JP2005292192A - ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク並びにパターン転写方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】石英ガラス基板等からなる透明基板11上にジルコニウムと、ジルコニウム以外の金属と、シリコンとを含んだ金属シリサイド化合物薄膜からなる半透明膜層21を形成したハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス10をパターニング処理して、透明領域23と位相シフトパターン21aとからなる半透明領域24とを有するハーフトーン型位相シフトマスク100を得る。
【選択図】図3
Description
さらに、ハーフトーン型位相シフトマスクとして満足すべき露光波長での位相差、透過率や検査波長での透過率を制御できる。
また、半透明膜層の残留内部応力が低減することにより、マスクパターンでの位置精度の向上も図ることが出来る。
さらに、本発明のパターン転写方法によると、シリコンウエハー等の基板に形成されたレジストに対し、高精度のパターン露光が長期間可能となり、その結果、電子デバイス等のパターンを高い歩留まりで作製することができる。
ここで、半透明膜層に含まれるジルコニウム以外の金属には、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、クロム、インジウム、ニオブなどがあげられる。しかし、この中でモリブデン、チタン、タングステンが好ましい。
次に、レジストパターン41をエッチングマスクにして半透明膜層21をエッチングする(図3(c)参照)。さらに、レジストパターン41を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明領域23と位相シフトパターン21aからなる半透明領域24とを有する本発明のハーフトーン型位相シフトマスク100を得る。
ラス基板等からなる透明基板11上に上記前記半透明膜層21及び31を形成したハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス20(図4(a)参照)に電子線レジストを塗布し、電子線描画、現像等の一連のパターニング処理してレジストパターン41を形成する(図4(b)参照)。
次に、レジストパターン41をエッチングマスクにして半透明膜層21及び31をエッチングする(図4(c)参照)。さらに、レジストパターン41を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明領域23と位相シフトパターン21a及び31aとからなる半透明領域24とを有する本発明のハーフトーン型位相シフトマスク200を得る。
ここで、成膜時の各ターゲット電力比を変えて、8種類のブランクス(A〜F)を作製し、耐薬品性、特に耐アルカリ薬品で劣る酸化膜について薬品耐性評価を行った。
ここで
・ジルコニウムモリブデンシリサイド窒化膜からなる半透明膜層21の成膜条件は、
電力:ジルコニウムシリサイドターゲット 240W
モリブデンシリサイドターゲット 60W
圧力:0.25Pa
ガス及び流量:窒素ガス40sccm、
・ジルコニウムモリブデンシリサイド酸化膜からなる半透明膜層31の成膜条件は、
電力:ジルコニウムシリサイドターゲット 240W
モリブデンシリサイドターゲット 60W
圧力:0.25Pa
ガス及び流量:アルゴンガス30sccm、酸素ガス10sccm
この後、300℃、1時間で加熱処理を行った。加熱処理後のF2エキシマレーザーの露光波長である157nmにおける位相差は178.6度、透過率は5.78%であった。
エッチングガス:C2F6/O2/He=5/5/40SCCM
圧力:3mTorr
レジスト:FEP171
レジスト膜厚:2500Å
印加電力:RIE=50W、ICP=100W
尚、エッチングガスには他のガスを用いた場合でもエッチング可能である。
<比較例>
まず、DCスパッタリング装置を用いて、チャンバー内に窒素ガスを導入し、ジルコニウムシリサイドターゲットとモリブデンシリサイドターゲットを用いた2元スパッタリングにより、石英ガラスからなる透明基板11上にジルコニウムモリブデンシリサイド窒化膜からなる半透明膜層22を成膜し、さらに、半透明膜層22上に連続してアルゴンガス、酸素ガスを導入し、ジルコニウムモリブデンシリサイド酸化膜からなる半透明膜層32を成膜し、本発明のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス30を作製した(図5参照)。このとき総膜厚は822Åであった。
・ジルコニウムモリブデンシリサイド窒化膜からなる半透明膜層22の成膜条件は、
電力:ジルコニウムシリサイドターゲット 210W
モリブデンシリサイドターゲット 90W
圧力:0.25Pa
ガス及び流量:窒素ガス40sccm、
・ジルコニウムモリブデンシリサイド酸化膜からなる半透明膜層32の成膜条件は、
電力:ジルコニウムシリサイドターゲット 210W
モリブデンシリサイドターゲット 90W
圧力:0.25Pa
ガス及び流量:アルゴンガス30sccm、酸素ガス10sccm
この後、300℃、1時間で加熱処理を行った。上記比較例のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスの加熱処理後のF2エキシマレーザーの露光波長である157nmにおける位相差は179.1度、透過率は5.89%であった。
ジストFEP171を塗布し、電子線描画、現像等の一連のパターニング処理してレジストパターン41を形成した(図4(b)参照)。次に、レジストパターン41をエッチングマスクにして半透明膜層21及び31をドライエッチングによってエッチングした。(図4(c)参照)。さらに、レジストパターンを剥離液で剥膜、洗浄して、透明領域23、位相シフトパターン21a及び31aとからなる半透明領域24とを有する本発明のハーフトーン型位相シフトマスク200を得た。ここで、ドライエッチング条件は以下の通りである。ドライエッチング装置にはICPドライエッチング装置を使用した。
エッチングガス:C2F6/O2/He=5/5/40SCCM
圧力:3mTorr
レジスト:FEP171
レジスト膜厚:2500Å
印加電力:RIE=50W、ICP=100W
上記サンプルを実施例1と同様にSPM、APMに浸漬させ、耐薬品性を評価した。サンプルのSPMに浸漬後の位相差は178.5度、透過率は6.00%であった。従って、SPM浸漬によって位相差は−0.6度、透過率は+0.11変化したことになる。またAPMに浸漬後の位相差は174.3度、透過率は6.76%であった。従って、APM浸漬によって位相差−4.8度は、透過率は+0.87%変化したことになり、耐APM評価試験では、位相差、透過率変化が実施例よりも、大きく変化し本発明のハーフトーン型位相シフトマスクよりも耐薬品性が劣っていることが確認された。結果を表5に示す。
11、111…透明基板
21、22、31、32…半透明膜層
21a、22a、31a、32a、121…位相シフトパターン
23…透明領域
24…半透明領域
41、42…レジストパターン
100、200、300…ハーフトーン型位相シフトマスク
131…遮光パターン
Claims (6)
- 透明基板上に少なくとも一層以上の半透明膜層を有するハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスにおいて、前記半透明膜層にジルコニウムと、ジルコニウム以外の金属と、シリコンとが含まれており、前記半透明膜層に含まれる全金属(Me)に対するジルコニウム(Zr)の原子比率(Zr/Me)が0.7以上であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
- 前記半透明膜層に含まれるジルコニウム及びジルコニウム以外の金属及びシリコンが、酸素,窒素,ハロゲン元素の群から選択された元素との間で化合物を形成していることを特徴とする請求項1記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
- 前記半透明膜層を300℃以上で加熱処理を行うことを特徴とする請求項1または2記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
- 前記半透明膜層は露光光での位相差が180±5度で、且つ透過率が2〜30%であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスを用いて、透明基板上に露光光に対して透明域と半透明域からなるパターンを形成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
- 請求項5記載のハーフトーン型位相シフトマスクに紫外光線を照射し、ハーフトーン型位相シフトマスクを透過した紫外光線によって感応基板を露光することを特徴とするパターン転写方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004103023A JP2005292192A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク並びにパターン転写方法。 |
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CN109782526A (zh) * | 2017-11-14 | 2019-05-21 | 爱发科成膜株式会社 | 掩模坯及其制造方法、半色调掩模及其制造方法 |
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2004
- 2004-03-31 JP JP2004103023A patent/JP2005292192A/ja active Pending
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CN109782526B (zh) * | 2017-11-14 | 2023-12-01 | 爱发科成膜株式会社 | 掩模坯及其制造方法、半色调掩模及其制造方法 |
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