JPS63234535A - 半導体ウエ−ハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの洗浄方法Info
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- JPS63234535A JPS63234535A JP6961187A JP6961187A JPS63234535A JP S63234535 A JPS63234535 A JP S63234535A JP 6961187 A JP6961187 A JP 6961187A JP 6961187 A JP6961187 A JP 6961187A JP S63234535 A JPS63234535 A JP S63234535A
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Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハの洗浄方法に関する。
最近の集積回路の微細化ならびに高信頼性化に伴い、製
造工程中の半導体ウェーハの洗浄技術の向上はますます
重要となってきた。
造工程中の半導体ウェーハの洗浄技術の向上はますます
重要となってきた。
第３図は従来の半導体ウェーハの製造方法の一例を説明
するための工程図である。
するための工程図である。
シリコンインゴットをスライスして形成した半導体ウェ
ーハの表面を鏡面研磨した後、次の洗浄工程で表面に付
着している有機物や金属汚染物を除去する。
ーハの表面を鏡面研磨した後、次の洗浄工程で表面に付
着している有機物や金属汚染物を除去する。
一般に、ウェーハ加工の各工程ごとに半導体ウェーハを
洗浄する。
洗浄する。
従来、半導体ウェーハの洗浄方法は、半導体ウェーハを
洗浄液の中に浸漬し処理を行なうディップ式と呼ばれる
洗浄方法が主流となっていた。
洗浄液の中に浸漬し処理を行なうディップ式と呼ばれる
洗浄方法が主流となっていた。
洗浄液として、アンモニア水を用いるが、それによるシ
リコンウェーハやシリコン酸化膜の腐蝕を防ぐために、
過酸化水素を混合する。
リコンウェーハやシリコン酸化膜の腐蝕を防ぐために、
過酸化水素を混合する。
一般的な洗浄度の評価としては、汚染物質による少数キ
ャリアのライフタイムの低下を利用したり、ウェーハ表
面の微粒子の計数測定する方法がある。
ャリアのライフタイムの低下を利用したり、ウェーハ表
面の微粒子の計数測定する方法がある。
上述した従来の半導体ウェーハの洗浄方法は、半導体ウ
ェーハを直接洗浄液中に浸漬するために、洗浄液中に微
粒子か存在するとこの微粒子が半導体ウェーハ表面に付
着するので、大量に洗浄処理できないという問題かあっ
た。
ェーハを直接洗浄液中に浸漬するために、洗浄液中に微
粒子か存在するとこの微粒子が半導体ウェーハ表面に付
着するので、大量に洗浄処理できないという問題かあっ
た。
第４図は従来例の半導体ウェーハの洗浄方法の問題を説
明するための特性図である。
明するための特性図である。
アンモニア水と過酸化水素水の混合液で連続洗浄処理を
行なうと、処理槽内には半導体ウェー八表面から除去さ
れた微粒子が蓄積される。
行なうと、処理槽内には半導体ウェー八表面から除去さ
れた微粒子が蓄積される。
従来方法は、半導体ウェーハの処理枚数が１００枚以内
では洗浄効果はあるか、それ以」−の枚数に対して洗浄
能力か低下し、２００枚目以上では折線Ａに示すように
むしろ洗浄処理以前よりも汚染か多くなる。
では洗浄効果はあるか、それ以」−の枚数に対して洗浄
能力か低下し、２００枚目以上では折線Ａに示すように
むしろ洗浄処理以前よりも汚染か多くなる。
半導体ウェーハの表面に残留した微粒子は、洗浄工程に
続く半導体装置製造工程、即ち拡散、酸化、ホトリソグ
ラフィー等の各工程において悪影響を及ぼず。
続く半導体装置製造工程、即ち拡散、酸化、ホトリソグ
ラフィー等の各工程において悪影響を及ぼず。
例えば、拡散、酸化工程では異常拡散や酸化膜厚異常の
原因となる。
原因となる。
特に近年、半導体素子の集積度か増すにつれてケート酸
化膜や容量絶縁膜が薄くなると、半導体ウェーハ上の微
粒子が原因となり、酸化膜、絶縁膜にいわゆるピンホー
ルと呼はれる微小な欠陥が形成され、絶縁耐圧を著しく
劣化させる。
化膜や容量絶縁膜が薄くなると、半導体ウェーハ上の微
粒子が原因となり、酸化膜、絶縁膜にいわゆるピンホー
ルと呼はれる微小な欠陥が形成され、絶縁耐圧を著しく
劣化させる。
また、ホトリソグラフィ一工程では、パターン欠陥の原
因となる。
因となる。
本発明の目的は、洗浄処理効果が高く、かつ処理枚数の
増加に対して洗浄能力が容易に維持できる半導体ウェー
ハの洗浄方法を提供することにある。
増加に対して洗浄能力が容易に維持できる半導体ウェー
ハの洗浄方法を提供することにある。
本発明の半導体ウェーハの洗浄方法は、０．１〜２０ｖ
ｏ １％のオゾンを含有し温度が３０〜８０℃のアンモ
ニア蒸気中で半導体ウェーハを５〜２０分の処理する工
程を含んで構成される。
ｏ １％のオゾンを含有し温度が３０〜８０℃のアンモ
ニア蒸気中で半導体ウェーハを５〜２０分の処理する工
程を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を説明するための工程図であ
る。
る。
半導体ウェーハを超音波洗浄により前洗浄した後、０．
１〜２０ｖｏ １％のオゾンを含み、温度が３０〜８０
℃のアンモニア蒸気で満たされた洗浄槽に入れ約５〜２
０分間洗浄した後、純水により１０分間リンスを行う。
１〜２０ｖｏ １％のオゾンを含み、温度が３０〜８０
℃のアンモニア蒸気で満たされた洗浄槽に入れ約５〜２
０分間洗浄した後、純水により１０分間リンスを行う。
第２図は本発明の一実施例の効果を説明するための特性
図である。
図である。
前述の工程で半導体ウェーハを３００枚連続して洗浄し
たところ、折線Ｃに示すように汚染度に対応する微粒子
数は折線Ａに示す洗浄処理前の値の１／２０〜１／１０
０に低下しており、折線Ｂに示す従来方法による値の１
／３以下の汚染度で、かつ洗浄効果は半導体ウェーハの
処理枚数が３００枚以上でも維持していることを示して
いる。
たところ、折線Ｃに示すように汚染度に対応する微粒子
数は折線Ａに示す洗浄処理前の値の１／２０〜１／１０
０に低下しており、折線Ｂに示す従来方法による値の１
／３以下の汚染度で、かつ洗浄効果は半導体ウェーハの
処理枚数が３００枚以上でも維持していることを示して
いる。
また、半導体ウェーハの少数キャリヤのライフタイムの
測定でも、従来のディップ法では５μｓであるのに対し
て、本実施例では８０μｓを示し、金属汚染物の減少を
示した。
測定でも、従来のディップ法では５μｓであるのに対し
て、本実施例では８０μｓを示し、金属汚染物の減少を
示した。
以」二説明したように本発明は、オゾンを含むアンモニ
ア蒸気中で半導体ウェーハを洗浄処理することにより、
汚染微粒子の付着が少なく、洗浄液の劣化による洗浄効
果の低下もなく大量に半導体ウェーハを洗浄することが
できるために、高品質かつ高歩留りの半導体装置を製造
する半導体ウェーハの洗浄方法が得られる。
ア蒸気中で半導体ウェーハを洗浄処理することにより、
汚染微粒子の付着が少なく、洗浄液の劣化による洗浄効
果の低下もなく大量に半導体ウェーハを洗浄することが
できるために、高品質かつ高歩留りの半導体装置を製造
する半導体ウェーハの洗浄方法が得られる。
第１図は本発明の一実施例の工程図、第２図は本発明の
一実施例の効果を説明するための特性図、第３図は従来
の半導体ウェーハの製造方法の一例を説明するための工
程図、第４図は従来例の半導体ウェーハの洗浄方法の問
題を説明するための特性図である。
一実施例の効果を説明するための特性図、第３図は従来
の半導体ウェーハの製造方法の一例を説明するための工
程図、第４図は従来例の半導体ウェーハの洗浄方法の問
題を説明するための特性図である。
Claims (1)
- ０．１〜２０ｖｏｌ％のオゾンを含有し温度が３０〜
８０℃のアンモニア蒸気中で半導体ウェーハを５〜２０
分の処理する工程を含むことを特徴とする半導体ウェー
ハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6961187A JPS63234535A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 半導体ウエ−ハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6961187A JPS63234535A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 半導体ウエ−ハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63234535A true JPS63234535A (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=13407823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6961187A Pending JPS63234535A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 半導体ウエ−ハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63234535A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03211832A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-23 JP JP6961187A patent/JPS63234535A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03211832A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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