TW201533523A - 半色調相位移型光罩毛胚、半色調相位移型光罩及圖型曝光方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種半色調相位移型光罩毛胚，其係於透明基板上具有半色調相位移膜，該半色調相位移膜包含對於波長200nm以下之光，透過率為10%以上，相位差為150~200°，且膜厚為70nm以下，同時由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層。 本發明可提供具備半色調相位移膜之半色調相位移型光罩毛胚及半色調相位移型光罩，該半色調相位移膜係除了確保特定之相位差以外，為高透過率且光罩圖型之加工有利之較薄的膜，對於化學洗淨之耐藥品性亦優異，而可進行微影蝕刻中適於更要求圖型之微細化與高精度化之圖型曝光。

Description

半色調相位移型光罩毛胚、半色調相位移型光罩及圖型曝光方法
本發明係關於應用於半導體積體電路等之製造等之半色調相位移型光罩毛胚、半色調相位移型光罩、及使用半色調相位移型光罩之圖型曝光方法。
半導體技術之領域中，已朝用以使圖型更微細化之研究開發進展。尤其近年來，隨著大規模積體電路之高積體化，而進行電路圖型之微細化或配線圖型之細線化，或者構成單元(cell)之層間配線用之接觸孔圖型之微細化等，對微細加工技術之要求愈來愈高。隨之而來係即使微細加工時之微影蝕刻步驟所用之光罩之製造技術領域中亦要求形成更微細且正確電路圖型(遮罩圖型)之技術之開發。
一般，以光微影蝕刻技術在半導體基板上形成圖型時，係進行縮小投影。因此，於光罩上形成之圖型尺寸成為半導體基板上形成之圖型之尺寸之4倍左右。目前之光微影蝕刻技術領域中，所描繪之電路圖型之尺寸成 為很低於曝光中使用之光之波長者。因此，單純使電路圖型之尺寸設為4倍形成光罩圖型時，因曝光時產生之光之干涉等之影響，而導致無法將本來形狀轉印於半導體基板上之阻劑膜上之結果。
此處，藉由使形成於光罩之圖型設為比實際電路圖型複雜之形狀，亦有可減輕上述光之干涉等之影響之情況。此種圖型形狀有例如對實際電路圖型施以光學鄰近效應修正(OPC：Optical Proximity Correction)而成之形狀。此外，欲對應於圖型之微細化與高精度化亦已應用背光、變形照明、液浸技術、解像度提升技術(RET：Resolution Enhancement Technology)、雙重曝光(雙重圖型微影蝕刻)等之技術。
作為RET之一係使用相位移法。相位移法係在光罩上形成使相位反轉約180°之膜之圖型，利用光之干涉提高對比之方法。作為應用此之光罩之一有半色調相位移型型光罩。半色調相位移型光罩係在石英等之對於曝光之光為透明之基板之上形成使相位反轉約180°，具有無助於圖型形成之程度之透過率之半色調相位移膜之光罩圖型者。至於半色調相位移型光罩已提案有具有由矽化鉬氧化物(MoSiO)、矽化鉬氧化氮化物(MoSiON)所成之半色調相位移型膜者等(日本特開平7-140635號公報(專利文獻1))。
此外，為了藉由光微影蝕刻技術獲得更微細之像，而對於曝光光源使用更短波長者，目前最尖端之實 用加工步驟中，曝光光源自KrF準分子雷射光(248nm)移行至ArF準分子雷射光(193nm)。然而，判知藉由使用更高能量之ArF準分子雷射光，會發生KrF準分子雷射光未見到之光罩損傷。於任一者連續使用光罩時，均有於光罩上發生異物狀之成長缺陷之問題。該成長缺陷稱為霧濁，原因最初認為係光罩圖型表面之硫酸銨結晶成長，但目前亦認為與有機物有關。
至於霧濁問題之對策，例如日本特開2008-276002號公報(專利文獻2)中揭示藉由對於對光罩長時間照射ArF準分子雷射光時發生之成長缺陷，在特定階段洗淨光罩，可繼續使用光罩。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開平7-140635號公報
〔專利文獻2〕日本特開2008-276002號公報
〔專利文獻3〕日本特開2010-9038號公報
〔專利文獻4〕日本特開2007-33469號公報
〔專利文獻5〕日本特開2007-233179號公報
〔專利文獻6〕日本特開2007-241065號公報
〔專利文獻7〕日本特開平10-171096號公報
〔專利文獻8〕日本特開2004-133029號公報
〔非專利文獻〕
〔非專利文獻1〕Thomas Faure等人，“Characterization of binary mask and attenuated phase shift mask blanks for 32nm mask fabrication”, Proc. of SPIE, vol. 7122, pp712209-1~712209-12
光罩技術中，隨著微細化進展，使圖型寬度變得比曝光波長更小，如上述，成為使用OPC、變形照明、液浸曝光、相位移法等之RET、雙重曝光等高解像度技術。尤其，相位移法中，於過去係使用透過率之6%左右之半色調相位移膜，但圖型寬度更細時，例如藉由光微影蝕刻形成半間距為50nm以下之圖型時，為了獲得更高對比，有必要為高透過率者，且要求相位差為180°左右、透過率為10%以上且40%以下者。
為了獲得高透過率之半色調相位移型光罩，而有下列方法：藉由於石英等透明基板上形成相位移膜，將基板挖掘至相位差成為180°之方法，例如，以獲得高透過率之方式以比上述特定膜厚更薄地形成在特定膜厚能賦予6%左右之低透過率與相位差180°之相位移膜，且藉由將基板挖掘至相位差成為180°而確保不足之相位差之方法，或藉由使用調整相位之SiO膜與調整透過率之Cr膜，而改善透過率之控制性之方法。
然而，挖掘基板之類型之光罩不僅難以正確 控制相位差，且有產生圖型缺陷時難以修正之問題。且，使用如SiO膜與Cr膜之蝕刻特性不同之2種膜之2層類型之光罩時，會有圖型形成時之蝕刻次數增加，在相位差180°時之膜厚變厚至100nm以上等之缺點。
為了改善該等，日本特開2010-9038號公報(專利文獻3)中提案使用以金屬與矽及氮作為主成分之膜，但其膜厚厚達74nm。膜較薄時不僅有利於圖型形成，且由於可降低三次元效果故有利。因此，光微影蝕刻中，為了形成更微細之圖型而進一步要求薄的膜。
此外，在光罩之製造製程中使用光罩毛胚時，若光罩毛胚上存在異物，則異物將成為圖型缺陷之原因，為了去除該種異物，光罩毛胚在光罩製造過程中需進行多次洗淨。再者，在光微影蝕刻步驟中使用光罩時，所製造之光罩本身即使沒有圖型缺陷，但在光微影蝕刻步驟中若異物附著於光罩，則使用此光罩進行圖型化之半導體基板仍會發生圖型轉印不良，故光罩亦需重複進行洗淨。
為了去除光罩毛胚或光罩之異物，多數情況係施以以硫酸過氧化氫水溶液或臭氧水、氨過氧化氫水溶液等之化學洗淨。此處，硫酸過氧化氫水溶液係混合硫酸與過氧化氫所得之具有強力氧化作用之洗淨劑。臭氧水係使臭氧溶入水中者，且作為硫酸過氧化氫水溶液之替代品使用。氨過氧化氫水溶液係混合氨水與過氧化氫所得之洗淨劑，將附著於光罩毛胚或光罩表面上之有機系異物浸漬於氨過氧化氫水溶液中時，藉由氨之溶解作用與過氧化氫 之氧化作用而自表面脫離且分離而被洗淨。
利用該藥液之化學洗淨係去除附著於光罩毛胚或光罩上之顆粒或污染物之異物所必要者，另一方面會有對於光罩毛胚或光罩所具備之半色調相位移膜等之光學膜造成損傷之虞。例如，如上述之化學洗淨有使光學膜之表面變質，或有使原先應具備之光學特性變化之可能性，由於光罩毛胚或光罩之化學洗淨係重複實施者，故有必要將各洗淨步驟產生之光學膜之特性變化(例如，相位差變化)抑制至儘可能低。
本發明係為解決上述課題而完成者，其目的係提供具備半色調相位移膜之半色調相位移型光罩毛胚、半色調相位移型光罩、及使用半色調相位移型光罩之圖型曝光方法，該半色調相位移膜係可對應於圖型之微細化之半色調相位移膜，且係除了確保特定之相位差以外，為高透過率且光罩圖型之加工有利之更薄的膜，進而係對於化學洗淨之耐藥品性優異者。
本發明人等對於除了確保特定之相位差外，透過率高且膜厚較薄、進而耐藥品性優異之半色調相位移膜進行檢討。首先，針對作為半色調相位移膜常用之含鉬等過渡金屬之半色調相位移膜進行檢討。然而，含過渡金屬之半色調相位移膜若添加過渡金屬，則透過率下降，若添加過渡金屬而獲得高透過率之半色調相位移膜，則有必 要添加大量的氧，結果，已知膜厚變厚，耐藥品性亦變差。
因此，本發明人等為解決上述課題，而針對不含過渡金屬之半色調相位移膜重複積極檢討之結果，發現由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之半色調相位移膜可解決上述課題，該組成中，藉由使半色調相位移膜由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層的單層，或包含1層以上之由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層之多層構成，可形成對於波長200nm以下之光，透過率為10%以上，相位差為150~200°，膜厚為70nm以下之半色調相位移膜。
而且，發現此半色調相位移膜可確保特定之相位差，為高透過率、較薄，且對於化學洗淨之耐藥品性亦優異，因此藉由此半色調相位移膜，尤其於對被加工基板使用波長200nm以下之曝光光，形成半間距50nm以下之圖型之光微影蝕刻中，可獲得能以高精度轉印光罩圖形之半色調相位移型光罩，因而完成本發明。
據此，本發明提供下述之半色調相位移型光罩毛胚、半色調相位移型光罩及圖型曝光方法。
請求項1：一種半色調相位移型光罩毛胚，其特徵係於透明基板 上具有由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之半色調相位移膜，該半色調相位移膜對於波長200nm以下之光之透過率為10%以上，相位差為150~200°，且膜厚為70nm以下，同時係以由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層的單層，或包含1層以上之由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層之多層構成。
請求項2：如請求項1之半色調相位移型光罩毛胚，其中上述半色調相位移膜係由矽與氮所成。
請求項3：如請求項1之半色調相位移型光罩毛胚，其中上述半色調相位移膜係由包含1層以上之由矽與氮所成之層與1層以上之由矽及氮及氧所成之層之多層所成。
請求項4：如請求項1至3中任一項之半色調相位移型光罩毛胚，其係於用以在被加工基板上形成半間距50nm以下之圖型之微影蝕刻中，以波長200nm以下之曝光光將上述圖型轉印於在被加工基板上形成之光阻膜上之圖型曝光所用之光罩用。
請求項5：一種半色調相位移型光罩，其特徵係於透明基板上具有由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之半色調相位移膜之半色調圖型，該半色調相位移膜對於波長200nm以下之光的透過率為10%以上，相位差為150~200°，且膜厚為70nm以下，同時係由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層的單層，或包含1層以上之由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層之多層所構成。
請求項6：如請求項5之半色調相位移型光罩，其中上述半色調相位移膜係由矽與氮所成。
請求項7：如請求項5之半色調相位移型光罩，其中上述半色調相位移膜係由包含1層以上之由矽與氮所成之層與1層以上之由矽與氮及氧所成之層之多層所成。
請求項8：如請求項5至7中任一項之半色調相位移型光罩，其係於用以在被加工基板上形成半間距50nm以下之圖型之微影蝕刻中，以波長200nm以下之曝光光將上述圖型轉 印於在被加工基板上形成之光阻膜上之圖型曝光用。
請求項9：一種圖型曝光方法，其係於用以在被加工基板上形成半間距50nm以下之圖型之微影蝕刻中，以波長200nm以下之曝光光將上述圖型轉印於在被加工基板上形成之光阻膜上之圖型曝光方法，其特徵係使用半色調相位移型光罩，該半色調相位移型光罩係於透明基板上具有由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之半色調相位移膜之光罩圖型，該半色調相位移膜對於上述曝光光之透過率為10%以上，相位差為150~200°，且膜厚為70nm以下，同時係由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層之單層，或包含1層以上之由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層之多層構成。
請求項10：如請求項9之圖型曝光方法，其中上述半色調相位移膜係由矽及氮所成。
請求項11：如請求項9之圖型曝光方法，其中上述半色調相位移膜係由包含1層以上之由矽及氮所成之層與1層以上之由 矽及氮及氧所成之層之多層所成。
依據本發明，可提供具備除了確保特定之相位差以外，為高透過率且光罩圖型之加工有利之較薄的膜，對於化學洗淨之耐藥品性亦優異之半色調相位移膜之半色調相位移型光罩毛胚及半色調相位移型光罩，藉由使用該半色調相位移型光罩，而可進行微影蝕刻中適於更要求圖型之微細化與高精度化之圖型曝光。
以下，針對本發明加以詳細說明。
本發明之半色調相位移型光罩毛胚具有於石英基板等透明基板上形成之由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之矽系材料之膜，且本發明之半色調相位移型光罩為具有該矽系材料之膜之遮罩圖型(光罩圖型)。矽系材料之膜係以半色調相位移膜形成者，其在特定膜厚(70nm以下)時，對於波長200nm以下之光，例如使用半色調相位移型光罩之光微影蝕刻中使用之ArF準分子雷射(193nm)、F2雷射(157nm)等之曝光光獲得特定透過率(10%以上)與特定相位差(150~200°)之膜。
本發明之半色調相位移膜係由矽及氮，或由矽、氮及氧所成之矽系材料所成，且不含鉬等過渡金屬。且，半色調相位移膜較好以由矽及氮、或由矽、氮及氧所 成之矽系材料之單層(以下稱為(A)層)，或以含1層以上之由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之矽系材料之層(以下稱為(B)層)之多層構成。
而且，本發明之半色調相位移膜較好在由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之矽系材料所成之上述(A)層或(B)層中，較好在半色調相位移膜整體中，滿足特定之折射率(2.4以上)及特定之吸收係數(0.22以上且0.54以下)。即使藉由於半色調相位移膜中未使用過渡金屬，而降低矽系材料膜中所含之氧量，尤其即使不含氧，除了可確保特定之相位差外，仍可獲得高的透過率，結果，使膜厚變薄，耐藥品性亦獲得改善。
藉由將半色調相位移膜之透過率設為10%以上，於以光微影蝕刻形成半間距為50nm以下，尤其是30nm以下之圖型時，進而於以光微影蝕刻形成20nm以下之圖型時，仍可獲得必要充分之對比。再者為了提高對比，透過率較好為15%以上，其上限為40%以下，尤佳為30%以下。
半色調相位移膜之相位差在相位移膜之部分(相位移部分)、與非相位移膜之部分之鄰接部中，只要是可藉由通過各者之曝光光之相位差使曝光光干涉，而可增大對比之相位差即可，相位差只要設為150~200°即可。一般之相位移膜係將相位差設定為約180°，但基於上述增大對比之觀點，相位差並不限於約180°，相位差可小於或大於180°。例如，若相位差小於180°，則對於薄膜化有 效。又，基於獲得更高對比之觀點，不用說相位差接近180°者較為有效，較好為160~190°，最好為175~185°，特佳為約180°。
半色調相位移膜之厚度愈薄愈容易形成微細圖型，且，由於藉由使光罩圖型具有厚度可降低3次元之效果，故設為70nm以下，尤其為65nm以下。半色調相位移膜之膜厚下限相對於波長200nm以下之光，係設定在獲得特定光學特性之範圍，但通常為40nm以上，尤其為50nm以上。又，以多層構成半色調相位移膜時，上述(B)層之厚度((B)層為2層以上時為該等之合計厚度)較好為半色調相位移膜全體厚度之60%以上，尤佳為80%以上。進而，以多層構成半色調相位移膜時，上述(B)層可設在透明基板側、遠離透明基板側之側、厚度方向之中央部之任一者。
本發明之半色調相位移膜之矽系材料具體而言為矽氮化物(SiN)、矽氧氮化物(SiON)，但其他元素含有量若為雜質量則可被允許。
半色調相位移膜之透過率藉由使氮含量儘可能多，而達到透過率之增大，且藉由添加必要最小限度之氧以補足透過率之不足量，可將氧含量抑制至較少，結果，使半色調相位移膜之薄膜化成為可能。因此，矽系材料中所含之氧含量較好為氮含量之1/3(原子比)以下，尤佳為1/5(原子比)以下。
矽系材料中所含之氮含有率較好為40原子% 以上，尤佳為50原子%以上，較好為60原子%以下，尤佳為55原子%以下。另一方面，矽系材料中所含之氧含有率較好為20原子%以下，尤佳為15原子%以下，最好為10原子%以下。此外，矽系材料中所含之矽含有率為30原子%以上，尤佳為40原子%以上，較好為50原子%以下，尤佳為45原子%以下。再者，矽與氮之比率較好為Si：N=3：3~3：4(原子比)。
折射率於氮之含量愈多則愈高，且折射率愈高愈可使膜厚變薄。因此，由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之矽系材料所成之上述(A)層或(B)層中，較好在半色調相位移膜全體中，較好將折射率設為2.4以上，尤佳設為2.5以上，最好設為2.6以上。藉由將折射率設為上述範圍，即使不含過渡金屬，仍可抑制氧之含量，可獲得10%以上之透過率。折射率之上限通常為2.8以下。
吸收係數在由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之矽系材料所成之上述(A)層或(B)層中，較好在半色調相位移膜全體中，半色調相位移膜滿足特定相位差、特定透過率、及特定膜厚之範圍內，較好為0.22以上，較好為0.3以上，較好為0.54以下，且較好為0.5以下。
為了半色調相位移膜薄膜化，以氧含有較少者較佳，更好為不含氧。基於該觀點，將半色調相位移膜設為不含氧之矽系材料，亦即設為由矽與氮所成之矽系材料為有效。該情況下，半色調相位移膜可由矽與氮之比不同之2層以上之多層形成，且亦可形成為於厚度方向矽與 氮之比階段性或連續性變化。
此外，僅以矽與氮形成半色調相位移膜時，高透過率化有界限，會有半色調相位移膜無法獲得特定光學特性之情況。該情況下，將半色調相位移膜設為組合高含氧層與低含氧層之多層為有效。具體而言，例如，可成為各含1層以上之作為高含氧層之由矽、氮及氧所成之矽系材料層，與作為低含氧層之由矽、氮及氧所成，且氧相對於氮之含有比比高含氧層更低之矽系材料之層之多層，或各含1層以上之作為高含氧層之由矽、氮及氧所成之矽系材料之層，與作為低含氧層之由矽及氮所成之矽系材料之層之多層。
此種多層構造對於半色調相位移膜之薄膜化亦有效。該情況下，藉由儘可能增多氮含量，而達到透過率之增大，且藉由添加必要最小限度之氧以補足透過率之不足量，可將氧含量抑制至較少，結果，使半色調相位移膜之薄膜化成為可能。該情況下，亦可形成為構成多層之各層於厚度方向上使矽與氮與氧之比，或矽與氮之比階段性或連續性變化。
半色調相位移膜中之高含氧層與低含氧層之配置若為例如使高含氧層形成在最遠離透明基板之側(表面側)、或最靠近於透明基板之側(基板側)，則各側中可有效減低反射率。且，基於半色調相位移膜之蝕刻之控制性，例如使終端檢出之精度良好之觀點，將低含氧層設在最靠近基板側為有效。多層構造之具體例列舉為高含氧 層與低含氧層之2層構造、於低含氧層之表面側與基板側上設置高含氧層之3層構造，高含氧層與低含氧層交互設置之4層以上之互層構造等。
本發明之半色調相位移膜可應用習知之成膜方法成膜，但較好以容易獲得均質性優異之膜的濺鍍法成膜，亦可使用DC濺鍍、RF濺鍍之任一方法。鈀材與濺鍍氣體係依據層構成或組成適當選擇。至於鈀材只要使用矽鈀材、氮化矽鈀材、含矽與氮化矽兩者之鈀材等即可。氮與氧之含量可藉由於濺鍍氣體使用含氮之氣體、含氧之氣體作為反應性氣體，且適當調整導入量進行反應性濺鍍而調整。作為反應性氣體具體而言為氮氣(N2氣體)、氧氣(O2氣體)、氮氧化物氣體(N2O氣體、NO氣體、NO2氣體)等。再者，濺鍍氣體亦可使用氦氣、氖氣、氬氣等作為稀有氣體。
半色調相位移膜設為多層時，為了抑制半色調相位移膜之膜質變化，可設置表面氧化層作為其表面側之層(最表面部之層)。該表面氧化層之含氧率宜為20原子%以上，進而宜為50原子%以上。至於形成表面氧化層之方法具體而言除了藉大氣氧化(自然氧化)之氧化以外，作為強制氧化處理之方法可列舉為以臭氧氣體或臭氧水處理矽系材料之膜之方法，或在氧存在環境中藉烘箱加熱、燈退火(lamp anneal)、雷射加熱等而加熱至300℃左右之方法等。該表面氧化層之厚度較好為10nm以下，尤佳為5nm以下，最好為3nm以下，通常，以1nm以上 可獲得作為氧化層之效果。表面氧化層亦可在濺鍍步驟中增加氧量而形成，但為了成為缺陷更少之層，較好藉由前述之大氣氧化或氧化處理而形成。
本發明之半色調相位移型光罩毛胚係與過去之半色調相位移型光罩毛胚同樣，可於半色調相位移膜上設置遮光膜。藉由設置遮光膜，可在半色調相位移型光罩毛胚上設置完全對曝光光遮光之區域。遮光膜之材料可使用各種材料，但較好使用亦可作為蝕刻加工用之輔助膜加以利用之鉻系材料之膜。該等膜構成及材料有許多報告(例如，日本特開2007-33469號公報(專利文獻4)、日本特開2007-233179號公報(專利文獻5)等)，但較佳之遮光膜之膜構成列舉為例如設置Cr系等之遮光膜，進而列舉為設置減低來自遮光膜之反射之Cr系等之抗反射膜者等。遮光膜及抗反射膜均可以單層構成，亦可以多層構成。Cr系遮光膜或Cr系抗反射膜之材料列舉為鉻單體、鉻氧化物(CrO)、鉻氮化物(CrN)、鉻碳化物(CrC)、鉻氧化氮化物(CrON)、鉻氧化碳化物(CrOC)、鉻氮化碳化物(CrNC)、鉻氧化氮化碳化物(CrONC)等。
此種Cr系遮光膜及Cr系抗反射膜可使用鉻單體靶材、或於鉻中添加選自氧、氮及碳之任一種或2種以上之靶材，且依據成膜之膜組成使用將選自含氧氣體、含氮氣體及含碳氣體之氣體適當添加於Ar、He、Ne等稀有氣體中而成之濺鍍氣體之反應性濺鍍進行成膜。
且，設置遮光膜時之另一樣態亦可於半色調相位移膜上使用日本特開2007-241065號公報(專利文獻6)所示之鉻系材料加工輔助膜(蝕刻阻止膜)作為加工輔助膜，並於其上設置矽、矽系化合物或過渡金屬矽系化合物之遮光膜。
遮光膜上進而亦可形成硬遮罩膜。作為硬遮罩膜期望為蝕刻特性與遮光膜不同之膜，例如，遮光膜為Cr系之膜時，較好使用可藉SF6或SF4等氟系氣體蝕刻之膜，該等膜列舉為矽膜、含矽與氮及/或氧之膜、進而於該等中含鉬、鉭、鋯等過渡金屬之矽系硬遮罩膜。
本發明之半色調相位移型光罩毛胚可藉常用方法作成半色調相位移型光罩。例如，於半色調相位移膜上形成以鉻系材料膜形成遮光膜或抗反射膜之半色調相位移型光罩毛胚，可藉例如下述步驟製造半色調相位移型光罩。
首先，使電子束阻劑膜成膜於半色調相位移遮罩毛胚之鉻系材料膜上，以電子束進行圖型照射後，藉特定之顯像操作獲得阻劑圖型。接著，以所得阻劑圖型作為蝕刻遮罩，利用含有氧之氯系乾蝕刻，將阻劑圖型轉印於鉻系材料膜上。進而，以所得鉻系材料膜圖型作為蝕刻遮罩，利用氟系乾蝕刻將圖型轉印於半色調相位移膜上。接著，有應殘留作為遮光膜之鉻系材料膜時，形成保護該部分之阻劑圖型後，再以含氧之氯系乾蝕刻剝離不要的鉻系材料膜，依據常用方法去除阻劑材料，藉此可獲得半色 調相位移型光罩。
且，在半色調相位移膜上之由鉻系材料膜所成之遮光膜或抗反射膜上進一步形成矽系硬遮罩膜之半色調相位移型光罩毛胚可藉例如下述步驟製造半色調相位移型光罩。
首先，使電子束阻劑膜成膜於半色調相位移遮罩毛胚之矽系硬遮罩膜上，以電子束進行圖型照射後，藉特定之顯像操作獲得阻劑圖型。接著，以所得阻劑圖型作為蝕刻遮罩，以氟系乾蝕刻將阻劑圖型轉印於矽系硬遮罩膜上。接著，以含氧之氯系乾蝕刻將矽系硬遮罩膜圖型轉印於鉻系材料膜上。進而，去除阻劑後，以所得鉻系材料膜圖型作為蝕刻遮罩，以氟系乾蝕刻將圖型轉印於半色調相位移膜上，同時去除矽系硬遮罩。接著，有應殘留作為遮光膜之鉻系材料膜時，形成保護該部分之阻劑圖型後，再以含氧之氯系乾蝕刻剝離不要之鉻系材料膜，且依據常用方法去除阻劑材料，藉此可獲得半色調相位移型光罩。
本發明之半色調相位移型光罩係在用於在被加工基板上形成半間距50nm以下，尤佳30nm以下，最好20nm以下之圖型之光微影蝕刻中，以ArF準分子雷射(193nm)、F2雷射(157nm)等之波長200nm以下之曝光光將圖型轉印於被加工基板上形成之光阻膜之曝光中尤其有效。
本發明之圖型曝光方法係使用由半色調相位 移型光罩毛胚製造之半色調相位移型光罩，對半色調相位移膜之包含圖型之光罩圖型照射曝光光，將光罩圖型轉印於被加工基板上形成之光罩圖型之曝光對象的光阻膜上。曝光光之照射可為利用乾式條件之曝光，亦可為液浸曝光，但本發明之圖型曝光方法於實際生產中能以較短時間提高累積照射能量之藉液浸曝光，尤其是藉液浸曝光以300nm以上之晶圓作為被加工基板，使光罩圖型曝光時尤其有效。
已有報導隨著圖型轉印中之ArF準分子雷射光之曝光照射量之增加，會在遮罩上產生與濁度不同之損傷，根據累積之照射能量而使遮罩之圖型線寬產生變化(Thomas Faure等人，“Characterization of binary mask and attenuated phase shift mask blanks for 32nm mask fabrication”,Proc.Of SPIE,vol.7122,pp712209-1~712209-12(非專利文獻1))。此會有為於長時間照射ArF準分子雷射光時，累積照射能量變大，由認為是圖型材質之氧化物的物質所成之層於膜圖型之外側成長，而使圖型寬度產生變化之問題。且，受到該損傷之遮罩顯示無法藉去除前述霧濁所用之氨水/氫氧化氫水溶液洗淨，或以硫酸/過氧化氫水溶液洗淨而恢復，原因被認為全然不同。
另外，依據上述Thomas Faure等人之報導(非專利文獻1)，指出電路之圖型曝光中，用以延伸焦點深度之有用遮罩技術的半色調相位移型光罩尤其在藉由 隨著因上述ArF準分子雷射光之照射造成之MoSi系材料膜等之過渡金屬矽系材料膜之變質，圖型尺寸變動所致之劣化(以下稱為圖型尺寸變動劣化)較大。因此，為了長時間使用昂貴的光罩，對於因ArF準分子雷射光之照射所致之圖型尺寸變動劣化必須有其對策。
因ArF準分子雷射光之照射所致之圖型尺寸變動劣化如在上述Thomas Faure等人之報導(非專利文獻1)所明瞭，作為在乾燥空氣環境中照射光之情況為不易產生者且用以防止圖型尺寸變動劣化之新的對策，考慮有在乾燥空氣中進行曝光之方法。然而，乾燥空氣環境之控制除需要附加裝置外，又新增靜電對策等之需求，故成本上升。因此，不進行濕度之完全去除，而在常用之環境(例如，濕度50%左右)中，可能需要長時間曝光。
且，以ArF準分子雷射光作為光源之微影蝕刻中所用之光罩而言，在半色調相位移型光罩中，過去係使用過渡金屬矽系材料，通常使用含鉬之矽系材料。該過渡金屬矽系材料主要之構成元素為過渡金屬與矽，進而，含有氮及/或氧作為輕元素者(例如，日本特開平7-140635號公報(專利文獻1))，另外有少量添加少碳或氫等元素者(例如，日本特開平10-171096號公報(專利文獻7))。至於過渡金屬係使用Mo、Zr、Ta、W、Ti等，尤其一般使用Mo(例如，日本特開平7-140635號公報(專利文獻1))，但進而亦有添加第2種過渡金屬之情況(日本特開2004-133029號公報(專利文獻8))。 且，遮光膜中，亦使用過渡金屬矽系材料，通常使用含鉬之矽系材料。
然而，對使用此過渡金屬矽系材料之光罩照射大量高能量光時，因高能量光之照射所致之圖型尺寸變動劣化增大，使光罩之使用壽命比要求者更短。藉由對過渡金屬矽系材料膜之光罩圖型照射ArF準分子雷射光，使曝光所用之光罩圖型之線寬產生變化係重大問題。
半色調相位移膜中使用此過渡金屬矽系材料膜時之圖型尺寸變動之問題可藉由使用以本發明之不含過渡金屬之矽系材料形成之半色調相位移膜之半色調相位移型光罩獲得改善。
〔實施例〕
以下，例示實施例及比較例具體說明本發明，但本發明並不受限於下述實施例。
〔實施例1〕
使用矽靶材作為濺鍍靶，且使用氮氣與氬氣作為濺鍍氣體，使SiN之半色調相位移膜成膜於152nm見方、厚度6.35mm之石英基板上。以使該膜在波長193nm之光(ArF準分子雷射，以下同)下之相位差成為178°之方式調節成膜時間而成膜後，在波長193nm之光下之透過率為19%，膜厚為59nm。
以XPS(X射線光電子分光分析法，以下 同)測定該膜之組成後，矽：氮=1：1(原子比)。且，該膜在波長193nm之光下之折射率為2.6，吸收係數為0.35。再者，該膜在室溫(23℃)下浸漬於氨過氧化氫水溶液洗淨液(28質量%氨水：30質量%過氧化氫水溶液：水=1：1：100(體積比))中240分鐘，藉此評價耐藥品性，相位差之變化為1.24°。
〔實施例2〕
使用矽靶材作為濺鍍靶，使用氧氣與氮氣及氬氣作為濺鍍氣體，使SiON之半色調相位移膜成膜於152nm見方、厚度6.35mm之石英基板上。以使該膜在波長193nm之光下之相位差成為178°之方式調節成膜時間而成膜後，在波長193nm之光下之透過率為24%，膜厚為63nm。
以XPS測定該膜之組成後，矽：氮：氧=5：5：1(原子比)。且，該膜在波長193nm之光下之折射率為2.5，吸收係數為0.27。進而，與實施例1同樣評價該膜之耐藥品性後，相位差之變化為0.28°。
〔實施例3〕
使用矽靶材作為濺鍍靶，使用氧氣與氮氣及氬氣作為濺鍍氣體，使SiON之半色調相位移膜成膜於152nm見方、厚度6.35mm之石英基板上。以使該膜在波長193nm之光下之相位差成為176°之方式調節成膜時間而成膜後，在波長193nm之光下之透過率為28%，膜厚為66nm。
以XPS測定該膜之組成後，矽：氮：氧=3：3：1(原子比)。且，該膜在波長193nm之光下之折射率為2.4，吸收係數為0.22。再者，與實施例1同樣評價該膜之耐藥品性後，相位差之變化為1.07°。
〔實施例4〕
使用矽靶材作為濺鍍靶，使用氮氣及氬氣作為濺鍍氣體，於152nm見方、厚度6.35mm之石英基板上形成SiN層，且使用矽靶材作為濺鍍靶，使用氧氣與氮氣及氬氣作為濺鍍氣體，於其上形成SiON層，成膜由SiN層與SiON層之2層所成之半色調相位移膜。SiN層係以使厚度成為45nm之方式調節成膜時間，SiON層係以使半色調相位移膜全體在波長193nm之光下之相位差成為180°之方式調節成膜時間而成膜後，SiON層之厚度為21nm，半色調相位移膜全體在波長193nm之光下之透過率為29%，膜厚為66nm。
以XPS測定該膜之組成後，SiN層為矽：氮=1：1(原子比)，SiON層為矽：氮：氧=2：1：2(原子比)。且，該膜在波長193nm之光下之折射率與吸收係數係SiN層之折射率為2.6，吸收係數為0.34，SiON層之折射率為2.0，吸收係數為0.08。進而，與實施例1同樣評價該膜之耐藥品性後，相位差之變化為2.26°。
〔比較例1〕
使用以原子比計鉬：矽=1：2之比率含鉬與矽之靶材、與矽靶材作為濺鍍靶，使用氧氣與氮氣及氬氣作為濺鍍氣體，使MoSiON之半色調相位移膜成膜於152nm見方、厚度6.35mm之石英基板上。以使該膜在波長193nm之光下之相位差成為177°之方式調節成膜時間而成膜後，膜厚為74nm。
以XPS測定該膜之組成，鉬：矽：氮：氧=1：4：4：1(原子比)。進而，與實施例1同樣評價該膜之耐藥品性後，相位差之變化較大而為10.8°。
〔比較例2〕
使用以原子比計鉬：矽=1：2之比率含鉬與矽之靶材、與矽靶材作為濺鍍靶，使用氧氣與氮氣及氬氣作為濺鍍氣體，使MoSiON之半色調相位移膜成膜於152nm見方、厚度6.35mm之石英基板上。以使該膜之相位差成為177°之方式調節成膜時間而成膜後，在波長193nm之光下之透過率為33%，膜厚為92nm。
以XPS測定該膜之組成後，鉬：矽：氮：氧=1：13：8：12(原子比)。且，該膜在波長193nm之光下之折射率為2.0，吸收係數為0.17。

Claims (11)

  1. 一種半色調相位移型光罩毛胚，其特徵係於透明基板上具有由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之半色調相位移膜，該半色調相位移膜對於波長200nm以下之光之透過率為10%以上，相位差為150~200°，且膜厚為70nm以下，同時係以由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層的單層，或包含1層以上之由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層之多層構成。
  2. 如請求項1之半色調相位移型光罩毛胚，其中上述半色調相位移膜係由矽與氮所成。
  3. 如請求項1之半色調相位移型光罩毛胚，其中上述半色調相位移膜係由包含1層以上之由矽與氮所成之層與1層以上之由矽及氮及氧所成之層之多層所成。
  4. 如請求項1至3中任一項之半色調相位移型光罩毛胚，其係於用以在被加工基板上形成半間距50nm以下之圖型之微影蝕刻中，以波長200nm以下之曝光光將上述圖型轉印於在被加工基板上形成之光阻膜上之圖型曝光所用之光罩用。
  5. 一種半色調相位移型光罩，其特徵係於透明基板 上具有由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之半色調相位移膜之半色調圖型，該半色調相位移膜對於波長200nm以下之光的透過率為10%以上，相位差為150~200°，且膜厚為70nm以下，同時係由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層的單層，或包含1層以上之由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層之多層所構成。
  6. 如請求項5之半色調相位移型光罩，其中上述半色調相位移膜係由矽與氮所成。
  7. 如請求項5之半色調相位移型光罩，其中上述半色調相位移膜係由包含1層以上之由矽與氮所成之層與1層以上之由矽與氮及氧所成之層之多層所成。
  8. 如請求項5至7中任一項之半色調相位移型光罩，其係於用以在被加工基板上形成半間距50nm以下之圖型之微影蝕刻中，以波長200nm以下之曝光光將上述圖型轉印於在被加工基板上形成之光阻膜上之圖型曝光用。
  9. 一種圖型曝光方法，其係於用以在被加工基板上形成半間距50nm以下之圖型之微影蝕刻中，以波長200nm以下之曝光光將上述圖型轉印於在被加工基板上形 成之光阻膜上之圖型曝光方法，其特徵係使用半色調相位移型光罩，該半色調相位移型光罩係於透明基板上具有由矽及氮、或由矽、氮及氧所成之半色調相位移膜之光罩圖型，該半色調相位移膜對於上述曝光光之透過率為10%以上，相位差為150~200°，且膜厚為70nm以下，同時係由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層之單層，或包含1層以上之由矽及氮、或由矽、氮及氧所成，該氧含量為氮含量之1/3(原子比)以下，折射率為2.4以上，吸收係數為0.22以上且0.54以下之層之多層構成。
  10. 如請求項9之圖型曝光方法，其中上述半色調相位移膜係由矽及氮所成。
  11. 如請求項9之圖型曝光方法，其中上述半色調相位移膜係由包含1層以上之由矽及氮所成之層與1層以上之由矽及氮及氧所成之層之多層所成。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI634381B (zh) * 2015-03-31 2018-09-01 日商信越化學工業股份有限公司 半色調相位移型空白光罩之製造方法
TWI636319B (zh) * 2015-03-31 2018-09-21 日商信越化學工業股份有限公司 半色調相位移型空白光罩之製造方法
TWI724226B (zh) * 2016-08-23 2021-04-11 日商信越化學工業股份有限公司 半色調相位移空白光罩之製造方法、半色調相位移空白光罩及半色調相位移光罩
TWI741162B (zh) * 2017-03-10 2021-10-01 日商信越化學工業股份有限公司 半色調相位移型空白光罩
TWI784139B (zh) * 2018-03-14 2022-11-21 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 遮罩基底、相位轉移遮罩及半導體元件之製造方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6524614B2 (ja) * 2014-05-27 2019-06-05 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法
JP6551585B2 (ja) * 2014-08-04 2019-07-31 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法
JP2016035559A (ja) 2014-08-04 2016-03-17 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法
JP6418035B2 (ja) * 2015-03-31 2018-11-07 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクス及び位相シフトマスク
JP6341129B2 (ja) * 2015-03-31 2018-06-13 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク
US9897911B2 (en) * 2015-08-31 2018-02-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Halftone phase shift photomask blank, making method, and halftone phase shift photomask
TWI720752B (zh) * 2015-09-30 2021-03-01 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 空白遮罩、相位移轉遮罩及半導體元件之製造方法
JP6500791B2 (ja) * 2016-01-22 2019-04-17 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法
JP6743679B2 (ja) * 2016-03-02 2020-08-19 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法
US10678125B2 (en) * 2016-03-02 2020-06-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and method for preparing photomask
CN109643056B (zh) 2016-08-26 2022-05-03 Hoya株式会社 掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法
WO2018056033A1 (ja) * 2016-09-26 2018-03-29 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP6733464B2 (ja) * 2016-09-28 2020-07-29 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク
JP6432636B2 (ja) * 2017-04-03 2018-12-05 凸版印刷株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP6716629B2 (ja) * 2017-05-18 2020-07-01 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 位相反転ブランクマスク及びその製造方法
JP6753375B2 (ja) * 2017-07-28 2020-09-09 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
US11156912B2 (en) * 2017-09-29 2021-10-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography mask and method for manufacturing the same
JP6998181B2 (ja) * 2017-11-14 2022-02-04 アルバック成膜株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびその製造方法
JP7037919B2 (ja) * 2017-11-14 2022-03-17 アルバック成膜株式会社 マスクブランク、ハーフトーンマスクおよびその製造方法
CN111344633B (zh) 2017-11-24 2023-02-03 Hoya株式会社 掩模坯料、相移掩模及制造方法、半导体器件的制造方法
TWI669566B (zh) * 2018-01-18 2019-08-21 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation 用於拼接式微影製程的光罩、半色調光罩及其製作方法
CN110196530B (zh) * 2018-02-27 2024-05-14 Hoya株式会社 相移掩模坯料、相移掩模的制造方法、及显示装置的制造方法
CN111902772A (zh) * 2018-03-26 2020-11-06 Hoya株式会社 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
JP6557381B1 (ja) * 2018-05-08 2019-08-07 エスアンドエス テック カンパニー リミテッド 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
JP7109996B2 (ja) 2018-05-30 2022-08-01 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP6896694B2 (ja) 2018-12-25 2021-06-30 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP7255512B2 (ja) * 2019-03-29 2023-04-11 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク
JP7192731B2 (ja) * 2019-09-27 2022-12-20 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、その製造方法、及びハーフトーン位相シフト型フォトマスク
CN115698849A (zh) 2020-06-30 2023-02-03 爱发科成膜株式会社 掩模坯的制造方法、掩模坯、光掩模的制造方法及光掩模

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3064769B2 (ja) 1992-11-21 2000-07-12 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
JP3115185B2 (ja) * 1993-05-25 2000-12-04 株式会社東芝 露光用マスクとパターン形成方法
JPH0915831A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Toshiba Corp 露光用マスクの製造方法
JPH10171096A (ja) 1996-12-14 1998-06-26 Hoya Corp 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
DE10307545A1 (de) 2002-02-22 2003-11-06 Hoya Corp Zuschnitt für halbtonartige Phasenverschiebungsmaske und zugehörige Phasenverschiebungsmaske
US6730445B2 (en) * 2002-04-12 2004-05-04 International Business Machines Corporation Attenuated embedded phase shift photomask blanks
JP3988041B2 (ja) 2002-10-08 2007-10-10 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びその製造方法
JP4933753B2 (ja) 2005-07-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
EP1746460B1 (en) 2005-07-21 2011-04-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank, photomask and fabrication method thereof
JP4551344B2 (ja) 2006-03-02 2010-09-29 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスク
JP4509050B2 (ja) 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
US20070243491A1 (en) * 2006-04-18 2007-10-18 Wu Wei E Method of making a semiconductor with a high transmission CVD silicon nitride phase shift mask
JP4714180B2 (ja) 2007-05-01 2011-06-29 株式会社東芝 フォトマスク管理方法、フォトマスク洗浄可能回数生成方法、及びフォトマスク管理システム
JP2008310091A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Shin Etsu Chem Co Ltd ハーフトーン型位相シフトマスク
JP5345333B2 (ja) * 2008-03-31 2013-11-20 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
JP5530075B2 (ja) 2008-03-31 2014-06-25 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法
JP5702920B2 (ja) * 2008-06-25 2015-04-15 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法
JP5879951B2 (ja) * 2011-11-21 2016-03-08 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランク

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI634381B (zh) * 2015-03-31 2018-09-01 日商信越化學工業股份有限公司 半色調相位移型空白光罩之製造方法
TWI636319B (zh) * 2015-03-31 2018-09-21 日商信越化學工業股份有限公司 半色調相位移型空白光罩之製造方法
TWI724226B (zh) * 2016-08-23 2021-04-11 日商信越化學工業股份有限公司 半色調相位移空白光罩之製造方法、半色調相位移空白光罩及半色調相位移光罩
TWI741162B (zh) * 2017-03-10 2021-10-01 日商信越化學工業股份有限公司 半色調相位移型空白光罩
TWI784139B (zh) * 2018-03-14 2022-11-21 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 遮罩基底、相位轉移遮罩及半導體元件之製造方法

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