CN115220296A - 光刻掩模和方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及光刻掩模和方法。提供了一种光刻掩模，包括衬底、位于衬底上的相移层和蚀刻停止层。相移层被图案化并且衬底被蚀刻停止层保护免受蚀刻。蚀刻停止层可以是对光刻工艺中使用的光半透射的材料，或者可以是对光刻工艺中使用的光透射的材料。

Description

光刻掩模和方法
技术领域
本公开涉及光刻掩模和方法。
背景技术
半导体行业经历了指数级增长。材料和设计方面的技术进步产生了几代集成电路(IC)，其中每一代的电路都比上一代更小、更复杂。在IC演进的过程中，功能密度(单位芯片面积的互连器件数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件或线)已减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供好处。
发明内容
根据本公开的一方面，提供了一种光刻掩模，包括：衬底；相移层，位于所述衬底上；以及半透射蚀刻停止层，位于所述衬底和所述相移层之间。
根据本公开的一方面，提供了一种光刻掩模，包括：石英衬底；位于所述石英衬底上的图案化相移层，包括MoSi化合物；以及位于所述衬底和所述图案化相移层之间的透射蚀刻停止层，包括化学式为AlxSiyOz的材料，其中x+y+z＝1。
根据本公开的一方面，提供了一种形成光刻掩模的方法，包括：在衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成相移层；在所述相移层上形成图案化层；在所述图案化层上形成图案化硬掩模层；使用所述图案化硬掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述图案化层以在所述图案化层中形成多个开口，所述多个开口暴露所述相移层的表面；以及使用经蚀刻的图案化层作为蚀刻掩模来蚀刻所述相移层以在其中形成多个开口，所述相移层中的多个开口暴露所述蚀刻停止层的表面。
附图说明
当结合附图阅读时，通过下面的具体实施方式可以最好地理解本公开的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。
图1A和图1B是根据本公开的两个实施例的光刻掩模的两个实施例的截面图。
图2A-2E是根据一些实施例的在图4的制造工艺的各个阶段的光刻掩模的截面图。
图3A-3E是根据一些实施例的在图5的制造工艺的各个阶段的光刻掩模的截面图。
图4是根据一些实施例的用于制造图1A的光刻掩模的方法的流程图。
图5是根据一些实施例的用于制造图1B的光刻掩模的方法的流程图。
图6是根据本公开的实施例的使用光刻掩模的方法的流程图。
图7是根据本公开的实施例的使用光刻掩模的方法的流程图。
具体实施方式
下面的公开内容提供了用于实现所提供的主题的不同特征的许多不同的实施例或示例。下文描述了组件和布置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅是示例而不旨在进行限制。例如，在下面的描述中，在第二特征之上或在第二特征上形成第一特征可以包括以直接接触的方式形成第一特征和第二特征的实施例，并且还可以包括可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征使得第一特征和第二特征不直接接触的实施例。此外，本公开在各个示例中可以重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不表示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
此外，本文中可以使用空间相关术语(例如，“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等)，以易于描述附图中所示的一个要素或特征与另外(一个或多个)要素或(一个或多个)特征的关系。这些空间相关术语旨在涵盖器件在使用中或工作中的处于除了附图中所示朝向之外的不同朝向。装置可能以其他方式定向(旋转90度或处于其他朝向)，并且本文使用的空间相关描述符同样可以相应地进行解释。
在集成电路(IC)的制造中，表示IC的不同层的图案是使用一系列可重复使用的光掩模(在本文中也称为光刻掩模或掩模)来制造的。在半导体器件制造工艺中，光掩模用于将IC的每一层的设计转移到半导体衬底上。
随着IC尺寸的缩小，各种类型的光刻技术(例如，利用来自ArF激光的约193nm波长的浸没式光刻技术或波长为13.5nm的极紫外(EUV)光刻)被用于例如使非常小的图案(例如，纳米级图案)从掩模转移到半导体晶圆的光刻工艺。
对具有更密集封装的集成器件的持续需求导致了光刻工艺的改变，以形成更小的个体特征尺寸。由工艺可获得的最小特征尺寸或“临界尺寸”(CD)近似地由公式CD＝k1*λ/NA确定，其中k1是特定于工艺的系数，λ是所施加的光/能量的波长，NA是从衬底或晶圆上看到的光学透镜的数值孔径。
对于具有给定k1值的密集特征的制造，将小特征的可用图像投影到晶圆上的能力受到波长λ和投影光学器件从照明掩模捕获足够衍射级的能力的限制。当密集特征或孤立特征由特定尺寸和/或形状的光掩模或掩模版制成时，投影图像边缘处的明暗之间的过渡可能没有足够清晰地定义以致于无法正确形成目标光致抗蚀剂图案。除其他外，这可能导致降低航拍图像的对比度以及所得光致抗蚀剂轮廓的质量。因此，尺寸为150nm或以下的特征可能需要利用相移掩模(PSM)技术来增强晶圆处的图像质量，例如，锐化特征的边缘以改善抗蚀剂轮廓。
相移通常涉及选择性地改变穿过光掩模/掩模版的部分能量的相位，使得相移能量与在待曝光和图案化的晶圆上的材料表面处未相移的能量相加或相减。通过仔细控制掩模特征的形状、位置和相移角，所得光致抗蚀剂图案可以具有更精确定义的边缘。随着特征尺寸的减小，0°和180°相位部分之间的透射强度不平衡以及从180°变化的相移会导致光致抗蚀剂图案的显著临界尺寸(CD)变化和布置错误。
可以通过多种方式获得相移。例如，一种称为衰减相移(AttPSM)的工艺利用包括不透明材料层的掩模，该掩模使穿过不透明材料的光与穿过掩模透明部分的光相比发生相位变化。此外，与透过掩模的透明部分的光量相比，不透明材料可以调整透过不透明材料的光量(强度/幅度)。
另一种技术被称为交替相移，其中透明掩模材料(例如，石英或SiO2衬底)被定尺寸(例如蚀刻)以具有不同深度或厚度的区域。深度被选择以在穿过不同深度/厚度的区域的光中产生期望的相对相位差。所得掩模被称为“交替相移掩模”或“交替移相掩模”(AltPSM)。一种或多种AttPSM和AltPSM在本文中称为“APSM”。AltPSM中深度较厚的部分被称为0°相位部分，而AltPSM中深度较少的部分被称为180°相位部分。深度差允许光在透明材料中传播一半波长，在0°和180°部分之间生成180°的相位差。在一些实施方式中，图案化相移材料位于透明掩模衬底的未被蚀刻成不同深度的部分上方。相移材料是影响穿过相移材料的光的相位使得穿过相移材料的光的相位相对于未穿过相移材料的光(例如，仅穿过透明掩模衬底材料而不穿过相移材料)的相位发生移位的材料。相对于穿过掩模的未被相移材料覆盖的部分的入射光量，相移材料还可以减少穿过相移材料的光量。
在形成图案化相移材料期间，其上形成相移层的透明掩模衬底可以暴露于可以蚀刻衬底的材料。不希望的衬底蚀刻可能会改变掩模衬底部分的相对深度/厚度，这会对APSM掩模产生所需相移的能力产生负面影响。这种不希望的蚀刻可能会导致光掩模引起的成像像差，从而导致与特征尺寸相关的焦点和图案布置移位。
在本公开的实施例中，描述了APSM结构和产生这种APSM结构的方法。根据本文描述的实施例的ASPM结构包括蚀刻停止层，该蚀刻停止层保护透光衬底免受在ASPM形成期间使用的能够蚀刻衬底的材料的影响。所述的方法利用蚀刻停止层来最小化或防止对下面的衬底的蚀刻，这可能以不希望的方式影响相移。在一些实施例中，蚀刻停止层对入射光基本上是透明的，例如，在浸没光刻技术中使用的具有约194纳米波长的光，并且在其他实施例中，蚀刻停止层对入射光较不透明。
图1A是根据本公开的实施例的光刻掩模200(例如，APSM)的截面图。参考图1A，APSM掩模200包括衬底202和位于衬底202的前表面之上的相移层204。蚀刻停止层206位于相移层204和衬底202之间。在图1A所示的实施例中，相移层204和蚀刻停止层206的部分被去除以提供开口208a、208b和208c，衬底202的上表面通过开口208a、208b和208c暴露。在图1A的实施例中，蚀刻停止层206对在光刻工艺期间将入射在掩模200上的光具有有限透明度。ASPM掩模200包括围绕ASPM掩模200的图像区域222的外围的图像边界特征220P。在一些实施例中，相移材料层204和半透射蚀刻停止层206被蚀刻使得相移材料层204和半透射蚀刻停止层206的位于图像边界特征220P下面的部分与相移材料层204和蚀刻停止层206的其余部分间隔开。在这样的实施例中，相移材料层204和半透射蚀刻停止层206的位于图像边界特征220P下面的部分通过沟槽(未示出)与相移材料层204和蚀刻停止层206的其余部分间隔开。
图1B是根据本公开的另一实施例的APSM 211的截面图。参考图1B，APSM掩模211包括衬底212和位于衬底212前表面之上的相移层214。蚀刻停止层216位于相移层214下面和衬底212上面。在图1B所示的实施例中，相移层214的部分被去除以提供开口218a、218b和218c，蚀刻停止层216的上表面通过开口218a、218b和218c暴露。在图1B的实施例中，蚀刻停止层216对于在其中部署掩模的光刻工艺期间将落在掩模上的入射光基本上是100％透明的。ASPM掩模211包括围绕ASPM掩模211的图像区域252的外围的图像边界特征250P。图像边界特征250P类似于上面参考图1A描述的图像边界特征220P。
图像边界特征220P和250P对应于图1A和图1B中的掩模200和211的未图案化区域。在IC制造期间，图像边界特征220P和250P不用于曝光工艺。在一些实施例中，掩模200和211的图像区域222和252分别在图1A和图1B中位于衬底202和212的中心区域处，并且图像边界特征220P和250P分别位于衬底202和212的边缘部分。
图4是根据一些实施例的用于制造光刻掩模(例如，图1A的浸没式光刻ASPM掩模200)的方法400的流程图。图2A至图2E是根据一些实施例在制造工艺的各个阶段的掩模200的截面图。下文将参考图2A-2E中的掩模200详细讨论方法400。在一些实施例中，在方法400之前、期间和/或之后执行附加操作，或者替换和/或消除所述的一些操作。在一些实施例中，以下描述的一些特征被替换或消除。本领域的普通技术人员将理解，尽管一些实施例是用以特定顺序执行的操作来讨论的，但是这些操作可以以另一种逻辑顺序来执行。
参考图4和图2A，根据一些实施例，方法400包括操作402、404、406、408和410，其中半透射蚀刻停止层206、相移材料层204、图案化层220、硬掩模层208和光致抗蚀剂层210形成在衬底202之上。图2A是在分别在衬底202之上形成半透射蚀刻停止层206、相移材料层204、图案化层220、硬掩模层208和光致抗蚀剂层210的操作402、404、406、408和410已完成之后的掩模200的中间结构的截面图。
参考图2A，掩模200包括由玻璃、硅、石英或其他低热膨胀材料制成的衬底202。低热膨胀材料有助于在使用掩模200期间将由于掩模加热引起的图像失真最小化。在一些实施例中，衬底202包括熔融硅石、熔融石英、氟化钙、碳化硅、黑金刚石或氧化钛掺杂的氧化硅(SiO2/TiO2)。
在一些实施例中，衬底202的厚度在约1mm至约7mm的范围内。在一些实例中，如果衬底202的厚度太小，则掩模200的破损或翘曲的风险增加。在另一方面，在一些实例中，如果衬底202的厚度太大，则会不必要地增加掩模200的重量和成本。
在图4的操作402中，在衬底202的前表面之上设置半透射蚀刻停止层206。在一些实施例中，蚀刻停止层206与衬底202的前表面直接接触。在一些实施例中，蚀刻停止层206对于光刻工艺中使用的光能是半透射的。例如，在一些实施例中，蚀刻停止层对深UV、近UV或浸没式光刻中使用的光能、来自具有约193纳米波长的ArF准分子激光器的光是半透射的。对光或辐射半透射是指材料透射少于70％的入射到材料表面的光。例如，在一些实施例中，半透射蚀刻停止层206透射至多70％的入射到蚀刻停止层206上的辐射。在其他实施例中，蚀刻停止层透射至多60％的入射到蚀刻停止层206上的辐射。在一些实施例中，蚀刻停止层透射至多50％的入射在蚀刻停止层206上的辐射。在其他实施例中，蚀刻停止层透射至多40％的入射在蚀刻停止层206上的辐射。在一些实施例中，蚀刻停止层透射至多30％的入射到蚀刻停止层206上的辐射。
可用作蚀刻停止层206的材料的示例包括对用于蚀刻下文描述的相移层204的材料的材料具有抗蚀性的材料。在相移层204由MoSi化合物形成的实施例中，使用含氟蚀刻剂来蚀刻相移层204。根据本公开的实施例，蚀刻停止层206对含氟蚀刻剂具有抗蚀性。可用于去除相移层204的部分的含氟蚀刻剂的示例包括含氟气体，例如CF4、CHF3、C2F6、CH2F2、SF6或其组合。对含氟蚀刻剂具有抗蚀性并且可用作蚀刻停止层206的材料包括CrON、Ru和Ru的复合物，例如Ru-Nb、Ru-Zr、Ru-Ti、Ru-Y、Ru-B、Ru-P等。根据本公开的实施例不限于这些特定材料的蚀刻停止层。根据本文所述的实施例，对入射光半透射并且对上述含氟蚀刻剂具有抗蚀性的其他材料可以用作蚀刻停止层。在其他实施例中，可以使用对入射光半透射并且对除可用于蚀刻相移层204的含氟蚀刻剂之外的蚀刻剂具有抗蚀性的材料。
在一些实施例中，蚀刻停止层206可以用含氯蚀刻剂蚀刻。使用可以用含氯蚀刻剂蚀刻的蚀刻停止层206的一个优点是用作衬底202的材料(例如石英)不会被含氯蚀刻剂蚀刻。含氯蚀刻剂的示例包括含氯气体(例如Cl2、SiCl4、HCl、CCl4、CHCl3、其他含氯气体或它们的组合)和含氧气体(例如O2、其他含氧气体或其组合)。
在一些实施例中，蚀刻停止层206具有约1至20nm之间的厚度。在其他实施例中，蚀刻停止层206具有约1至10nm之间的厚度。根据本公开的实施例不限于具有在1到20nm之间或在1到10nm之间的厚度的蚀刻停止层。例如，在一些实施例中，蚀刻停止层206可以比1nm薄或者可以比20nm厚。
蚀刻停止层206可以通过各种方法形成，包括物理气相沉积(PVD)工艺(例如，蒸发和DC磁控溅射)、镀敷工艺(例如，化学镀或电镀)、化学气相沉积(CVD)工艺(例如，大气压CVD、低压CVD、等离子增强CVD或高密度等离子CVD)、离子束沉积、旋涂、金属有机分解(MOD)、其他合适的方法或它们的组合。
在操作404中，在衬底202的前表面之上设置相移材料层204。在一些实施例中，相移材料层204与衬底202上的蚀刻停止层206的前表面直接接触。相移材料层204在入射在相移材料层204上和透过相移材料层204的光中产生相移。根据本公开的实施例，在进入相移材料204并穿过相移材料层204和图案化蚀刻停止层206的光中产生的相移的度数，与不穿过相移材料层204和蚀刻停止层206的入射光的相位相比，可以通过改变相移材料层204的折射率和厚度和/或蚀刻停止层206的折射率和厚度来调整。在一些实施例中，相移材料层204和蚀刻停止层206的折射率和厚度被选择为使得在进入相移材料层204并穿过相移材料204和图案化蚀刻停止层206的光中产生的相移约为180度。根据本公开的实施例不限于产生180°相移。例如，在其他实施例中，期望的相移可以大于或小于180°。
在一些实施例中，进入相移材料204并穿过相移材料204和图案化蚀刻停止层206的入射光的透射，与不穿过相移材料层204或蚀刻停止层206的入射光的透射相比，可以通过改变相移材料层204和/或蚀刻停止层206的吸收系数来调整。
相移材料层204的折射率和厚度可以单独调整或与蚀刻停止层206的折射率和厚度组合调整，以提供期望的相移。相移材料层204的折射率可以通过改变相移材料层204的材料成分来调整。例如，可以改变MoSi化合物中Mo与Si的比例来调整相移材料层204的折射率。用诸如B、C、O、N、Al等元素掺杂相移材料层204将调整相移材料层204的折射率。
根据本公开的实施例，可以通过调整相移材料层204的入射光吸收系数来调整相移材料层204对入射光的透射。例如，增加相移材料层204的EUV吸收系数将降低入射光通过相移材料层204的透射。降低相移材料层204的吸收系数将增加入射光通过相移材料层204的透射。相移材料层204的吸收系数可以通过改变相移材料层204的材料的成分来调整。例如，MoSi化合物中Mo与Si的比例可以改变以调整相移材料层204的吸收系数。用诸如B、C、O、N、Al、Ge、Sn、Ta等元素掺杂相移材料层204将调整相移材料层204的吸收系数。
根据一些实施例，相移层204的厚度可以基于期望的相移度数而改变。例如，使相移层更厚可以增加或减少相移。在其他示例中，使相移层更薄可以增加或减少相移。在一些实施例中，相移层204具有约30到100纳米之间的厚度。应当理解，根据本公开的实施例不限于具有约30到100nm之间的厚度的相移层204。在其他实施例中，相移层204具有小于30nm或大于100nm的厚度。
可用作相移层204的材料包括MoSi化合物等。例如，相移层204包括MoSi化合物，例如MoSi、MoSiCON、MoSiON、MoSiCN、MoSiCO、MoSiO、MoSiC和MoSiN。根据本公开的实施例不限于利用前述MoSi化合物的相移层。在其他实施例中，相移层204包括除MoSi化合物之外的化合物，该化合物能够将入射在相移层上的光的相位移动例如180度。
相移层204可以通过各种方法形成，包括物理气相沉积(PVD)工艺(例如，蒸发和DC磁控溅射)、镀敷工艺(例如，化学镀或电镀)、化学气相沉积(CVD)工艺(例如，大气压CVD、低压CVD、等离子增强CVD或高密度等离子CVD)、离子束沉积、旋涂、金属有机分解(MOD)、其他合适的方法或它们的组合。
在操作406中，在相移材料层204之上沉积图案化层220。在一些实施例中，图案化层220被图案化并用作用于图案化相移材料层204的掩模。此外，如上所述，图案化层220的外围部分被图案化以围绕ASPM掩模200的图像区域222的外围形成图像边界特征220P。
在一些实施例中，图案化层220包括金属、金属氧化物或其他合适的材料。例如，图案化层220可以包括含钽材料(例如，Ta、TaN、TaNH、TaHF、TaHfN、TaBSi、TaB SiN、TaB、TaBN、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrN、其他含钽材料或它们的组合)、含铬材料(例如，Cr、CrN、CrO、CrC、CrON、CrCN、CrOC、CrOCN、其他含铬材料或它们的组合)、含钛材料(例如，Ti、TiN、其他含钛材料或它们的组合)、其他合适的材料或它们的组合。图案化层220的材料在本文中不受限制，并且可以包括能够阻挡入射光(为了提供具有光阻挡特性的图像边界特征220P的目的)并且相对于相移材料204和下面描述的硬掩模层208表现出选择性蚀刻或去除特性的其他材料层。
在本公开的一些实施例中，图案化层220为5至50nm厚。图案化层220可以通过各种方法形成，包括物理气相沉积(PVD)工艺(例如，蒸发和DC磁控溅射)、镀敷工艺(例如，化学镀或电镀)、化学气相沉积(CVD)工艺(例如，大气压CVD、低压CVD、等离子增强CVD或高密度等离子CVD)、离子束沉积、旋涂、金属有机分解(MOD)、其他合适的方法或它们的组合。
在操作408中，在图案化层220之上形成硬掩模层208。如下文更详细描述的，将图案化硬掩模层208并且将硬掩模层208的图案转移到图案化层220。在一些实施例中，硬掩模层208包括保护掩模200的图案化层220的材料。在一些实施例中，硬掩模层208和图案化层220的材料相对于用于去除下述光致抗蚀剂层210的材料具有相似的特性并且相对于用于蚀刻硬掩模层208的材料具有不同特性。在一些实施例中，硬掩模层208包括含铬材料，例如Cr、CrN、CrO、CrC、CrON、CrCN、CrOC、CrOCN、其他含铬材料或它们的组合。当硬掩模层208选自这些含铬材料时，图案化层220所选择的材料是相对于硬掩模层208的材料可以选择性蚀刻的材料。例如，当硬掩模层为含铬材料时，图案化层220并非含铬材料。在一些替代实施例中，硬掩模层208包括可以用含氟蚀刻剂蚀刻的含钽材料，例如Ta、TaN、TaNH、TaHF、TaHfN、TaBSi、TaB SiN、TaB、TaBN、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrN、其他含钽材料或它们的组合。
在一些实施例中，硬掩模层208具有约3.5nm至约5nm的厚度。硬掩模层208可以通过各种方法形成，包括物理气相沉积(PVD)工艺(例如，蒸发和DC磁控溅射)、镀敷工艺(例如，化学镀或电镀)、化学气相沉积(CVD)工艺(例如，大气压CVD、低压CVD、等离子增强CVD或高密度等离子CVD)、离子束沉积、旋涂、金属有机分解(MOD)、其他合适的方法或它们的组合。
在操作410中，在硬掩模层208之上沉积光致抗蚀剂层210。光致抗蚀剂层210被图案化，如下文更详细描述的，并且图案化光致抗蚀剂用作掩模以图案化下面的硬掩模层208。在一些实施例中，光致抗蚀剂层210的图案将在后续工艺中转移到相移材料层204上。在一些实施例中，光致抗蚀剂层210可以是采用酸催化的化学放大型抗蚀剂。例如，光致抗蚀剂层210的光致抗蚀剂可以通过将酸敏聚合物溶解在铸膜液(casting solution)中来配制。在一些实施例中，光致抗蚀剂层210的光致抗蚀剂可以是正性光致抗蚀剂，其将使随后形成的图案具有与掩模上的图案相同的轮廓(未示出)。在一些替代实施例中，光致抗蚀剂层210的光致抗蚀剂可以是负性光致抗蚀剂，其将使随后形成的图案具有与掩模上的图案相对应的开口(未示出)。可以通过旋涂或其他类似技术来形成光致抗蚀剂层210。
参考图2B，示出了在对光致抗蚀剂层210和硬掩模208进行图案化之后的掩模200的中间结构。另外参考图4，在操作412，通过对光致抗蚀剂层210执行曝光工艺来图案化光致抗蚀剂层210。曝光工艺可以包括具有掩模的光刻技术(例如，光刻工艺)或无掩模的光刻技术(例如，电子束(e-beam)曝光工艺或离子束曝光工艺)。在曝光工艺之后，可以执行后烘烤工艺以硬化光致抗蚀剂层210的至少一部分。根据光致抗蚀剂层210的(一种或多种)材料或类型，光致抗蚀剂层的聚合物在光束照射和烘烤时可能会发生不同的反应(聚合物的断链或交联)。此后，执行显影工艺以去除光致抗蚀剂层210的至少一部分。在一些实施例中，正性抗蚀剂材料的曝光于光束的部分可能发生断链反应，使得与未曝光于光束的其他部分相比，曝光部分更容易被显影剂去除。在另一方面，负性抗蚀剂材料的曝光于光束的部分可能发生交联反应，使得与未曝光于光束的其他部分相比，曝光部分更难以被显影剂去除。在一些实施例中，在光致抗蚀剂层210的显影之后，下面的硬掩模层208的部分被暴露。
继续参考图2B，在光致抗蚀剂层210的显影完成之后，在操作414，穿过经显影的光致抗蚀剂层210中的开口蚀刻硬掩模层208。通过穿过经显影的光致抗蚀剂层210中的开口蚀刻硬掩模层208的曝光部分来对硬掩模层208进行图案化。蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺或它们的组合。干法和湿法蚀刻工艺具有可调整的蚀刻参数，例如所使用的蚀刻剂、蚀刻温度、蚀刻溶液浓度、蚀刻压力、源功率、RF偏置电压、RF偏置功率、蚀刻剂流速和其他合适的参数，从而相对于在蚀刻硬掩模层208期间将暴露于蚀刻剂的其他材料，对硬掩模层208的材料具有选择性。在一些实施例中，在去除硬掩模层208的部分时使用含氟蚀刻剂。含氟蚀刻剂的示例包括含氟气体，例如CF4、CHF3、C2F6、CH2F2、SF6或它们的组合。
在操作416，去除图案化光致抗蚀剂层210以暴露硬掩模208的剩余部分。图案化光致抗蚀剂层210可以通过湿法剥离或等离子灰化去除。在操作418，通过穿过硬掩模层208中的开口蚀刻图案化层220，将硬掩模层208中的图案转移到图案化层220。通过将图案化层220暴露于蚀刻剂来执行对图案化层220的蚀刻，该蚀刻剂与在蚀刻图案化层220的步骤期间将暴露于蚀刻材料的其他材料相比，对图案化层220的材料具有选择性。蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺或它们的组合。干法和湿法蚀刻工艺具有可调整的蚀刻参数，例如所使用的蚀刻剂、蚀刻温度、蚀刻溶液浓度、蚀刻压力、源功率、RF偏置电压、RF偏置功率、蚀刻剂流速和其他合适的参数，从而相对于在蚀刻图案化层220期间将暴露于蚀刻剂的其他材料(例如图案化硬掩模层208)，对图案化层220的材料具有选择性。在一些实施例中，图案化层220的蚀刻工艺使用含氯气体(例如Cl2、SiCl4、HCl、CCl4、CHCl3、其他含氯气体或它们的组合)和含氧气体(例如O2、其他含氧气体或它们的组合)。在对图案化层220的图案化完成之后，在操作420去除图案化硬掩模层208，例如，使用氧等离子体或湿法蚀刻。
参考图2C，示出了在已穿过经图案化的图案化层220对相移材料层204进行图案化之后的掩模200的中间结构。在图2C中，图案化光致抗蚀剂层210和图案化硬掩模层208已经如上所述被去除。参考图4，在操作422中，通过穿过图案化层220中的开口230蚀刻相移材料层204，将经图案化的图案化层220的图案转移到相移材料层204。相移材料层204的图案化通过相移材料层204中的开口240暴露停止层206的部分。相移材料层204的蚀刻是通过以下方式实现的：使穿过图案化层220中的开口230暴露的相移材料层204的部分暴露于对相移材料层204的材料相对于图案化层220的材料和停止层206的材料具有选择性的蚀刻剂。蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺或其组合。干法和湿法蚀刻工艺具有可调整的蚀刻参数，例如所使用的蚀刻剂、蚀刻温度、蚀刻溶液浓度、蚀刻压力、源功率、RF偏置电压、RF偏置功率、蚀刻剂流速和其他合适的参数，从而相对于在蚀刻相移材料层204期间将暴露于蚀刻剂的其他材料(例如，经图案化的图案化层220和停止层206)，对相移材料层204的材料具有选择性。在一些实施例中，含氟蚀刻剂用于去除相移层204的部分。含氟蚀刻剂的示例包括含氟气体，例如CF4、CHF3、C2F6、CH2F2、SF6或它们的组合。在将图案化层220的图案转移到相移材料层204完成之后，在操作424去除经图案化的图案化层220。在如下所述的其他实施例中，在操作426执行对经图案化的图案化层220的去除的同时通过蚀刻对蚀刻停止层206进行图案化。
在操作426，将相移材料层204的图案转移到蚀刻停止层206。相移材料层204的图案的转移通过穿过相移材料层204中的开口240对蚀刻停止层206进行蚀刻来实现。在一些实施例中，对蚀刻停止层206的蚀刻使用含氯气体(例如，Cl2、SiCl4、HCl、CCl4、CHCl3、其他含氯气体或它们的组合)和含氧气体(例如O2、其他含氧气体或其组合)。在其他实施例中，可以使用除含氯气体和含氧气体之外的蚀刻剂来对蚀刻停止层206进行蚀刻。例如，可以使用相对于相移材料层204的材料对蚀刻停止层206的材料具有选择性并且相对于衬底202的材料对蚀刻停止层206的材料具有选择性的蚀刻剂来对蚀刻停止层206进行蚀刻。根据一些实施例，当图案化层220和蚀刻停止层206关于蚀刻剂具有相似的选择性时，经图案化的图案化层220可以在蚀刻停止层206被图案化的相同步骤中被去除。例如，当使用含氯蚀刻剂图案化蚀刻停止层206时，经图案化的图案化层250可以通过暴露于含氯蚀刻剂来去除。图2D示出了根据本公开的实施例的在对蚀刻停止层206的蚀刻完成之后并且可选地在步骤426中去除经图案化的图案化层250之后的掩模200。掩模200包括蚀刻停止层206中的开口290，衬底202的部分通过该开口290暴露。根据本公开的实施例，衬底202的蚀刻在操作426期间不会发生，因为用于图案化蚀刻停止层206的蚀刻剂对于蚀刻停止层206是选择性的并且不蚀刻衬底202。衬底202的蚀刻是不期望的因为这样的蚀刻可能改变衬底202的深度或厚度，从而潜在地导致入射光的不希望的或不可预测的相移。
根据本公开的一些实施例，参考图4和图2E，在操作428，在操作426中对蚀刻停止层进行蚀刻之后，在一些实施例中，蚀刻衬底202而不蚀刻或去除图案化的停止层206或图案化的相移材料层204的部分。根据这样的实施例，对衬底202的蚀刻去除衬底202的部分292并且通过将衬底202的穿过蚀刻停止层206中的开口290暴露的部分暴露于蚀刻剂来实现。使用对衬底202具有选择性且不去除蚀刻停止层206或去除图案化相移材料层204的蚀刻剂来蚀刻衬底202。在对蚀刻停止层206的蚀刻完成之后蚀刻衬底202，提供了更多仔细控制衬底202的蚀刻的机会，从而避免或减少由于衬底202的过度蚀刻或蚀刻不足而导致的不希望的相移或透射强度。
在对蚀刻停止层206的蚀刻完成之后，或者在根据一些实施例已经蚀刻衬底202之后，清洁光刻掩模200以从其中去除任何污染物。在一些实施例中，通过将掩模200浸入氢氧化铵(NH4OH)溶液中来清洁掩模200。
随后用例如波长为193nm的UV光辐照掩模200，以检查图案化区域222中的任何缺陷。可以从漫反射光中检测异物。如果检测到缺陷，则使用合适的清洁工艺进一步清洁掩模200。
由此形成在半导体光刻工艺中有用的掩模200。掩模200包括衬底202、位于衬底之上的图案化半透射蚀刻停止层206和位于图案化半透射蚀刻停止层206之上的图案化相移材料层204。根据该实施例，蚀刻停止层206保护下面的衬底202免受在掩模形成过程中使用的蚀刻剂的影响，否则这些蚀刻剂会蚀刻衬底。如上所述，选择相移材料层204的厚度、其折射率和入射光吸收特性、以及蚀刻停止层206的厚度、其折射率和入射光吸收特性，以提供入射在掩模200上的光的期望相移(例如180度)以及透过相移材料层204和半透射蚀刻停止层206的入射光量。此外，可以通过调整光在掩模200上的入射角来调整赋予穿过掩模200的光的相移量。结果，可以将掩模200上的图案精确地投射到硅晶圆上，以产生精确且可再现的图案。在衬底202如图2E所示已被蚀刻的实施例中，当优化相移材料层204的厚度、其折射率和入射光吸收特性、以及蚀刻停止层206的厚度、其折射率和入射光吸收特性时，要考虑对穿过衬底202的图案化部分的光的相移的影响以及对穿过衬底202的图案化部分的光的幅度的影响。
图1B是根据本公开的第二实施例的APSM掩模211的截面图。APSM掩模211包括衬底212和位于衬底212的前表面之上的相移层214。蚀刻停止层216位于相移层214下面和衬底212上面。在图1B所示的实施例中，相移层214的部分被去除以提供开口218a、218b和218c，蚀刻停止层216的上表面的部分通过开口218a、218b和218c暴露。在图1B的实施例中，蚀刻停止层216对于入射光、DUV、NUV或浸没式光刻中使用的光(例如来自具有约193纳米波长的ArF准分子激光器的光)基本上是100％透明的。与以上关于图1A描述的实施例的蚀刻停止层206不同，图1B的实施例的蚀刻停止层216不包括上覆相移材料层214的图案。类似于ASPM掩模200，图1B的ASPM掩模211包括围绕ASPM掩模211的图像区域252的外围的图像边界特征250P。如图1B中，图像边界特征250P对应于图1B中的掩模211的未图案化区域。在IC制造期间的曝光工艺中不使用图像边界特征250P。在一些实施例中，图1B中的掩模211的图像区域252位于衬底212的中心区域，并且图像边界特征250P位于衬底212的边缘部分。在一些实施例中，蚀刻相移材料层214和透射蚀刻停止层216，使得相移材料层214和透射蚀刻停止层216的位于图像边界特征250P下面的部分与相移材料层214和蚀刻停止层216的其余部分间隔开。在这样的实施例中，相移材料层214和透射蚀刻停止层216的位于图像边界特征250P下面的部分与相移材料层214和蚀刻停止层216的其余部分通过沟槽(未示出)间隔开。
图5是根据一些实施例的用于制造掩模(例如，ASPM掩模211)的方法500的流程图。图3A至图3E是根据一些实施例在制造工艺的各个阶段的掩模211的截面图。下文将参考图3A-3E中的掩模211详细讨论方法500。在一些实施例中，在方法500之前、期间和/或之后执行附加操作，或者替换和/或消除所述的一些操作。在一些实施例中，以下描述的一些特征被替换或消除。本领域的普通技术人员将理解，尽管一些实施例是用以特定顺序执行的操作来讨论的，但是这些操作可以以另一种逻辑顺序来执行。
参考图5和图3A，根据一些实施例，方法500包括操作502、504、506、508和510，其中透射蚀刻停止层216、相移材料层214、图案化层250、硬掩模层218和光致抗蚀剂层260形成在衬底212之上。图3A是在分别在衬底212之上形成透射蚀刻停止层216、相移材料层214、图案化层250、硬掩模层218和光致抗蚀剂层260已完成之后的中间结构的截面图。
参考图3A，掩模211包括由玻璃、硅、石英或其他低热膨胀材料制成的衬底212。低热膨胀材料有助于在使用掩模211期间将由于掩模加热引起的图像失真最小化。在一些实施例中，衬底212包括熔融硅石、熔融石英、氟化钙、碳化硅、黑金刚石或氧化钛掺杂的氧化硅(SiO2/TiO2)。
在一些实施例中，衬底212的厚度在约1mm至约7mm的范围内。在一些实例中，如果衬底212的厚度太小，则掩模211的破损或翘曲的风险增加。在另一方面，在一些实例中，如果衬底212的厚度太大，则会不必要地增加掩模212的重量和成本。
在图5的操作502中，在衬底212的前表面之上设置透射蚀刻停止层216。在一些实施例中，蚀刻停止层216与衬底212的前表面直接接触。在一些实施例中，蚀刻停止层216对于光刻工艺中使用的光能是透射的。如本文所使用的，透射蚀刻停止层是指由透射超过70％的入射在材料上的光的材料形成的蚀刻停止层。例如，在一些实施例中，蚀刻停止层对于浸没式光刻工艺中使用的辐射是可透射的。例如，在一些实施例中，透射蚀刻停止层216透射超过90％的入射在透射蚀刻停止层216上的辐射。在其他实施例中，透射蚀刻停止层216透射超过95％的入射在透射蚀刻停止层216上的辐射。在一些实施例中，透射蚀刻停止层216透射超过99％的入射在透射蚀刻停止层216上的辐射，例如，蚀刻停止层216透射约99.5％或更多的入射在透射蚀刻停止层216上的辐射。
可用作透射蚀刻停止层216的材料的示例包括保护下面的衬底212免受用于蚀刻通过蚀刻停止层216与衬底212间隔开的特征的蚀刻剂的材料。例如，在相移层214由MoSi化合物形成的实施例中，使用含氟蚀刻剂来蚀刻相移层214。根据本公开的实施例，蚀刻停止层216的材料对含氟蚀刻剂具有抗蚀性并且对入射辐射是透射的。可用于去除相移层204的部分的含氟蚀刻剂的示例包括含氟气体，例如CF4、CHF3、C2F6、CH2F2、SF6或其组合。对含氟蚀刻剂具有抗蚀性并且对于入射辐射透射的材料包括AlxSiyOz(x+y+z＝1)。根据本公开的实施例不限于仅包括AlxSiyOz(x+y+z＝1)的蚀刻停止层。根据本文描述的实施例，对于入射辐射透射并且对含氟蚀刻剂或用于蚀刻相移材料层214的其他蚀刻剂具有抗蚀性的其他材料可以用作蚀刻停止层216。在其他实施例中，蚀刻停止层216的材料对含氯蚀刻剂具有抗蚀性并且对于EUV辐射透射。含氯蚀刻剂的示例包括含氯气体(例如Cl2、SiCl4、HCl、CCl4、CHCl3、其他含氯气体或它们的组合)和含氧气体(例如O2、其他含氧气体或它们的组合)。对含氯蚀刻剂具有抗蚀性并且对于入射辐射透射的材料包括AlxSiyOz(x+y+z＝1)。
在一些实施例中，蚀刻停止层216具有约1至20nm之间的厚度。在其他实施例中，蚀刻停止层216具有约1至10nm之间的厚度。根据本公开的实施例不限于具有在1到20nm之间或在1到10nm之间的厚度的蚀刻停止层。例如，在一些实施例中，蚀刻停止层216可以比1nm薄或者可以比20nm厚。
蚀刻停止层216可以通过各种方法形成，包括物理气相沉积(PVD)工艺(例如，蒸发和DC磁控溅射)、镀敷工艺(例如，化学镀或电镀)、化学气相沉积(CVD)工艺(例如，大气压CVD、低压CVD、等离子增强CVD或高密度等离子CVD)、离子束沉积、旋涂、金属有机分解(MOD)、其他合适的方法或它们的组合。
在操作504中，在衬底212的前表面之上设置相移材料层214。在一些实施例中，相移材料层214与衬底202上的蚀刻停止层216的前表面直接接触。相移材料层214在入射在相移材料层214上和透过相移材料层214的光中产生相移。根据本公开的实施例，在进入相移材料层214并穿过相移材料层214的光中产生的相移的度数，与不穿过相移材料层214的入射光的相位相比，可以通过改变相移材料层214的折射率和厚度来调整。在一些实施例中，相移材料层214的折射率和厚度被选择为使得在进入相移材料层214并穿过相移材料层214的光中产生的相移约为180度。根据本公开的实施例不限于产生180°相移。例如，在其他实施例中，期望的相移可以大于或小于180°。与蚀刻停止层对入射光仅半透射的图1A的实施例不同，图1B的实施例中的蚀刻停止层216对入射光基本上完全透射。因此，入射在蚀刻停止层216上并透过蚀刻停止层216的光的相位几乎没有改变。换言之，相对于入射在蚀刻停止层216上的未穿过相移材料层214的光，在穿过相移材料层214的入射光中产生的相移将在两种类型的光穿过蚀刻停止层216之后保持。
在一些实施例中，进入相移材料层214并穿过相移材料层214的入射光的透射，与不穿过相移材料层214的入射光的透射相比，可以通过改变相移材料层214的吸收系数来调整。另外，可以通过改变蚀刻停止层216的材料的吸收系数来调整入射在蚀刻停止层216上的光的透射。
相移材料层214的折射率可以按照与如上所述调整相移材料层204的折射率相同的方式进行调整。
根据本公开的实施例，可以通过调整相移材料层214的入射光吸收系数来调整相移材料层214对入射光的透射。例如，增加相移材料层214的吸收系数将降低入射光通过相移材料层214的透射。降低相移材料层214的吸收系数将增加入射光通过相移材料层214的透射。可以如上文关于调整相移材料层204的吸收系数所描述的那样调整相移材料层214的吸收系数。
根据本公开的实施例，可以通过调整蚀刻停止层216的吸收系数来调整蚀刻停止层216对入射光的透射。例如，增加蚀刻停止层216的吸收系数将降低入射光通过蚀刻停止层216的透射。降低蚀刻停止层216的吸收系数将增加入射光通过蚀刻停止层216的透射。可以如上文关于蚀刻停止层206所述的相同方式来调整蚀刻停止层216的吸收系数。
根据一些实施例，相移层214具有在30到100纳米之间的厚度。根据本公开的实施例不限于具有在前述范围内的厚度的相移层214。例如，在其他实施例中，相移层具有的厚度可以低于上述范围或高于上述范围。
可用作相移层214的材料包括MoSi化合物等。例如，相移层214包括MoSi化合物，例如MoSi、MoSiCON、MoSiON、MoSiCN、MoSiCO、MoSiO、MoSiC和MoSiN。根据本公开的实施例不限于利用前述MoSi化合物的相移层。在其他实施例中，相移层214包括除MoSi化合物之外的化合物，该化合物能够将入射在相移层上的光的相位例如移动180度。
相移层214可以通过各种方法形成，包括物理气相沉积(PVD)工艺(例如，蒸发和DC磁控溅射)、镀敷工艺(例如，化学镀或电镀)、化学气相沉积(CVD)工艺(例如，大气压CVD、低压CVD、等离子增强CVD或高密度等离子CVD)、离子束沉积、旋涂、金属有机分解(MOD)、其他合适的方法或它们的组合。
在操作506中，在相移材料层214之上沉积图案化层250。在一些实施例中，图案化层250被图案化并用作用于图案化相移材料层214的掩模。此外，如上所述，图案化层250的外围部分被图案化以围绕ASPM掩模211的图像区域252的外围形成图像边界特征250P。
在一些实施例中，图案化层250包括金属、金属氧化物或其他合适的材料。例如，图案化层250可以包括含钽材料(例如，Ta、TaN、TaNH、TaHF、TaHfN、TaBSi、TaB SiN、TaB、TaBN、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrN、其他含钽材料或它们的组合)、含铬材料(例如，Cr、CrN、CrO、CrC、CrON、CrCN、CrOC、CrOCN、其他含铬材料或它们的组合)、含钛材料(例如，Ti、TiN、其他含钛材料或它们的组合)、其他合适的材料或它们的组合。图案化层250的材料在本文中不受限制，并且可以包括能够阻挡入射光并且相对于相移材料层214和硬掩模层218表现出选择性蚀刻或去除特性的其他材料。
在本公开的一些实施例中，图案化层250为5至50nm厚。图案化层250可以通过各种方法形成，包括物理气相沉积(PVD)工艺(例如，蒸发和DC磁控溅射)、镀敷工艺(例如，化学镀或电镀)、化学气相沉积(CVD)工艺(例如，大气压CVD、低压CVD、等离子增强CVD或高密度等离子CVD)、离子束沉积、旋涂、金属有机分解(MOD)、其他合适的方法或它们的组合。
在操作508中，在图案化层250之上形成硬掩模层218。如下文更详细描述的，将图案化硬掩模层218并且将硬掩模层218的图案转移到图案化层250。在一些实施例中，硬掩模层218包括保护掩模211的图案化层250的材料。在一些实施例中，硬掩模层218和图案化层250的材料相对于用于去除下述钝化层和光致抗蚀剂层210的材料具有相似的特性并且相对于用于蚀刻硬掩模层218的材料具有不同特性。在一些实施例中，硬掩模层218包括含铬材料，例如Cr、CrN、CrO、CrC、CrON、CrCN、CrOC、CrOCN、其他含铬材料或它们的组合。当硬掩模层218选自这些含铬材料时，图案化层250所选择的材料是相对于硬掩模层218的材料可以选择性蚀刻的材料。例如，当硬掩模层为含铬材料时，图案化层250并非含铬材料。在一些替代实施例中，硬掩模层218包括可以用含氟蚀刻剂蚀刻的含钽材料，例如Ta、TaN、TaNH、TaHF、TaHfN、TaBSi、TaB SiN、TaB、TaBN、TaSi、TaSiN、TaGe、TaGeN、TaZr、TaZrN、其他含钽材料或它们的组合。
在一些实施例中，硬掩模层218具有约3.5nm至约5nm的厚度。硬掩模层218可以通过各种方法形成，包括物理气相沉积(PVD)工艺(例如，蒸发和DC磁控溅射)、镀敷工艺(例如，化学镀或电镀)、化学气相沉积(CVD)工艺(例如，大气压CVD、低压CVD、等离子增强CVD或高密度等离子CVD)、离子束沉积、旋涂、金属有机分解(MOD)、其他合适的方法或它们的组合。
在操作510中，在硬掩模层218之上沉积光致抗蚀剂层260。光致抗蚀剂层260被图案化，如下文更详细描述的，并且图案化光致抗蚀剂用作掩模以图案化下面的硬掩模层218。在一些实施例中，光致抗蚀剂将如下文更详细描述的那样被图案化，并且这样的图案将在后续工艺中转移到相移材料层214上。在一些实施例中，光致抗蚀剂层260可以是采用酸催化的化学放大型抗蚀剂。例如，光致抗蚀剂层260的光致抗蚀剂可以通过将酸敏聚合物溶解在铸膜液中来配制。在一些实施例中，光致抗蚀剂层260的光致抗蚀剂可以是正性光致抗蚀剂，其将使随后形成的图案具有与掩模上的图案相同的轮廓(未示出)。在一些替代实施例中，光致抗蚀剂层260的光致抗蚀剂可以是负性光致抗蚀剂，其将使随后形成的图案具有与掩模上的图案相对应的开口(未示出)。可以通过旋涂或其他类似技术来形成光致抗蚀剂层260。
参考图3B，示出了在对光致抗蚀剂层260和硬掩模218进行图案化之后的掩模211的中间结构。另外参考图5，在操作512，通过对光致抗蚀剂层260执行曝光工艺来图案化光致抗蚀剂层260。曝光工艺可以包括具有掩模的光刻技术(例如，光刻工艺)或无掩模的光刻技术(例如，电子束(e-beam)曝光工艺或离子束曝光工艺)。在曝光工艺之后，可以执行后烘烤工艺以硬化掩模层的至少一部分。根据光致抗蚀剂层260的(一种或多种)材料或类型，光致抗蚀剂层的聚合物在光束照射和烘烤时可能会发生不同的反应(聚合物的断链或交联)。此后，执行显影工艺以去除光致抗蚀剂层的至少一部分。在一些实施例中，正性抗蚀剂材料的曝光于光束的部分可能发生断链反应，使得与未曝光于光束的其他部分相比，曝光部分更容易被显影剂去除。在另一方面，负性抗蚀剂材料的曝光于光束的部分可能发生交联反应，使得与未曝光于光束的其他部分相比，所产生的曝光部分将更难以被显影剂去除。在一些实施例中，在光致抗蚀剂层260的显影之后，下面的硬掩模层218的部分被暴露。
继续参考图3B，在光致抗蚀剂层260的显影完成之后，在操作514，穿过经显影的光致抗蚀剂层260中的开口蚀刻硬掩模层218。通过穿过经显影的光致抗蚀剂层260中的开口蚀刻硬掩模层218的曝光部分来对硬掩模层218进行图案化。蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺或它们的组合。干法和湿法蚀刻工艺具有可调整的蚀刻参数，例如所使用的蚀刻剂、蚀刻温度、蚀刻溶液浓度、蚀刻压力、源功率、RF偏置电压、RF偏置功率、蚀刻剂流速和其他合适的参数，从而相对于在蚀刻硬掩模层218期间将暴露于蚀刻剂的其他材料，对硬掩模层218的材料具有选择性。在一些实施例中，在去除相移层204的部分时使用含氟蚀刻剂。含氟蚀刻剂的示例包括含氟气体，例如CF4、CHF3、C2F6、CH2F2、SF6或它们的组合。
在操作516，去除图案化光致抗蚀剂层260以暴露硬掩模218的剩余部分。图案化光致抗蚀剂层260可以通过湿法剥离或等离子灰化去除。在操作518，通过穿过硬掩模层218中的开口蚀刻图案化层250，将硬掩模层218中的图案转移到图案化层250。通过将图案化层250暴露于蚀刻剂来执行对图案化层250的蚀刻，该蚀刻剂与在蚀刻图案化层250的步骤期间将暴露于蚀刻材料的其他材料(例如硬掩模218)相比，对图案化层250的材料具有选择性。蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺或它们的组合。干法和湿法蚀刻工艺具有可调整的蚀刻参数，例如所使用的蚀刻剂、蚀刻温度、蚀刻溶液浓度、蚀刻压力、源功率、RF偏置电压、RF偏置功率、蚀刻剂流速和其他合适的参数，例如相对于在蚀刻图案化层250期间将暴露于蚀刻剂的其他材料(例如图案化硬掩模层218)，对图案化层250的材料具有选择性。在一些实施例中，图案化层250的蚀刻工艺使用含氯气体(例如Cl2、SiCl4、HCl、CCl4、CHCl3、其他含氯气体或它们的组合)和含氧气体(例如O2、其他含氧气体或它们的组合)。在其他实施例中，当图案化层容易被含氟蚀刻剂蚀刻并且硬掩模218对含氟蚀刻剂具有抗蚀性时，图案化层250的蚀刻工艺使用含氟蚀刻剂。
参考图3C，示出了在已用经图案化的图案化层250的图案对相移材料层214进行图案化之后的掩模211的中间结构。在图3C中，图案化光致抗蚀剂层260和图案化硬掩模层218已经如上所述被去除。参考图5，在操作522中，通过穿过图案化层250中的开口270蚀刻相移材料层214，将经图案化的图案化层250的图案转移到相移材料层214。相移材料层214的图案化通过相移材料层214中的开口280暴露停止层216的部分。相移材料层214的蚀刻是通过以下方式实现的：使穿过图案化层250中的开口270暴露的相移材料层214的部分暴露于对相移材料层214的材料相对于图案化层250的材料和停止层216的材料具有选择性的蚀刻剂。蚀刻工艺可以包括干法蚀刻工艺、湿法蚀刻工艺或其组合。干法和湿法蚀刻工艺具有可调整的蚀刻参数，例如所使用的蚀刻剂、蚀刻温度、蚀刻溶液浓度、蚀刻压力、源功率、RF偏置电压、RF偏置功率、蚀刻剂流速和其他合适的参数，从而相对于在蚀刻相移材料层214期间将暴露于蚀刻剂的其他材料(例如，经图案化的硬掩模层250和下面的蚀刻停止层216)，对相移材料层214的材料具有选择性。在一些实施例中，含氟蚀刻剂用于去除相移层214的部分。含氟蚀刻剂的示例包括含氟气体，例如CF4、CHF3、C2F6、CH2F2、SF6或它们的组合。在将图案化层250的图案转移到相移材料层214完成之后，在操作524去除经图案化的图案化层250，例如通过湿法蚀刻或等离子体蚀刻工艺。图3D示出了在操作524已经去除图案化层250之后根据本公开的实施例的掩模211。
可选地，根据一些替代实施例，参考图5的步骤526和528以及图3E，方法500还包括去除蚀刻停止层216的部分的步骤526。去除蚀刻停止层216的部分在蚀刻停止层216中产生开口294，衬底212的部分通过该开口294暴露。步骤526中对蚀刻停止层216的蚀刻是通过以下方式实现的：使蚀刻停止层216的通过相移材料层214中的开口280暴露的部分与对蚀刻停止层216的材料具有选择性但对相移材料层214和衬底212的材料不具有选择性的蚀刻剂接触。在步骤528，根据一些实施例，方法500包括去除衬底212的部分的步骤。去除衬底212的部分在衬底212中产生沟槽296。在步骤528中去除衬底的部分是通过以下方式实现的：使衬底212的通过蚀刻停止层216中的开口294暴露的部分与对衬底212具有选择性而对蚀刻停止层216的材料和相移材料层214的材料不具有选择性的蚀刻剂接触。图3E示出了根据本公开的一些实施例的掩模结构211，其中蚀刻停止层216和衬底212的部分已如上所述被去除。在对蚀刻停止层216的蚀刻完成之后蚀刻衬底212，提供了更多仔细控制衬底212的蚀刻的机会，从而避免或减少由于衬底的过度蚀刻或蚀刻不足而导致的不希望的相移或透射强度。
在对图案化层250的去除完成之后(或在替代实施例中，在去除蚀刻停止层216的部分或衬底212的部分之后)，清洁掩模211以从其中去除任何污染物。在一些实施例中，通过将掩模211浸入氢氧化铵(NH4OH)溶液中来清洁掩模211。
随后用例如波长为193nm的UV光辐照掩模211，以检查图案化区域252中的任何缺陷。可以从漫反射光中检测异物。如果检测到缺陷，则使用合适的清洁工艺进一步清洁掩模211。
由此形成在半导体光刻工艺中有用的掩模211。图3D的掩模211包括衬底212、位于衬底212之上的透射蚀刻停止层216和位于透射蚀刻停止层216之上的图案化相移材料层214。根据该实施例，蚀刻停止层216不包括图案化相移材料层的图案，并且已保护下面的衬底212免受在掩模形成过程期间使用的蚀刻剂的影响，否则这些蚀刻剂会蚀刻衬底212。蚀刻停止层对入射光(例如DUV、NUV或浸没式光刻工艺中使用的光，诸如来自具有约193nm波长的ArF准分子激光器的光，在一些实施例中，这种光的透射率超过99％)透射。如上所述，相移材料层214的厚度、其折射率和入射光吸收特性被选择为提供入射在掩模211上的光的期望相移(例如180度)，并且提供期望水平的透过相移材料层214的光。由于在该实施例中蚀刻停止层216的高透射特性，与包括半透射蚀刻停止层206的图1A的实施例不同，蚀刻停止层216具有对入射在掩模211上的光的相移或入射光在蚀刻停止层216中的吸收的影响非常小。因此，蚀刻停止层216的厚度、其折射率和入射光吸收特性相对于蚀刻停止层206的那些特性不太受关注。与掩模210一样，赋予穿过掩模211的光的相移量也可以通过调整光在掩模211上的入射角来调整。结果，掩模211上的图案可以投影到硅晶圆上以产生精确且可再现的图案。
根据本公开形成的光刻掩模可用于对半导体衬底上的材料层进行图案化的工艺。参考图6，根据一个实施例，这样的方法600包括步骤602：将根据本公开形成的相移掩模曝光于浸没式光刻工艺中的入射光，例如，波长为约193nm的光。根据本公开的掩模的实施例不限于可用于浸没式光刻工艺或具有约193nm波长的光的掩模。例如，根据本公开的实施例的掩模在利用光谱的DUV部分或光谱的NUV部分中的光的光刻工艺中是有用的。在方法600中有用的相移掩模的示例包括图1A的掩模200。在步骤604，使入射在APSM的相移材料上的光的一部分透过相移材料，该相移材料对透射到相移材料的入射光赋予相移。在方法600中有用的相移材料的示例包括图1A的相移材料层204。在步骤606，使透过相移材料的光的一部分照射到APSM的半透射蚀刻停止层上。可用于方法600的半透射蚀刻停止层的示例包括图1A中的半透射蚀刻停止层206。在步骤608，入射到半透射蚀刻停止层上的部分入射光透射通过半透射蚀刻停止层。在步骤610，使透过半透射蚀刻停止层的光的一部分光透过APSM的衬底。可用于方法600的衬底的示例包括图1A中的衬底202。由于穿过相移材料并穿过半透射蚀刻停止层，该光已被相移。此外，入射在掩模200上的光的强度可能由于穿过相移材料和/或半透射蚀刻停止层而被衰减。与入射光透过相移材料和半透射蚀刻停止层的同时，在步骤612，使入射在APSM上的光的一部分透过APSM的衬底而不穿过相移材料或半透射蚀刻停止层。透过APSM的衬底而不透过相移材料或半透射蚀刻停止层的光的相位保持相对不变。此外，透过APSM的衬底而不穿过相移材料或半透射蚀刻停止层的光的量可以是入射在掩模200上的光的大约99％或更多。然后在步骤614使用透过APSM的衬底的光以对半导体衬底上的材料进行图案化。
根据本公开的另一个实施例，根据图1B所示的实施例形成的掩模可用于对半导体衬底上的材料层进行图案化的工艺。参考图7，根据一个实施例，这样的方法700包括步骤702：将根据本公开形成的相移掩模曝光于入射光。在方法700中有用的APSM的示例包括图1B的光刻掩模211。在步骤704，使入射在APSM的相移材料上的一部分光透过相移材料，该相移材料对透射到相移材料的入射光赋予相移。用于方法700的相移材料的示例包括图1B的相移材料层214。在步骤706，透过相移材料的一部分光照射在APSM的透射蚀刻停止层上。可用于方法700的透射蚀刻停止层的示例包括图1B中的透射蚀刻停止层216。在步骤708，入射到透射蚀刻停止层上的部分入射光透射穿过透射蚀刻停止层。在步骤710，透射过透射蚀刻停止层的部分光透射过APSM的衬底。可用于方法700的衬底的示例包括图1B中的衬底212。该透过相移材料的光由于穿过相移材料而发生相移。由于蚀刻停止层对入射光的透射率接近100％，根据该实施例，入射在透射蚀刻停止层上的光通过透射蚀刻停止层的透射不会使透射光的相位发生任何显著变化。与入射光透过相移材料和透射蚀刻停止层同时，在步骤712，使入射在APSM上的光的一部分透过APSM的透射蚀刻停止层而不穿过相移材料。透过透射蚀刻停止层而不穿过相移材料的光的相位保持相对不变。透过透射蚀刻停止层的光透过衬底。然后在步骤714使用透过APSM的衬底的光以对半导体衬底上的材料进行图案化。
本说明书的一个方面涉及光刻掩模，例如交替相移掩模。掩模包括：衬底；相移层，位于衬底上；以及半透射蚀刻停止层，位于衬底和相移层之间。相移层被图案化并且相移层的图案也存在于半透射蚀刻停止层中。用于半透射蚀刻停止层的材料的示例包括CrON、Ru、Ru-Nb、Ru-Zr、Ru-Ti、Ru-Y、Ru-B和Ru-P。
本说明书的另一方面涉及光刻掩模，例如交替相移掩模。在这方面，掩模包括：衬底；图案化相移层，位于衬底上；以及半透射蚀刻停止层，位于衬底和图案化相移层之间。在这方面，蚀刻停止层不包括图案化相移层的图案。透射蚀刻停止层的示例包括由化学式为AlxSiyOz的材料形成的蚀刻停止层，其中x+y+z＝1。
本说明书的又一方面涉及一种形成光刻掩模的方法。该方法包括在衬底上形成蚀刻停止层。然后在蚀刻停止层上形成相移层。然后在相移层上形成图案化层。接下来，在图案化层上形成图案化硬掩模层。然后使用图案化硬掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻图案化层以在图案化层中形成多个开口。图案化层中的多个开口暴露相移层的表面的部分。然后使用经蚀刻的图案化层作为蚀刻掩模来蚀刻相移层的暴露部分以在相移层中形成多个开口。相移层中的多个开口暴露蚀刻停止层的表面。在该方法的一些实施例中，蚀刻停止层选自CrON、Ru、Ru-Nb、Ru-Zr、Ru-Ti、Ru-Y、Ru-B和Ru-P。在其他实施例中，蚀刻停止层选自具有化学式AlxSiyOz的材料，其中x+y+z＝1。
前述内容概述了若干实施例的特征，以便本领域技术人员可以更好地理解本公开的各个方面。本领域技术人员应当意识到，他们可以很容易地将本公开用作设计或修改其他过程和结构的基础，以执行本文介绍的实施例的相同目的和/或实现相同优点。本领域技术人员还应认识到，此类等效构造并不脱离本公开的精神和范围，并且它们可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下对本文进行各种更改、替换和变更。
示例1.一种光刻掩模，包括：
衬底；
相移层，位于所述衬底上；以及
半透射蚀刻停止层，位于所述衬底和所述相移层之间。
示例2.根据示例1所述的光刻掩模，其中，所述衬底由石英形成。
示例3.根据示例1所述的光刻掩模，其中，所述相移层选自MoSi化合物。
示例4.根据示例1所述的光刻掩模，其中，所述半透射蚀刻停止层透射至多70％的入射在所述半透射蚀刻停止层上的光。
示例5.根据示例1所述的光刻掩模，其中，所述蚀刻停止层选自CrON、Ru、Ru-Nb、Ru-Zr、Ru-Ti、Ru-Y、Ru-B和Ru-P。
示例6.根据示例1所述的光刻掩模，其中，所述衬底被图案化。
示例7.根据示例1所述的光刻掩模，其中，所述半透射蚀刻停止层被图案化。
示例8.一种光刻掩模，包括：
石英衬底；
位于所述石英衬底上的图案化相移层，包括MoSi化合物；以及
位于所述衬底和所述图案化相移层之间的透射蚀刻停止层，包括化学式为AlxSiyOz的材料，其中x+y+z＝1。
示例9.根据示例8所述的光刻掩模，其中，所述相移层选自MoSi、MoSiCON、MoSiON、MoSiCN、MoSiCO、MoSiO、MoSiC和MoSiN。
示例10.根据示例8所述的光刻掩模，其中，所述透射蚀刻停止层透射超过70％的入射在所述透射蚀刻停止层上的光。
示例11.根据示例8所述的光刻掩模，其中，所述石英衬底被图案化。
示例12.根据示例8所述的光刻掩模，其中，所述蚀刻停止层为1-20纳米厚。
示例13.一种形成光刻掩模的方法，包括：
在衬底上形成蚀刻停止层；
在所述蚀刻停止层上形成相移层；
在所述相移层上形成图案化层；
在所述图案化层上形成图案化硬掩模层；
使用所述图案化硬掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述图案化层以在所述图案化层中形成多个开口，所述多个开口暴露所述相移层的表面；以及
使用经蚀刻的图案化层作为蚀刻掩模来蚀刻所述相移层以在其中形成多个开口，所述相移层中的多个开口暴露所述蚀刻停止层的表面。
示例14.根据示例13所述的方法，还包括通过所述相移层中的多个开口蚀刻所述蚀刻停止层以在所述蚀刻停止层中形成多个开口，所述蚀刻停止层中的多个开口暴露所述衬底的表面。
示例15.根据示例13所述的方法，还包括通过所述相移层中的开口蚀刻所述衬底。
示例16.根据示例13所述的方法，其中，蚀刻所述图案化层包括用含氯蚀刻剂蚀刻所述图案化层。
示例17.根据示例13所述的方法，其中，蚀刻所述相移层包括用含氟蚀刻剂蚀刻所述相移层。
示例18.根据示例14所述的方法，其中，蚀刻所述蚀刻停止层包括用含氯蚀刻剂蚀刻所述蚀刻停止层。
示例19.根据示例13所述的方法，其中，蚀刻所述相移层包括将所述衬底与用于蚀刻所述相移层的蚀刻剂隔离。
示例20.根据示例14所述的方法，其中，蚀刻所述相移层包括去除所述图案化硬掩模层的部分。

Claims (10)

1.一种光刻掩模，包括：
衬底；
相移层，位于所述衬底上；以及
半透射蚀刻停止层，位于所述衬底和所述相移层之间。
2.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述衬底由石英形成。
3.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述相移层选自MoSi化合物。
4.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述半透射蚀刻停止层透射至多70％的入射在所述半透射蚀刻停止层上的光。
5.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述蚀刻停止层选自CrON、Ru、Ru-Nb、Ru-Zr、Ru-Ti、Ru-Y、Ru-B和Ru-P。
6.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述衬底被图案化。
7.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述半透射蚀刻停止层被图案化。
8.一种光刻掩模，包括：
石英衬底；
位于所述石英衬底上的图案化相移层，包括MoSi化合物；以及
位于所述衬底和所述图案化相移层之间的透射蚀刻停止层，包括化学式为AlxSiyOz的材料，其中x+y+z＝1。
9.根据权利要求8所述的光刻掩模，其中，所述相移层选自MoSi、MoSiCON、MoSiON、MoSiCN、MoSiCO、MoSiO、MoSiC和MoSiN。
10.一种形成光刻掩模的方法，包括：
在衬底上形成蚀刻停止层；
在所述蚀刻停止层上形成相移层；
在所述相移层上形成图案化层；
在所述图案化层上形成图案化硬掩模层；
使用所述图案化硬掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述图案化层以在所述图案化层中形成多个开口，所述多个开口暴露所述相移层的表面；以及
使用经蚀刻的图案化层作为蚀刻掩模来蚀刻所述相移层以在其中形成多个开口，所述相移层中的多个开口暴露所述蚀刻停止层的表面。
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Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3312703B2 (ja) * 1993-04-15 2002-08-12 大日本印刷株式会社 位相シフトフォトマスクの修正方法
JP2658966B2 (ja) * 1995-04-20 1997-09-30 日本電気株式会社 フォトマスク及びその製造方法
US7635546B2 (en) * 2006-09-15 2009-12-22 Applied Materials, Inc. Phase shifting photomask and a method of fabricating thereof
TWI409580B (zh) * 2008-06-27 2013-09-21 S&S Tech Co Ltd 空白光罩、光罩及其製造方法
KR20110105520A (ko) * 2010-03-19 2011-09-27 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 이를 이용하는 포토 마스크 및 이를 제조하는 방법
KR101407230B1 (ko) * 2012-05-14 2014-06-13 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법
KR101485755B1 (ko) * 2012-08-09 2015-01-26 주식회사 에스앤에스텍 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법
KR101497593B1 (ko) * 2012-08-27 2015-03-03 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법
JP6266919B2 (ja) * 2013-08-19 2018-01-24 Hoya株式会社 転写用マスクの製造方法
JP6266322B2 (ja) * 2013-11-22 2018-01-24 Hoya株式会社 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法
KR101504557B1 (ko) * 2014-03-23 2015-03-20 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크
US9341940B2 (en) * 2014-05-15 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Reticle and method of fabricating the same
JP6545795B2 (ja) * 2015-05-15 2019-07-17 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
WO2017038213A1 (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法
US10394114B2 (en) * 2016-08-25 2019-08-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chromeless phase shift mask structure and process
WO2018074512A1 (ja) * 2016-10-21 2018-04-26 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP7184558B2 (ja) * 2018-07-30 2022-12-06 株式会社トッパンフォトマスク 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法
US20240069431A1 (en) * 2022-08-31 2024-02-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of manufacturing photo masks

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