KR20060074486A - 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법 - Google Patents
위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060074486A KR20060074486A KR1020040113239A KR20040113239A KR20060074486A KR 20060074486 A KR20060074486 A KR 20060074486A KR 1020040113239 A KR1020040113239 A KR 1020040113239A KR 20040113239 A KR20040113239 A KR 20040113239A KR 20060074486 A KR20060074486 A KR 20060074486A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- phase inversion
- cleaning
- mask pattern
- film
- phase
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 title 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 15
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N molybdenum;silicon Chemical compound [Mo]#[Si] GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3063—Electrolytic etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
본 발명은 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법에 관한 것으로서, 세정 과정 후에 HF 세정 및 베이킹을 추가하여 세정 과정에서 발생하는 화학적 잔류 이온을 최소화함으로써 성장성 이물을 제어시키는 이점이 있다.
이를 위해 본 발명은, 석영 기판위에 위상반전막 및 광차단막을 포함하여 이루어진 위상반전 마스크 패턴을 형성하는 단계, 석영 기판 위의 위상반전 마스크 패턴에 대한 SPM 세정 및 SC-1 세정을 실시하는 단계, 세정된 상기 위상반전 마스크 패턴을 HF 세정하는 단계, HF 세정된 위상반전 마스크 패턴을 핫 플레이트로 베이킹하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법을 제공한다.
위상반전 마스크, HF 세정, 핫 플레이트
Description
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술의 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법을 설명하기 위해 나타낸 도면이다.
도 3은 불화수소(HF)용액의 희석 조성비에 따른 석영 기판 및 위상반전막의 식각율을 나타낸 표이다
-도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명-
20 : 석영기판 21 : 위상반전막
22 : 광차단막 23 : 위상반전 마스크 패턴
25 : 핫 플레이트
본 발명은 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 세정 과정 후에 HF 세정 및 베이킹을 추가하여 세정 과정에서 발생하는 화학적 잔류 이온을 최소화함으로써 성장성 이물을 제어하는 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 소자가 고집적화되면서 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 크기가 미세해지고, 이러한 미세한 패턴을 형성하기 위하여 포토 마스크를 사용하는 포토리소그래피(Photolithography) 공정이 이용되고 있다. 상기와 같은 포토마스크는 현재 몰리브덴 실리콘 옥시나이트라이드막(MoSiON)과 같이 수 %의 투과율을 갖는 위상 반전 물질을 이용하여 이를 투과한 광과 석영 기판을 투과한 광의 소멸간섭을 이용하여 기존의 포토 마스크보다도 미세한 패턴을 웨이퍼 상에 형성하도록 하는 하프톤 위상반전 마스크(Half-tone Phase Mask)가 적용되고 있다.
이하 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법 및 세정공정을 설명하기로 한다.
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
먼저 도 1a에 도시된 바와 같이, 석영기판(10) 전면에 위상반전막(11), 광차단막(12) 및 감광막을 순차적으로 형성한 후, 상기 감광막을 노광하고 현상하여 투광영역(A)을 정의하는 감광막 패턴(13)을 형성하여 상기 광차단막(12)을 노출시킨다. 여기서 상기 위상반전막(11)은 MoSiON물질 등을 포함하여 이루어지고, 상기 광 차단막(12)은 크롬(Cr)등을 포함하여 이루어진다.
그 다음 도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 감광막 패턴(13)을 식각 마스크로 하여 상기 광차단막(12)과 위상반전막(11)을 순차적으로 식각함으로써 투광영역(A)을 형성하고 상기 감광막 패턴(13)을 제거한다. 이 때 상기 광차단막(13)과 위상반전막(12)의 식각은 프루오린계 가스인 CF ₄, SF ₄, 또는 CHF₃ 가스에 O ₂와 He 또는 Ar가스를 첨가하여 플라즈마 건식식각방법으로 식각한다.
이어서 도 1c에 도시된 바와 같이, 위상반전 영역(B)의 광차단막(12)을 제거하여 하프톤 위상반전마스크 패턴을 형성한다.
그리고 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 위상반전막(11) 및 상기 광차단막(12)을 식각시 발생하는 화학적 잔여물의 제거를 위한 세정공정을 실시한다. 상기 세정 공정은 먼저 상기 패턴이 형성된 위상반전 마스크를 로더(Loader)에 적재하여 SPM 용액( H₂SO₄+H₂O₂)을 이용하여 상기 감광막 패턴의 잔여물을 제거하는 공정을 실시한다. 다음으로 SC-1(NH₄OH+H₂0₂+H₂O)용액을 이용하여 화학적 잔여물 및 유기물을 세정하고, 이소프로필알콜(Isopropyl Alcohol: IPA)의 고증발성을 이용하여 상기 위상반전 마스크 표면의 수분을 건조시키는 이소프로필알콜 건조 공정(Isopropyl Alcohol Vapor Dry)을 거친다. 그리고 상기 위상반전 마스크를 언로더(Unloader)로 옮긴다.
그러나 상기 SPM 용액( H₂SO₄+H₂O₂) 및 SC-1(NH₄OH+H₂0₂+H₂O)용액을 이용하여 세정공정을 실시할 때, 상기 SPM 용액의 황산(SO₄) 이온 잔여물이 마스크의 표면에 남아 있게 되어 제작 환경의 변화나 노광장치의 노광량에 따라 성장성 이물의 원인으로 작용하는 문제가 발생한다. 따라서 상기 암모니아(NH₃)이온과 황산 (SO₄)이온과의 반응에 의한 염의 형성에 의하여 상기 성장성 이물의 밀도가 시간의 경과에 따라 비례하여 증가하게 되어, 결국에는 마스크로서의 역할을 수행할 수 없게 된다.
본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래기술에서 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 세정 과정 후에 HF 세정 및 핫 플레이트로 베이킹 하는 공정을 추가하여 세정 과정에서 발생하는 화학적 잔류 이온을 최소화함으로써 성장성 이물을 제어하는 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 석영 기판위에 위상반전막 및 광차단막을 포함하여 이루어진 위상반전 마스크 패턴을 형성하는 단계,
상기 석영 기판 위의 위상반전 마스크 패턴에 대한 SPM 세정 및 SC-1 세정을 실시하는 단계, 상기 세정된 상기 위상반전 마스크 패턴을 HF 세정하는 단계, 상기 HF 세정된 상기 위상반전 마스크 패턴을 핫 플레이트로 베이킹 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, HF 세정시 HF: 물의 비율이 100:1 내지 500:1로 혼합된 HF수용액으로 세정하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 핫 플레이트로 베이킹 하는 단계는 N₂가스를 3sccm의 유량으로 공급하고 핫 플레이트로 베이킹을 400℃의 온도에서 5분간 진행하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 핫 플레이트를 이용하여 베이크를 실시하되, 상기 위상반전 마스크 패턴이 형성된 마스크의 후면에 He 가스 등을 주입하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법을 설명하기 위해 나타낸 도면이다.
먼저 도 2a에 도시한 바와 같이, 광차단막, 위상반전막, 감광막이 형성된 석영 기판에 전자빔(E-beam)을 노광하고, 현상공정을 통해 투광 영역을 정의하는 감광막 패턴을 형성한 후, 상기 감광막 패턴으로 미세 패턴을 구현하여 건식식각을 통해 상기 광차단막과 위상반전막을 식각해서, 석영 기판(20)위에 위상반전막(21) 및 광차단막(22)을 포함하여 이루어진 위상반전 마스크 패턴(23)을 형성한다.
그리고 도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 석영 기판(20)위에 형성된 위상반전 마스크 패턴(23)에 황산과수(H₂SO₄)와 과산화수소(H₂O₂)의 혼합액인 SPM 용액 (H₂SO₄+H₂O₂)을 이용하여 상기 감광막과 같은 유기 오염물을 제거한다. 여기서 상기 SPM용액으로 세정공정을 실시하게 되면 기판 위에 화학적 산화막을 형성시키고 석영 기판의 표면을 친수성으로 만들며, 다른 세정액이 용이하게 마스크에 작용하도록 할 수 있다.
그 다음 도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 감광막 패턴을 제거한 위상반전 마스크 패턴(23)에 암모니아(NH₃), 과산화수소(H₂O₂) 및 물(H₂O)을 1:1:5의 비율로 혼합한 SC-1용액(Standard Clean-1)을 이용하여 75~90℃의 온도에서 10-20분 정도 세정공정을 실시한다. 여기서 상기 과산화수소(H₂O₂)가 H₂O + O₂로 분리되면서 강한 산화작용으로 마스크 표면의 유기 물질들이 물에 잘 용해되는 복합물질을 형성한다. 즉, 과산화수소의 산화와 암모니아용액(NH₄OH)의 용해 및 식각에 의해 주로 상기 SPM용액에 의해 제거되지 않은 화학적 잔여물을 제거한다.
이어서 도 2d에 도시한 바와 같이, 상기 SPM 용액 및 SC-1 용액을 통한 세정공정이 종료한 후 HF세정공정을 실시하고 물로 린스(Rinse)한 후, 이소프로필알콜(IPA)의 고증발성을 이용하여 상기 위상반전 마스크 패턴 표면의 수분을 건조시키는 이소프로필알콜 증발 건조(Isopropyl Alcohol Vapor Dry) 공정을 실시한다.
여기서 상기 HF 세정은 물과 불화수소(HF)용액을 100-500:1의 비율로 혼합한 희석된 불화수소(DHF) 용액을 이용한다. 상기 희석된 불화수소(DHF) 용액은 상기 위상반전 마스크 패턴의 석영 기판이나 위상반전막의 표면을 식각하여 상기 석영 기판이나 위상반전막의 표면에 남아 있는 화학적 잔여 이온을 제거할 수 있다. 이를 도 3을 참조하여 더 상세히 살펴보기로 한다.
도 3은 불화수소(HF)용액의 희석 조성비에 따른 석영 기판 및 위상반전막의 식각율을 나타낸 표이다. 표 1을 참조하면 물과 불화수소용액의 희석 조성비가 100:1 이하가 될 경우에는 식각이 두껍게 되어 위상반전막의 투과율이 증가하게 되고, 상기 희석 조성비가 500:1이상이 될 경우에는 위상반전 마스크 패턴에 잔류하는 이물질의 제거가 잘 이루어지지 않게 된다.
다음으로 도 2e에 도시한 바와 같이, 상기 HF세정 후 상기 위상반전 마스크 패턴(23)에 핫 플레이트(Hot Plate)(25)의 방법으로 베이킹(Baking)을 실시한다. 여기서 상기 핫 플레이트(25)는 상기 위상반전 마스크 패턴이 형성된 마스크(24)의 전면에 위치하도록 하고, 광원을 193nm 파장으로 노출하여 에너지원으로 공급하며 N₂가스를 공급하여 온도의 균일도 및 주위 공간의 청정도를 유지한다. 또한 상기 베이킹은 N₂가스는 3sccm의 유량으로 공급하고, 핫 플레이트에서 400℃의 온도에서 5분간 베이킹(Baking)을 실시한다.
이때 상기 핫 플레이트(25)에 광원을 193nm 파장으로 노출하여 에너지원으로 공급하는 동안 상기 석영 기판(20)의 뒤틀림을 방지하기 위하여 상기 위상반전 마스크 패턴(23)이 형성된 마스크의 후면에 He 가스나 냉매 등을 공급한다. 또한 상기 광원에 노출하는 동안 상기 석영 기판(20)의 표면, 위상반전막(21) 혹은 광차단막(22)으로부터 방출되는 화학적 잔여 가스는 다른 배기구를 통하여 배출되도록 한다.
이와 같이 상기 핫 플레이트로 베이킹을 실시하면 황산(SO₄)이온과 암모니아(NH₃)이온의 잔여량이 약 1/2 으로 감소한다.
본 발명은 석영 기판 위에 위상반전막과 광차단막을 포함하여 이루어진 위상반전 마스크 패턴을 형성하고 상기 위상반전 마스크를 SPM 용액 및 SC-1 용액을 통하여 세정하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서 본 발명에서는 상기 SPM 용액 및 SC-1 용액을 통한 세정 후, HF 세정 공정 및 베이킹 공정을 추가하여 세정 과정에서 발생하는 황산이온(SO₄)과 암모니아(NH₃)이온 등의 화학적 잔류 이온을 최소화함으로써 위상반전 마스크 상에 발생하는 성장성 이물을 제어하여 위상반전 마스크의 결함 발생을 개선할 수 있다.
상기 설명한 바와 같이, 본 발명은 세정 공정 후에 HF세정 공정을 추가하여 석영 기판 및 위상반전막의 표면에 남아있는 화학적 잔여물을 제거하여 위상반전 마스크 상에 발생하는 성장성 이물을 제어할 수 있다.
또한 핫 플레이트를 이용한 베이킹 공정을 실시하여 위상반전 마스크의 황산이온(SO₄)과 암모니아(NH₃)이온 등의 화학적 잔류 이온 양을 감소시킬 수 있다.
Claims (4)
- 석영 기판위에 위상반전막 및 광차단막을 포함하여 이루어진 위상반전 마스크 패턴을 형성하는 단계,상기 석영 기판 위의 위상반전 마스크 패턴에 대한 SPM 세정 및 SC-1 세정을 실시하는 단계,상기 세정된 상기 위상반전 마스크 패턴을 HF 세정하는 단계,상기 HF 세정된 상기 위상반전 마스크 패턴을 핫 플레이트로 베이킹 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법.
- 제 1항에 있어서, HF 세정시 HF: 물의 비율이 100:1 내지 500:1 로 혼합된 HF수용액으로 세정하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 핫 플레이트로 베이킹 하는 단계는 N₂가스를 3sccm의 유량으로 공급하고 핫 플레이트로 베이킹을 400℃의 온도에서 5분간 진행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 핫 플레이트를 이용하여 베이크를 실시하되, 상기 위상반전 마스크 패턴이 형성된 마스크의 후면에 He 가스등을 주입하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040113239A KR100745065B1 (ko) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법 |
US11/292,501 US20060137717A1 (en) | 2004-12-27 | 2005-12-01 | Method for removing impurities grown on a phase shift mask |
CNA200510136114XA CN1797194A (zh) | 2004-12-27 | 2005-12-21 | 去除相移掩模上生长的杂质的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040113239A KR100745065B1 (ko) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060074486A true KR20060074486A (ko) | 2006-07-03 |
KR100745065B1 KR100745065B1 (ko) | 2007-08-01 |
Family
ID=36609998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040113239A KR100745065B1 (ko) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | 위상반전 마스크의 성장성 이물질 제거방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060137717A1 (ko) |
KR (1) | KR100745065B1 (ko) |
CN (1) | CN1797194A (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100783730B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2007-12-07 | 주식회사 케이씨텍 | 포토마스크 건식세정장치 및 건식세정방법 |
KR100849723B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2008-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토 마스크의 제조방법 |
KR101311723B1 (ko) * | 2007-03-08 | 2013-09-25 | (주)소슬 | 플라즈마 식각 장치 및 이를 이용하는 기판의 식각 방법 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006101315A1 (en) * | 2005-03-21 | 2006-09-28 | Pkl Co., Ltd. | Device and method for cleaning photomask |
US20070012335A1 (en) * | 2005-07-18 | 2007-01-18 | Chang Hsiao C | Photomask cleaning using vacuum ultraviolet (VUV) light cleaning |
US7377984B2 (en) * | 2006-03-20 | 2008-05-27 | Pkl Co., Ltd. | Method for cleaning a photomask |
KR20080062751A (ko) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 헤이즈 방지를 위한 포토마스크 및 그 제조방법 |
KR100831683B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 헤이즈 제거장치 및 제거방법 |
US7763399B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-07-27 | Intel Corporation | Removal of ionic residues or oxides and prevention of photo-induced defects, ionic crystal or oxide growth on photolithographic surfaces |
CN103616794B (zh) * | 2013-12-04 | 2017-11-24 | 湖南普照信息材料有限公司 | 光掩膜坯料及其制备方法 |
KR102296739B1 (ko) * | 2014-10-27 | 2021-09-01 | 삼성전자 주식회사 | 포토마스크용 세정 조성물을 이용한 집적회로 소자 제조 방법 |
US9665000B1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and system for EUV mask cleaning with non-thermal solution |
KR102495226B1 (ko) | 2021-08-20 | 2023-02-06 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크용 기판의 세정방법, 블랭크 마스크용 기판 및 이를 포함하는 블랭크 마스크 |
KR102495224B1 (ko) | 2021-12-20 | 2023-02-06 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 적층체의 제조방법 및 적층체 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69132622T2 (de) * | 1990-09-21 | 2002-02-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Verfahren zur Herstellung einer Phasenschieber-Fotomaske |
EP0585872B1 (en) * | 1992-09-01 | 2000-03-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Process for fabricating a phase shift photomask or phase shift photomask blank |
KR100295385B1 (ko) * | 1993-04-09 | 2001-09-17 | 기타지마 요시토시 | 하프톤위상쉬프트포토마스크,하프톤위상쉬프트포토마스크용블랭크스및이들의제조방법 |
KR970054223A (ko) * | 1995-12-16 | 1997-07-31 | 김주용 | 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법 |
US6277528B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to change transmittance of attenuated phase-shifting masks |
TW519583B (en) * | 2000-09-13 | 2003-02-01 | Macronix Int Co Ltd | Repair process of phase shifting mask |
JP4053263B2 (ja) * | 2001-08-17 | 2008-02-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
DE10307518B4 (de) * | 2002-02-22 | 2011-04-14 | Hoya Corp. | Halbtonphasenschiebermaskenrohling, Halbtonphasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung |
JP4158885B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2008-10-01 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法 |
KR20040006477A (ko) * | 2002-07-12 | 2004-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조공정시의 결함 감소방법 |
US20040137828A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-07-15 | Hoya Corporation | Glass substrate for a mask blank, method of producing a glass substrate for a mask blank, mask blank, method of producing the mask blank, transfer mask, and method of producing a transfer mask |
KR20040060568A (ko) * | 2002-12-30 | 2004-07-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 성장성 이물질 제거방법 |
JP3993549B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-10-17 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
KR100548574B1 (ko) * | 2003-12-19 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
JP4475510B2 (ja) * | 2004-06-25 | 2010-06-09 | Hoya株式会社 | リソグラフィーマスクの製造方法、リソグラフィーマスク、及びリソグラフィーマスクの露光方法 |
-
2004
- 2004-12-27 KR KR1020040113239A patent/KR100745065B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-12-01 US US11/292,501 patent/US20060137717A1/en not_active Abandoned
- 2005-12-21 CN CNA200510136114XA patent/CN1797194A/zh active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100783730B1 (ko) * | 2006-12-26 | 2007-12-07 | 주식회사 케이씨텍 | 포토마스크 건식세정장치 및 건식세정방법 |
KR101311723B1 (ko) * | 2007-03-08 | 2013-09-25 | (주)소슬 | 플라즈마 식각 장치 및 이를 이용하는 기판의 식각 방법 |
KR100849723B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2008-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토 마스크의 제조방법 |
US8518610B2 (en) | 2007-06-27 | 2013-08-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating photomask |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100745065B1 (ko) | 2007-08-01 |
CN1797194A (zh) | 2006-07-05 |
US20060137717A1 (en) | 2006-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20060137717A1 (en) | Method for removing impurities grown on a phase shift mask | |
KR100918233B1 (ko) | 리소그래피 마스크의 제조 방법 및 리소그래피 마스크 | |
US20070012335A1 (en) | Photomask cleaning using vacuum ultraviolet (VUV) light cleaning | |
US7767365B2 (en) | Methods for forming and cleaning photolithography reticles | |
US7462248B2 (en) | Method and system for cleaning a photomask | |
CN102931073A (zh) | 一种半导体器件的制作方法 | |
KR20080062751A (ko) | 헤이즈 방지를 위한 포토마스크 및 그 제조방법 | |
JP2005531819A (ja) | 改良されたレチクルの製造のためにアモルファスカーボン層を使用する方法 | |
US20090191471A1 (en) | Composition for cleaning a phase shift mask and associated methods | |
KR20110061981A (ko) | 포토마스크의 세정방법 | |
JP2008103431A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
KR20050116584A (ko) | 습식 세정장치 및 세정방법 | |
KR100712991B1 (ko) | 포토마스크의 성장성 이물질 제거방법 | |
KR20040057821A (ko) | 포토마스크의 이물질 제거방법 | |
KR20100081608A (ko) | 헤이즈를 억제하는 포토마스크 형성방법 | |
JP3484557B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
KR100331286B1 (ko) | 포토레지스트 제거 및 세정방법 | |
KR101039139B1 (ko) | 반도체소자의 위상반전마스크의 제조방법 | |
KR100755065B1 (ko) | 포토마스크의 성장성 이물질 억제방법 | |
KR101143623B1 (ko) | 산화 처리를 이용한 위상반전마스크 형성방법 | |
KR20060074485A (ko) | 위상반전 마스크의 제조방법 | |
KR20040060568A (ko) | 포토마스크의 성장성 이물질 제거방법 | |
KR20080001464A (ko) | 포토마스크 제조방법 | |
CN118112886A (zh) | 光刻掩模版的清洁方法及设备 | |
KR100636671B1 (ko) | 위상반전 마스크의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |