JPH0818902B2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0818902B2 JPH0818902B2 JP1286454A JP28645489A JPH0818902B2 JP H0818902 B2 JPH0818902 B2 JP H0818902B2 JP 1286454 A JP1286454 A JP 1286454A JP 28645489 A JP28645489 A JP 28645489A JP H0818902 B2 JPH0818902 B2 JP H0818902B2
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- substrate
- installation area
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は化合物半導体あるいは絶縁体の薄膜を高品質
にかつ量産性良く成長させることのできる気相成長装置
に関するものである。
にかつ量産性良く成長させることのできる気相成長装置
に関するものである。
〈従来の技術〉 ZnS,GaAs,Si等の電子素子材料の半導体薄膜、あるい
はTa2O5,Al2O3等の絶縁体薄膜の製造方法として気相成
長法がある。この方法では薄膜の原料を蒸気として基板
近傍に運ぶが、室温における原料の蒸気圧が低い場合
（約1torr未満）には原料を高温に加熱したり、反応性
の高いキャリアガスと化学反応させたりして原料の蒸気
が生成され基板近傍に運ばれる。
はTa2O5,Al2O3等の絶縁体薄膜の製造方法として気相成
長法がある。この方法では薄膜の原料を蒸気として基板
近傍に運ぶが、室温における原料の蒸気圧が低い場合
（約1torr未満）には原料を高温に加熱したり、反応性
の高いキャリアガスと化学反応させたりして原料の蒸気
が生成され基板近傍に運ばれる。
Si,GaAs,Ga,Zn,ZnSなどは室温で固体であり、その蒸
気圧が低いために、これらを原料とする場合には上記の
ような方法が用いられ、その装置はこれら固体原料が基
板と同一の反応室内に一体化して設置された構造とされ
る必要があり、横型の反応室を有する気相成長装置が用
いられる。
気圧が低いために、これらを原料とする場合には上記の
ような方法が用いられ、その装置はこれら固体原料が基
板と同一の反応室内に一体化して設置された構造とされ
る必要があり、横型の反応室を有する気相成長装置が用
いられる。
例えば、ZnSとMnを原料としZnSに微量の不純物Mnを添
加したエレクトロルミネッセンス（EL）膜を熱CVD法で
生成する場合には、第３図のような横型の気相成長装置
が用いられる。この装置は反応管１内に２本の補助反応
管2a,2bが配置され、反応管１外周に電気炉3a,3b,3cが
配置され、補助反応管2a内にはZnS粉末原料11が設置さ
れ、補助反応管2b内には金属Mn原料12が設置され、補助
反応管2a,2bから少し離れた位置に基板10が設置され、
基板10と補助反応管2a,2bとの間にはバッフル４が配置
された構造となっている。
加したエレクトロルミネッセンス（EL）膜を熱CVD法で
生成する場合には、第３図のような横型の気相成長装置
が用いられる。この装置は反応管１内に２本の補助反応
管2a,2bが配置され、反応管１外周に電気炉3a,3b,3cが
配置され、補助反応管2a内にはZnS粉末原料11が設置さ
れ、補助反応管2b内には金属Mn原料12が設置され、補助
反応管2a,2bから少し離れた位置に基板10が設置され、
基板10と補助反応管2a,2bとの間にはバッフル４が配置
された構造となっている。
そして、電気炉3b,3cによって所定の温度に加熱され
た補助反応管2a,2b内に輸送ガスが導入され、これによ
って補助反応管2a,2b内で原料蒸気が生じ、反応管１内
に導出され、バッフル４にて混合が促進されて基板10に
達し、基板10表面にZnS:Mn膜が形成される。
た補助反応管2a,2b内に輸送ガスが導入され、これによ
って補助反応管2a,2b内で原料蒸気が生じ、反応管１内
に導出され、バッフル４にて混合が促進されて基板10に
達し、基板10表面にZnS:Mn膜が形成される。
〈発明が解決しようとする課題〉 近年、良質のCVD膜を安価でしかも大面積（10cm角以
上）の基板上に成長させたという要求が高まりつつあ
り、一度に多数枚の大面積基板に成膜の可能な大型の気
相成長装置が望まれている。しかしながら、固体原料を
用いる気相成長装置を大型化するには以下に示す３つの
問題がありこれらを解決する必要がある。
上）の基板上に成長させたという要求が高まりつつあ
り、一度に多数枚の大面積基板に成膜の可能な大型の気
相成長装置が望まれている。しかしながら、固体原料を
用いる気相成長装置を大型化するには以下に示す３つの
問題がありこれらを解決する必要がある。
（１） 基板の全体積及び全重量が大きくなるため横型
の装置では管壁をこすることなく基板を出し入れするラ
ンニングリフトが使えなくなり、管壁の堆積物が基板に
付着するなど基板の設置が困難となる。
の装置では管壁をこすることなく基板を出し入れするラ
ンニングリフトが使えなくなり、管壁の堆積物が基板に
付着するなど基板の設置が困難となる。
（２） 横型炉の構造で装置を大きくすると、浮力に基
づく上下方向のガスの対流が無視できなくなり、同一基
板内または基板間に上下方向に膜厚および不純物濃度の
不均一を生じる。
づく上下方向のガスの対流が無視できなくなり、同一基
板内または基板間に上下方向に膜厚および不純物濃度の
不均一を生じる。
（３） 大面積基板を用いた膜成長で通常用いられる縦
型炉の構造は、固体原料を設置する場所の確保が困難と
なることから採用できない。
型炉の構造は、固体原料を設置する場所の確保が困難と
なることから採用できない。
本発明は以上のような問題点を解決し、多数枚の大面
積基板に同時に成膜することを可能とする気相成長装置
を提供することを目的とする。
積基板に同時に成膜することを可能とする気相成長装置
を提供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、本発明は縦型炉となる主
反応管と、該主反応管の上部より枝状に延びる補助反応
管と、上記主反応管及び上記補助反応管を一定の温度分
布に制御する加熱装置とからなり、上記主反応管には基
板設置域が設けられ上記補助反応管には固体原料設置域
が設けられてなる気相成長装置において、上記基板設置
域には複数枚の基板を着脱自在にガスの流れに略平行に
なるよう垂直に載置して成る基板ホルダーが位置し、上
記補助反応管に外部からのガスの導入口が接続されると
ともに、上記主反応管の上記基板設置域下部にガスの排
気口が接続されてなることを特徴とする気相成長装置を
提供する。
反応管と、該主反応管の上部より枝状に延びる補助反応
管と、上記主反応管及び上記補助反応管を一定の温度分
布に制御する加熱装置とからなり、上記主反応管には基
板設置域が設けられ上記補助反応管には固体原料設置域
が設けられてなる気相成長装置において、上記基板設置
域には複数枚の基板を着脱自在にガスの流れに略平行に
なるよう垂直に載置して成る基板ホルダーが位置し、上
記補助反応管に外部からのガスの導入口が接続されると
ともに、上記主反応管の上記基板設置域下部にガスの排
気口が接続されてなることを特徴とする気相成長装置を
提供する。
また、本発明は横型炉となる主反応管と、該主反応管
内部に併置される補助反応管と、上記主反応管及び上記
補助反応管を一定の温度分布に制御する加熱装置とから
なり、上記主反応管には基板設置域が設けられ上記補助
反応管には固体原料設置域が設けられてなる気相成長装
置において、上記基板設置域には複数枚の基板を着脱自
在にガスの流れに略平行になるよう垂直に収納し、上面
及び下面には開口部が形成されてなる収納箱が位置し、
上記補助反応管には外部からのガスの導入口が接続され
るとともに、上記主反応管には、上記収納箱内部で上方
より下方に移送されたガスを排出する排気口が接続され
てなることを特徴とする気相成長装置を提供する。
内部に併置される補助反応管と、上記主反応管及び上記
補助反応管を一定の温度分布に制御する加熱装置とから
なり、上記主反応管には基板設置域が設けられ上記補助
反応管には固体原料設置域が設けられてなる気相成長装
置において、上記基板設置域には複数枚の基板を着脱自
在にガスの流れに略平行になるよう垂直に収納し、上面
及び下面には開口部が形成されてなる収納箱が位置し、
上記補助反応管には外部からのガスの導入口が接続され
るとともに、上記主反応管には、上記収納箱内部で上方
より下方に移送されたガスを排出する排気口が接続され
てなることを特徴とする気相成長装置を提供する。
〈作 用〉 本発明では、基板設置域を縦型炉の構造、もしくは、
ガスが上下方向に流れるように配置された開口部を有す
る取り外し可能な箱を有する構造とすることにより、反
応室内に外部よりガスを導入し、排気装置により反応室
内のガスを排気すると、基板設置域でのガスの流れが上
下方向となり、浮力に基づく上下方向の原料ガスの対流
の方向と制御された本来の原料ガスの流れの方向が一致
し、対流の影響が小さくなり、ガスの流れが制御しやす
くなり、上下方向の膜厚および不純物濃度が均一化され
る。
ガスが上下方向に流れるように配置された開口部を有す
る取り外し可能な箱を有する構造とすることにより、反
応室内に外部よりガスを導入し、排気装置により反応室
内のガスを排気すると、基板設置域でのガスの流れが上
下方向となり、浮力に基づく上下方向の原料ガスの対流
の方向と制御された本来の原料ガスの流れの方向が一致
し、対流の影響が小さくなり、ガスの流れが制御しやす
くなり、上下方向の膜厚および不純物濃度が均一化され
る。
さらに、基板設置域を縦型炉の構造とすると、基板が
上下方向から出し入れでき、基板の設置が容易となり、
基板設置域を取り外し可能な箱を有する構造とすると、
基板は箱ごと出し入れされて、ゴムの付着がなくまたカ
ートリッジ方式が使用できて能率的となり、反応室の形
状に関わらず基板の設置が容易となる。
上下方向から出し入れでき、基板の設置が容易となり、
基板設置域を取り外し可能な箱を有する構造とすると、
基板は箱ごと出し入れされて、ゴムの付着がなくまたカ
ートリッジ方式が使用できて能率的となり、反応室の形
状に関わらず基板の設置が容易となる。
また、反応室内を一定の温度分布に制御する加熱装置
により、基板設置域と各固体原料設置域の温度を独立に
制御して、良質の膜が成膜される。
により、基板設置域と各固体原料設置域の温度を独立に
制御して、良質の膜が成膜される。
また、固体原料設置域が横方向に配置された管状であ
るので、原料をボート等に入れてそのまま設置でき、原
料の設置が容易となる。
るので、原料をボート等に入れてそのまま設置でき、原
料の設置が容易となる。
〈実施例〉 以下本発明の実施例について詳しく説明する。
実施例１ 大面積ガラス基板上にエレクトロルミネッセンス発光
膜ZnS:Mnを成膜した場合について第１図を参照しながら
説明する。
膜ZnS:Mnを成膜した場合について第１図を参照しながら
説明する。
本実施例で用いられた気相成長装置は縦方向に配置さ
れた主反応管１の上部に横方向に配置された２本の補助
反応管2a,2bが取り付けられ、主反応管１と補助反応管2
a,2bの外周に電気炉3a,3b,3cがそれぞれ配置され、さら
にこれら反応管の接続部にバッフル４が配置され、この
上方部に電気炉3dが配置され、主反応管１の下部に排気
口５が設けられた構造となっている。主反応管１内の基
板設置域は基板ホルダー６が主反応管１の下部より出し
入れされる縦型炉の構造となっている。また、固体原料
設置域II,IIIが補助反応管2a,2b内にそれぞれ設けられ
ている。
れた主反応管１の上部に横方向に配置された２本の補助
反応管2a,2bが取り付けられ、主反応管１と補助反応管2
a,2bの外周に電気炉3a,3b,3cがそれぞれ配置され、さら
にこれら反応管の接続部にバッフル４が配置され、この
上方部に電気炉3dが配置され、主反応管１の下部に排気
口５が設けられた構造となっている。主反応管１内の基
板設置域は基板ホルダー６が主反応管１の下部より出し
入れされる縦型炉の構造となっている。また、固体原料
設置域II,IIIが補助反応管2a,2b内にそれぞれ設けられ
ている。
尚、反応室は内径28cm、高さ70cmの主反応管と補助反
応管が一体となった石英チューブ製で、基板ホルダー６
はモーター８に接続され反応中に基板を回転できるよう
になっている。基板は、ホルダー６に一定間隔で並べら
れ基板出し入れ用フランジ9cより装置内へ設置され、固
体原料であるZnS粉末11と金属Mn12は石英ボードに充填
され、原料出し入れ用フランジ9a,9bより、それぞれ固
体原料設置域II,IIIに設置される。
応管が一体となった石英チューブ製で、基板ホルダー６
はモーター８に接続され反応中に基板を回転できるよう
になっている。基板は、ホルダー６に一定間隔で並べら
れ基板出し入れ用フランジ9cより装置内へ設置され、固
体原料であるZnS粉末11と金属Mn12は石英ボードに充填
され、原料出し入れ用フランジ9a,9bより、それぞれ固
体原料設置域II,IIIに設置される。
この装置により以下の条件でガラス基板10上にZnS:Mn
膜を成膜した。
膜を成膜した。
６インチサイズ（170×140mm）のガラス基板を使用
し、２枚を背中合せに密着させ１組とし、10組20枚の基
板を設置し、900〜1000℃に内部が加熱された補助反応
管2a内にH2ガスを流しZnSを、800〜900℃に内部が加熱
された補助反応管2b内にHClガスを流してMnをそれぞれ
主反応管内の基板設置域Ｉに輸送し、主反応管内をメカ
ニカルポンプおよび油回転ポンプにより排気し60mm tor
rに保った。さらに、膜の成長速度はH2ガスの流量によ
り制御し、膜中のMn濃度はH2ガスとHClガスの流量比に
より制御して、成長速度が50〜200Å/min,Mn濃度が0.3
〜0.6at％の範囲になるようにして成膜を行った。
し、２枚を背中合せに密着させ１組とし、10組20枚の基
板を設置し、900〜1000℃に内部が加熱された補助反応
管2a内にH2ガスを流しZnSを、800〜900℃に内部が加熱
された補助反応管2b内にHClガスを流してMnをそれぞれ
主反応管内の基板設置域Ｉに輸送し、主反応管内をメカ
ニカルポンプおよび油回転ポンプにより排気し60mm tor
rに保った。さらに、膜の成長速度はH2ガスの流量によ
り制御し、膜中のMn濃度はH2ガスとHClガスの流量比に
より制御して、成長速度が50〜200Å/min,Mn濃度が0.3
〜0.6at％の範囲になるようにして成膜を行った。
こうして成膜されたZnS:Mn膜の同一基板内での膜厚と
Mn濃度の分布を調べたところ、第４図（Ａ），（Ｂ）お
よび（Ｃ）に示すように、膜厚に関しては評価に用いた
表面段差計の精度（２％）以内で極めて均一であり、Mn
濃度に関しては基板周辺部が高くなる傾向が認められ、
±10％の分布を有していた。また、基板間での膜厚とMn
濃度の分布を調べたところ、基板内に比べてともにはる
かに小さい分布となっていた。これらの膜をELパネルと
して実際に光らせ輝度の面内分布を測定したところ、第
５図に示すように、極めて均一であった。実用上、ELデ
ィスプレイでは面内の輝度分布のMin/Max値が70％以上
であることが要求されるが、作製されたEL膜はこれを十
分に満足している。また、基板の数を50枚としても同じ
ように十分な均一性が得られることがわかり、量産性に
も優れていることがわかった。従来の横型の気相成長装
置を用いた場合、基板上のMn濃度分布と膜厚分布は上下
方向に不均一となり、その結果輝度分布も上下方向に非
対称な面内分布となるが、こうした非対称性は本発明の
装置では構造の対称性から発生せず、解消された。
Mn濃度の分布を調べたところ、第４図（Ａ），（Ｂ）お
よび（Ｃ）に示すように、膜厚に関しては評価に用いた
表面段差計の精度（２％）以内で極めて均一であり、Mn
濃度に関しては基板周辺部が高くなる傾向が認められ、
±10％の分布を有していた。また、基板間での膜厚とMn
濃度の分布を調べたところ、基板内に比べてともにはる
かに小さい分布となっていた。これらの膜をELパネルと
して実際に光らせ輝度の面内分布を測定したところ、第
５図に示すように、極めて均一であった。実用上、ELデ
ィスプレイでは面内の輝度分布のMin/Max値が70％以上
であることが要求されるが、作製されたEL膜はこれを十
分に満足している。また、基板の数を50枚としても同じ
ように十分な均一性が得られることがわかり、量産性に
も優れていることがわかった。従来の横型の気相成長装
置を用いた場合、基板上のMn濃度分布と膜厚分布は上下
方向に不均一となり、その結果輝度分布も上下方向に非
対称な面内分布となるが、こうした非対称性は本発明の
装置では構造の対称性から発生せず、解消された。
また、固体原料に用いたZnSおよびMnは数サイクル毎
に取り出し補充が必要であるが、石英ボートに充填して
上部横型補助反応管2a,2bのフランジ部から容易に取り
換え作業ができメンテナンス、再現性上の問題はなかっ
た。さらに、複雑な構造をした石英反応管の強度的な問
題についても100サイクルの連続使用試験後も再現性良
く良好な膜が得られることが確認され、実用上の問題は
認められなかった。
に取り出し補充が必要であるが、石英ボートに充填して
上部横型補助反応管2a,2bのフランジ部から容易に取り
換え作業ができメンテナンス、再現性上の問題はなかっ
た。さらに、複雑な構造をした石英反応管の強度的な問
題についても100サイクルの連続使用試験後も再現性良
く良好な膜が得られることが確認され、実用上の問題は
認められなかった。
尚、本装置は原料設置部が互いに離れているために、
独立に温度制御するのが容易であり、制御温度が離れて
いる場合に特に有効である。
独立に温度制御するのが容易であり、制御温度が離れて
いる場合に特に有効である。
実施例２ 実施例１と同様の方法でZnS:Mn膜を成膜する横型の気
相成長装置についての実施例を第２図に示す。
相成長装置についての実施例を第２図に示す。
本装置は横方向に配置された主反応管１内に横方向に
固体原料設置域II,IIIが設けられた補助反応管2a,2bが
２本配置された反応室を有し、主反応管の外周に3a,3b,
3cの３つの電気炉が備えられており、基板設置域Ｉが上
下にメッシュ状の孔21を開けた石英製基板収納箱22を有
する構造となっている。
固体原料設置域II,IIIが設けられた補助反応管2a,2bが
２本配置された反応室を有し、主反応管の外周に3a,3b,
3cの３つの電気炉が備えられており、基板設置域Ｉが上
下にメッシュ状の孔21を開けた石英製基板収納箱22を有
する構造となっている。
基板10はこの収納箱22内に設置され収納箱22ごと出し
入れされ、排気口５より真空排気することにより、基板
近傍での原料ガスの流れが上下方向となる。
入れされ、排気口５より真空排気することにより、基板
近傍での原料ガスの流れが上下方向となる。
本装置を用いてZnS:Mnの成膜を行ったところ実施例１
と同様十分均一な膜を多数枚同時に作製できることがわ
かった。
と同様十分均一な膜を多数枚同時に作製できることがわ
かった。
以上、固体原料にZnSとMnを用いたZnS:Mn EL膜につ
いての実施例を示したが、本発明は本実施例に限るもの
でなく例えば同じEL膜であるZnS:Tb,ZnS:Sm,CaS:Eu、Sr
S:Ce等、また、GaAsなどのIII−Ｖ族化合物およびSiと
それらへの不純物ドーピングなどに使用でき、固体材料
を原料とする気相成長装置において、大面積薄膜形成
用、大量生産用として広く利用できるものである。
いての実施例を示したが、本発明は本実施例に限るもの
でなく例えば同じEL膜であるZnS:Tb,ZnS:Sm,CaS:Eu、Sr
S:Ce等、また、GaAsなどのIII−Ｖ族化合物およびSiと
それらへの不純物ドーピングなどに使用でき、固体材料
を原料とする気相成長装置において、大面積薄膜形成
用、大量生産用として広く利用できるものである。
〈発明の効果〉 本発明の気相成長装置によれば、固体原料を用いたCV
D法による大面積薄膜の形成及び同時多数枚の膜形成が
可能となり、しかも良質の膜が得られる。これにより、
ハライド及びハイドライド輸送CVD法による良質のEL膜
を安価にかつ大面積で提供できるようになった。さらに
他の機能性膜も同様に作製できるため、CVD技術の応用
分野を拡大し、またCVD膜の用途を拡大するものであ
る。
D法による大面積薄膜の形成及び同時多数枚の膜形成が
可能となり、しかも良質の膜が得られる。これにより、
ハライド及びハイドライド輸送CVD法による良質のEL膜
を安価にかつ大面積で提供できるようになった。さらに
他の機能性膜も同様に作製できるため、CVD技術の応用
分野を拡大し、またCVD膜の用途を拡大するものであ
る。
第１図は実施例１の気相成長装置図、第２図は実施例２
の気相成長装置図、第３図は従来の気相成長装置図、第
４図ＢはMn濃度分布を示す図、第４図Ａは膜厚分布を示
す図、第４図Ｃは第４図A,Bの分布状況を示した基板内
の位置を示す図、第５図は基板内の輝度分布を示す図で
ある。 Ｉ……基板設置域、II,III……固体原料設置域、3a,3b,
3c,3d……電気炉、9a,9b……原料出し入れ用フランジ、
9c……基板出し入れ用フランジ、10……基板、11……Zn
S粉末、12……金属Mn、21……メッシュ状の孔、22……
収納箱
の気相成長装置図、第３図は従来の気相成長装置図、第
４図ＢはMn濃度分布を示す図、第４図Ａは膜厚分布を示
す図、第４図Ｃは第４図A,Bの分布状況を示した基板内
の位置を示す図、第５図は基板内の輝度分布を示す図で
ある。 Ｉ……基板設置域、II,III……固体原料設置域、3a,3b,
3c,3d……電気炉、9a,9b……原料出し入れ用フランジ、
9c……基板出し入れ用フランジ、10……基板、11……Zn
S粉末、12……金属Mn、21……メッシュ状の孔、22……
収納箱
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 康一 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 谷口 浩司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 小倉 隆 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 山下 卓郎 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 中弥 浩明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 吉田 勝 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 中島 重夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】縦型炉となる主反応管と、該主反応管の上
部より枝状に延びる補助反応管と、上記主反応管及び上
記補助反応管を一定の温度分布に制御する加熱装置とか
らなり、上記主反応管には基板設置域が設けられ上記補
助反応管には固体原料設置域が設けられてなる気相成長
装置において、 上記基板設置域には複数枚の基板を着脱自在にガスの流
れに略平行になるよう垂直に載置して成る基板ホルダー
が位置し、上記補助反応管に外部からのガスの導入口が
接続されるとともに、上記主反応管の上記基板設置域下
部にガスの排気口が接続されてなることを特徴とする気
相成長装置。 - 【請求項２】横型炉となる主反応管と、該主反応管内部
に併置される補助反応管と、上記主反応管及び上記補助
反応管を一定の温度分布に制御する加熱装置とからな
り、上記主反応管には基板設置域が設けられ上記補助反
応管には固体原料設置域が設けられてなる気相成長装置
において、 上記基板設置域には複数枚の基板を着脱自在にガスの流
れに略平行になるよう垂直に収納し、上面及び下面には
開口部が形成されてなる収納箱が位置し、上記補助反応
管には外部からのガスの導入口が接続されるとともに、
上記主反応管には、上記収納箱内部で上方より下方に移
送されたガスを排出する排気口が接続されてなることを
特徴とする気相成長装置。
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