KR20080061893A - 가스 공급 장치 - Google Patents

가스 공급 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20080061893A
KR20080061893A KR1020060137067A KR20060137067A KR20080061893A KR 20080061893 A KR20080061893 A KR 20080061893A KR 1020060137067 A KR1020060137067 A KR 1020060137067A KR 20060137067 A KR20060137067 A KR 20060137067A KR 20080061893 A KR20080061893 A KR 20080061893A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
control valves
gas
purge gas
unit
reaction
Prior art date
Application number
KR1020060137067A
Other languages
English (en)
Inventor
김창재
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020060137067A priority Critical patent/KR20080061893A/ko
Publication of KR20080061893A publication Critical patent/KR20080061893A/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/047Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306Details
    • G02F1/1309Repairing; Testing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 가스 공급 장치에 관한 것으로, 증착을 위한 반응물질이 각각 저장되어 있는 복수개의 저장부들과; 상기 복수개의 저장부들 각각으로 캐리어 가스 또는 퍼지 가스의 공급 및 배출을 각각 제어하는 제 1과 2 제어밸브들과; 상기 제 1 제어밸브들 각각으로 퍼지 가스(Purge gas)의 공급을 제어하는 퍼지 가스 제어밸브들과; 상기 제 1과 2 제어밸브들이 폐쇄되었을 때, 상기 제 1 제어밸브들로 유입되는 캐리어 가스 또는 퍼지 가스의 통과를 제어하는 제 3 제어밸브들을 포함하여 구성된다.
따라서, 본 발명은 오염물을 제거하기 위한 퍼지(Purge) 공정을 수행함으로써, 장치 내에서 오염물을 극소화시켜 장비의 고장을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 복수개의 저장부를 구비하여 다양한 반응 물질을 개별적 또는 혼합하여 공급할 수 있으므로, 다양한 기능의 장비에 적용할 수 있는 효과가 있다.
가스, 공급, 퍼지, 오염, 저장부, 반응, 배기

Description

가스 공급 장치 { Apparatus for supplying a gas }
도 1은 종래 기술에 따른 화학 기상 증착 리페어(Chemical Vapor Deposition Repair) 장치를 개략적으로 도시한 도면
도 2는 본 발명에 따른 가스 공급 장치의 구성도
도 3은 본 발명에 따른 가스 공급 장치에 배기부가 설치된 상태를 도시한 구성도
도 4는 본 발명에 따라 배기부와 반응부가 연결된 상태를 도시한 가스 공급 장치의 구성도
도 5는 본 발명에 따른 가스 공급 장치에 있는 반응부의 일실시예를 도시한 개략적인 단면도
도 6a와 6b는 본 발명에 따른 가스 공급 장치의 구성도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110,120 : 저장부 211,212,213,214,221,222 : 제어밸브
311,312 : 퍼지가스 제어밸브 411,412,413 : 유량 조절부
500 : 반응부 511,512 : 반응부 공급 제어밸브
550 : 레이저 국소 증착을 위한 반응부
552 : 투명창 570 : 기판
571,713 : 증착막 580 : 레이저 광원
600 : 배기부 610 : 열분해로
611,612 : 배기 제어밸브 631,632 : 펌프
700 : 표시 패널
본 발명은 가스 공급 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 증착 장비의 고장을 줄일 수 있는 증착 가스 및 퍼지 가스 공급 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 디스플레이 패널과 반도체 소자는 다양한 막들을 형성하여 구현된다.
이러한, 다양한 막들은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD), 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD), 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 등의 공정을 수행하여 형성된다.
예를 들어, 디스플레이 패널의 금속 전극 라인을 형성하기 위해서는 화학 기상 증착 공정을 수행하여 금속 박막을 형성하고, 이 금속 박막을 패터닝하여 전극 라인을 형성한다.
그리고, 반도체 소자에 절연막으로 사용되는 실리콘 산화막과 마스크 패턴 및 스페이서로 사용되는 실리콘 질화막도 화학 기상 증착 공정을 수행하여 형성된다.
이러한, 증착 공정을 수행하기 위해서는 증착 소스 가스를 가스 공급 장치를 통하여 반응 챔버로 전달하여야 하며, 반응 챔버에서는 증착 소스 가스를 반응시켜 증착 공정을 수행한다.
한편, 액정 표시 패널의 제조 공정은 TFT 제조 공정, 칼라 필터 제조 공정, 액정 충진 공정, 모듈 공정으로 구성된다.
이중, TFT 공정은 기존의 반도체 제조 공정으로 대면적에 균일하게 수행되어 한다.
그러므로, 각 단위 공정이 완료된 후에, 불량 체크를 하고, 리페어(Repair)가 가능한 불량에 대해선 리페어 공정을 수행하게 된다.
도 1은 종래 기술에 따른 화학 기상 증착 리페어(Chemical Vapor Deposition Repair) 장치를 개략적으로 도시한 도면으로서, 리페어를 위한 텅스텐 금속을 가스 형태로 공급하는 가스 공급부(10)와; 상기 가스 공급부(10)로부터 분사되는 텅스텐+아르곤 가스를 광분해하기 위해 조사하는 레이저(25)와; 상기 레이저(25)로부터 발생되는 레이저광의 진행 경로와 초점 등을 조절하는 광학부(20)와; 상기 광학부(20)로부터 나오는 레이저광과 상기 가스 공급부(10)로부터 공급되는 가스와 광분해 작용하는 윈도우 포트(35)와; 상기 가스 공급부(10), 광학부(20), 레이저(25) 등을 컨트롤하는 컨트롤부(30)로 구성되어 있다.
그리고, 상기 가스 공급부(10)는 텅스텐을 저장하면서 아르곤 가스가 혼합되어 분사될 수 있는 저장부(11)와; 상기 윈도우 포트(35)에 공급되는 가스량을 센싱하는 센서부(12)로 구성되어 있다.
상기와 같은 구조를 갖는 화학 기상 증착 리페어 장치는 액정 표시 패널의 데이터 라인이 단락된 불량이 검출된 경우, 리페어를 수행한다.
먼저, 기판(50)이 장치 내로 로딩되면, 상기 광학부(20)가 불량이 발생한 좌표로 이동하고, 상기 레이저(25)를 조사하면 레이저광은 상기 광학부(20)를 통하여 윈도우 포트(35)에 조사된다.
이때, 상기 가스 공급부(10)의 저장부(11)에서는 아르곤 가스와 텅스텐이 혼합된 가스를 공급하여 광분해 작용을 하면서, 단선된 데이터 라인 영역에 텅스텐이 증착되어 리페어 공정이 완료된다.
이와 같은, 증착 공정에서는 가스 공급이 원활해야 하고, 장치의 구성이 최적으로 설계되어야 신뢰성이 있는 증착 공정을 수행할 수 있기 때문에, 현재 가스 공급을 원활하게 수행할 수 있는 다양한 모델의 개발을 지속적으로 진행하고 있는 실정이다.
본 발명은 오염물을 제거하기 위한 퍼지(Purge) 공정을 수행함으로써, 장치 내에서 오염물을 극소화시켜 장비의 고장을 줄일 수 있는 가스 공급 장치를 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 복수개의 저장부를 구비하여 다양한 반응 물질을 개별적 또는 혼합하여 공급할 수 있으므로, 다양한 기능의 장비에 적용할 수 있는 가스 공급 장치를 제공하는 데 있다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는,
증착을 위한 반응물질이 각각 저장되어 있는 복수개의 저장부들과;
상기 복수개의 저장부들 각각으로 캐리어 가스 또는 퍼지 가스의 공급 및 배출을 각각 제어하는 제 1과 2 제어밸브들과;
상기 제 1 제어밸브들 각각으로 퍼지 가스(Purge gas)의 공급을 제어하는 퍼지 가스 제어밸브들과;
상기 제 1과 2 제어밸브들이 폐쇄되었을 때, 상기 제 1 제어밸브들로 유입되는 캐리어 가스 또는 퍼지 가스의 통과를 제어하는 제 3 제어밸브들을 포함하여 구성된 증착을 위한 가스 공급 장치가 제공된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 가스 공급 장치의 구성도로서, 증착을 위한 반응물질이 각각 저장되어 있는 복수개의 저장부들(110,120)과; 상기 복수개의 저장부들(110,120) 각각으로 캐리어 가스(Carrier gas)의 공급 및 배출을 각각 제어하는 제 1과 2 제어밸브들(211,212,213,214)과; 상기 복수개의 저장부들(110,120) 각각으로 퍼지 가스(Purge gas)의 공급을 제어하는 퍼지 가스 제어밸브들(311,312)과; 상기 제 1과 2 제어밸브들(211,212,213,214)이 폐쇄되었을 때, 상기 캐리어 가스 또는 퍼지 가스를 통과시킬 수 있는 제 3 제어밸브들(221,222)로 구성된다.
상기 캐리어 가스 및 퍼지 가스의 유량을 조절하는 유량 조절부들(411,412,413)이 더 구비된 것이 바람직하다.
더 세부적으로는, 증착을 위한 반응물질이 각각 저장되어 있는 복수개의 저장부들(110,120)과; 캐리어 가스(Carrier gas) 및 퍼지 가스(Purge gas)의 유량을 각각 조절하는 유량 조절부들(411,412,413)과; 상기 복수개의 저장부들(110,120) 각각과 상기 유량 조절부들(411,412,413)에 연결된 배관에 설치되어 캐리어 가스 또는 퍼지 가스의 공급을 제어하는 제 1 제어밸브들(211,212)과; 상기 복수개의 저장부들(110,120) 각각에 연결된 배관에 설치되어 캐리어 가스 또는 퍼지 가스의 배출을 제어하는 제 2 제어밸브들(213,214)과; 상기 제 1 제어밸브들(211,212) 각각과 상기 퍼지 가스의 유량을 조절하는 유량 조절부(411)에 연결된 배관에 설치되어 퍼지 가스(Purge gas)의 공급을 제어하는 퍼지 가스 제어밸브들과; 상기 제 1 제어밸브들(211,212) 각각과 상기 퍼지 가스의 유량을 조절하는 유량 조절부(411)에 연결된 배관에서 상기 제 2 제어밸브들(213,214) 각각과 연결된 배관까지 연결된 배관에 설치되며, 상기 제 1 제어밸브들(211,212)로 유입되는 캐리어 가스 또는 퍼지 가스의 통과를 제어하는 제 3 제어밸브들(221,222)을 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 제 1과 2 제어밸브들(211,212,213,214)이 폐쇄되었을 때, 상기 제 3 제어밸브들(221,222) 각각을 통하여 상기 캐리어 가스 또는 퍼지 가스가 공급되거나 또는, 상기 캐리어 가스(Carrier gas)가 상기 복수개의 저장부들(110,120)에서 기화된 반응물질을 운반하여 상기 제 2 제어밸브들(213,214)을 각각 통하여 공급되는 반응부(500)가 더 구비된 것이 바람직하다.
또한, 상기 밸브들, 반응부와 유량 조절부들은 도 3에 도시된 바와 같이, 배관에 의해 연결되어 있다,
상기 복수개의 저장부들(110,120)은 증착을 위한 반응 물질이 저장되어 있고, 각각의 저장부는 동일 물질 또는 다른 물질이 저장되어 있다.
그리고, 상기 복수개의 저장부들(110,120) 각각은 가열부를 가지고 있으며, 내부의 반응 물질의 사용량을 센싱하기 위한 센서가 설치된 것이 바람직하다.
여기서, 상기 반응 물질의 사용량을 체크하기 위한 센서는 초음파 센서, 접촉식 센서 등과 같은 것이다.
또한, 상기 복수개의 저장부들(110,120) 각각은 모니터링(Monitoring)이 가능하도록 투명창이 설치되어 있거나, 상기 복수개의 저장부들(110,120) 각각을 투명 물질로 형성하여 외부에서 상기 저장부들을 관찰할 수 있도록 한다.
한편, 상기 캐리어 가스는 상기 복수개의 저장부들(110,120) 각각에 개별적으로 유입되도록 장치를 구성한다.
그리고, 상기 퍼지 가스는 반응부, 배관과 저장부들의 오염을 방지하고, 반응을 위한 분위기를 조성하는 목적으로 사용된다.
이렇게 구성된 가스 공급 장치는 반응부(500)에서 제 1과 2 저장부(110,120)의 반응물질을 공급받아 증착공정과 같은 반응공정을 수행하려면, 먼저, 제 2 유량 조절부(412)에서 유량이 조절된 제 1 캐리어 가스를 개폐된 제 1 제어밸브(211)을 통하여 제 1 저장부(110)로 유입시키고, 상기 제 1 저장부(110)에서 기화된 반응 물질 가스를 상기 제 1 캐리어 가스가 운반하여 개폐된 제 2 제어밸브(213)를 통하여 반응부(500)으로 공급된다.
그리고, 제 3 유량 조절부(413)에서 유량이 조절된 제 2 캐리어 가스를 개폐된 제 2 저장부(120)에 연결된 제 1 제어밸브(212)를 통하여 제 2 저장부(120)로 유입시키고, 상기 제 2 저장부(120)에서 기화된 반응 물질 가스를 상기 제 2 캐리어 가스가 운반하여 개폐된 제 2 제어밸브(214)를 통하여 반응부(500)로 공급시킨다.
이때, 제 3 제어밸브들(221,222)는 폐쇄된다.
그러므로, 상기 반응부(500)에서는 상기 제 1과 2 캐리어 가스에 운반된 제 1과 2 저장부(110,120)의 반응 물질 가스로 증착과 같은 반응 공정을 수행하는 것이다.
또한, 본 발명의 가스 공급 장치에서 반응부 및 배관들의 오염물을 제거하기 위해서는, 상기 퍼지가스를 배관 및 반응부(500)로 공급해야 한다.
그러므로, 퍼지가스는 제 1 유량 조절부(411)에서 유량이 조절되어, 개폐된 퍼지 가스 제어밸브들(311,312)과 제 3 제어밸브들(221,222)을 통하여 반응부(500) 로 공급된다.
이때, 상기 제 1과 2 제어밸브들(211,212,213,214)은 폐쇄된다.
이러한, 저장부, 반응부 및 배관들의 오염물을 제거하기 위한 퍼지(Purge) 공정을 수행함으로써, 장치 내에서 오염물을 극소화시켜 장비의 고장을 줄일 수 있는 장점이 있다.
게다가, 본 발명의 가스 공급 장치에서 제 1과 2 저장부들(110,120) 및 배관들의 오염물을 제거하기 위해서는, 상기 퍼지가스를 배관 및 제 1과 2 저장부들(110,120)로 공급하면 된다.
결국, 퍼지가스는 제 1 유량 조절부(411)에서 유량이 조절되어, 개폐된 퍼지 가스 제어밸브들(311,312)과 제 1과 2 제어밸브들(211,212,213,214)을 통하여 제 1과 2 저장부들(110,120)을 통과하여 제 1과 2 저장부들(110,120) 및 배관들의 오염물을 제거할 수 있게 된다.
여기서, 상기 제 3 제어밸브들(221,222)은 폐쇄된다.
전술된 바와 같이, 본 발명의 가스 공급 장치는, 복수개의 저장부를 구비하여 다양한 반응 물질을 개별적 또는 혼합하여 공급할 수 있으므로, 다양한 기능의 장비에 적용할 수 있는 장점이 있다.
도 3은 본 발명에 따른 가스 공급 장치에 배기부가 설치된 상태를 도시한 구성도로서, 이 가스 공급 장치는 제 1과 2 제어밸브들(211,212,213,214)이 폐쇄되었 을 때, 상기 제 3 제어밸브들(221,222)을 통한 퍼지 가스가 배기되는 배기부(600)가 더 구비되고, 상기 퍼지 가스가 배기부(600)로 배기되도록 제어하는 배기 제어밸브들(611,612)이 더 구비되어 있다.
그러므로, 이 가스 공급 장치는 배관 및 제 1과 2 저장부들(110,120)로 공급되어, 제거된 오염물들이 포함된 퍼지가스는 상기 배기 제어밸브들(611,612)을 개폐하면 배기부(600)로 유입되어 배기된다.
그리고, 상기 복수개의 저장부들(110,120)에서 기화된 반응물질을 운반하고, 상기 제 2 제어밸브들(213,214)을 통과한 캐리어 가스(Carrier gas)가 개별적으로 반응부(500)로 공급되도록 제어하는 반응부 공급 제어밸브들(511,512)이 더 구비되어 구성되어 있다.
즉, 상기 반응부 공급 제어밸브들(511,512)은 개별적으로 개폐되어 상기 복수개의 저장부들(110,120)에서 기화된 반응물질이 운반된 캐리어 가스를 선택적으로 반응부(500)에 공급하게 된다.
예를 들어, 상기 제 1 저장부(110)에 연결된 반응부 공급 제어밸브들(511)을 개폐하고, 상기 제 2 저장부(120)에 연결된 반응부 공급 제어밸브들(512)를 폐쇄시키면, 상기 제 1 저장부(110)에서 기화된 반응물질만 반응부(500)로 공급된다.
그리고, 상기 반응부 공급 제어밸브들(511,512)을 개폐시키면, 상기 제 1과 2 저장부(110,120)에서 기화된 반응물질 모두가 반응부(500)로 공급되는 것이다.
또한, 퍼지 가스를 반응부(500)로 직접 공급하기 위하여, 퍼지 가스의 유량을 조절하는 제 1 유량 조절부(411)와 반응부(500) 사이에 퍼지 가스를 제어하는 퍼지 가스 공급밸브(320)가 더 구비되어 있는 것이 바람직하다.
이 퍼지 가스 공급밸브(320)를 개폐하고, 퍼지 가스 제어밸브들(311,312)을 폐쇄하면, 퍼지 가스는 반응부(500)로 직접 공급되어, 반응부(500)의 오염물을 제거할 수 있는 것이다.
도 4는 본 발명에 따라 배기부와 반응부가 연결된 상태를 도시한 가스 공급 장치의 구성도로서, 반응부(500)와 배기부(600)는 연결되어 있다.
상기 반응부(500)에서 반응되지 못한 가스들을 상기 배기부(600)를 통하여 배출하는 것이다.
그리고, 상기 배기부(600)는 열분해로(610)와 펌프로 구성된다.
도 4에서는 두 개의 펌프들(631,632)이 도시되어 있는데, 이렇게 두 개의 펌프를 사용함으로써, 하나의 펌프가 고장되면 다른 하나의 펌프를 사용할 수 있어 장비의 다운 타임(Down time)을 제거할 수 있다.
상기 배기부(600)의 열분해로(610)에서는 상기 반응부(500)에서 미반응된 물질을 분해시켜 배기함으로써, 미반응 물질로 인한 환경오염이나 펌프내 축적으로 인해 고장 및 배기부가 막히는 것을 방지한다.
도 5는 본 발명에 따른 가스 공급 장치에 있는 반응부의 일실시예를 도시한 개략적인 단면도로서, 본 발명의 가스 공급 장치에 적용된 반응부는 저장부들에서 공급된 반응물질이 반응할 수 있는 곳이고, 이 반응물질이 반응되도록 분위기가 조성되는 곳이다.
반응물질의 반응으로 증착 공정을 수행할 수 있다.
이런, 반응부는 도 5에 도시된 바와 같이, 레이저 국소 증착(Laser assisted Chemical Vapor Deposition)을 위한 반응부(550)인 것이 바람직하다.
즉, 상기 레이저 국소 증착을 위한 반응부(550)는 하부의 일부 영역(551)이 개방되어 있고, 개방된 하부의 일부 영역(551)에 대응된 상부 영역에 투명창(552)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 투명창(550)으로 레이저를 조사하는 레이저 광원(580)이 구비되어 있다.
또한, 상기 개방된 영역(551) 하부에는 기판(570)이 위치된다.
그러므로, 상기 레이저 국소 증착을 위한 반응부(550)로 반응 물질 가스가 공급되고, 상기 레이저 광원(580)에서 레이저를 조사하면, 상기 반응 물질 가스는 레이저에 의해 에너지를 받아 상기 기판(570)에 증착되어 증착막(571)을 형성하게 된다.
도 6a와 6b는 본 발명에 따른 가스 공급 장치의 구성도로서, 도 6a에 도시된 바와 같이, 표시 패널(700)에 형성된 라인(710)이 단락되었을 때, 전술된 레이저 국소 증착을 위한 반응부(550)에서 증착 공정을 수행하여 도 6b와 같이, 단락된 상 태의 라인들(711,712) 사이에 증착막(713)을 형성하여 리페어(Repair) 시킨다.
여기서, 상기 표시 패널(700)은 액정 디스플레이 패널인 것이 바람직하고, 상기 라인(710)은 전극 라인인 것이 바람직하다.
그러므로, 액정 디스플레이 패널에 형성된 전극 라인이 단락되었을 때, 본 발명의 가스 공급 장치와 연결된 레이저 국소 증착을 위한 반응부에서 리페어 공정을 수행하는 것이다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 오염물을 제거하기 위한 퍼지(Purge) 공정을 수행함으로써, 장치 내에서 오염물을 극소화시켜 장비의 고장을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 복수개의 저장부를 구비하여 다양한 반응 물질을 개별적 또는 혼합하여 공급할 수 있으므로, 다양한 기능의 장비에 적용할 수 있는 효과가 있다.
더불어, 본 발명은 퍼지 공정을 수행시, 두 개의 펌프로 배기함으로써, 장치의 다운 타임(Down time)을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (14)

  1. 증착을 위한 반응물질이 각각 저장되어 있는 복수개의 저장부들과;
    상기 복수개의 저장부들 각각으로 캐리어 가스 또는 퍼지 가스의 공급 및 배출을 각각 제어하는 제 1과 2 제어밸브들과;
    상기 제 1 제어밸브들 각각으로 퍼지 가스(Purge gas)의 공급을 제어하는 퍼지 가스 제어밸브들과;
    상기 제 1과 2 제어밸브들이 폐쇄되었을 때, 상기 제 1 제어밸브들로 유입되는 캐리어 가스 또는 퍼지 가스의 통과를 제어하는 제 3 제어밸브들을 포함하여 구성된 가스 공급 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐리어 가스 및 퍼지 가스를 유량 조절하는 유량 조절부들이 더 구비된 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수개의 저장부들은 동일한 반응 물질이 저장되어 있거나, 또는 상기 복수개의 저장부들 각각은 다른 반응 물질이 저장되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수개의 저장부들 각각은 가열부를 가지고 있으며, 내부의 반응 물질의 사용량을 센싱하기 위한 센서가 설치된 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수개의 저장부들 각각은 모니터링(Monitoring)이 가능하도록 투명창이 설치되어 있거나, 또는 상기 복수개의 저장부들 각각을 투명 물질로 형성하여 외부에서 상기 저장부들을 관찰할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 제어밸브들을 통하여 상기 캐리어 가스 또는 퍼지 가스가 공급되거나, 또는 상기 캐리어 가스(Carrier gas)가 상기 복수개의 저장부들에서 기화된 반응물질을 운반하여 상기 제 2 제어밸브들 각각을 통하여 공급되는 반응부가 더 구비된 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1과 2 제어밸브들이 폐쇄되었을 때, 상기 제 3 제어밸브들을 통과한 퍼지 가스가 배기되는 배기부가 더 구비되고,
    상기 퍼지 가스가 배기부로 배기되도록 제어하는 배기 제어밸브들이 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수개의 저장부들에서 기화된 반응물질을 운반하고, 상기 제 2 제어밸브들을 통과한 캐리어 가스(Carrier gas)가 개별적으로 상기 반응부로 공급되도록 제어하는 반응부 공급 제어밸브들이 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 퍼지 가스를 상기 반응부로 직접 공급하기 위하여, 퍼지 가스를 제어하는 퍼지 가스 공급밸브가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 반응부에서 반응되지 못한 가스들을 상기 배기부를 통하여 배출되도록, 상기 반응부와 배기부는 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 배기부는,
    상기 반응부에서 미반응된 물질을 분해시키는 열분해로와 펌프로 구성된 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 반응부는,
    레이저 국소 증착(Laser assisted Chemical Vapor Deposition)을 위한 반응부인 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 레이저 국소 증착을 위한 반응부는,
    표시 패널에 형성되어 있고 단락되어 있는 라인에 증착막을 형성하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 표시 패널은 액정 디스플레이 패널이고,
    상기 라인은 전극 라인인 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.
KR1020060137067A 2006-12-28 2006-12-28 가스 공급 장치 KR20080061893A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060137067A KR20080061893A (ko) 2006-12-28 2006-12-28 가스 공급 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060137067A KR20080061893A (ko) 2006-12-28 2006-12-28 가스 공급 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080061893A true KR20080061893A (ko) 2008-07-03

Family

ID=39814091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060137067A KR20080061893A (ko) 2006-12-28 2006-12-28 가스 공급 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080061893A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200453135Y1 (ko) * 2010-08-23 2011-04-08 주식회사 테라세미콘 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치
KR101723923B1 (ko) * 2015-11-11 2017-04-11 참엔지니어링(주) 증착 장치
KR20200038399A (ko) * 2018-10-03 2020-04-13 주식회사 코윈디에스티 가스 유량 조절 장치 및 이를 이용하는 레이저 화학기상증착 장치
KR20210009168A (ko) * 2019-07-16 2021-01-26 한국생산기술연구원 질화 처리 장치 및 질화 처리 방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200453135Y1 (ko) * 2010-08-23 2011-04-08 주식회사 테라세미콘 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치
KR101723923B1 (ko) * 2015-11-11 2017-04-11 참엔지니어링(주) 증착 장치
KR20200038399A (ko) * 2018-10-03 2020-04-13 주식회사 코윈디에스티 가스 유량 조절 장치 및 이를 이용하는 레이저 화학기상증착 장치
KR20210009168A (ko) * 2019-07-16 2021-01-26 한국생산기술연구원 질화 처리 장치 및 질화 처리 방법
WO2021010740A3 (ko) * 2019-07-16 2021-03-11 한국생산기술연구원 질화 처리 장치 및 질화 처리 방법
CN114127325A (zh) * 2019-07-16 2022-03-01 韩国生产技术研究院 氮化设备及氮化方法
CN114127325B (zh) * 2019-07-16 2024-05-31 韩国生产技术研究院 氮化设备及氮化方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101299841B1 (ko) 처리 장치
US8590484B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus
WO2010103751A1 (ja) 原子層堆積装置及び薄膜形成方法
KR101232688B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 액체 유량 제어 장치의 동작 확인 방법
JPWO2019229785A1 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JPH10163288A (ja) 薄板状基体の搬送方法及び搬送装置
CN111415884B (zh) 基板处理装置
JP4235076B2 (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
KR20080061893A (ko) 가스 공급 장치
WO2021186677A1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6578015B2 (ja) 基板処理装置
CN114203579A (zh) 基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板处理方法以及记录介质
CN116904963A (zh) 一种薄膜沉积系统和薄膜沉积的前置结构及其吹扫方法
KR102167479B1 (ko) 제거 방법 및 처리 방법
KR100941424B1 (ko) 가스 공급장치 및 공급방법
US20230227971A1 (en) Deposition apparatus and method of cleansing the same
KR100626366B1 (ko) 기상 증착 시스템
KR200284625Y1 (ko) 화학 기상 증착 장치
KR20060065823A (ko) 배기 라인의 클리닝 방법
KR100640160B1 (ko) 반도체소자용 제조 장치
KR20230134978A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP4093238B2 (ja) 薄膜形成方法
JP4903619B2 (ja) 基板処理装置
CN115863141A (zh) 半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质
KR200283870Y1 (ko) 반도체 저압 화학 기상 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination