JP2005327906A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 スピン乾燥において、ウエハから液切りされた液滴のウエハ面への再付着を行わせないようにする。
【解決手段】 高速回転するウエハＷ面に向けて、処理室１００内の排気を下降気流となるように流す。排気流速を、下降気流がウエハＷの周縁側でウォーターマークの発生に繋がる上昇気流とならないように所定流速に設定する。排気流速は、演算手段１４を介して排気手段１３０に接続した流速測定手段１３によりリアルタイムに測定して監視し、必要に応じて排気手段１３０により流速を調整する。
【選択図】 図４

Description

本発明は、洗浄後のウエハの乾燥技術に関し、特に、ウエハを回転させることでウエハ上の液切りを行うのに適用して有効な技術である。

以下に説明する技術は、本発明を完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。

半導体装置の製造では、ウエハ面に種々の膜を堆積し、堆積した膜上にエッチング処理により必要なパターンニングを行うため、エッチング液の除去等にウエハの洗浄は欠かすことができない工程である。

かかるウエハの洗浄では、例えば、所要の薬液でウエハを洗浄し、次いで超純水を用いてリンスし、その後ウエハの乾燥を行う。ウエハの乾燥に際しては、ウォーターマークを発生させないように乾燥することが求められる。

かかるウォーターマークを発生させることなくウエハの乾燥を行う技術としては、各種の技術が提案されているが、その一つとして、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ：isopropyl alcohol）を用いたＩＰＡ乾燥法が知られている。ウエハをＩＰＡの蒸気に晒し、ウエハ面上の付着水をＩＰＡで置換して、その後にＩＰＡを蒸発させることでウォーターマークを発生させることなくウエハの乾燥を行う方法である。

一方、ＩＰＡの使用による微量残留物の影響を避けるため、ＩＰＡを用いることなく、ウエハを高速回転させることで、ウエハ面上の水切りを行うスピン乾燥法が提案されている。かかるスピン乾燥法では、ウエハ表面が親水性膜で覆われている場合には水切れがよくウォーターマークを発生させずに乾燥が行える。しかし、ウエハ面が疎水性の膜で覆われている場合には、ウエハの高速回転に基づく遠心力がウエハ中心部側の水分に伝達されにくく水切れが悪くなり、どうしてもウォーターマークが発生する。そこで、かかる疎水性膜の場合でもウォーターマークを発生させることなく乾燥を行う技術が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００１−５３０５１号公報

ところが、上記スピン乾燥法では、以下の課題があることを本発明者は見出した。

すなわち、上記特許文献１に記載の方法では、ウエハ面の中心部側に不活性ガスを噴射して純水水膜をウエハ外周側に強制排除する不活性ガス噴射手段を設けることで、それまで問題となっていたウォーターマークの発生を防止する技術である。疎水性膜で覆われたウエハ表面の、特に中心部側にある水分を強制的にウエハの外周縁側に追い出すことで、単に遠心力のみに期待して水切れを行おうとするこれまでのスピン乾燥法に比べて優れた発明である。

特許文献１に記載のスピン乾燥は、上述の如く、ウエハ面を覆う膜が親水性、疎水性の如何にかかわらず適用可能な優れた発明ではあるが、しかし、ウエハ中心部に不活性ガスを噴射して水分をウエハ外周縁側に強制排除するため、水滴が処理室内に飛散し、飛散した水滴がウエハに付着する危険性がある。かかる水滴の付着は、ウォーターマークの発生に繋がるため、ウォーターマークの完全防止は難しいものと思われる。

そこで、本発明者は、飛散した水滴を含む雰囲気を速やかに排除することができれば、一度ウエハ面から水切れされた水滴がウエハに再度付着するのを防止できるのではないかと考えた。

本発明の目的は、スピン乾燥処理においてウエハ面から液切りされた液滴のウエハ面への再付着を行わせないようにすることにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

すなわち、ウエハの高速回転によってウエハ周縁に発生する上昇気流を排気流速を大きくすることにより防止し、ウエハ面から水切りされた水滴のウエハ面への再付着を防止する。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

本発明によれば、乾燥処理室内の排気流速を調整する簡単な技術で、スピン乾燥法におけるウエハ面でのウォーターマークを発生させることなく乾燥を行うことができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

（実施の形態１）
図１は、本発明の検討に際して、スピン乾燥法におけるウォーターマークの発生状況を調査する実験に用いた洗浄装置の構成を模式的に示す説明図である。図２（ａ）、（ｂ）は、図１に示す洗浄装置を用いて、洗浄後のウエハの乾燥を行わせる際のウォーターマークの発生状況を示す説明図である。

本発明者は、ウエハ（半導体ウエハとも言う）を高速回転させて、ウエハ上の水滴を周縁側に飛散させる際に、飛散させた場合の水滴がどのようにしてウエハに再付着するか検討した。検討に際して使用した洗浄装置１０は、図１に示すように、通常使用されている構成を有している。

すなわち、洗浄装置１０は、図１に示すように、チャンバ（処理容器とも言う）１００ａに構成された処理室１００内に設けられ、スピン乾燥処理に基づく液滴等が不用意に周囲に飛散しないようになっている。処理室１００は、天井側にヘパフィルタ１１０が設けられ、処理室１００内へ導入する空気中に含まれる不要粒子の除去が行えるようになっている。

処理室１００内に導入された空気は、処理室１００の床側に設けた排気口１２０を介して、処理室１００の外に、排気手段１３０としての真空ポンプ１３０ａにより吸引されて排気される。排気口１２０は、配管１４０を通して気水分離装置１５０、真空ポンプ１３０ａに接続されている。気水分離装置１５０で、処理室１００内から排気された空気中から水分が分離され、分離された水分は廃液として排気される。一方、水分が分離された空気は、真空ポンプ１３０ａに吸引され、工場側排気として処理される。

このようにして、処理室１００内では、外部から処理室１００内に空気が供給され、供給された空気はヘパフィルタ１１０を通過して排気口１２０に向かう下降流（下降気流）となって処理室１００内を通過することとなる。

処理室１００内に設けた洗浄装置１０は、ウエハＷを保持した状態でモータにより高速回転可能に支持する支持手段でもあるウエハ回転手段１１としての回転テーブル１１ａと、回転テーブル１１ａに保持されて回転するウエハＷ面に薬液、あるいは純水、あるいは窒素ガス等の不活性ガスを吹き付けるノズル手段としてノズル１２を有している。ノズル１２は、図１に示すように、ウエハ面上方、及びウエハ裏面下方に設けられている。

かかる構成の洗浄装置１０を用いて、図１に示すように、回転テーブル１１ａにウエハＷを保持させた状態で、所要の洗浄液をノズル１２から、ウエハＷの表面及び裏面に吹き付けて、ウエハＷの洗浄を行う。その後、例えば純水をウエハＷ面にノズル１２から吹き付けてリンスすることにより洗浄液を除去し、さらにリンスに使用した純水をウエハＷの高速回転で水切りを行い乾燥させる。

本発明者は、かかるスピン乾燥におけるウォーターマークの発生状況を調査した。調査に際しては、図２（ａ）に示すように、処理室１００内の気流の状態を目視で確認できるようにして行った。すなわち、処理室１００の上部に、図２（ａ）に示すように、φ３ｍｍの孔１６０ａを約３０ｍｍ間隔に設けた筒１６０を設け、筒１６０からから下方に向けて水蒸気を流すことにより、処理室１００内の空気の流れが目視で確認できるようにした。

かかる状況下で、ウエハＷを回転させ、ウエハの回転速度と処理室１００内の気流状態との関係を調査した。図では、気流の流れを矢印で示した。また、図２では、気流状況が見易いように、洗浄装置１０及び処理室１００外の排気系統の構成は省略している。

処理室１００内の気流は、流速０．３ｍ／秒で下降気流となって処理室１００内を上方から下方に向けて流れている。処理室１００内の排気状態をこのように維持した状態で、ウエハＷを回転させると、回転速度が５００ｒｐｍでは気流は下降気流となって流れているが、回転速度が１０００ｒｐｍになると、図２（ａ）に示すように、それまで下降気流となっていた流れの一部が、ウエハＷの周縁側で上昇気流となることが分かった。回転するウエハＷ面に当たって、気流はウエハＷの回転による遠心力により、ウエハＷの周縁側で巻上がるようにして上昇気流となるものと推測される。

かかる上昇気流は、処理室１００内の壁付近で現れ、処理室１００内に渦巻状の乱気流状態を発生させることが確認された。かかる渦巻状態は、ウエハＷの回転方向に添った流れを持ち、図２（ｂ）に示すように、略ドーナツ状の非常に複雑な気流状態になっていることが確認された。ウエハＷの周縁側で発生した上昇気流は、ある程度上昇した段階で、ウエハＷの上方からの下降気流に押されるようにして、ウエハＷの中央側に向けて下降するような、ドーナツ状の流れを発生させることが、今回の実験で明らかになった。

かかるドーナツ状の気流状態が発生するため、高速回転するウエハＷから遠心力により飛散した水の一部は、ミストとなって上昇気流に乗ってウエハＷの中央部側に送られるものと推察される。このようにしてウエハＷのスピン乾燥によって発生したミストは、ドーナツ状気流のリング内、すなわちウエハＷの中央部側に滞在してしまうものと推測される。すなわち、ドーナツ状気流のリング内は、ミストが滞在する閉塞域となり得るのである。このように閉塞域に滞在したミストが、ウォーターマークの発生に繋がると考えられる。

本発明者の上記実験から、ウエハＷを高速回転させて水切りを行うスピン乾燥では、処理室１００内の排気速度を０．３ｍ／秒で下降気流として流していても、１０００ｒｐｍの回転速度に至ると、下降気流の一部が上昇気流となり、かかる上昇気流が渦巻状、ドーナツ状の気流状態を現出させ、その結果、水切りした筈の水分の一部がかかるドーナツ状の気流状態下でミストとなってウエハＷに再付着するという現象が発生することが確認された。

そこで、本発明者は、上記実験結果に基づき、ウエハＷ上に、図２（ｂ）に示すような渦巻状、ドーナツ状の気流状態を発生させないようにすることで、ドーナツ状のリング内、所謂閉塞域にミストを滞在させることなくウォーターマークの発生を効果的に抑止できるものと、初めて発想した。

そこで、本発明者は、処理室１００内の排気量を大きくして、流速を高めることで、かかる上昇気流の発生を防げると考え実験を行った。ウエハＷの回転を１０００ｒｐｍに維持した状態で、処理室１００内の流速を０．３ｍ／秒から０．５ｍ／秒に上げた。その結果、図３に示すように、上昇気流を発生させることなく、処理室１００内の排気が下降流となって行えることが確認された。図３に示す気流状態では、ウエハＷの水切りにより発生したミストは、下降気流と共に処理室１００外へ排気されることとなり、ウォーターマークの発生には繋がらない。

本発明は、以上の実験結果を踏まえてなされたものである。次に、かかる実験結果に基づきなされた本発明の半導体製造装置について説明する。

図４に示すように、本発明に係る半導体製造装置２０は、洗浄及びスピン乾燥の双方を行う洗浄装置２０ａに構成され、チャンバ（処理容器）１００ａに構成された処理室１００内に設けられている。

処理室１００は、図１に示す場合と同様に構成されている。すなわち、ヘパフィルタ１１０、排気口１２０が設けられ、処理室１００内の天井側から供給された空気が、下降流となって処理室１００内を通過するようになっている。通過した処理室１００内の空気は、配管１４０を通って気水分離装置１５０に至り、空気中の水分が分離された状態で、排気手段１３０を構成する真空ポンプ１３０ａに引かれ、工場側排気として処理される。

一方、洗浄装置２０ａに構成した半導体製造装置２０は、図１に示す場合と同様に、ウエハ支持手段でもあるウエハ回転手段１１としての回転テーブル１１ａ、ノズル１２を有し、回転テーブル１１ａにウエハＷをセットした状態で、ノズル１２から洗浄液、純水、不活性ガスを適宜ウエハＷ面に吹き付けて、前述の如く、洗浄、リンス、乾燥の一連のステップを行うことができるように構成されている。

また、洗浄装置２０ａは、処理室１００内の下降気流の流速を測定するための流速測定手段１３を有している。図４に示す場合は、かかる流速測定手段１３としての流速計１３ａは、洗浄装置２０ａとは別体に構成されている。流速計１３ａは、図４に示すように、アームを介して処理室１００側壁側に設置され、流速計１３ａの測定部分が、ウエハＷの周縁側の斜め上方に位置するように設けられている。

かかる位置に流速計１３ａを設置した理由は、流速計１３ａの測定部分が、ウエハＷの上面に位置する場合には、ウエハＷ面に注ぐ下降気流を、流速計１３ａの測定部分が遮ることとなり、水切れした水分の除去を下降気流で適正に行う際の障害となる虞があるためである。勿論、かかる虞が無い場合には、ウエハＷの上方に設置するようにしても構わない。

また、図４に示す場合には、流速計１３ａは、流速の測定方向に関して指向性を有している。すなわち、指向性を有することで、上方から下方に向けて流れる流れの方向性における下降気流の流速を確実に測定するようになっている。無指向性の場合には、設置位置における流速計１３ａで測定する流速が、例えば、下降気流ではなく、横方向の気流の場合もあるため、指向性の流速計１３ａを今回は使用した。勿論、下降気流の流速を確実に測定可能であれば、無指向性のものを使用しても構わない。

流速計１３ａは、図４に示すように、コンピュータ１４ａ等に構成した演算手段１４を介して、排気手段１３０としての真空ポンプ１３０ａに接続されている。流速計１３ａで測定された下降気流としての処理室１００内の排気流速が、ウエハＷの回転により上昇気流とはならない流速に設定されているか否かを、演算手段１４としてのコンピュータ１４ａが管理する。

例えば、コンピュータ１４ａでは、流速計１３ａからリアルタイムに送られてくる流速が、ウエハの回転速度に応じて上昇気流を発生させない流速として予め設定した閾値と比較対照して、大きいか、あるいは小さいか、あるいは等しいかを判断する。小さい場合には、上昇気流が発生する虞があるため、真空ポンプ１３０ａに指令を出してポンプ出力を上げて排気流速を高めるように排気流速の管理を行う。

図４に示す場合は、流速計１３ａの測定部分がある位置での流速が、０．５ｍ／秒以上である場合を示している。ウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍの場合には、流速が０．５ｍ／秒であれば、ウォーターマークの発生に繋がる上昇気流を発生させることなく、ウエハＷから水切りされた水分を下降気流により効率的に排気することができる。ウエハの回転数が１０００ｒｐｍより大きくなれば、それに合わせて下降気流の排気流速を大きくすればよい。すなわち、ウエハ回転数が１０００ｒｐｍを越える場合は、流速は０．５ｍ／秒以上に設定すればよい。

以上に説明の構成を有する半導体製造装置２０を用いることで、半導体装置の製造方法におけるウエハの洗浄ステップ等において、洗浄後のウエハのスピン乾燥をウォーターマークを発生させることなく行うことができる。

例えば、直前のフォトリソグラフィー工程で、ウエハ上の成膜面に所定のパターンニングが施されたとする。かかるエッチング後のウエハは、洗浄工程に搬送される。搬送されたウエハは、例えば、図４に示す本発明に係る半導体製造装置２０にセットされる。

半導体製造装置２０は、例えば、図４に示すように洗浄装置２０ａに構成され、ウエハＷを回転手段１１としての回転テーブル１１ａに、ウエハＷの主面を上方に向けた状態で
保持させる。かかる状態で、ウエハＷを所定の回転数で回転させ、ノズル１２から所定組成の洗浄液をウエハＷ面に吹き付ける。ノズル１２からの洗浄液により、ウエハＷ面のエッチング液等のエッチング残渣を除去する。

その後、純水をノズル１２から回転するウエハＷ面に吹き付け、洗浄液の残渣が残らないようにリンスする。リンス後、ウエハＷを高速回転させて、ウエハＷ上の水分の水切りを遠心力を利用して行う。かかるスピン乾燥に際しては、例えば、予め設定してあるレシピに沿って、例えば、ウエハＷの回転を１０００ｒｐｍで行う。

一方、真空ポンプ１３０ａは、ウエハＷの回転数１０００ｒｐｍの場合に、処理室１００内の下降気流が上昇気流とならない流速０．５ｍ／秒以上となるように、洗浄、リンス段階での流速より早い流速で処理室１００内の排気を行う。排気手段１３０としての真空ポンプ１３０ａには、高速回転するウエハＷの周縁で発生する上昇気流を防止するに十分な排気容量のものが使用されている。

かかる排気状況は、流速計１３ａの測定流速で確認され、測定流速が０．５ｍ／秒になった時点で、ウエハＷを１０００ｒｐｍで回転する。

ウエハＷ面は、図３に示すように、上方から下降気流が注ぎ、高速回転するウエハＷから飛散させられた水分をかかる下降気流により処理室１００の外へ排気して、ウエハＷから飛散した水分が再度ウエハＷに付着するのを防止しながら、ウォーターマークを発生させることなくウエハＷの乾燥を行う。

上記のように処理室１００内の排気流速を所定流速に設定することで、ウエハの回転に伴う遠心力の影響による上昇気流の発生を抑制して、水切りされた水分のウエハＷへの再付着を防止する構成は、例えば、図５に示すような装置によるスピン乾燥にも十分に適用することができる。

図５に示す装置構成では、ウエハ回転手段１１と、中央から窒素ガス等の不活性気体を下方に噴射する対面噴射部材１６とを有している。ウエハ回転手段１１にセットしたウエハＷ面に対して、回転するウエハＷ面に狭い間隔で対面噴射部材１６を相対させ、対面噴射部材１６の中央からウエハＷ面に向けて窒素ガスを噴射する。噴射された窒素ガスは、図の矢印に示すように、ウエハＷの中央から周縁側に吹出し、この吹出しの際にウエハＷ
面の水分を飛散させる構成である。かかる構成の装置では、例えば、窒素ガスの噴射を停止させた直後は、ウエハＷの中央側が装置周囲より負圧になっているため、周囲空気のウエハＷ側への引き込みが発生し易い。かかる引き込みにより、周囲空気に含まれていたミストがウエハＷ面に付着すると、ウォーターマークの発生に繋がる虞が多分にある。

しかし、前記のように、処理室内の排気を下降気流としてウエハＷの周辺側に流すと、窒素ガスの噴射を停止させた状態でも、ウエハＷの周辺側は引き込み圧に抗して下降気流として流れているので、周囲空気の引き込みを発生させないようにすることができる。

（実施の形態２）
上記実施の形態では、処理室１００内の排気を行う真空ポンプ１３０ａを用いて、処理室１００内の排気流速を所定流速に設定する場合について説明したが、本実施の形態では、真空ポンプ１３０ａを流速の調整手段として用いることなく、工場側の排気系統を利用して処理室１００内の排気流速を調整する場合について説明する。

スピン乾燥を行う処理室１００内の下降気流としての排気の流速を、高速回転するウエハＷにより、ウォーターマークの発生原因となる上昇気流を発生させない所定流速以上に設定することで、ウォーターマークを発生させることなくウエハＷのスピン乾燥が行えることは前述の如くであるが、かかる処理室１００内の排気流速の調整は、真空ポンプ１３０ａを用いることなく行うことができる。

すなわち、図６に示すように、処理室１００内の排気系統は、工場側排気系統２００に配管１４０を介して接続され、工場側排気系統２００に設けた図示はしない真空ポンプ等により処理室１００内の排気が行われるようになっている。工場側排気系統２００には、図示はしないが、複数の処理室１００内が配管１４０を介して接続されている。

工場側排気系統２００と、処理室１００とを接続する配管１４０には、その流路途中に図６に示すように流速調整手段１５としての可変ダンパ１５ａが設けられている。可変ダンパ１５ａの開度を調節することで配管１４０を通る排気量を制御して排気流速を調整することができるようにしている。かかる可変ダンパ１５ａは、図４に示す場合と同様に、演算手段１４を介して流速測定手段１３に接続され、流速測定手段１３からリアルタイムに送られる流速値に基づき開度の制御が自動で行えるようになっている。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

上記説明では、本発明に係る半導体製造装置をスピン乾燥が行える洗浄装置として構成した場合を例に挙げて説明したが、洗浄機能を設けることなくスピン乾燥装置として構成しても構わない。

前記説明では、流速測定手段を半導体製造装置とは別体の構成として処理室側に設置可能に構成したが、半導体製造装置と一体、あるいは別体としても半導体製造装置側に設置するようにしても構わない。

前記説明では、工場側排気系統と処理室内を結ぶ配管途中に設ける流速調整手段として可変ダンパを例に挙げて説明したが、例えば、電磁弁等を用いても構わないことは言うまでもない。

本発明は、半導体装置の製造におけるウエハのスピン乾燥に要綱に利用することができる。

本発明の検討に際しての実験で使用した洗浄装置の概略構成を示す説明図である。 （ａ）、（ｂ）は、ウエハのスピン乾燥に際してのウォーターマークの発生状況を示す説明図である。 本発明の効果を示す説明図である。 本発明に係る半導体製造装置の概略構成の一実施例を模式的に示す説明図である。 本発明を別構成のスピン乾燥に適用する場合を模式的に示す説明図である。 本発明の変形例を模式的に示す説明図である。

符号の説明

１０ 洗浄装置
１１ ウエハ回転手段
１１ａ 回転テーブル
１２ ノズル
１３ 流速測定手段
１３ａ 流速計
１４ 演算手段
１４ａ コンピュータ
１５ 流速調整手段
１５ａ 可変ダンパ
１６ 対面噴射部材
１００ 処理室
１００ａ チャンバ
１１０ ヘパフィルタ
１２０ 排気口
１３０ 排気手段
１３０ａ 真空ポンプ
１４０ 配管
１５０ 気水分離装置
２００ 工場側排気系統

Claims (9)

1. 以下の手段により、洗浄後のウエハを回転させて前記ウエハの乾燥を行うことを特徴する半導体製造装置；
   （ａ）前記ウエハの上方から下方に向けて下降流を発生させ、前記下降流が回転する前記ウエハにより上昇気流とならない流速で、前記下降流を排気する排気手段。
2. 以下の手段を備えることを特徴とする半導体製造装置；
   （ａ）処理容器内に配置され半導体ウエハを高速回転可能に支持する支持手段、
   （ｂ）前記処理容器内に配置され前記半導体ウエハ面に薬液、純水、ガスを供給するノズル手段、
   （ｃ）前記処理容器の前記支持手段より下方に設けられ、前記半導体ウエハの洗浄後、前記ノズル手段からガスを供給しながら前記半導体ウエハを高速回転して乾燥する際に、前記半導体ウエハの高速回転によって前記半導体ウエハの周縁で発生する上昇気流を防止するに十分な排気容量を有している排気手段。
3. 請求項１または２記載の半導体製造装置において、
   前記下降流の流速を測定する流速測定手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体製造装置において、
   前記排気手段は、前記下降流を工場側排気系統に排気する排気流路に設けられ、前記下降流の流速調整可能な可変ダンパであることを特徴とする半導体製造装置。
5. ウエハ回転手段によりウエハを回転させて前記ウエハの乾燥を行う半導体製造装置であって、
   前記ウエハ回転手段を設けた処理室内の排気を、回転するウエハにより上昇気流とはならない流速で、前記ウエハの上方から下方に向けて行うことを特徴とする半導体製造装置。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体製造装置において、
   前記流速は、前記ウエハの回転数が１０００r.p.m.の場合に、０．５ｍ／秒以上であることを特徴とする半導体製造装置。
7. ウエハを回転させて前記ウエハの乾燥を行うステップを有する半導体装置の製造方法であって、
   回転する前記ウエハに、上方から下方に向けて発生させる下降気流を、前記回転するウエハにより上昇気流とはならない流速で、前記ウエハに当てて、前記ウエハの乾燥を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
   前記流速は、前記ウエハの回転数に応じて、調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項７または８記載の半導体装置の製造方法において、
   前記流速は、流速測定手段により測定された流速値に基づき、適正範囲に収まるように制御されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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