JP5829962B2 - 成膜装置 - Google Patents

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Description

本発明は、被処理物の表面に化学気相成長法(Chemical Vapor Deposition)等の化学反応によって膜を形成する成膜装置に関し、特に使用済みの成膜ガスを処理空間から吸引して排出する排気機構を備えた成膜装置に関する。
例えば特許文献1、2に開示されているように、この種の成膜装置は、成膜部と排気管を備えている。成膜部には、サセプタと、ディスパージョンヘッドとが向かい合って配置されている。被処理物をサセプタに支持させ、かつヒータで被処理物を加熱する。そして、膜の原料を含む成膜ガスをディスパージョンヘッドから吹き出して被処理物に接触させる。これによって、被処理物の表面にシリコン化合物等の膜を化学気相成長法によって形成できる。成膜部から排気管が延びている。この排気管にブロアや吸引ポンプなどの吸引手段が接続されている。この吸引手段の駆動によって、使用済の成膜ガスが、排気管に吸い込まれて、除害装置で除害されたうえで、外部に排出される。
特開2006−156696号公報 特開2006−082037号公報
使用済みの成膜ガスには、未反応の原料や、成膜反応の副生成物が含まれている。このガスが排気管内を通ることで、上記未反応原料及び副生成物等からなる付着物が層状になって排気管の内壁に堆積しやすい。そのため、上記付着物がある程度の厚みになったら、成膜装置の運転を停止し、排気管内を掃除して、付着物を除去する必要がある。しかし、現状では、排気管内の付着物の厚みを的確に判断できる目安が無い。頻繁に排気管を掃除することにすると、成膜装置の稼働率が低下する。一方、掃除を長く行わないでいると、排気管が閉塞されて、使用済みの成膜ガスが成膜部の周辺の雰囲気中に溢れ出てしまう。
本発明は、上記事情に鑑み、成膜装置の排気管内の付着物の堆積具合を推定する目安を提供し、排気管を掃除すべき時期を的確に判断できるようにすることを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明は、大気圧近傍の処理空間内で被処理物の表面に膜を形成する成膜装置において、
前記処理空間を有して、かつ前記処理空間に前記膜の原料を含む成膜ガスを供給する成膜部と、
前記処理空間と吸引手段とを連ねる排気管と、
前記排気管に設けられた開度調節弁と、
前記排気管の内圧を検出する排気圧力計と、
前記処理空間の周辺の雰囲気圧と前記排気圧力計の検出圧力との差圧が一定になるように、前記開度調節弁の開度を調節する弁調節部と、
前記開度調節弁の開度が予め定めた閾値に達したか否かを監視する監視部と、
を備え、前記排気管の内壁の付着物層の厚みが増すにしたがって、前記弁調節部が、前記開度調節弁の開度を小さくすることを特徴とする。
排気管の内壁に付着物が堆積するにしたがって、排気管の流路断面積が狭まることで、排気管内のガス流速が高まる。すると、排気圧力計の検出圧力が低下し、処理空間周辺の雰囲気圧と上記検出圧力との間の差圧が大きくなる。そこで、弁調節部が、上記差圧を一定に維持すべく、開度調節弁の開度を小さくする。したがって、開度調節弁の開度を監視することで、排気管内の付着物の堆積具合を推定できる。ひいては、排気管を掃除すべき時期を的確に判断できる。そして、的確な時期に排気管を掃除することによって、成膜装置の稼働率が低下するのを防止しつつ、排気管が閉塞されて使用済の成膜ガスが周囲に溢れ出るのを防止できる。
前記差圧の一定値は、使用済みの成膜ガスが排気管に確実に吸い込まれるような大きさに設定することが好ましい。
前記吸引手段は、前記排気管内のガスを通常運転時は一定の吸引圧で吸引することが好ましい。これによって、使用済みの成膜ガスを安定的に吸引して排気できる。加えて、排気管の内壁への付着物の堆積によって排気管の流路断面積が狭まると、排気管内のガス流速が確実に高まり、雰囲気圧と排気管の検出内圧との間の差圧が確実に大きくなる。したがって、付着物の堆積量と開度調節弁の開度とが確実に相関することになる。この結果、開度調節弁の開度を監視することで、排気管を掃除すべき時期をより的確に判断できる。前記一定の吸引圧は、前記吸引手段の吸引能力や、除害装置が在る場合には該除害装置の除害能力に応じて定めることができる。ここで、「通常運転時」とは、成膜装置が正常に稼働して成膜が行なわれている状態を言い、例えば前記開度調節弁の開度が前記閾値に達しておらず、その他、不具合等の異常が起きていない状態で成膜処理がなされている状態を言う。
前記閾値が、前記排気管のコンダクタンスが最大時の70%〜20%程度、好ましくは68%〜35%程度、より好ましくは65%〜50%程度の範囲内であるときの前記開度に対応することが望ましい。これによって、排気管を掃除すべき時期を一層的確に判断できる。したがって、成膜装置の稼働率低下を確実に防止できるとともに、使用済みの成膜ガスが周囲に溢れるのを確実に防止できる。ここで、排気管のコンダクタンスが最大の時とは、排気管の内壁に付着物がまったく又は殆ど付いていない状態に相当する。
前記閾値に達したとき、発報又は前記成膜ガスの供給停止を含む保安動作を行なう保安動作部を、前記監視部に接続することが好ましい。
これによって、前記排気管内に付着物が掃除すべき程度に堆積したことを報知できる。又は、付着物がそれ以上堆積するのを防止することで、使用済みの成膜ガスが処理空間の周りの雰囲気中に溢れ出すのを確実に回避できる。
本発明の成膜処理は、大気圧近傍下にて行なうことが好ましい。ここで、大気圧近傍とは、1.013×10〜50.663×10Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×10〜10.664×10Paが好ましく、9.331×10〜10.397×10Paがより好ましい。
本発明によれば、開度調節弁の開度を監視することで、排気管内の付着物の堆積具合を推定できる。よって、排気管を掃除すべき時期を的確に判断できる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す解説正面図である。 図2は、図1のII−II線に沿う、上記成膜装置の成膜部の平面図である。 図3は、上記成膜部のノズルプレートの斜視図である。 図4は、上記成膜装置の排気機構の開度調節弁を模式的に示す解説側面図である。 図5は、本発明の第2実施形態に係る成膜装置の概略構成を示す解説正面図である。 図6は、実施例1における吸引圧力に応じた開度調節弁の開度変化の測定結果を示すグラフである。
以下、本発明の実施形態を図面にしたがって説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る成膜装置1を示したものである。成膜装置1は、膜の原料を含む成膜ガスを被処理物9に供給して、化学気相成長法によって被処理物9の表面に膜を形成する。膜は、例えば結晶若しくは非晶質のシリコン又はシリコン化合物にて構成されているが、本発明はこれに限られない。原料は、膜の成分に応じて適宜選択され、常温常圧で気体であってもよく、液体又は固体を気化させた気化体であってもよい。被処理物9は、例えば半導体装置、液晶表示装置、太陽電池等の基板であるが、これに限定されるものではない。
図1に示すように、成膜装置1は、筺体2と、成膜部10と、排気機構20を備えている。詳細な図示は省略するが、筺体2は、周壁を構成するパネルカバー、及び扉等の開閉部を有している。開閉部をすべて閉じることで、筺体2の内部の空間2aを密閉できる。筺体内空間2aには、成膜部10が収容されている他、被処理物9の搬送ロボット(搬送手段)、成膜ガスのコンソール(制御盤)、電装ボックス等が収容されている。
筺体2の例えば上部には、筺体排気路2bが接続されている。筺体内空間2aの雰囲気ガスが排気路2bから排出されることで、筺体2の内圧が大気圧より少し低くなっている。これによって、上記雰囲気ガスが、筺体2の排気路2b以外の部分から外部に漏れるのを防止できる。ひいては、未反応の原料や成膜反応の副生成物を含む使用済みの成膜ガスが、筺体2の排気路2b以外の部分から外部に漏れるのを防止できる。
図1に示すように、成膜部10は、処理空間10aを有し、かつ該処理空間10aに膜の原料を含む成膜ガスを供給するものであり、ディスパージョンヘッド11(成膜ヘッド)と、ヒータ12と、サセプタ13と、ハウジング14を含む。ディスパージョンヘッド11は、複数のノズルプレート15,15…を含む。ノズルプレート15の材質は、成膜ガスに対する耐性があれば特に限定がなく、樹脂でもよく、セラミックスでもよく、金属でもよい。図1及び図2に示すように、各ノズルプレート15は、長手方向を図1の紙面と直交する方向(図2の上下)に向け、かつ厚み方向を図1の左右に向けた四角形の板状になっている。複数のノズルプレート15,15…が互いの厚み方向(図1の左右)に並べられ、かつ隣接するノズルプレート15,15どうしがぴったりと重ねられている。これら複数のノズルプレート15,15…からなるディスパージョンヘッド11の平面視の面積は、被処理物9の面積と同等又は被処理物9の面積よりも大きい。
図3に示すように、各ノズルプレート15の片面には、複数の導入凹部15a,15a…と、吹出凹部15bとが形成されている。導入凹部15a,15a…は、それぞれノズルプレート15の下端面から上へ延びるとともに、互いにノズルプレート15の長手方向(図1の紙面と直交する方向)に離れて、好ましくは等間隔置きに配置されている。吹出凹部15bは、ノズルプレート15の上下方向の中間部よりも上側の部分のほぼ全幅に及ぶように形成されている。吹出凹部15bの下端部に各導入凹部15aが連なっている。吹出凹部15bの上端部は、ノズルプレート15の上端部に達している。図1及び図2に示すように、各ノズルプレート15の上記片面(凹部15a,15bが形成された面)に、その隣のノズルプレート15の反対側の面(凹部15a,15bが形成されていない面)が接することで、導入凹部15a及び吹出凹部15bの上記片面側の開口が塞がれている。各ノズルプレート15の導入凹部15aとその隣のノズルプレート15とによって、導入路16が画成されている。各ノズルプレート15の吹出凹部15bとその隣のノズルプレート15とによって、吹出路17が画成されている。
図1に示すように、原料供給源3から供給路3aが延びている。この供給路3aが、複数に分岐して各導入路16に接続されている。膜の原料を含む成膜ガスが、原料供給源3から供給路3aを経て、各ノズルプレート15の各導入路16に均一に分配される。この成膜ガスが各導入路16を通って吹出路17で合流し、吹出路17の長手方向の全域に均一に分散しながら、吹出路17の上端開口から吹き出される。
図1及び図2に示すように、ディスパージョンヘッド11の周側部及び底部は、ハウジング14で囲まれている。ハウジング14は、平面視で四角形の箱形状をしており、上面が開口されている。
図1に示すように、ヒータ12は、ディスパージョンヘッド11の上方に離れて、ディスパージョンヘッド11と対向するように配置されている。ヒータ12の下面にサセプタ13が設けられている。ディスパージョンヘッド11とサセプタ13との間に処理空間10aが画成されている。処理空間10aの圧力は、大気圧近傍になっている。処理空間10aの外周部は、筺体内空間2aに連なっている。
サセプタ13に被処理物9が支持されている。被処理物9は、膜が形成されるべき被処理面を下に向けて、サセプタ13の下面に吸着されている。これによって、被処理物9が処理空間10a内に配置され、その被処理面がディスパージョンヘッド11に面している。被処理物9は、ヒータ12を介してサセプタ13によって所定の温度まで加熱される。この被処理物9にディスパージョンヘッド11からの成膜ガスが吹き付けられることで、被処理物9の被処理面上で成膜ガス中の膜原料の熱反応が起き、被処理面に膜が化学気相成長法によって形成される。ディスパージョンヘッド11の複数の吹出路17,17…から成膜ガスがそれぞれ吹き出されることで、被処理物9の全域に成膜ガスを一度に吹き付けることができ、被処理物9の全域において膜を同時に成長させることができる。各吹出路17から成膜ガスを均一に吹き出すことで、被処理物9の全体に均一に成膜できる。
なお、ディスパージョンヘッド11とサセプタ13を互いの対向方向と交差する方向に相対移動させながら、サセプタ13上の被処理物9にディスパージョンヘッド11から成膜ガスを吹き付けるようにしてもよい。この場合、ディスパージョンヘッド11の上記相対移動方向の寸法を被処理物9の同方向の寸法より小さくしてもよく、ディスパージョンヘッド11全体の吹出路17の数を減らしてもよく、吹出路17が1つだけであってあってもよい。また、成膜部10が、図1において上下に反転した構造になっていてもよい。すなわち、ディスパージョンヘッド11が、成膜ガスを下方に吹き出す構造になっていてもよく、ヒータ12及びサセプタ13、ひいては被処理物9が、ディスパージョンヘッド11の下方に配置されていてもよい。
次に、排気機構20について説明する。排気機構20は、成膜部10における上記被処理物9への吹き付け後の使用済みの成膜ガスを排出するものであり、図1に示すように、成膜部10から延びる排気管21と、開度調節機構30を備えている。排気管21は、複数の管体22,23,24,25,26…を一列に連ねることによって構成されている。これら管体22〜26は、ステンレス製の管にて構成されているが、これに限定されるものではなく、ステンレス以外の金属管にて構成されていてもよく、樹脂製の管にて構成されていてもよい。管体22〜26の数は、任意である。また、中間の管体25がL字管にて構成され、排気管21が全体としてL字に配管されているが、この配管形状は任意に改変できる。
ハウジング14の内面(内側面及び内底面)とディスパージョンヘッド11との間の空間が、排気導入路20aになっている。ハウジング14及びディスパージョンヘッド11は、排気機構20における排気導入路画成部を兼ねている。排気導入路20aの上端部が、処理空間10aの外周部に連なっている。ハウジング14の底部に最上流の管体22が接続されている。そして、排気導入路20aが管体22の内部に連なっている。
排気管21の下流側の部分は、筺体2の外部へ引き出されている。最下流の管体26が、除害装置5内の吸引手段4に接続されている。これによって、処理空間10aと吸引手段4とが排気管21を介して連ねられている。なお、吸引手段4は、除害装置5の外部に設けられていてもよい。吸引手段4は、排気ブロアであってもよく、吸引ポンプであってもよい。吸引手段4は、排気管21内のガスを常時一定の吸引圧で吸引している。上記吸引手段4の吸引動作によって、処理空間10aにおける使用済みの成膜ガス、及び筺体内空間2aの雰囲気ガスの一部が、排気導入路20aに導入される。以下、排気導入路20aに導入されたガスを「排ガス」と称す。排ガスには、処理空間10aにおける未反応の原料や、成膜反応の副生成物が含まれている。排ガスは、排気導入路20aから排気管21に流れ込む。この排ガスが、排気管21を通った後、吸引手段4の吸引ポートに吸い込まれるとともに吸引手段4の吐出ポートから吐出されて、除害装置5の除害処理部(図示省略)へ送られる。除害処理部は、排ガスに含まれる未反応の膜原料や、成膜時の副生成物や、高環境負荷物質を、化学的又は物理的処理によって排ガスから除去する。上記一定の吸引圧は、吸引手段4の吸引能力や除害装置5の除害処理能力に応じて定めるとよい。これによって、吸引排気処理又は除害処理を安定的に行うことができる。
開度調節機構30は、開度調節弁31と、弁調節部32を含み、排気管21の開度を調節する。開度調節弁31は、排気管21の中間部(中間の管体23)に設けられている。図4に模式的に示すように、開度調節弁31は、弁体31aを有している。弁体31aが変位することによって、開度調節弁31の開度が調節され、ひいては排気管21の開度が調節される。例えば図4では、弁体31aは、軸31cのまわりに回転するようになっている。図4の二点鎖線にて示すように、排気管21の管軸方向(図4において上下)に対する弁体31aの傾きが大きくなるにしたがって、開度調節弁31の開度が小さくなる。なお、弁体31aが回転ではなくスライドするようになっていて、このスライド位置によって開度調節弁31の開度が決まるようになっていてもよい。
図1に示すように、開度調節弁31に弁調節部32が接続されている。開度調節弁31と弁調節部32がユニットになっていてもよく、更には、開度調節弁31と弁調節部32と管体23がユニットになっていてもよい。弁調節部32は、開度調節弁31を制御するものであり、詳細な図示は省略するが、制御動作を行なうマイクロコンピュータ(制御手段)、及び弁体31aの駆動回路等を含むコントローラにて構成されている。なお、弁調節部32内の上記制御手段として、マイクロコンピュータに代えて、アナログ回路を用いてもよい。
さらに、弁調節部32には開度検知部33が内蔵されている。開度検知部33は、弁体31aの回転角度(変位位置)を検知し、ひいては開度調節弁31の開度を検知する。なお、開度検知部33が、弁調節部32から分離されて弁調節部32の外部に設けられていてもよい
弁調節部32には、圧力計41,42が接続されている。雰囲気圧力計41は、筺体内空間2aに設けられ、筺体内空間2aの内圧(空間2a内の雰囲気ガスの圧力)を検出する。雰囲気圧力計41の検出圧力は、弁調節部32に送られる。排気圧力計42は、排気管21に設けられ、排気管21の内圧(管21内の排ガスの圧力)を検出する。好ましくは、排気圧力計42は、排気管21における開度調節弁31よりも上流側(成膜部10側)の管部分21aの内圧を検出する。より好ましくは、排気圧力計42は、上流側管部分21aの中心軸付近における内圧を検出する。例えば、排気圧力計42は、検圧プローブ42pを含む。プローブ42pは、上流側管部分21aに差し入れられ、その先端部が上流側管部分21aの中心軸付近に配置されている。このプローブ42pの先端部におけるガス圧に応じた電気信号が、排気圧力計21の検出圧力として、排気圧力計21から弁調節部32に送られる。なお、プローブ42pの先端部が、上流側管部分21aの中心軸からずれていてもよい。排気圧力計42を、排気管21における開度調節弁31よりも下流側(除害装置5側)の管部分21bに設けてもよい。排気圧力計42を排気管21の複数箇所(例えば、両方の管部分21a,21b)に設けてもよい。
上記弁調節部32のマイクロコンピュータのメモリには、2つの圧力計41,42の検出圧力の差圧の目標値(一定値)が設定されている。この目標値は、排気管21の内圧が筺体内空間2aの内圧よりある程度、ないしは十分に低くなるように設定されている。弁調節部32は、上記2つの検出圧力の差圧が目標値に維持されるように、開度調節弁31の開度を調節する。これによって、処理空間10aにおける使用済の成膜ガスが筐体内空間2aに漏れるのを防止して、該使用済の成膜ガスを排気管21に確実に吸い込むことができる。
成膜装置1は、排気管21の保守時期を管理する排気管理部50を、更に備えている。管理部50は、開度調節弁31を監視する監視部51と、保安動作を行なう保安動作部53,54とを有している。詳細な図示は省略するが、監視部51は、監視動作を司るマイクロコンピュータ(制御手段)、及び保安動作部53,54の駆動回路等を含むコントローラにて構成されている。なお、監視部51の上記制御手段としてマイクロコンピュータに代えて、アナログ回路を用いてもよい。監視部51に開度検知部33の出力信号線が接続されている。開度検知部33の検出情報は、監視部51のマイクロコンピュータに送られて、開度調節弁31に対する監視処理に供される。監視部51のマイクロコンピュータのメモリには、上記監視処理のために、開度調節弁31の開度の閾値が記憶されている。この閾値は、排気管21のコンダクタンスが最大時の70%〜20%程度、好ましくは68%〜35%程度、より好ましくは65%〜50%程度の範囲内であるときの、開度調節弁31の開度に対応する。ここで、排気管21のコンダクタンスが最大の時とは、排気管21の内壁に付着物がまったく又は殆ど付いていない状態に相当する。上記閾値は、吸引手段4の吸引圧に応じて可変としてもよい。また、図示は省略するが、監視部51に上記閾値等を入力するためのタッチパネル等の入力部や、監視状況等を表示するディスプレイを設けてもよい。
排気管理部50の保安動作部は、ブザー53(発報器)及びランプ54(発報器)にて構成されている。以下、ブザー53及びランプ54を「発報器53,54」と総称する。これら発報器53,54は、監視部51に接続され、監視部51によってオンオフ操作される。なお、発報器53,54は、監視部51とは別体であってもよく、監視部51に一体に搭載されていてもよい。監視部51及び発報器53,54を含む排気管理部50の全体が、筺体2に搭載されていてもよく、筺体2から分離されて筺体2の外部に設置されていてもよい。排気管理部50の全体又は少なくとも発報器53,54が、筺体2が在る成膜現場から離れた制御室等の遠隔箇所に設置されていてもよい。排気管理部50が、発報器(保安動作部)として、ブザー53とランプ54のうち何れか1つだけを有していてもよい。
上記のように構成された成膜装置1の動作を、開度調節機構30及び排気管理部50の動作を中心に説明する。
成膜装置1の稼働中、筺体内空間2aの内圧を雰囲気圧力計41によって検出するとともに、排気管21の内圧を排気圧力計42によって検出して、これら検出圧力値を弁調節部32に送る。弁調節部32は、これら検出圧力値に基づいて、筺体内空間2aの内圧(処理空間10aの周辺の雰囲気圧)と排気管21の内圧との差圧が上記目標値(一定値)になるように、開度調節弁31の開度を調節する。筺体内空間2aの内圧は、筺体排気路2bからの排気によって大気圧(筺体2の外部の圧力)より少し低くなっている。また、吸引手段4を一定の吸引圧にて駆動する。この吸引圧は、筺体内空間2aの内圧よりも低い。したがって、
(大気圧)>(筺体内空間2aの内圧)>(排気管21の内圧)>(吸引手段4の吸引圧)
となる。よって、成膜部10における使用済みの成膜ガスのほぼ全部及び筺体内空間2aの雰囲気ガスの一部が、排ガスとなって、排気導入路20aから排気管21に吸い込まれる。この排ガスが、排気管21の上流側管部分21a、開度調節弁31、下流側管部分21bを順次通って除害装置5に送られ、除害装置5において除害処理されたうえで外部に排出される。
上記排ガスには未反応の原料や成膜反応の副生成物が含まれているために、排気管21の内壁には上記未反応原料及び副生成物等からなる付着物層8が形成されやすい。この付着物層8の厚みは、成膜装置1の運転を継続するにしたがって増大する。付着物層8の厚みが増大すればするほど、排気管21の流路が狭まり、コンダクタンスが低下する。通常、付着物層8は、排気管21の内壁の全周にわたって一様に形成される。したがって、排気管21の流路は、排気管21の軸心に向かって狭まる。排気圧力計42のプローブ42pを排気管21の軸心付近に配置しておくことで、付着物層8の厚みが増大しても、プローブ42pが付着物層8内に埋まるのを回避でき、排気管21の内圧を確実に検出することができる。
ここで、排気管21の流路が狭まると、吸引手段4の吸引圧が一定であるために排気管21内の排ガスの流速が高まり、排気管21の内圧(静圧)が低下する。そのため、筺体内空間2aの内圧と排気管21の内圧との差圧が増大する。そこで、弁調節部32が、上記差圧の増大を阻止しようとして、弁体31aを閉方向(図4の矢印方向)に変位させて開度調節弁31の開度を小さくする。したがって、付着物層8の厚みが増すにしたがって、開度調節弁31の開度が小さくなる。
この開度調節弁31の開度を開度検知部33によって検出し、その検出信号を排気管理部50へ送る。排気管理部50の監視部51は、開度検知部33からの検出信号に基づいて、開度調節弁31の開度が上記閾値に達したか否かを判断(監視)する。そして、開度調節弁31の開度が閾値に達したときは、装置1の正常な動作又は安全を確保するための保安動作を行なう。ここでは、発報器からなる保安動作部53,54によって発報する。具体的には、監視部51からブザー53にオン信号を出力することで、ブザー53を鳴らす。また、監視部51からランプ54にオン信号を出力することで、ランプ54を発光させる。これよって、排気管21の内壁の付着物が掃除を要する程度の堆積量に達したことを作業者に報知することができる。
作業者は、上記ブザー53及びランプ54の発報を受けて、成膜装置1の運転を停止する。そして、排気管21を分解し、排気管21及び開度調節弁31の内部を掃除して、付着物層8を除去する。このようにして、排気管21の掃除を的確な時期に行なうことができる。すなわち、付着物層8の厚みがある程度の大きさに達した時点で、該付着物層8を除去できる。したがって、過度に短い間隔で成膜装置1を止めて排気管21を掃除することで成膜装置1の稼働率が低下するのを防止できる。また、逆に、排気管21を掃除する間隔を過度に長くしために、排気管21が詰まって使用済みの成膜ガスが筺体内空間2aに溢れ出てしまうことをも防止することができる。成膜ガスの溢れ出しを防止することで、筺体2の内部に付着物層8が形成されるのを回避できる。
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を簡略化する。
図5は、本発明の第2実施形態を示したものである。第2実施形態では、排気管理部50の保安動作部として、供給路3aに開閉弁56(ガス供給遮断器)が設けられている。開閉弁56の制御線が監視部51に接続されている。監視部51には、開閉弁56を操作するための駆動回路(図示省略)が設けられている。
成膜装置1の通常運転時には、開閉弁56を開位置にしておく。そして、開度調節弁31の開度が閾値に達したときは、監視部51が開閉弁56を閉位置にする。これによって、供給路3aが閉止され、原料供給源3から成膜部10への成膜ガス供給が遮断される。したがって、成膜ガスが、筺体内空間2aに溢れ出るのを確実に防止することができる。さらに、上記開閉弁56の閉操作と同時に又は相前後して、発報器53,54によって警報を発報する。なお、第2実施形態において、発報器53,54を省略してもよい。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の改変をなすことができる。
例えば、排気管理部50が、警報を示す信号又はデータを、成膜装置1を管理するコンピュータ等の管理装置に出力してもよい。上記コンピュータ等の管理装置が、排気管理部50の機能を有していてもよい。
排気管理部50の保安動作部として、発報器53,54及びガス供給遮断器56に代えて、又はこれらに加えて、装置1の一部又は全体の電源をオフする電源遮断手段や、排気機構30の排気流量を増大させる排気流量制御手段などを設けてもよい。上記電源遮断手段による電源オフによって、成膜ガスの成膜部10への供給が停止されるようにしてもよい。上記排気流量制御手段が、保安動作時に限り、吸引手段4の吸引圧(負圧度)を高くすることで、排気機構30の排気流量を増大させてもよい。
開度調節弁31の開度の閾値として、第1、第2の閾値を設定してもよい。ここで、第1の閾値>第2の閾値とする。そして、開度調節弁31の開度が第1の閾値に達したら、排気管21の交換時期を知らせる予報を行い、第2の閾値に達したら発報や成膜ガス供給停止等の保安動作を行うようにしてもよい。上記予報は、ブザーやランプの作動で行なってもよいし、図示しない成膜装置1のコントロールパネルでの表示で行なってもよい。
本発明の成膜方法は熱CVDに限られない。例えば、膜原料をプラズマによって活性化させて成膜反応を起こさせるプラズマCVDを適用してもよい。
実施例を説明するが、本発明が以下の実施例に限定されるものではない。
まず、実施例に用いた装置1の構成について述べる。
排気管21の内直径は、上流側及び下流側の管部分21a,21bについて共に80mmであった。
上流側管部分21aの長さは、約700mmであった。
下流側管部分21bの長さは、約700mmであった。
開度調節弁31として、東横化学社製、型番TX−852を用いた。
雰囲気圧力計41として、長野計器社製、型番GC62を用いた。
排気圧力計42として、長野計器社製、型番GC62を用い、これを上流側管部分21aに設置した。
さらに、吸引手段4の吸引圧を計測するために、下流側管部分21bに圧力計(長野計器社製、型番GC62)を設置した。
下記の(a)〜(d)の4通りの条件下において、吸引手段4の吸引圧力を対大気圧で負圧側に50Pa〜550Paの範囲で変化させて、各吸引圧力における開度調節弁31の開度を計測した。
(a)上流側管部分21a及び下流側管部分21bの何れにおいても付着物層がまったく形成されていない状態
(b)上流側管部分21aには付着物層がまったく形成されておらず、かつ下流側管部分21bの内壁に厚み15mmの付着物層が形成されている状態
(c)上流側管部分21aの内壁に厚み15mmの付着物層が形成されており、かつ下流側管部分21bには付着物層がまったく形成されていない状態
(d)上流側管部分21a及び下流側管部分21bの両方の内壁に厚み15mmの付着物層8形成されている状態
上記(b)〜(d)の付着物層として、塩化ビニール樹脂製の管を排気管21に挿入することで、疑似的に付着物層が形成されているのと同等の状態にした。上記塩化ビニール樹脂製の管の外直径は約80mmであり、内直径は50mmであった。
条件(a)は、排気管21のコンダクタンスが最大である状態に相当する。この条件(a)における最大コンダクタンスCmaxに対して、条件(b)及び条件(c)における排気管の21のコンダクタンスC(b),C(c)は、C(b)=C(c)=0.65×Cmax程度になる。また、条件(d)における排気管の21のコンダクタンスC(d)は、C(d)=0.50×Cmax程度になる。
図6は、各条件(a)〜(d)における上記開度調節弁31の開度の計測結果を示したものである。
条件(a)の計測結果は、各吸引圧力における開度調節弁31のイニシャル開度(排気管21のコンダクタンスが最大値Cmaxのときの開度)に相当する。
条件(b)及び(c)の計測結果から明らかな通り、同一の吸引圧力下においては、上流側管部分21aが閉塞されるほうが、下流側管部分21bが閉塞されるよりも、開度調節弁31の開度が小さくなった。
さらに、条件(d)の計測結果から明らかな通り、両方の管部分21a,21bが共に閉塞されるほうが、何れか片方の管部分21a又は21bだけが閉塞されるよりも、開度調節弁31の開度が小さくなった。
そこで、開度調節弁31の開度の閾値は、吸引手段4の吸引圧に応じて、条件(c)の計測結果と条件(d)の計測結果との間の領域R(図6の斜線部)内に該閾値が入るように決めるとよい。この領域Rにおける排気管21のコンダクタンスは、最大時の70%〜20%程度の範囲内にほぼ入る。これによって、排気管21の全体が閉塞される前に、警報を発報したり、成膜ガスの供給を停止したりすることができる。
本発明は、例えば半導体装置、液晶表示装置、太陽電池等の製造に適用可能である。
1 成膜装置
2 筺体
2a 筺体内空間
2b 筺体排気路
3 原料供給源
3a 供給路
4 吸引手段
5 除害装置
8 付着物層
9 被処理物
10 成膜部
10a 処理空間
11 ディスパージョンヘッド(成膜ヘッド)
12 ヒータ
13 サセプタ
14 ハウジング
15 ノズルプレート
15a 導入凹部
15b 吹出凹部
16 導入路
17 吹出路
20 排気機構
20a 排気導入路
21 排気管
21a 上流側管部分
21b 下流側管部分
22〜26 管体
30 開度調節機構
31 開度調節弁
31a 弁体
31c 軸
32 弁調節部
33 開度検知部
41 雰囲気圧力計
42 排気圧力計
42p プローブ
50 排気管理部
51 監視部
53 ブザー(保安動作部)
54 ランプ(保安動作部)
56 開閉弁(保安動作部)

Claims (4)

  1. 大気圧近傍の処理空間内で被処理物の表面に膜を形成する成膜装置において、
    前記処理空間を有して、かつ前記処理空間に前記膜の原料を含む成膜ガスを供給する成膜部と、
    前記処理空間と吸引手段とを連ねる排気管と、
    前記排気管に設けられた開度調節弁と、
    前記排気管の内圧を計測する排気圧力計と、
    前記処理空間の周辺の雰囲気圧と前記排気圧力計の検出圧力との差圧が一定になるように、前記開度調節弁の開度を調節する弁調節部と、
    前記開度調節弁の開度が予め定めた閾値に達したか否かを監視する監視部と、
    を備え、前記排気管の内壁の付着物層の厚みが増すにしたがって、前記弁調節部が、前記開度調節弁の開度を小さくすることを特徴とする成膜装置。
  2. 前記吸引手段が、前記排気管内のガスを通常運転時は一定の吸引圧で吸引すること特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
  3. 前記閾値が、前記排気管のコンダクタンスが最大時の70%〜20%程度の範囲内であるときの前記開度に対応することを特徴とする請求項1又は2に記載の成膜装置。
  4. 前記閾値に達したとき、発報又は前記原料の供給停止を含む保安動作を行なう保安動作部を、前記監視部に接続したことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の成膜装置。
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