JP2022011477A - フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク - Google Patents
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Abstract
Description
1.透明基板と、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第1の無機膜と、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第2の無機膜とを有し、上記第1の無機膜と上記第2の無機膜とが接して形成され、上記第1の無機膜が、直接又は1若しくは2以上の他の無機膜を介して上記透明基板上に形成されているフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する方法であって、
(A)上記第2の無機膜に接してレジスト膜を形成する工程、
(B)上記レジスト膜をパターニングして、レジストパターンを形成する工程、
(C)上記レジストパターンをエッチングマスクとして、上記第2の無機膜を、フッ素系ドライエッチングによりパターニングして、第2の無機膜のパターンを形成する工程、及び
(D)上記第2の無機膜のパターンをエッチングマスクとして、上記第1の無機膜を、フッ素系ドライエッチングによりパターニングして、第1の無機膜のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
2.透明基板と、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第1の無機膜と、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第2の無機膜と、レジスト膜とを有し、上記第1の無機膜と上記第2の無機膜と上記レジスト膜とがこの順で接して形成され、上記第1の無機膜が、直接又は1若しくは2以上の他の無機膜を介して上記透明基板上に形成されているフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する方法であって、
(B)上記レジスト膜をパターニングして、レジストパターンを形成する工程、
(C)上記レジストパターンをエッチングマスクとして、上記第2の無機膜を、フッ素系ドライエッチングによりパターニングして、第2の無機膜のパターンを形成する工程、及び
(D)上記第2の無機膜のパターンをエッチングマスクとして、上記第1の無機膜を、フッ素系ドライエッチングによりパターニングして、第1の無機膜のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
3.上記(C)工程及び(D)工程をフッ素系ドライエッチングにより連続して実施することを特徴とする1又は2記載の製造方法。
4.上記(C)工程におけるフッ素系ドライエッチングと、上記(D)工程におけるフッ素系ドライエッチングとが同一条件であり、上記(D)工程におけるフッ素系ドライエッチングによる上記第1の無機膜のエッチングレートに対して、上記(C)工程におけるフッ素系ドライエッチングによる上記第2の無機膜のエッチングレートが0.3以上であることを特徴とする1乃至3のいずれかに記載の製造方法。
5.上記第2の無機膜のクロム含有率が、25原子%以上40原子%未満であることを特徴とする1乃至4のいずれかに記載の製造方法。
6.上記第2の無機膜の膜厚が、1nm以上10nm以下であることを特徴とする1乃至5のいずれかに記載の製造方法。
7.上記フォトマスクブランクが、上記他の無機膜として形成された、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第3の無機膜を有し、該第3の無機膜が、上記第1の無機膜の上記透明基板側に接して形成されていることを特徴とする1乃至6のいずれかに記載の製造方法。
8.上記(D)工程におけるフッ素系ドライエッチングによる上記第1の無機膜のエッチングレートに対して、上記(D)工程におけるフッ素系ドライエッチングによる上記第3の無機膜のエッチングレートが0.3未満であることを特徴とする7記載の製造方法。
9.上記フォトマスクブランクが、上記他の無機膜として形成された、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第4の無機膜を有し、該第4の無機膜が、上記第3の無機膜の上記透明基板側に接して形成されていることを特徴とする7又は8記載の製造方法。
10.上記第1の無機膜が上記第3の無機膜のハードマスク膜、上記第2の無機膜が上記第1の無機膜の加工補助膜、上記第3の無機膜が遮光膜、上記第4の無機膜が位相シフト膜であることを特徴とする9記載の製造方法。
11.透明基板と、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第1の無機膜と、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第2の無機膜とを有し、上記第1の無機膜と上記第2の無機膜とが接して形成され、上記第1の無機膜が、直接又は1若しくは2以上の他の無機膜を介して上記透明基板上に形成されているフォトマスクブランクであって、
フッ素系ドライエッチングにより同一条件でエッチングしたとき、上記第1の無機膜のエッチングレートに対する上記第2の無機膜のエッチングレートが0.3以上であることを特徴とするフォトマスクブランク。
12.上記第2の無機膜のクロム含有率が、25原子%以上40原子%未満であることを特徴とする11記載のフォトマスクブランク。
13.上記第2の無機膜の膜厚が、1nm以上10nm以下であることを特徴とする11又は12記載のフォトマスクブランク。
14.上記フォトマスクブランクが、上記他の無機膜として形成された、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第3の無機膜を有し、該第3の無機膜が、上記第1の無機膜の上記透明基板側に接して形成されていることを特徴とする11乃至13のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
15.フッ素系ドライエッチングにより同一条件でエッチングしたとき、上記第1の無機膜のエッチングレートに対する上記第3の無機膜のエッチングレートが0.3未満であることを特徴とする14記載のフォトマスクブランク。
16.上記フォトマスクブランクが、上記他の無機膜として形成された、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第4の無機膜を有し、該第4の無機膜が、上記第3の無機膜の上記透明基板側に接して形成されていることを特徴とする14又は15記載のフォトマスクブランク。
17.上記第1の無機膜が上記第3の無機膜のハードマスク膜、上記第2の無機膜が上記第1の無機膜の加工補助膜、上記第3の無機膜が遮光膜、上記第4の無機膜が位相シフト膜であることを特徴とする16記載のフォトマスクブランク。
18.上記第2の無機膜の上記透明基板から離間する側に接してレジスト膜を有することを特徴とする11乃至17のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
本発明のフォトマスクブランクは、透明基板と、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第1の無機膜と、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第2の無機膜とを有し、第1の無機膜と第2の無機膜とが接して形成されている。透明基板としては、露光光に対して透明な材料で、かつフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造における熱処理で変形が小さいものであれば、特に制限はなく、一例としては、石英基板が挙げられる。第1の無機膜は、透明基板上に直接形成されていても、1又は2以上の他の無機膜(例えば、第3の無機膜、第4の無機膜など)を介して透明基板上に形成されていてもよいが、第1の無機膜は、透明基板上に他の無機膜を介して形成されていることが好ましい。また、第2の無機膜の透明基板から離間する側に接してレジスト膜が形成されていてもよい。
152mm角、厚さ約6mmの石英基板上に、位相シフト膜(第4の無機膜)としてMoSiON膜(厚さ75nm)をスパッタリング法で形成した。スパッタガスとしては、アルゴンガスと酸素ガスと窒素ガスを用い、ターゲットとしてはMoSi2ターゲットとSiターゲットの2種類を用いて、石英基板を30rpmで回転させながら成膜した。この位相シフト膜の組成をESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)法(XPS法)で、サーモフィッシャーサイエンティフィック(株)製、K-Alphaを使用(以下のESCA法において同じ。)して測定したところ、Mo:Si:O:N=1:4:1:4(原子比)であった。
RF1(バイアス用高周波電源):RIE(リアクティブイオンエッチング)、CW(連続放電)、54W
RF2(アンテナ用高周波電源):ICP(誘導結合プラズマ)、CW(連続放電)、325W
圧力:5mTorr(0.67Pa)
SF6:18sccm
O2:45sccm
RF1(バイアス用高周波電源):RIE(リアクティブイオンエッチング)、パルス、700V
RF2(アンテナ用高周波電源):ICP(誘導結合プラズマ)、CW(連続放電)、400W
圧力:6mTorr(0.80Pa)
Cl2:185sccm
O2:55sccm
He:9.25sccm
第1の無機膜の上に、第2の無機膜を形成せず、第1の無機膜に直接レジスト膜を形成した以外は、実施例1と同様にして、フォトマスクブランク(位相シフトマスクブランク)を得た。
21 第1の無機膜
22 第2の無機膜
23 第3の無機膜
24 第4の無機膜
3 レジスト膜
10、11、12、13、14、15 フォトマスクブランク
Claims (18)
- 透明基板と、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第1の無機膜と、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第2の無機膜とを有し、上記第1の無機膜と上記第2の無機膜とが接して形成され、上記第1の無機膜が、直接又は1若しくは2以上の他の無機膜を介して上記透明基板上に形成されているフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する方法であって、
(A)上記第2の無機膜に接してレジスト膜を形成する工程、
(B)上記レジスト膜をパターニングして、レジストパターンを形成する工程、
(C)上記レジストパターンをエッチングマスクとして、上記第2の無機膜を、フッ素系ドライエッチングによりパターニングして、第2の無機膜のパターンを形成する工程、及び
(D)上記第2の無機膜のパターンをエッチングマスクとして、上記第1の無機膜を、フッ素系ドライエッチングによりパターニングして、第1の無機膜のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 透明基板と、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第1の無機膜と、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第2の無機膜と、レジスト膜とを有し、上記第1の無機膜と上記第2の無機膜と上記レジスト膜とがこの順で接して形成され、上記第1の無機膜が、直接又は1若しくは2以上の他の無機膜を介して上記透明基板上に形成されているフォトマスクブランクからフォトマスクを製造する方法であって、
(B)上記レジスト膜をパターニングして、レジストパターンを形成する工程、
(C)上記レジストパターンをエッチングマスクとして、上記第2の無機膜を、フッ素系ドライエッチングによりパターニングして、第2の無機膜のパターンを形成する工程、及び
(D)上記第2の無機膜のパターンをエッチングマスクとして、上記第1の無機膜を、フッ素系ドライエッチングによりパターニングして、第1の無機膜のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 上記(C)工程及び(D)工程をフッ素系ドライエッチングにより連続して実施することを特徴とする請求項1又は2記載の製造方法。
- 上記(C)工程におけるフッ素系ドライエッチングと、上記(D)工程におけるフッ素系ドライエッチングとが同一条件であり、上記(D)工程におけるフッ素系ドライエッチングによる上記第1の無機膜のエッチングレートに対して、上記(C)工程におけるフッ素系ドライエッチングによる上記第2の無機膜のエッチングレートが0.3以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の製造方法。
- 上記第2の無機膜のクロム含有率が、25原子%以上40原子%未満であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の製造方法。
- 上記第2の無機膜の膜厚が、1nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載の製造方法。
- 上記フォトマスクブランクが、上記他の無機膜として形成された、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第3の無機膜を有し、該第3の無機膜が、上記第1の無機膜の上記透明基板側に接して形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載の製造方法。
- 上記(D)工程におけるフッ素系ドライエッチングによる上記第1の無機膜のエッチングレートに対して、上記(D)工程におけるフッ素系ドライエッチングによる上記第3の無機膜のエッチングレートが0.3未満であることを特徴とする請求項7記載の製造方法。
- 上記フォトマスクブランクが、上記他の無機膜として形成された、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第4の無機膜を有し、該第4の無機膜が、上記第3の無機膜の上記透明基板側に接して形成されていることを特徴とする請求項7又は8記載の製造方法。
- 上記第1の無機膜が上記第3の無機膜のハードマスク膜、上記第2の無機膜が上記第1の無機膜の加工補助膜、上記第3の無機膜が遮光膜、上記第4の無機膜が位相シフト膜であることを特徴とする請求項9記載の製造方法。
- 透明基板と、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第1の無機膜と、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第2の無機膜とを有し、上記第1の無機膜と上記第2の無機膜とが接して形成され、上記第1の無機膜が、直接又は1若しくは2以上の他の無機膜を介して上記透明基板上に形成されているフォトマスクブランクであって、
フッ素系ドライエッチングにより同一条件でエッチングしたとき、上記第1の無機膜のエッチングレートに対する上記第2の無機膜のエッチングレートが0.3以上であることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 上記第2の無機膜のクロム含有率が、25原子%以上40原子%未満であることを特徴とする請求項11記載のフォトマスクブランク。
- 上記第2の無機膜の膜厚が、1nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項11又は12記載のフォトマスクブランク。
- 上記フォトマスクブランクが、上記他の無機膜として形成された、クロムを含有し、ケイ素を含有しない第3の無機膜を有し、該第3の無機膜が、上記第1の無機膜の上記透明基板側に接して形成されていることを特徴とする請求項11乃至13のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
- フッ素系ドライエッチングにより同一条件でエッチングしたとき、上記第1の無機膜のエッチングレートに対する上記第3の無機膜のエッチングレートが0.3未満であることを特徴とする請求項14記載のフォトマスクブランク。
- 上記フォトマスクブランクが、上記他の無機膜として形成された、ケイ素を含有し、クロムを含有しない第4の無機膜を有し、該第4の無機膜が、上記第3の無機膜の上記透明基板側に接して形成されていることを特徴とする請求項14又は15記載のフォトマスクブランク。
- 上記第1の無機膜が上記第3の無機膜のハードマスク膜、上記第2の無機膜が上記第1の無機膜の加工補助膜、上記第3の無機膜が遮光膜、上記第4の無機膜が位相シフト膜であることを特徴とする請求項16記載のフォトマスクブランク。
- 上記第2の無機膜の上記透明基板から離間する側に接してレジスト膜を有することを特徴とする請求項11乃至17のいずれか1項記載のフォトマスクブランク。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06301195A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトフォトマスクの修正方法 |
JP2012212013A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Hoya Corp | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
WO2014010408A1 (ja) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2014197215A (ja) * | 2008-09-30 | 2014-10-16 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP2018151453A (ja) * | 2017-03-10 | 2018-09-27 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク |
JP2018173621A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-11-08 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、フォトマスク及びクロム金属ターゲット |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6385553A (ja) | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法 |
JPH0749558A (ja) | 1993-08-05 | 1995-02-21 | Sony Corp | 位相シフトマスクの作製方法 |
WO2004070472A1 (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Hoya Corporation | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
KR101751542B1 (ko) * | 2009-10-06 | 2017-06-27 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 및 전사용 마스크 세트 |
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JP6341166B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2018-06-13 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
KR102254035B1 (ko) * | 2016-08-26 | 2021-05-20 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
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TWI743766B (zh) * | 2019-05-31 | 2021-10-21 | 南韓商S&S技術股份有限公司 | 空白罩幕和光罩 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06301195A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトフォトマスクの修正方法 |
JP2014197215A (ja) * | 2008-09-30 | 2014-10-16 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP2012212013A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Hoya Corp | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
WO2014010408A1 (ja) * | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP2018173621A (ja) * | 2017-02-09 | 2018-11-08 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、フォトマスク及びクロム金属ターゲット |
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