板（１）と共に８０〜９０℃で全体を１５〜３０分
間ベーキングして、レジスト層（２）中の溶剤、希釈液
等を気−化させて現像特性を妨げる物質を取り去り、ポ
ジタイプレジスト層（２）が形成される。
基板（１）上に約３０００人のポジタイプレジスト層（
２）がスピンフータ等を用いて塗布される。その後半導
体基板（１）と共に８０〜９０℃で全体を１５〜３０分
間ベーキングして、レジスト層（２）中の溶剤、希釈液
等を気−化させて現像特性を妨げる物質を取り去り、ポ
ジタイプレジスト層（２）が形成される。
次に第１図Ｂにおいて、微細パターンを有するガラスマ
るり（図、示せず）をレジスト層（２）に重ねて、紫外
線を照射し現像処理を行うと、ガラスマスクの微細パタ
ーンの光透過部を通って紫外線が当った部分のポジタイ
プレジスト層（２）が除去きれ、孔（３）を形成する。
るり（図、示せず）をレジスト層（２）に重ねて、紫外
線を照射し現像処理を行うと、ガラスマスクの微細パタ
ーンの光透過部を通って紫外線が当った部分のポジタイ
プレジスト層（２）が除去きれ、孔（３）を形成する。
更に第１図Ｃにおいて、レジスト層（２）の孔（３）の
側面をテーパーを形成する。本工程が本発明の最も特徴
とする工程であり、半導体基板（１）全体を第２図に示
す如く、１５０℃で１２０秒間ハードベーク処理し、８
０秒から９０秒の１０秒間にディープＵＶ照射を行う、
この結果、８０秒間のハードベーク処理により１．０μ
ｍ以下の孔（３）が埋まらない範囲でレジスト層（２）
を熱的にフローさせ、従来例の如く逆テーパー化する前
にディープＵＶ照射をしてレジスト層（２）表面近傍の
レジスト層（２）を硬化させて逆テーパー化を肪止し、
更にハードベーク処理を続けてレジスト層（２）下部の
熱的フローを行ってゆるやかな孔（３）側面のテーパー
化促進を行う。
側面をテーパーを形成する。本工程が本発明の最も特徴
とする工程であり、半導体基板（１）全体を第２図に示
す如く、１５０℃で１２０秒間ハードベーク処理し、８
０秒から９０秒の１０秒間にディープＵＶ照射を行う、
この結果、８０秒間のハードベーク処理により１．０μ
ｍ以下の孔（３）が埋まらない範囲でレジスト層（２）
を熱的にフローさせ、従来例の如く逆テーパー化する前
にディープＵＶ照射をしてレジスト層（２）表面近傍の
レジスト層（２）を硬化させて逆テーパー化を肪止し、
更にハードベーク処理を続けてレジスト層（２）下部の
熱的フローを行ってゆるやかな孔（３）側面のテーパー
化促進を行う。
なおハードベーク処理は上述の如＜、ｉｓｏ℃の一定温
度でなく、１５０℃から２００℃に昇温しながらディー
プＵＶ照射を行っても良い。
度でなく、１５０℃から２００℃に昇温しながらディー
プＵＶ照射を行っても良い。
（ト）発明の効果
本発明に依れば、ハードベーク処理中にディープＵＶ照
射を行うことによりレジスト層（２）の逆テーパー化を
抑制してゆるやかなテーパー化を促進できる利点を有す
る。この結果、約０．８μｍの微細パターンでもゆるや
かなテーパーを形成でき、ゆるやかなテーパーのコンタ
クトホールを形成できる。
射を行うことによりレジスト層（２）の逆テーパー化を
抑制してゆるやかなテーパー化を促進できる利点を有す
る。この結果、約０．８μｍの微細パターンでもゆるや
かなテーパーを形成でき、ゆるやかなテーパーのコンタ
クトホールを形成できる。
第１図Ａ乃至第１図Ｃは本発明に依るレジストパターン
の形成方法を説明する断面図、第２図は本発明のハード
ベーク処理工程を説明する特性図、第３図Ａ乃至第３図
Ｃは従来のレジストパターンの形成方法を説明する断面
図である。 （１）は半導体基板、 （２）はレジスト層、（３）は
孔である。
の形成方法を説明する断面図、第２図は本発明のハード
ベーク処理工程を説明する特性図、第３図Ａ乃至第３図
Ｃは従来のレジストパターンの形成方法を説明する断面
図である。 （１）は半導体基板、 （２）はレジスト層、（３）は
孔である。
Claims (1)
- （１）半導体基板表面にレジスト層を被着する工程と、
前記レジスト層を露光し現像する工程と、前記レジスト
層を熱処理する工程とを具備するレジストパターンの形
成方法において、 前記熱処理中に深いＵＶ照射を行い、前記レジスト層の
上面をテーパー処理することを特徴とするレジストパタ
ーンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26301187A JPH01105537A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26301187A JPH01105537A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105537A true JPH01105537A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17383649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26301187A Pending JPH01105537A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01105537A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010047517A (ko) * | 1999-11-22 | 2001-06-15 | 박종섭 | 감광막패턴 형성방법 |
| US6900117B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-05-31 | Seiko Epson Corporation | Method of fabricating bumps utilizing a resist layer having photosensitive agent and resin |
| CN111592838A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-28 | 马鞍山东毅新材料科技有限公司 | 一种基于负性光刻胶的光学胶带及其生产工艺 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26301187A patent/JPH01105537A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010047517A (ko) * | 1999-11-22 | 2001-06-15 | 박종섭 | 감광막패턴 형성방법 |
| US6900117B2 (en) | 2000-10-30 | 2005-05-31 | Seiko Epson Corporation | Method of fabricating bumps utilizing a resist layer having photosensitive agent and resin |
| CN111592838A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-28 | 马鞍山东毅新材料科技有限公司 | 一种基于负性光刻胶的光学胶带及其生产工艺 |
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