JP2007187766A - フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクブランクおよびフォトマスクブランクの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】透明基板上に形成された光学膜に閃光照射に起因する膜剥がれや欠陥の低減のために、閃光照射に先立ってパーティクルや汚れを充分に除去するためのメガソニック洗浄を施すようにした。この洗浄は、基板の端面および基板主面の周辺領域(端面近傍)で充分なパーティクル・汚れ除去がなされるように施されることが効果的である。この洗浄により光学膜上の直径0.1μm以上のパーティクル数を50個以下とすると、閃光照射後のパーティクル増加数は顕著に抑制され、パーティクル数を10個以下となるように洗浄を施すと、パーティクル増加数はさらに抑制される。また、チャンバ内圧力を真空(減圧)状態にしたまま閃光照射処理を施すと、基板表面上でのパーティクルの増加は顕著に抑制される。
【選択図】図1
Description
Claims (15)
- 主面上に光学膜を有する透明基板に洗浄処理を施した後に前記光学膜に閃光を照射して該光学膜の応力を緩和させるステップを備えていることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記洗浄処理は、前記透明基板の端面および基板主面の周辺領域に施されるものであることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記洗浄処理後の前記光学膜上の直径0.1μm以上のパーティクル数は50個以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記洗浄処理後の前記光学膜上の直径0.1μm以上のパーティクル数は10個以下であることを特徴とする請求項3に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記閃光の照射は、減圧下のチャンバ内で実行されることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記閃光の照射時間は、0.1msec乃至100msecであることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記洗浄処理はメガソニック洗浄であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記光学膜は位相シフト膜であることを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記光学膜はKrFレーザの波長(248nm)の光に対して5〜7%の透過率を有する位相シフト膜であり、前記閃光の照射エネルギは21.5J/cm2以下であることを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記光学膜はArFレーザの波長(193nm)の光に対して5〜7%の透過率を有する位相シフト膜であり、前記閃光の照射エネルギは32.5J/cm2以下であることを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記光学膜はF2レーザの波長(157nm)の光に対して5〜7%の透過率を有する位相シフト膜であり、前記閃光の照射エネルギは41.5J/cm2以下であることを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記位相シフト膜は、珪素と珪素以外の少なくとも1種の金属を含む層を少なくとも1層備えていることを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記珪素以外の少なくとも1種の金属は、W、Mo、Ti、Ta、Zr、Hf、Nb、V、Co、Cr又はNiの何れかであることを特徴とする請求項12に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 前記位相シフト膜は、モリブデンシリサイド酸化物(MoSiO)、モリブデンシリサイド窒化物(MoSiN)、モリブデンシリサイド炭化物(MoSiC)、モリブデンシリサイド酸化窒化物(MoSiON)、モリブデンシリサイド酸化炭化物(MoSiOC)又はモリブデンシリサイド酸化窒化炭化物(MoSiONC)の層を備えていることを特徴とする請求項13に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
- 請求項1乃至14の何れか1項に記載の方法で製造されたフォトマスクブランク。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US10998185B2 (en) | 2018-03-21 | 2021-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, and method for fabricating a semiconductor device using the apparatus |
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2006
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