JPS58132935A - 有機材料膜の除去方法 - Google Patents
有機材料膜の除去方法Info
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- JPS58132935A JPS58132935A JP1611382A JP1611382A JPS58132935A JP S58132935 A JPS58132935 A JP S58132935A JP 1611382 A JP1611382 A JP 1611382A JP 1611382 A JP1611382 A JP 1611382A JP S58132935 A JPS58132935 A JP S58132935A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/42—Stripping or agents therefor
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- G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の有機材料膜の除去方法にかがシ
、特に光溶解型フォトレジストを安定かつ完全に除去す
る方法に関する。
、特に光溶解型フォトレジストを安定かつ完全に除去す
る方法に関する。
従来、フォトレジストの除去は有機剥離法例えば市販の
ＯＭＲ剥離剤（東京応化ＫＫ）又は、同成分系のＪ−１
００，Ｊ−１１５０，少々ストリップ。
ＯＭＲ剥離剤（東京応化ＫＫ）又は、同成分系のＪ−１
００，Ｊ−１１５０，少々ストリップ。
エコ°−ストリップ等で処理するか、無機剥離法例えば
硫酸と硝酸、硫酸と過酸化水素水の混合液等で処理する
のが一般的である。又、薬品を使用しない方法、すなわ
ち公害防止対策方法として散索（００ガスと高周波によ
る酸素プラズマ法によるフォトレジストの剥離方法が用
いられている。
硫酸と硝酸、硫酸と過酸化水素水の混合液等で処理する
のが一般的である。又、薬品を使用しない方法、すなわ
ち公害防止対策方法として散索（００ガスと高周波によ
る酸素プラズマ法によるフォトレジストの剥離方法が用
いられている。
従来４μｍ以上の半導体素子パターンにはネガティブフ
ォトレジスト、一般には東京応化ＫＫのＯＭＲシリーズ
、又は日本合成ゴムＫＫのＪＡＲシリーズを使用し、所
望パターンを形成し、次に各種のエツチング処理をした
後に、上記の有機剥離法又祉無機剥離法又は酸素プラズ
マ法による処理が一般的であった。この方法で充分ネガ
ティブフォトレジストを除去することは可能であった。
ォトレジスト、一般には東京応化ＫＫのＯＭＲシリーズ
、又は日本合成ゴムＫＫのＪＡＲシリーズを使用し、所
望パターンを形成し、次に各種のエツチング処理をした
後に、上記の有機剥離法又祉無機剥離法又は酸素プラズ
マ法による処理が一般的であった。この方法で充分ネガ
ティブフォトレジストを除去することは可能であった。
一方、近年において、半導体装置は集積贋が１すます高
ま夛、半導体素子が微細化になって来ている。これに伴
ない半導体素子ノ（ターンは、１〜３７１ｍになると伴
にネガティブフォトレジストから光溶解型のポジティブ
フォトレジスト、例えば東京応化ＫＫの０ＦＰＲシリ一
ズシツプレイ社のＡＺシリーズ又はディープＵＶフォト
レジスト（ＤｅｅｐＵＶ）として東京応化ＫＫの０ＤＵ
Ｒシリーズ等史には、電子ビーム用フォトレジストとし
てＰＭＭＡ系等が使用されてきているＯこれらの７オト
レジストでＤｅｅｐ ＵＶ系とＰＭＭＡ系フォトレジス
トを除いたポジフォトレジストは従来使用の無機剥離法
である硫酸と硝酸、又は硫酸と過酸化水素水の混合液で
は完全に除去することが難しかった。
ま夛、半導体素子が微細化になって来ている。これに伴
ない半導体素子ノ（ターンは、１〜３７１ｍになると伴
にネガティブフォトレジストから光溶解型のポジティブ
フォトレジスト、例えば東京応化ＫＫの０ＦＰＲシリ一
ズシツプレイ社のＡＺシリーズ又はディープＵＶフォト
レジスト（ＤｅｅｐＵＶ）として東京応化ＫＫの０ＤＵ
Ｒシリーズ等史には、電子ビーム用フォトレジストとし
てＰＭＭＡ系等が使用されてきているＯこれらの７オト
レジストでＤｅｅｐ ＵＶ系とＰＭＭＡ系フォトレジス
トを除いたポジフォトレジストは従来使用の無機剥離法
である硫酸と硝酸、又は硫酸と過酸化水素水の混合液で
は完全に除去することが難しかった。
又、有機剥離法では、無機剥離法よシも除去能力がある
か、剥離不足は皆無とならないはかシか再付着の問題が
あった一 本発明は、無機剥離法により、極めて高い再現性でフォ
トレジストを除去する方法について提供するものである
。
か、剥離不足は皆無とならないはかシか再付着の問題が
あった一 本発明は、無機剥離法により、極めて高い再現性でフォ
トレジストを除去する方法について提供するものである
。
本発明においては、半導体ウエノ・−に全面又は選択被
膜した光溶解型フォトレジストを除去する工程において
、濃度が８５重量％以上の硫酸と濃度が３０重量％以上
の過酸化水溶液とを混合し、好ましくは液温９０°〜１
３０＠の溶液に、好ましくは等時間間隔に硝酸系アンモ
ニウム物質もしくは硫酸系アンモニウム物質を滴下混合
し、有機材料ＩＩＩを有する基板に浸漬もしくはスプレ
ーしてこの有機材料膜を除去することを特徴とする。
膜した光溶解型フォトレジストを除去する工程において
、濃度が８５重量％以上の硫酸と濃度が３０重量％以上
の過酸化水溶液とを混合し、好ましくは液温９０°〜１
３０＠の溶液に、好ましくは等時間間隔に硝酸系アンモ
ニウム物質もしくは硫酸系アンモニウム物質を滴下混合
し、有機材料ＩＩＩを有する基板に浸漬もしくはスプレ
ーしてこの有機材料膜を除去することを特徴とする。
本発明によれば７オトレジス）１−除去する工程におい
て、上述の無機剥離ｆＩＬｔ−使用することにより、前
記の問題点である光溶解型フォトレジストの除去不足を
防ぐ効果がある０ 次に本発明によるフォトレジストの除去方法について説
明する・ 一般に半導体装置は半導体ウエノ・−上に各種の機能を
もった半導体装置が半導体製造工程で形成される。これ
ら半導体装置を形成する為に知られたる写真食刻技術で
７オトレジスト膜が形成さγしる。このフォトレジスト
膜をマスクとして湿式エツチング又は乾式エツチング又
はイオン注入技術等により半導体装置パターンが形成さ
れる。その後不要となったフォトレジスト膜を除去する
＠このフォトレジスト膜を除去する際に関し、濃度が８
５％重量％以上の硫酸（Ｈ２ＢＯ３）と濃度が３０重量
％以上の過酸化水素水溶液（Ｈ２Ｏ２）を１０〜２０対
１の比率で混合し、液ｍ９０”ｃ〜１３０″Ｃにコント
ロールする。この混合液に硝酸アンモニウム（ＮＨ４Ｎ
Ｏ３）又は硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２８０４）物
′ｊｊを１ｇ〜ｌｏｇ程度を勢時間間隔に混入する。
て、上述の無機剥離ｆＩＬｔ−使用することにより、前
記の問題点である光溶解型フォトレジストの除去不足を
防ぐ効果がある０ 次に本発明によるフォトレジストの除去方法について説
明する・ 一般に半導体装置は半導体ウエノ・−上に各種の機能を
もった半導体装置が半導体製造工程で形成される。これ
ら半導体装置を形成する為に知られたる写真食刻技術で
７オトレジスト膜が形成さγしる。このフォトレジスト
膜をマスクとして湿式エツチング又は乾式エツチング又
はイオン注入技術等により半導体装置パターンが形成さ
れる。その後不要となったフォトレジスト膜を除去する
＠このフォトレジスト膜を除去する際に関し、濃度が８
５％重量％以上の硫酸（Ｈ２ＢＯ３）と濃度が３０重量
％以上の過酸化水素水溶液（Ｈ２Ｏ２）を１０〜２０対
１の比率で混合し、液ｍ９０”ｃ〜１３０″Ｃにコント
ロールする。この混合液に硝酸アンモニウム（ＮＨ４Ｎ
Ｏ３）又は硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２８０４）物
′ｊｊを１ｇ〜ｌｏｇ程度を勢時間間隔に混入する。
この混合液に半導体装置を入れる。かかる本発明によれ
ば硝敗アンモニウム又は硫酸アンモニウム物質は半導体
装置が硫酸と過酸化水素水溶液に浸漬した際に混入させ
るのが最良の方法でありた。
ば硝敗アンモニウム又は硫酸アンモニウム物質は半導体
装置が硫酸と過酸化水素水溶液に浸漬した際に混入させ
るのが最良の方法でありた。
この半導体装置よりフォトレジスト膜を除去する時間は
フォトレジスト膜の種類と膜厚によって異なるが２〜５
分程度で完全に７オトレジスト膜を除去することが可能
である。特に従来より問題があった光溶解型フォトレジ
ストの除去不足及び高ドーズでイオン注入を打込マスク
として用いたフォトレジスト膜並びに乾式エツチングで
マスクとして用いたフォトレジストの固化膜除去に効果
がある。
フォトレジスト膜の種類と膜厚によって異なるが２〜５
分程度で完全に７オトレジスト膜を除去することが可能
である。特に従来より問題があった光溶解型フォトレジ
ストの除去不足及び高ドーズでイオン注入を打込マスク
として用いたフォトレジスト膜並びに乾式エツチングで
マスクとして用いたフォトレジストの固化膜除去に効果
がある。
上記実施例には半導体装置を硫酸と過酸化水素水溶液に
浸漬し、その混合液に硝酸アンモニウム又は硫酸系アン
モニウム物質を混入する方法を説明したが、更に別なフ
ォトレジスト膜の除去方法として、硝酸アンそニウム又
は硫酸アンモニウム物質をあらかじめ等時間間隔に一定
量入れた容器に硫酸と過酸化水素水溶液の混゛合液をシ
ャワー状に半導体装置全面ヘスプレーして半導体装置よ
り７オトレジスト膜を除去する方法も効果がある。
浸漬し、その混合液に硝酸アンモニウム又は硫酸系アン
モニウム物質を混入する方法を説明したが、更に別なフ
ォトレジスト膜の除去方法として、硝酸アンそニウム又
は硫酸アンモニウム物質をあらかじめ等時間間隔に一定
量入れた容器に硫酸と過酸化水素水溶液の混゛合液をシ
ャワー状に半導体装置全面ヘスプレーして半導体装置よ
り７オトレジスト膜を除去する方法も効果がある。
この場合、比較的硫酸と過酸化水素水溶液の混合液温は
９０〜１００℃で充分フォトレジスト膜を完全に除去す
ることは可能である・ 以上説明した本発明方法は硫酸と過酸化水素水溶液に硝
酸アンモニウム又は硫酸アンモニウム全混入させること
によシ、ｉｉ酸と過酸化水素水溶液の分解を高める効果
がある。特に有機物、この場合フォトレジストがあると
９０〜１３０℃において非常に良く酸化剤として反応し
フォトレジストヲ除去させることを可能とする。
９０〜１００℃で充分フォトレジスト膜を完全に除去す
ることは可能である・ 以上説明した本発明方法は硫酸と過酸化水素水溶液に硝
酸アンモニウム又は硫酸アンモニウム全混入させること
によシ、ｉｉ酸と過酸化水素水溶液の分解を高める効果
がある。特に有機物、この場合フォトレジストがあると
９０〜１３０℃において非常に良く酸化剤として反応し
フォトレジストヲ除去させることを可能とする。
Claims (2)
- （１）濃度が８５重量％以上の硫酸と濃度が３０重Ｊ１
％以上の過酸化水素原溶液とを混合し、これに硝酸系ア
ンモニウム物質もしくは硫酸系アンモニウム物質加え、
この溶液を有機材料膜を有する基板に浸漬もしくは、ス
プレーして鋏有機 ・材料膜を除去することを％微とす
る有機材料膜の除去方法。 - （２）有機材料膜を除去する液温は９０°Ｃ〜１３０＠
内であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の有機材料膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1611382A JPS58132935A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 有機材料膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1611382A JPS58132935A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 有機材料膜の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132935A true JPS58132935A (ja) | 1983-08-08 |
Family
ID=11907453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1611382A Pending JPS58132935A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 有機材料膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132935A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664424B2 (en) | 1998-07-01 | 2003-12-16 | Warner-Lambert Company | Stereoisomers with high affinity for adrenergic receptors |
| EP1548816A2 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | Kao Corporation | Composition for cleaning semiconductor device |
| US7232837B2 (en) | 1999-06-29 | 2007-06-19 | Mcneil-Ppc, Inc. | Stereoisomers with high affinity for adrenergic receptors |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP1611382A patent/JPS58132935A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664424B2 (en) | 1998-07-01 | 2003-12-16 | Warner-Lambert Company | Stereoisomers with high affinity for adrenergic receptors |
| US7232837B2 (en) | 1999-06-29 | 2007-06-19 | Mcneil-Ppc, Inc. | Stereoisomers with high affinity for adrenergic receptors |
| EP1548816A2 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | Kao Corporation | Composition for cleaning semiconductor device |
| EP1548816A3 (en) * | 2003-12-24 | 2007-05-09 | Kao Corporation | Composition for cleaning semiconductor device |
| US7410902B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-08-12 | Kao Corporation | Composition for cleaning semiconductor device |
| CN100463117C (zh) * | 2003-12-24 | 2009-02-18 | 花王株式会社 | 半导体元件清洗用组合物、半导体元件及其制造方法 |
| US7947638B2 (en) | 2003-12-24 | 2011-05-24 | Kao Corporation | Composition for cleaning semiconductor device |
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