JPH01220828A - レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法 - Google Patents

レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法

Info

Publication number
JPH01220828A
JPH01220828A JP63047196A JP4719688A JPH01220828A JP H01220828 A JPH01220828 A JP H01220828A JP 63047196 A JP63047196 A JP 63047196A JP 4719688 A JP4719688 A JP 4719688A JP H01220828 A JPH01220828 A JP H01220828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
substrate
high pressure
pressure vessel
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63047196A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2663483B2 (ja
Inventor
Masaru Nishikawa
勝 西川
Kazumichi Nakagawa
中川　和道
Yoichi Yamaguchi
洋一 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP63047196A priority Critical patent/JP2663483B2/ja
Priority to US07/317,202 priority patent/US4944837A/en
Publication of JPH01220828A publication Critical patent/JPH01220828A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2663483B2 publication Critical patent/JP2663483B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、例えば、半導体及びその周辺分野に用いられ
る各種のデバイス基板、フォトマスク用基板、Ｘ線マス
ク用基板等にリソグラフィー法を適用して微細なパター
ン加工を施す場合において、これら基板等にレジストの
パターン形成するレジストのパターン形成方法、これら
基板からレジストを除去するレジストの除去方法及びこ
れら基板に付着している異物を除去する基板の洗浄方法
に関する。
［従来の技術］ いわゆるリソグラフィー法による微細パターン形成方法
は、一般に、被加工物たる基板表面にレジストを塗布し
てレジスト膜を形成し、このレジスト膜に所望のパター
ンの露光処理を施した後、この露光処理済みの基板に現
像処理を施して前記レジストの一部を前記パターンに沿
って除去することによりレジストパターンを形成し、次
に、このレジストパターンが形成された側からエツチン
グ処理その他の加工処理を施すことにより前記基板に前
記パターンに沿った加工を行い、しかる後、前記使用済
のレジストを除去して該基板を洗浄するという手順から
なっている。
ところで、上述の手順において、前記レジストのパター
ンを形成するレジストのパターン形成方法は露光と現像
という手順によって行われるが、従来の露光・現像は以
下のようにしてなされていた。
すなわち、まず、露光は、レジスト（高分子化合物から
なる）に、電子線、Ｘ線もしくは紫外線等の放射線を所
望のパターンに沿って照射することにより行う、この放
射線の照射によって、前記レジストは、放射線を照射さ
れた部分とされない部分とで分子量が大巾に異なったり
、あるいは、構造が異なったものとなる。すなわち、放
射線照射によって主鎖切断反応が生じて低分子量化する
（このような反応をするレジストをいわゆるポジ型レジ
ストという）か、あるいは、逆に架橋反応を生じて高分
子量化しくこのような反応をするレジストをいわゆるネ
ガ型レジストという）、これにより、放射線が照射され
ない部分と分子量において著しい違いが生じたり、ある
いは、ヘキスト社製のＡ２１３５０（商品名）等のノボ
ラック系のフォトレジストのように、放射線が照射され
た部位に光化学反応によって特異な官能基が生じて放射
線が照射された部分とされない部分とで溶媒に対する溶
出速度に相違が生じたりする。
この露光処理の次に行われる現像処理は、要するに、前
記露光処理を経たレジストのうち低分子量を有する部分
が一般に高分子量を有する部分に比較して通常の溶剤に
溶出しやすいこと、あるいは、前記溶出速度の相違があ
ることを利用してこの低分子量の部分あるいは溶出速度
の早い部分を選択的に溶出して除去するものである。
この現像工程は、実際には、本来の現像のほかにこの現
像後に行われるリンス及び乾燥の工程、あるいは、現像
前の前処理工程等が含まれ、さらには、前記リンス工程
も２段階に別けて行われる場合もある。なお、このリン
ス工程は、前記現像の際、溶出効果の強い物質からなる
溶媒、あるいは、複数の物質の混合液が用いられるため
、これら溶媒がレジスト中に侵入して該レジスト膜を膨
潤させてパターンを劣化させるおそれがあるが、このお
それを除去するために、比較的穏やかな溶媒もしくは混
合液を用いて前記レジスト中に侵入している強い溶媒を
この穏やかな溶媒に置換し、膨潤したレジストを引き締
めるものである。
このような現像、リンス及び乾燥の処理は、実際の製造
工程においては、通常、シリコンウェハー基板等の被処
理物を回転させておき、これに溶媒をスプレーノズルか
ら噴出させて吹きかけるいわゆるスピンスプレー法が用
いられる。すなわち、まず、前記ノズルから前記強い溶
媒を噴出させて現像処理を行い、続いて、これに数秒間
オーバーラツプさせて前記ノズルから前記穏やかな溶媒
を噴出させてリンス処理をし、しかる後、前記基板を高
速回転させることによりいわゆるスピンドライ法による
乾燥処理を施すことでなされる。これにより、前記シリ
コンウェハー等の基板が溶媒によって汚染されるのを極
力防止している。この場合、汚染をできるだけ少なくす
るために、いずれの工程に用いられる溶媒も汚染物や不
純物の極めて少ないクリーンなものが用いられる。
また、前記現像処理によって前記基板に形成されたレジ
ストパターンは、前記基板へのエツチング処理その他の
加工処理に供されて使用済となるが、この使用済のレジ
ストを除去するレジストの除去（剥離）方法としては従
来以下のような種々の方法が試みられていた。
■　強力な酸化作用を有する溶液、例えば、熱濃硫酸に
過酸化水素を混入した溶液を用いて使用済レジストを分
解除去する方法、 ■　有機溶媒、例えば、東京応化工業株式会社製のレジ
スト剥離剤Ｊ１００　（商品名）を用いて剥離する方法
、 ■　酸素プラズマ法により、レジストを灰化して除去す
る方法。
さらに、使用済レジストが除去された基板は洗浄工程に
供されるが、従来この洗浄工程には以下の方法が試みら
れていた。
ａ、基板をＤＩ水（超純水）中に浸して超音波洗浄し、
次に、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）水中に浸して
同じく超音波洗浄し、しかる後、ＩＰＡ又はフレオン蒸
気にて乾燥する方法、ｂ、ＯＩ！用済レジストが形成さ
れている基板表面にＤＩ水あるいはＤＩ水に界面活性剤
（例えばＲＢＳ等）を加えたものを吹きかけながら該基
板表面を連続的に稈動させ、この基板に回転するブラシ
、スポンジあるいは布等を接触させて除去する方法、 Ｃ９液化ガス又は超臨界ガスに基板を接触させた後この
ガスを膨張させることによりレジスト内に侵入したガス
の膨張力によりレジストを剥離・除去する方法（例えば
、特開昭６０−１９２３３３号公報参照）。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、上述のレジストのパターン形成方法、レジス
トの除去方法及び基板の洗浄方法には以下のような問題
点があった。
すなわち、まず、前記レジストのパターン形成方法にあ
ってはその現像の処理工程は上述のように少なくとも３
工程以上の工程が必要であり、工程数が多く、処理が煩
雑であるという欠点があった。また、その際、高価な複
数種類の溶媒を多量に用いなければならず、処理コスト
がかさむとともに、火災の防止や作業者への悪影響の除
去等安全管理の観点から、現像装置や作業場たるクリー
ンルームの換気に特別な設備が必要になり、さらには、
前記現像工程がスピンコード法によって行われることか
ら、大量の廃液がでるため、この廃液の処理も大変であ
るという欠点があった。
また、前記レジストの除去方法にあっては、以下の欠点
かあった。
すなわち、前記レジストの除去方法のうち■の強力な酸
化溶剤を用いる方法は、使用する溶剤がレジストの下地
である基板にまで作用してそれを損傷する場合があるの
で適用範囲が限られ、特に、例えば、基板が、表面にＩ
ＴＯ膜（スズを含む酸化インジウムからなる透明電極膜
）が形成された液晶パネル用基板である場合等には、前
記溶剤がＩＴＯＩＩＩＩを損傷するのでこの方法を適用
することができなかった。
また、前記■の有機溶媒を使用する方法は、溶出効果を
高めるため、通常、この有機溶媒を加熱する必要があり
、安全性に対する配慮が大変であるとともに、レジスト
の種類やプロセスの条件等によっては、有機溶媒では使
用済レジストを完全に除去しきれない場合もあった。
なお、上述の■及び■の方法は、いずれも廃液処理の問
題も抱えている。
さらに、前記■の酸素プラズマを用いる方法は、レジス
ト除去効果にはすぐれているが、装置が大掛かりとなり
、設備費がかさむとともに、基板が金属によって汚染さ
れるおそれがあるという欠点があった。
また、前記従来の洗浄方法のうち、前記（ａ）のＤＩ水
等を用いた超音波洗浄によるものは、実際には、前記Ｄ
Ｉ水もしくはＩＰＡ水溶液が複数の槽に別けて用意され
、これら各種に次々と浸漬されて超音波洗浄がなされも
ので、工程数が多く処理が煩雑であるとともに、基板が
超音波によって損傷を受けるおそれがあり、特に、例え
ば、表面に複数の薄膜が積層されてなる多層膜基板にあ
っては、内部の弱い膜が集中的に損傷を受ける場合があ
った。
また、前記（ｂ）のブラシ等によって機械的にはぎ取る
という方法は、強固なガラス基板、あるいは、未加工の
ウェハー等に対しては有効であるが、内部に柔らかい薄
膜層を有する多層膜基板、もしくは、薄膜化されたＸ線
マスク等の基板にはその機械的強度の面から適用するこ
とができなかった。なお、これら、（ａ）、（ｂ）の方
法はいずれも廃液処理の問題も抱えている。
さらに、前記（Ｃ）の気体等の膨張力を利用する方法は
、前記（ａ）、（ｂ）のような問題はないが、基板を高
圧容器内に収容してその内圧を急激に変化させることか
ら、その衝撃により基板を破損するおそれがあり、特に
、機械的強度の弱い薄膜化されたＸ線マスクや内部に柔
らかい薄膜層を有する多層膜基板等には適用できないも
のであった。
本発明の目的は、上述の欠点を除去したレジストのパタ
ーン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法
を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、露光処理後の基板を超臨界流体中に一定時間
浸漬したところ、現像作用が得られるという新規な事実
の発見、レジストが付着している基板を超臨界流体中に
一定時間浸漬したところこのレジストの除去作用が得ら
れるという新規な事実の発見、異物が付着している基板
を超臨界流木中に浸漬することにより該異物が除去され
て洗浄作用が得られるという新規な事実の発見に基づい
てなされたものであって、以下の各構成を有する。
（１）基板表面に塗布されたレジストに露光処理を施し
て現像することにより前記基板表面にレジストのパター
ンを形成するレジストのパターン形成方法において、 前記現像の処理は、前記露光処理済みの基板の少なくと
も前記レジストが形成された部位を超臨界流体中に浸漬
することにより行うものであることを特徴としたレジス
トのパターン形成方法。
（２）基板表面に塗布されたレジストを除去するレジス
トの除去方法において、 前記基板の少なくとも前記レジストが付着している部位
を超臨界流体中に浸漬することにより行うものであるこ
とを特徴としたレジストの除去方法。
（３）基板に付着している異物を除去する基板の洗浄方
法において、 前記基板を超臨界流体中に浸漬することにより洗浄を行
うことを特徴とした基板の洗浄方法。
［作用］ 上述の構成（１）において、前記露光処理によって、前
記レジストに１窟切断反応が生じて低分子量化する（ポ
ジ型レジストの場合）か、あるいは、逆に架橋反応を生
じて高分子量化しくネガ型レジストの場合）、これによ
り、放射線が照射された部分とされない部分とで分子量
において著しい相違が生じたり、あるいは、ヘキスト社
製のＡＺ１３５０（商品名）等のノボラック系のフォト
レジストのように、放射線が照射された部位に光化学反
応によって特異な官能基が生じて放射線が照射された部
分とされない部分とで溶媒に対する溶出速度に相違が生
じたりする。
次に、この露光処理済みの基板の少なくとも前記レジス
トが形成された部位が超臨界流体中に一定時間浸漬され
ると、低分子量を有する部分、あるいは、溶出速度の早
い部分が選択的に前記超臨界流体中に溶出され、現像が
行われ、レジストのパターンが形成される。
また、前記構成（２）において、前記レジストが付着し
た基板の少なくとも前記レジストが付着している部位を
超臨界流体中に一定時間浸漬することにより、このレジ
ストは前記超臨界流体中に溶出して該レジストが除去さ
れることが確認されている。
さらに、前記構成（３）によれば、基板に付着している
異物が除去されて基板の洗浄が行われることが確認され
ている。
ここで、超臨界流体とは、広義には、高密度に圧縮して
も液化しない状態、すなわち、その物質固有の臨界温度
以上に加熱された気体の総称を意味し、はぼ理想気体に
近い性質を示す低密度の状態をも含むものであるが、本
発明における超臨界流体とは、常圧よりも著しく高い圧
力（例えば数十気圧）下におかれて高い密度に圧縮され
た状態、例えば、著しい場合には液体の密度に近いか又
はそれ以上の高密度に圧縮された状態の狭義の超臨界流
体を意味するものとする。
すなわち、このように密度を高めてくると、その微視的
＃４造は液体状態にしだいに類似してくる（Ｘ線や中性
子線回折の測定により確認されている）半面、通常の液
体（例えば水等）に比較して動粘度が著しく小さいとと
もに、拡散係数が著しく大きいという特異な性質を有し
ている（超臨界流体については、例えば、「化学と工業
」第４０巻１９８７．　Ｐ７５３参照）。
発明者等の考察によれば、このような高密度の超臨界流
体では、分子が液体に近いかそれ以上の高密度に圧縮さ
れて存在しながら個々の分子の動きが極めて活発である
と推察され、このため、個々の分子が通常の液体状態で
は浸透できないようなものにも容易に浸透してこれを溶
出してしまうものと考えられる。
［実施例］ 以下、図面を参照にしながら、本発明の実施例にかかる
レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び
基板の洗浄方法について詳細に説明する。
（実施例１ニレジストのパターン形成方法）まず、直径
３インチの円盤状シリコンウェハー表面にポジ型電子線
レジストであるＰＭＭＡを約５０００オングストローム
の厚さに塗布し、これに電子線描画装置で露光を行う、
この場合の加速電圧を２０ＫＶ、ドーズ量を５０μＣ／
ｃｌｌｌ、露光パターンの最小線幅をラインとスペース
の繰返しパターンで０．５μｍとする。　次に、この露
光処理済みのシリコンウェハーを超臨界流体に浸漬して
現像を行う。
この場合、超臨界流体としては二酸化炭素（Ｃ０２、臨
界温度３１°Ｃ１臨界圧７２．８気圧、臨界密度０．４
６８９／　ｃｍ”　）を用いる。
第１図ないし第３図は、この現像処理の情況を示す図で
ある。
図において符号１は高圧容器であり、この高圧容器１内
のほぼ中央部には網状保持体２が設けられている。
現像を行う際には、まず、前記露光済の基板３を前記網
状保持体２上に載置する。その際、前記基板３に形成さ
れた露光済のレジスト４は図中下向きとされる。なお、
場合によっては、これと逆に上向きに載置してもよい。
次に、高圧容器１を、臨界温度以下の温度に保った状態
で、図示しない導入口から高圧の二酸化炭素を導入する
。導入量は、この高圧容器１内で前記二酸化炭素が超臨
界流体となったとき、その密度が０．６ｇ／　Ｃ１１ｌ
”になる量である。導入された二酸化炭素は第１図に示
されるように、液層部５と気層部（蒸気部）６とに分離
して存在することになるが、前記基板３は前記液層部５
には浸漬されないようになっている。
次いで、前記高圧容器１を図示しない温度制御手段によ
り４６℃まで昇温する。これにより、第２図に示される
ように、前記高圧容器１内の二酸化炭素は超臨界流体７
となる。
この状態を３０分間維持し、しかる後、前記高圧容器の
温度を臨界温度以下に下げる。これにより、第３図に示
されるように、前記基板３のレジスト４は現像されて、
前記露光パターンに沿った凹凸パターンを形成すること
ができる。
こうして形成したレジストパターンのパターンの深さを
触針式の段差針（ランクテーラ−社製・タリーステップ
）で計測したところ、３２００オングストロームであっ
た。
（実施例２；レジストのパターン形成方法）この実施例
は、基板として、薄膜化されたＸ線マスクを用い、この
Ｘ線マスクを、超臨界流体に有機溶媒を添加したものに
浸漬する場合の例を示すものである。
まず、以下のようにしてＸ線マスク用ブランクを制作す
る。
直径３インチの円盤状のシリコンウェハー（厚さ；　４
００　Ｊｌ）の表面に反応性スパッタ法によりＳｉＮの
薄膜（厚さ：２ｊｍ）を形成し、このウェハーの裏面か
らエツチングを施して前記４００μｍの厚いウェハーの
中央部分を除去し、周囲に厚いリング上の支持枠部を残
し、中央部を厚さ２μｍの薄膜としたシリコンウェハー
とし、しかる後、このシリコンウェハーの表面部にスパ
ッタ法により、Ｘ線吸収体たるタンタル薄膜（厚さ；０
．６μｍ）を形成させることにより、Ｘ線マスク用ブラ
ンクを得る。
次に、上記Ｘ線マスク用ブランクの表面に、２００″Ｃ
でハードベークされたフォトレジストＡ２１３５０Ｊ　
（ヘキスト社の商品名）のＩＩＩ（厚さ；２．５μｍ）
を形成し、この膜の上に８１０２膜（厚さ１０００オン
グストローム）を形成し、最後に、回転塗布法により前
記ＳｔＯを膜上に電子線レジストＰＭＭＡ膜（厚さ、　
３０００オングストローム）を形成する。
第４図は、こうして得られたＸ線マスク用ブランクの断
面図であり、図中、符号１１が支持枠部、１２が薄膜化
されたシリコンウェハー、１３がタンタル膜、１４がフ
ォトレジスト膜、１５がＳｉＯ□膜、１６がＰＭＭＡＷ
Ａである。
次いで、前記Ｘ線マスク用ブランクの前記電子線レジス
トＰＭＭＡを電子線描画装置によって露光する。このと
き、電子線の加速電圧を２０にＶ、ドーズ量を６０μｃ
／ｃｍ　’　、ラインとスペースとからなる図形の最小
寸法を０．５μｍとする。
こうして露光処理を行った基板を、前記第１図に示され
る高圧容器１に収容して前記実施例１とほぼ同様にして
現像処理を行う。
この場合、前記実施例１と異なる点は、超臨界流体とし
ての密度が０．５５ｏ／ｃｌ’とされ、かつ、これに０
．５重量％のメチルイソブチルケトン（ＭｉＢＫ）が添
加されることと、高圧容器１の温度を４５℃で５分間維
持する点である。
これにより、前記ＰＭＭＡレジストに凹凸パターンを形
成することができ、その場合、パターンの深さは前記触
針弐段差計により３０００オングストロームであり、さ
らには、その凹部には前記５１０２膜が完全に露出して
いることが確認された。
すなわち、この実施例では、前記実施例１に比較して現
像時間を著しく短縮できる。
（実施例３：使用済レジストの除去方法及び基板の洗浄
方法） この実施例は、前記第２実施例でレジストのパターン形
成を行ったＸ線マスクの使用済レジストの除去・洗浄方
法である。
まず、前記実施例２によってＰＭＭＡ電子線レジスト１
６（第４図）に形成されたレジストパターン上からりア
クティブ・イオン・エツチング（ＲＩＥ）を施して、前
記ＳｉＯ２膜１５に前記レジストパターンを転写し、次
に、これらパターンが形成されたＰＭＭＡレジスト膜１
６及びＳｉＯ□膜１５上から酸素ガスを用いたＲＩＥを
施して、このパターンを前記フォトレジストＡＺ１３５
０Ｊ膜１４に転写する。しかる後、このフォトレジスト
Ａｚ１３５０ＪのＷＡ１４上からＣＬ２ガスを用いたＲ
ＩＥを施し、前記Ｘ線吸収体であるタンタル膜１３をエ
ツチングすることにより、前記シリコン薄膜１２上に形
成されたタンタルＷＡ１３に所望のパターンを形成でき
る。第５図はこうして得られた基板を示す断面図である
。ところで、このタンタルＭ！１３上には厚さ約１．５
　ｐｍの使用済レジスト（ＡＺ１３５０Ｊ）１４ａが残
留している。
そこで、次に、この使用済レジスト１４ａが残留してい
る基板を前記第１図に示される高圧容器１の網状保持体
２上に載置し、前記高圧容器１内に、超臨界流体となっ
た状態での密度が０．５５ｏ／ｃｍ’となる量の二酸化
炭素と、７重量％となる量のＭｉＢＫを導入し、前記高
圧容器を４５℃で４５分間維持する。これにより、前記
使用済レジストの除去及び基板の洗浄がなされる。
このようにして使用済レジストの除去・洗浄を行った基
板を集光ランプによる斜光照明による肉眼観察、及び、
光学顕微鏡による５０倍の拡大観察を行った結果、レジ
ストの残留その色異物は全く認められず、極めて清浄な
表面状態であるとともに、前記２μｍ厚のＳｉＮ膜は全
く破損されていないことが確認されている。
（実施例４：使用済レジストの除去・洗浄方法）この実
施例は、基板として、表面に８層からなる薄膜が積層さ
れたエレクトロルミネセンス（ＥＬ）パネルを用い、最
上層の八［膜にフォトレジストＡｚ１３５０Ｊを用いて
配線パターンを形成したものを用い、これに残留してい
る使用済レジストの除去・洗浄を行う場合の例である。
この使用済レジストが残留している基板を前記第１図に
示される高圧容器１の網状保持体２上に載置し、前記高
圧容器１内に、超臨界流体となった状態での密度が０．
５０ｇ／ｃｍ’となる量の二酸化炭素と、５重量％とな
る量のＭ　ｉ　Ｂ　Ｋを導入し、前記高圧容器を４５℃
で３０分間維持する。これにより、前記使用済レジスト
の除去・洗浄がなされる。
このようにして使用済レジストの除去・洗浄を行った基
板を集光ランプによる斜光照明による肉眼観察、及び、
光学顕微鏡による５０倍の拡大観察を行った結果、レジ
ストの残留その色異物は全く認められず、極めて清浄な
表面状態であるとともに、前記ＥＬパネルの動作試験に
おいても内部層の破壊は全く生じていないことが確認さ
れている。
以上の実施例によれば、強力な酸化作用を有する溶媒を
用いたり、あるいは、基板全体に機械的振動（前記超音
波を用いる場合）や衝撃力（前記気体の膨張力を利用す
る場合）を与える必要がなく、超臨界流体の分子が直接
接触するレジストだけに必要な作用を及ぼして現像、除
去もしくは洗浄を行うものであることから、下地の基板
や薄膜を破損することなく現像、除去もしくは洗浄を行
うことができる。
さらに、用いる流体は、不活性ガス、あるいは、これに
極めて少量の有機溶媒を添加したものを用い、これらに
一定時間浸漬するだけであるから、工程が極めて単純で
あるとともに、廃液処理等の後処理ら従来に比較して著
しく容易であるというすぐれた利点を有している。
なお、以上の実施例においては、超臨界流体として二酸
化炭素を用いた例を掲げたが、これは、必ずしも二酸化
炭素に限られることなく、例えば、Ａｒ、にｒ、　Ｘｓ
等の池の不活性ガスでもよく、また、これら不活性ガス
に比較して火災等に対する安全性に多少劣るが、例えば
ＣＨ，等の低級炭化水素類、ＣＦ３１１等のフロン類を
用いることもできる。
さらに、前記各実施例ではレジストとしてフォトレジス
トを用いた例を掲げたが、これも、例えば、ＰＭＭＡ等
の電子線レジストでもよく、また、ポリイミド等の他の
有機高分子膜でもよい。
［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明は、露光処理済の基板、レ
ジストの付着した基板あるいは異物の付着した基板を超
臨界流体に一定時間浸漬することにより、現像、レジス
トの除去もしくは基板の洗浄を行うようにしたもので、
これにより、工程を極めて単純にし、基板破損のおそれ
を除去するとともに、廃液処理を著しく軽減するという
すぐれた効果を得ている。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第３図は、本発明の実施例にかかるレジス
トのパターン形成方法における現像処理の情況を示す図
、第４図はＸ線マスク用ブランクを示す断面図、第５図
は残留レジストが付着した状態のＸ線マスクを示す断面
図である。 １・・・高圧容器、 ３・・・露光済の基板、 ４・・・露光済のレジスト、 ７・・・超臨界流体、 １４ａ・・・使用済レジスト。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板表面に塗布されたレジストに露光処理を施し
    て現像することにより前記基板表面にレジストのパター
    ンを形成するレジストのパターン形成方法において、 前記現像の処理は、前記露光処理済みの基板の少なくと
    も前記レジストが形成された部位を超臨界流体中に浸漬
    することにより行うものであることを特徴としたレジス
    トのパターン形成方法。
  2. （２）基板表面に塗布されたレジストを除去するレジス
    トの除去方法において、 前記基板の少なくとも前記レジストが付着している部位
    を超臨界流体中に浸漬することにより行うものであるこ
    とを特徴としたレジストの除去方法。
  3. （３）基板に付着している異物を除去する基板の洗浄方
    法において、 前記基板を超臨界流体中に浸漬することにより洗浄を行
    うことを特徴とした基板の洗浄方法。
JP63047196A 1988-02-29 1988-02-29 レジストパターン形成方法 Expired - Lifetime JP2663483B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63047196A JP2663483B2 (ja) 1988-02-29 1988-02-29 レジストパターン形成方法
US07/317,202 US4944837A (en) 1988-02-29 1989-02-28 Method of processing an article in a supercritical atmosphere

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63047196A JP2663483B2 (ja) 1988-02-29 1988-02-29 レジストパターン形成方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21158795A Division JPH08181050A (ja) 1995-08-21 1995-08-21 レジストの除去方法及び基板の洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01220828A true JPH01220828A (ja) 1989-09-04
JP2663483B2 JP2663483B2 (ja) 1997-10-15

Family

ID=12768371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63047196A Expired - Lifetime JP2663483B2 (ja) 1988-02-29 1988-02-29 レジストパターン形成方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4944837A (ja)
JP (1) JP2663483B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358673B1 (en) 1998-09-09 2002-03-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Pattern formation method and apparatus
JP2003518736A (ja) * 1999-11-02 2003-06-10 東京エレクトロン株式会社 製作品の超臨界式プロセス装置と方法
JP2003282510A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超臨界処理方法及び超臨界処理装置
US7033089B2 (en) 2002-11-19 2006-04-25 Hitachi Science Systems, Ltd. Method of developing a resist film and a resist development processor
US7329483B2 (en) 2002-11-14 2008-02-12 Micell Technologies, Inc. Low pH development solutions for chemically amplified photoresists
US8029643B2 (en) 2005-03-04 2011-10-04 Thomson Licensing Apparatus and method for removing a temporary substrate from an optical disk

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5235995A (en) * 1989-03-27 1993-08-17 Semitool, Inc. Semiconductor processor apparatus with dynamic wafer vapor treatment and particulate volatilization
US5185296A (en) * 1988-07-26 1993-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for forming a dielectric thin film or its pattern of high accuracy on a substrate
US5213619A (en) * 1989-11-30 1993-05-25 Jackson David P Processes for cleaning, sterilizing, and implanting materials using high energy dense fluids
US5370741A (en) * 1990-05-15 1994-12-06 Semitool, Inc. Dynamic semiconductor wafer processing using homogeneous chemical vapors
US6375741B2 (en) * 1991-03-06 2002-04-23 Timothy J. Reardon Semiconductor processing spray coating apparatus
US5306350A (en) * 1990-12-21 1994-04-26 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Methods for cleaning apparatus using compressed fluids
AT395951B (de) * 1991-02-19 1993-04-26 Union Ind Compr Gase Gmbh Reinigung von werkstuecken mit organischen rueckstaenden
US6165282A (en) 1992-06-30 2000-12-26 Southwest Research Institute Method for contaminant removal using natural convection flow and changes in solubility concentration by temperature
US6799587B2 (en) * 1992-06-30 2004-10-05 Southwest Research Institute Apparatus for contaminant removal using natural convection flow and changes in solubility concentrations by temperature
US5401322A (en) * 1992-06-30 1995-03-28 Southwest Research Institute Apparatus and method for cleaning articles utilizing supercritical and near supercritical fluids
ES2126867T3 (es) * 1993-11-08 1999-04-01 Gillette Co Metodo de formacion de particulas que emplea un fluido supercritico, particulas de aerogel asi formadas y antisudorantes que contienen particulas de aerogel.
JP3320549B2 (ja) * 1994-04-26 2002-09-03 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 被膜除去方法および被膜除去剤
US5486236A (en) * 1994-05-06 1996-01-23 Hughes Aircraft Company Accelerated extraction of rolled materials
KR0137841B1 (ko) * 1994-06-07 1998-04-27 문정환 식각잔류물 제거방법
JP3277114B2 (ja) * 1995-02-17 2002-04-22 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 陰画調レジスト像の作製方法
US5954911A (en) * 1995-10-12 1999-09-21 Semitool, Inc. Semiconductor processing using vapor mixtures
US5908510A (en) * 1996-10-16 1999-06-01 International Business Machines Corporation Residue removal by supercritical fluids
US5860467A (en) 1996-12-03 1999-01-19 The University Of North Carolina At Chapel Hill Use of CO2 -soluble materials in making molds
US6149828A (en) * 1997-05-05 2000-11-21 Micron Technology, Inc. Supercritical etching compositions and method of using same
US6500605B1 (en) * 1997-05-27 2002-12-31 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process
US6306564B1 (en) * 1997-05-27 2001-10-23 Tokyo Electron Limited Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide
TW539918B (en) 1997-05-27 2003-07-01 Tokyo Electron Ltd Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
CN1142598C (zh) 1997-07-25 2004-03-17 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体发光器件
US6383289B2 (en) 1997-12-16 2002-05-07 The University Of North Carolina At Chapel Hill Apparatus for liquid carbon dioxide systems
US6001418A (en) * 1997-12-16 1999-12-14 The University Of North Carolina At Chapel Hill Spin coating method and apparatus for liquid carbon dioxide systems
US6242165B1 (en) 1998-08-28 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Supercritical compositions for removal of organic material and methods of using same
US6277753B1 (en) 1998-09-28 2001-08-21 Supercritical Systems Inc. Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US7064070B2 (en) * 1998-09-28 2006-06-20 Tokyo Electron Limited Removal of CMP and post-CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
KR100683875B1 (ko) 1999-03-04 2007-02-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 레이저소자
US6306754B1 (en) * 1999-06-29 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Method for forming wiring with extremely low parasitic capacitance
US6602349B2 (en) 1999-08-05 2003-08-05 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
US6379874B1 (en) 1999-10-26 2002-04-30 Cornell Research Foundation, Inc. Using block copolymers as supercritical fluid developable photoresists
US6748960B1 (en) 1999-11-02 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
US6509138B2 (en) 2000-01-12 2003-01-21 Semiconductor Research Corporation Solventless, resistless direct dielectric patterning
US6558475B1 (en) * 2000-04-10 2003-05-06 International Business Machines Corporation Process for cleaning a workpiece using supercritical carbon dioxide
EP1277233A2 (en) * 2000-04-25 2003-01-22 Tokyo Electron Corporation Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module
WO2002009147A2 (en) 2000-07-26 2002-01-31 Tokyo Electron Limited High pressure processing chamber for semiconductor substrate
KR20020052488A (ko) * 2000-12-26 2002-07-04 박종섭 반도체소자의 미세패턴 형성방법
IL158340A0 (en) * 2001-04-10 2004-05-12 Supercritical Systems Inc High pressure processing chamber for semiconductor substrate including flow enhancing features
US6838015B2 (en) 2001-09-04 2005-01-04 International Business Machines Corporation Liquid or supercritical carbon dioxide composition
US6616769B2 (en) * 2001-09-28 2003-09-09 Air Products And Chemicals, Inc. Systems and methods for conditioning ultra high purity gas bulk containers
US20040040660A1 (en) * 2001-10-03 2004-03-04 Biberger Maximilian Albert High pressure processing chamber for multiple semiconductor substrates
TW497494U (en) * 2001-12-28 2002-08-01 Metal Ind Redearch & Amp Dev C Fluid driven stirring device for compressing gas cleaning system
AU2003217547A1 (en) * 2002-02-15 2003-09-09 Supercritical Systems Inc. Drying resist with a solvent bath and supercritical co2
US6924086B1 (en) 2002-02-15 2005-08-02 Tokyo Electron Limited Developing photoresist with supercritical fluid and developer
US7387868B2 (en) 2002-03-04 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2
CN1296771C (zh) * 2002-03-04 2007-01-24 东京毅力科创株式会社 在晶片处理中低电介质材料的钝化方法
US20050227187A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-13 Supercritical Systems Inc. Ionic fluid in supercritical fluid for semiconductor processing
US6953654B2 (en) 2002-03-14 2005-10-11 Tokyo Electron Limited Process and apparatus for removing a contaminant from a substrate
US7169540B2 (en) * 2002-04-12 2007-01-30 Tokyo Electron Limited Method of treatment of porous dielectric films to reduce damage during cleaning
US6764552B1 (en) 2002-04-18 2004-07-20 Novellus Systems, Inc. Supercritical solutions for cleaning photoresist and post-etch residue from low-k materials
US6846380B2 (en) * 2002-06-13 2005-01-25 The Boc Group, Inc. Substrate processing apparatus and related systems and methods
US20040011386A1 (en) * 2002-07-17 2004-01-22 Scp Global Technologies Inc. Composition and method for removing photoresist and/or resist residue using supercritical fluids
US20040050406A1 (en) * 2002-07-17 2004-03-18 Akshey Sehgal Compositions and method for removing photoresist and/or resist residue at pressures ranging from ambient to supercritical
US20080000505A1 (en) * 2002-09-24 2008-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Processing of semiconductor components with dense processing fluids
US20080004194A1 (en) * 2002-09-24 2008-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Processing of semiconductor components with dense processing fluids
US7267727B2 (en) * 2002-09-24 2007-09-11 Air Products And Chemicals, Inc. Processing of semiconductor components with dense processing fluids and ultrasonic energy
US7223352B2 (en) * 2002-10-31 2007-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for ashed and unashed aluminum post-etch residue removal
US6722642B1 (en) 2002-11-06 2004-04-20 Tokyo Electron Limited High pressure compatible vacuum chuck for semiconductor wafer including lift mechanism
US6880560B2 (en) * 2002-11-18 2005-04-19 Techsonic Substrate processing apparatus for processing substrates using dense phase gas and sonic waves
JP2004233954A (ja) * 2002-12-02 2004-08-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法およびレジストパターン
JP2004233953A (ja) * 2002-12-02 2004-08-19 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物
US20040108060A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-10 Eastman Kodak Company System for producing patterned deposition from compressed fluids
US6780249B2 (en) * 2002-12-06 2004-08-24 Eastman Kodak Company System for producing patterned deposition from compressed fluid in a partially opened deposition chamber
US20040177867A1 (en) * 2002-12-16 2004-09-16 Supercritical Systems, Inc. Tetra-organic ammonium fluoride and HF in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040112409A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 Supercritical Sysems, Inc. Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040154647A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Supercritical Systems, Inc. Method and apparatus of utilizing a coating for enhanced holding of a semiconductor substrate during high pressure processing
EP1598374A4 (en) * 2003-02-25 2008-04-02 Japan Government PROCESS FOR PRODUCING POLYMERS
US20040198066A1 (en) * 2003-03-21 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Using supercritical fluids and/or dense fluids in semiconductor applications
US20040231707A1 (en) * 2003-05-20 2004-11-25 Paul Schilling Decontamination of supercritical wafer processing equipment
US7560113B2 (en) * 2003-06-23 2009-07-14 Nova Sterilis, Inc. Inactivating organisms using carbon dioxide at or near its supercritical pressure and temperature conditions
WO2005000364A2 (en) * 2003-06-23 2005-01-06 Novasterilis Inc. Sterilization methods and apparatus which employ additive-containing supercritical carbon dioxide sterilant
US8034288B2 (en) * 2003-06-23 2011-10-11 Novasterilis Method and apparatus for cleaning of viable donor soft tissue
US8974730B2 (en) 2003-06-23 2015-03-10 Novasterilis, Inc. Process for creating acellular viable donor soft tissue
US7163380B2 (en) * 2003-07-29 2007-01-16 Tokyo Electron Limited Control of fluid flow in the processing of an object with a fluid
US20050029492A1 (en) * 2003-08-05 2005-02-10 Hoshang Subawalla Processing of semiconductor substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols
US7645344B2 (en) * 2003-10-08 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Method of cleaning semiconductor surfaces
US20050084807A1 (en) * 2003-10-17 2005-04-21 Meagley Robert P. Reducing photoresist line edge roughness using chemically-assisted reflow
US20060003271A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Clark Shan C Basic supercritical solutions for quenching and developing photoresists
US7241560B2 (en) * 2004-06-30 2007-07-10 Intel Corporation Basic quencher/developer solutions for photoresists
US7250374B2 (en) 2004-06-30 2007-07-31 Tokyo Electron Limited System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US7195676B2 (en) * 2004-07-13 2007-03-27 Air Products And Chemicals, Inc. Method for removal of flux and other residue in dense fluid systems
US7307019B2 (en) 2004-09-29 2007-12-11 Tokyo Electron Limited Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films
US20060065189A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Darko Babic Method and system for homogenization of supercritical fluid in a high pressure processing system
US20060081273A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-20 Mcdermott Wayne T Dense fluid compositions and processes using same for article treatment and residue removal
US7491036B2 (en) 2004-11-12 2009-02-17 Tokyo Electron Limited Method and system for cooling a pump
US20060134332A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Darko Babic Precompressed coating of internal members in a supercritical fluid processing system
US7434590B2 (en) 2004-12-22 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
US7140393B2 (en) 2004-12-22 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems
US7435447B2 (en) 2005-02-15 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system
US7291565B2 (en) 2005-02-15 2007-11-06 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid
US20060186088A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Gunilla Jacobson Etching and cleaning BPSG material using supercritical processing
US20060185693A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Richard Brown Cleaning step in supercritical processing
US20060185694A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Richard Brown Rinsing step in supercritical processing
US7008853B1 (en) * 2005-02-25 2006-03-07 Infineon Technologies, Ag Method and system for fabricating free-standing nanostructures
US7550075B2 (en) 2005-03-23 2009-06-23 Tokyo Electron Ltd. Removal of contaminants from a fluid
US7399708B2 (en) * 2005-03-30 2008-07-15 Tokyo Electron Limited Method of treating a composite spin-on glass/anti-reflective material prior to cleaning
US7442636B2 (en) * 2005-03-30 2008-10-28 Tokyo Electron Limited Method of inhibiting copper corrosion during supercritical CO2 cleaning
US20060219268A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Gunilla Jacobson Neutralization of systemic poisoning in wafer processing
US20060223899A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Hillman Joseph T Removal of porogens and porogen residues using supercritical CO2
US7789971B2 (en) 2005-05-13 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide
US20060254612A1 (en) * 2005-05-16 2006-11-16 Micron Technology, Inc. Polar fluid removal from surfaces using supercritical fluids
US7524383B2 (en) 2005-05-25 2009-04-28 Tokyo Electron Limited Method and system for passivating a processing chamber
US20070000519A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Gunilla Jacobson Removal of residues for low-k dielectric materials in wafer processing
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
US20200343043A1 (en) * 2019-04-29 2020-10-29 Spin Memory, Inc. Method for manufacturing a self-aligned magnetic memory element with ru hard mask
US11515178B2 (en) * 2020-03-16 2022-11-29 Tokyo Electron Limited System and methods for wafer drying

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229523A (ja) * 1986-03-28 1987-10-08 Hitachi Maxell Ltd 磁気記録媒体とその製造法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4341592A (en) * 1975-08-04 1982-07-27 Texas Instruments Incorporated Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229523A (ja) * 1986-03-28 1987-10-08 Hitachi Maxell Ltd 磁気記録媒体とその製造法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358673B1 (en) 1998-09-09 2002-03-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Pattern formation method and apparatus
US6554507B2 (en) 1998-09-09 2003-04-29 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Pattern formation method and apparatus
JP2003518736A (ja) * 1999-11-02 2003-06-10 東京エレクトロン株式会社 製作品の超臨界式プロセス装置と方法
JP2003282510A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超臨界処理方法及び超臨界処理装置
US7329483B2 (en) 2002-11-14 2008-02-12 Micell Technologies, Inc. Low pH development solutions for chemically amplified photoresists
US7033089B2 (en) 2002-11-19 2006-04-25 Hitachi Science Systems, Ltd. Method of developing a resist film and a resist development processor
US7179000B2 (en) 2002-11-19 2007-02-20 Hitachi Science Systems, Ltd. Method of developing a resist film and a resist development processor
US8029643B2 (en) 2005-03-04 2011-10-04 Thomson Licensing Apparatus and method for removing a temporary substrate from an optical disk

Also Published As

Publication number Publication date
US4944837A (en) 1990-07-31
JP2663483B2 (ja) 1997-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH01220828A (ja) レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法
TWI782077B (zh) 光罩清潔製程
US5763016A (en) Method of forming patterns in organic coatings films and layers
KR100793118B1 (ko) 기판을 처리하는 방법 및 이 방법에 이용되는 화학물
US3705055A (en) Method of descumming photoresist patterns
CN1234472C (zh) 从基材中除去有机材料的方法
JP3152430B2 (ja) 有機物被膜の除去方法
US4489146A (en) Reverse process for making chromium masks using silicon dioxide dry etch mask
JP2012256726A (ja) レジスト膜のリワーク方法および半導体装置の製造方法ならびに基板処理システム
JPH08181050A (ja) レジストの除去方法及び基板の洗浄方法
KR101106375B1 (ko) 패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2675406B2 (ja) レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法
JPS5831528A (ja) フオトレジストの除去方法
JPS63271938A (ja) 硬表面の洗浄方法
JP2005259743A (ja) レジスト剥離装置およびそれを用いたレジスト剥離方法、半導体装置の製造方法
US20040058551A1 (en) Fluorous cleaning solution for lithographic processing
JPS62210467A (ja) レジスト塗布方法
EP4095605B1 (en) Photoresist removal method and photoresist removal system
KR100376869B1 (ko) 감광막 제거방법
JPH08298253A (ja) ペリクル膜の製造時に使用した基板の洗浄方法
JPH0322425A (ja) フォトマスク製造方法
JPS63314547A (ja) 薄膜パタ−ン上のネガレジスト除去方法
CN118471804A (zh) 一种晶圆湿法刻蚀方法及其晶圆
JPS63213343A (ja) 微細パタ−ンの形成方法
JPH0777810A (ja) 感光性ポリマ被膜の現像装置および現像方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620

Year of fee payment: 11