JPS5831528A - フオトレジストの除去方法 - Google Patents
フオトレジストの除去方法Info
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- JPS5831528A JPS5831528A JP12967981A JP12967981A JPS5831528A JP S5831528 A JPS5831528 A JP S5831528A JP 12967981 A JP12967981 A JP 12967981A JP 12967981 A JP12967981 A JP 12967981A JP S5831528 A JPS5831528 A JP S5831528A
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- Japan
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- photoresist
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- semiconductor wafer
- semiconductor
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の７オトレジストの除去方法にかか
り、特に光溶解型フォトレジストを安定かつ完全に除去
する方法に関する。
り、特に光溶解型フォトレジストを安定かつ完全に除去
する方法に関する。
従来、フォトレジストの除去は有機剥離法、例えば市販
のＯＭＢ剥離剤（東京応化ＫＫ）又は同成分系のＪ−１
００，Ｊ−１５０，ケ宅ストリップ、エコーストリップ
等で処理するか、無離剥離法、例えば硫酸と硝酸、硫酸
と過酸化水素水の混合液等で処理するのが一般的である
。又、薬品を使用しない方法、すなわち公害防止対策方
法として酸素（へ）ガスと高周波による酸素プラズマ法
によるフォトレジストの剥離方法が用いられている。
のＯＭＢ剥離剤（東京応化ＫＫ）又は同成分系のＪ−１
００，Ｊ−１５０，ケ宅ストリップ、エコーストリップ
等で処理するか、無離剥離法、例えば硫酸と硝酸、硫酸
と過酸化水素水の混合液等で処理するのが一般的である
。又、薬品を使用しない方法、すなわち公害防止対策方
法として酸素（へ）ガスと高周波による酸素プラズマ法
によるフォトレジストの剥離方法が用いられている。
従来、４μｍ以上の半導体素子パターンにはネガティブ
フォトレジスト、一般には東京応化ＫＫの０ＲＨＬシリ
ーズ、又は日本合成ゴムＫＫのＪＡＲシリーズを使用し
、所望パターンを形成し、次に各種のエツチング処理を
した後に、上記の有機剥離法又は無 剥離法又は酸素プ
ラズマ法による処理が一般的であった。この方法で充分
ネガティブフォトレジストを除去することは可能であっ
た。
フォトレジスト、一般には東京応化ＫＫの０ＲＨＬシリ
ーズ、又は日本合成ゴムＫＫのＪＡＲシリーズを使用し
、所望パターンを形成し、次に各種のエツチング処理を
した後に、上記の有機剥離法又は無 剥離法又は酸素プ
ラズマ法による処理が一般的であった。この方法で充分
ネガティブフォトレジストを除去することは可能であっ
た。
一方、近年において、半導体装置は集積度がますます高
まり、半導体素子が微細化になって来ている。これに伴
ない半導体素子パターンは１〜３μｍＫなると伴に、ネ
ガティブフォトレジストから光溶解型のポジティブ７オ
トレジスト、例えば東京応化ＫＫｆ）ＯＦＰＲシリーズ
、シ、プレイ社の。
まり、半導体素子が微細化になって来ている。これに伴
ない半導体素子パターンは１〜３μｍＫなると伴に、ネ
ガティブフォトレジストから光溶解型のポジティブ７オ
トレジスト、例えば東京応化ＫＫｆ）ＯＦＰＲシリーズ
、シ、プレイ社の。
ＡＺシリーズ又はディープＵＶフォトレジスト（Ｄｅｅ
ｐ ＵＶ）とし【東京応化ＫＫの０ＤＵＲシリ一ズ等更
には電子ビーム用７オートレジストとしてＰＭＭＡ系等
が使用されてきている。これらの７オトレジストでＤ＠
ｅｐＵＶ系とＰＭＭ系フォトレジストを除いたポジフォ
トレジストは従来使用の無機剥離法である硫酸と硝酸又
は硫酸と過酸化水素水の混合液では完全に除去すること
が離しかった。又、有機剥離法では無機剥離法よりも除
去能力があるが、剥離不足は皆離とならないばかりか、
再付着の問題があった。又、Ｄｅｅｐ ＵＶ 系とＰ
ＭＭＡ系の７オトレジス・トは上記フォトレジストより
も比較的無機剥離法と有機剥離法で７オトレジストが除
去される。しかし、これらの７オトレジストは同一製造
ラインで前記ネガティブフォトレジストとこれらのポジ
ティブフォトレジストる。この為、各々の７オトレジス
トを完全に除去する剥離装置を作れば一応これらの７オ
トレジストの剥離不足は解消される。しかしこれでは各
々の７オトレジスト用装置の台数が増え、コスト高と設
置フロアが増えるばかりか、これらの薬品は公害上或は
消防法で問題となる引火性の薬品を多量に使用する問題
があった。又、１台の剥離装置でこれらのネガティブフ
ォトレジストとポジティブフォトレジストを処理すると
各々の７オトレジストの溶解薬品が違う為、いずれかの
７オトレジストが顕著に剥離不足を発生させる問題があ
った。
ｐ ＵＶ）とし【東京応化ＫＫの０ＤＵＲシリ一ズ等更
には電子ビーム用７オートレジストとしてＰＭＭＡ系等
が使用されてきている。これらの７オトレジストでＤ＠
ｅｐＵＶ系とＰＭＭ系フォトレジストを除いたポジフォ
トレジストは従来使用の無機剥離法である硫酸と硝酸又
は硫酸と過酸化水素水の混合液では完全に除去すること
が離しかった。又、有機剥離法では無機剥離法よりも除
去能力があるが、剥離不足は皆離とならないばかりか、
再付着の問題があった。又、Ｄｅｅｐ ＵＶ 系とＰ
ＭＭＡ系の７オトレジス・トは上記フォトレジストより
も比較的無機剥離法と有機剥離法で７オトレジストが除
去される。しかし、これらの７オトレジストは同一製造
ラインで前記ネガティブフォトレジストとこれらのポジ
ティブフォトレジストる。この為、各々の７オトレジス
トを完全に除去する剥離装置を作れば一応これらの７オ
トレジストの剥離不足は解消される。しかしこれでは各
々の７オトレジスト用装置の台数が増え、コスト高と設
置フロアが増えるばかりか、これらの薬品は公害上或は
消防法で問題となる引火性の薬品を多量に使用する問題
があった。又、１台の剥離装置でこれらのネガティブフ
ォトレジストとポジティブフォトレジストを処理すると
各々の７オトレジストの溶解薬品が違う為、いずれかの
７オトレジストが顕著に剥離不足を発生させる問題があ
った。
一方、近年盛んに用いられている酸素ガスと高周波によ
る酸素プラズマ法によるフォトレジストの剥離法ではい
ずれのフォトレジストも除去することは可能である。し
かし本発明者の実験ではいずれの７オトレジストも４５
分〜１２０分の剥離時間が必要であり、処理枚数が限ら
れ【いるばかりか、高周波の影譬で半導体装置の諸％性
を悪くすることがあり、半導体装置製造の全工程に適用
できない問題があった。又これらの装置も同一製造ライ
ンでは数十台も必要でコスト高と設置フロアが上記有機
、無機剥離装置よりも必要となる。更にはとの酸素プラ
ズマ法では有機物は除去できるが、無機物、特にネガテ
ィブフォトレジストとボジティプフｔトレジスＦ又は半
導体装置製造中に付着する異物は除去できないことが知
られている。
る酸素プラズマ法によるフォトレジストの剥離法ではい
ずれのフォトレジストも除去することは可能である。し
かし本発明者の実験ではいずれの７オトレジストも４５
分〜１２０分の剥離時間が必要であり、処理枚数が限ら
れ【いるばかりか、高周波の影譬で半導体装置の諸％性
を悪くすることがあり、半導体装置製造の全工程に適用
できない問題があった。又これらの装置も同一製造ライ
ンでは数十台も必要でコスト高と設置フロアが上記有機
、無機剥離装置よりも必要となる。更にはとの酸素プラ
ズマ法では有機物は除去できるが、無機物、特にネガテ
ィブフォトレジストとボジティプフｔトレジスＦ又は半
導体装置製造中に付着する異物は除去できないことが知
られている。
この為、この酸素プラズマ法による処理後に更に何らか
の薬品による洗浄が必要となる欠点が生じていた。
の薬品による洗浄が必要となる欠点が生じていた。
本発明は上述の欠点を除去し、極めて高い再現性で、光
溶解型のポジティブフォトレジストを除去スる方法につ
いて提供するものテアル。
溶解型のポジティブフォトレジストを除去スる方法につ
いて提供するものテアル。
本発明においては半導体クエノーーに全面又は選択被膜
した光溶解型フォトレジストを除去する工程において、
半導体ウニノー−上の被膜全面通訳マスクなしに紫外線
を一定時間照射させる工程と次に該紫外線を照射された
光溶解型フォトレジスＦ膜を溶解又は分解する。ウェッ
ト液又はドライ処理法によりフォトレジスト膜を全面除
去する工程と次に有機剥離液又は無機剥離液により半導
体ワエハーを洗浄する工程を含むことを特徴とする。
した光溶解型フォトレジストを除去する工程において、
半導体ウニノー−上の被膜全面通訳マスクなしに紫外線
を一定時間照射させる工程と次に該紫外線を照射された
光溶解型フォトレジスＦ膜を溶解又は分解する。ウェッ
ト液又はドライ処理法によりフォトレジスト膜を全面除
去する工程と次に有機剥離液又は無機剥離液により半導
体ワエハーを洗浄する工程を含むことを特徴とする。
本発明によればフォトレジストを除去する工程において
、半導体クエノーー上の光溶解型フ、）ｌ／シストの被
膜全面に紫外線を一定時間照させる工程と次に該光溶解
型フォトレジスト膜を溶解又は分解する工程を追加する
ことにより、従来使用の有機剥離又は無機剥離を極度に
汚すことがなくなり、半導体ウエノ・−に形成された半
導体装置を剥離不足によるフォトレジスト被膜又はその
他の汚れを防せぎ、汚れによる諸物件の不良又はばらつ
きをなくす効果がある。本発明の最も効果があるのは同
一半導体装置製造ラインで光重合型のネガティブフォト
レジストと光溶解型の７オトレジストを流すに当り、光
重合型ネガフォトレジストを完全に除去できる薬品の組
合による有機剥離装置又は無機剥離装置を設置しておけ
ば良く、光溶解型のフォトレジストは何であっても、又
、何種類□同一半導体装置製造ラインに流れていても考
慮する必要がない。この為、各フォトレジスト用の剥離
装置を用ける必要がない。更には装置投資及び装置設置
フロアを少なく出来るばかりか公害上問題となる薬品使
用量の低減を図ることができる。
、半導体クエノーー上の光溶解型フ、）ｌ／シストの被
膜全面に紫外線を一定時間照させる工程と次に該光溶解
型フォトレジスト膜を溶解又は分解する工程を追加する
ことにより、従来使用の有機剥離又は無機剥離を極度に
汚すことがなくなり、半導体ウエノ・−に形成された半
導体装置を剥離不足によるフォトレジスト被膜又はその
他の汚れを防せぎ、汚れによる諸物件の不良又はばらつ
きをなくす効果がある。本発明の最も効果があるのは同
一半導体装置製造ラインで光重合型のネガティブフォト
レジストと光溶解型の７オトレジストを流すに当り、光
重合型ネガフォトレジストを完全に除去できる薬品の組
合による有機剥離装置又は無機剥離装置を設置しておけ
ば良く、光溶解型のフォトレジストは何であっても、又
、何種類□同一半導体装置製造ラインに流れていても考
慮する必要がない。この為、各フォトレジスト用の剥離
装置を用ける必要がない。更には装置投資及び装置設置
フロアを少なく出来るばかりか公害上問題となる薬品使
用量の低減を図ることができる。
次に図面を用いて本発明によるフォトレジストの除去方
法について説明する。第１図（ａ）において半導体ウェ
ハー１上に各種の機能をもった半導体装置が半導体製造
工程で形成される（図示せず）。
法について説明する。第１図（ａ）において半導体ウェ
ハー１上に各種の機能をもった半導体装置が半導体製造
工程で形成される（図示せず）。
これら半導体装置を形成量る為に知られたる写真食刻技
術で光溶解型フォトレジスト膜２が選択的に形成される
（第１図（ｍｌ）。次に半導体装置の機能を作る為の各
種の工、チング技術又はイオン注入技術によって処理さ
れる。次に不用となった光溶解フォトレジスト膜２を除
去する。この場合、本発明の特徴である工程を用いる。
術で光溶解型フォトレジスト膜２が選択的に形成される
（第１図（ｍｌ）。次に半導体装置の機能を作る為の各
種の工、チング技術又はイオン注入技術によって処理さ
れる。次に不用となった光溶解フォトレジスト膜２を除
去する。この場合、本発明の特徴である工程を用いる。
すなわち、不用となった光溶解型７オトレジスト２に各
々の光透解散７オトレジスト２を感光する紫外線領域め
一光源３により半導体ウェハー全面に照射する。この場
合、０ＦＰＲシリーズ又はＡＺシリ−−ズでは３０００
〜５０００Ａ波長光源で５〜１０秒間、０ＤＵＲシリー
ズ。ＰＭＭＡ系シリーズでは２０００〜３０００Ａ光源
３を照射する（第１図中））。この工程は通常用いられ
る選択所望パターンを有するガラスマスクを使用する必
要がない。この為、半導体装置の素子パターンの解像力
を考慮する必要がなく、何らかのガラスマスクを必要と
しない為半導体ウェハー１は非接触で良く、複雑な装置
を必要としない。もちろん写真食刻技術で使用している
知られたる目合せ露光装置でも処理できることは言うま
でもない。次に、これらの光溶解型フォトレジス）ｈＡ
２を溶解又は分解するウェット液又はドライ処理法によ
り光溶解型フォトレジスト膜２を除去する（第１図（Ｃ
））。この場合上記の光溶解型フォトレジストのどの鍾
類でも溶解可能なウェット液としてはケトン類１例えば
アセトン又はメチルエチルケトン等の薬品が有効である
。処理方法としては浸漬法であれば２０〜４５秒間で充
分溶解される。又、シャワー法又はスプレー法又は滴下
により半導体ウェハー１上に滴下静止する方法を用いれ
ば１０〜３０秒で充分溶解される。この他のウェット液
として各々の光溶解型フォトレジスト用として市販され
ている現像液を用いても上記処理法で同程度の処理時間
で良い。一方ドライ処理法としては酸素プラズマ法によ
り溶解可能である。
々の光透解散７オトレジスト２を感光する紫外線領域め
一光源３により半導体ウェハー全面に照射する。この場
合、０ＦＰＲシリーズ又はＡＺシリ−−ズでは３０００
〜５０００Ａ波長光源で５〜１０秒間、０ＤＵＲシリー
ズ。ＰＭＭＡ系シリーズでは２０００〜３０００Ａ光源
３を照射する（第１図中））。この工程は通常用いられ
る選択所望パターンを有するガラスマスクを使用する必
要がない。この為、半導体装置の素子パターンの解像力
を考慮する必要がなく、何らかのガラスマスクを必要と
しない為半導体ウェハー１は非接触で良く、複雑な装置
を必要としない。もちろん写真食刻技術で使用している
知られたる目合せ露光装置でも処理できることは言うま
でもない。次に、これらの光溶解型フォトレジス）ｈＡ
２を溶解又は分解するウェット液又はドライ処理法によ
り光溶解型フォトレジスト膜２を除去する（第１図（Ｃ
））。この場合上記の光溶解型フォトレジストのどの鍾
類でも溶解可能なウェット液としてはケトン類１例えば
アセトン又はメチルエチルケトン等の薬品が有効である
。処理方法としては浸漬法であれば２０〜４５秒間で充
分溶解される。又、シャワー法又はスプレー法又は滴下
により半導体ウェハー１上に滴下静止する方法を用いれ
ば１０〜３０秒で充分溶解される。この他のウェット液
として各々の光溶解型フォトレジスト用として市販され
ている現像液を用いても上記処理法で同程度の処理時間
で良い。一方ドライ処理法としては酸素プラズマ法によ
り溶解可能である。
例えば、２００〜４００Ｗの高周波で真空度０．５〜１
．０Ｔｏｒｒ範囲で半導体ウエノ・−１枚づつの処理で
あれば３０秒〜３分、パッチ処理であれば３０分前後で
良い。特にこの方法を用いる場合、１５０〜２５０Ｃの
温度を加えてやれば更に処理時間を短縮できる。
．０Ｔｏｒｒ範囲で半導体ウエノ・−１枚づつの処理で
あれば３０秒〜３分、パッチ処理であれば３０分前後で
良い。特にこの方法を用いる場合、１５０〜２５０Ｃの
温度を加えてやれば更に処理時間を短縮できる。
次にこれらの処理を行なった後、半導体ワエノ１−を更
に清浄にする為に知られたる有機剥離液又は無機剥離液
により洗浄処理する。
に清浄にする為に知られたる有機剥離液又は無機剥離液
により洗浄処理する。
以上記述した本発明の７オトレジストの除去方法を用い
れば、画一した問題点が解決できるとともに安定かつ完
全に除去可能である。更に本発明方法は同一装置に紫外
線全面照射機構と光溶解型フォトレジストを溶解又は分
解する機構と半導体ウェハーを洗浄する機構をもったも
のを用いれば連続的に処理できる効果がある。
れば、画一した問題点が解決できるとともに安定かつ完
全に除去可能である。更に本発明方法は同一装置に紫外
線全面照射機構と光溶解型フォトレジストを溶解又は分
解する機構と半導体ウェハーを洗浄する機構をもったも
のを用いれば連続的に処理できる効果がある。
第１図は本発明方法を説明するための断面図である。
尚、図において、１・・・・・・半導体ウニ、、、２・
・・光溶解杷フォトレジスト、３・・・・・・光淵であ
る。 代理人 弁理士 内 原 晋
・・光溶解杷フォトレジスト、３・・・・・・光淵であ
る。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体ウェハーに全問被膜又は選択被膜した光溶解１［
７オトレジスト膜を除去する工１１において半導体クエ
へ−上の被膜全面に選択マスクなしに紫外線を一定時間
照射させる工程と、次に該紫外線を照射された光溶解［
１７オトレジスト膜を溶解又は分解するウェット液又は
ドライ処理法により７オトレジスＦ膜を全量除去する工
程と、次に有機剥離液又は無機剥離液により半導体ウェ
ハーを洗浄する工程とを含むことを特徴とするフォトレ
ジストの除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12967981A JPS5831528A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | フオトレジストの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12967981A JPS5831528A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | フオトレジストの除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5831528A true JPS5831528A (ja) | 1983-02-24 |
Family
ID=15015487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12967981A Pending JPS5831528A (ja) | 1981-08-19 | 1981-08-19 | フオトレジストの除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5831528A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4824762A (en) * | 1986-07-18 | 1989-04-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method for rinse treatment of a substrate |
| JPH0246466A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0290624A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US5114834A (en) * | 1987-10-23 | 1992-05-19 | Yehuda Nachshon | Photoresist removal |
| JPH04278536A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-05 | Fujitsu Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| US5669979A (en) * | 1993-09-08 | 1997-09-23 | Uvtech Systems, Inc. | Photoreactive surface processing |
| US5814156A (en) * | 1993-09-08 | 1998-09-29 | Uvtech Systems Inc. | Photoreactive surface cleaning |
| JP2003107753A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Fujitsu Display Technologies Corp | レジスト用剥離液及びレジスト剥離方法、並びに薄膜回路素子の形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4945034A (ja) * | 1972-09-08 | 1974-04-27 | ||
| JPS5424020A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-23 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Method of removing resist material |
-
1981
- 1981-08-19 JP JP12967981A patent/JPS5831528A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| JP4532039B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2010-08-25 | シャープ株式会社 | レジスト剥離方法及び薄膜回路素子の形成方法 |
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