JPS6065526A - 多元混晶３−５族化合物半導体成長方法及び装置 - Google Patents
多元混晶３−５族化合物半導体成長方法及び装置Info
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- JPS6065526A JPS6065526A JP17347383A JP17347383A JPS6065526A JP S6065526 A JPS6065526 A JP S6065526A JP 17347383 A JP17347383 A JP 17347383A JP 17347383 A JP17347383 A JP 17347383A JP S6065526 A JPS6065526 A JP S6065526A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は、■族元素にＡｌｑ含む多元混晶１−■族化合
物半導体の気相成長方法及びそれＲ実現する気相成長装
置に関する。
物半導体の気相成長方法及びそれＲ実現する気相成長装
置に関する。
近年、”ＸＧａ１”−ＸＡＳ、 ■ｎＸＧａ１−ＸＡ５
ｙＰ１−ｙ等のＩ−Ｖ族化合物半導体を用いて種々のマ
イクロ波デバイスや光デバイスが実現されている。特に
半導体レーザーにおいては、材料によって個有のバンド
エネルギーヲ宿しているから、発振波長が違ってくる。
ｙＰ１−ｙ等のＩ−Ｖ族化合物半導体を用いて種々のマ
イクロ波デバイスや光デバイスが実現されている。特に
半導体レーザーにおいては、材料によって個有のバンド
エネルギーヲ宿しているから、発振波長が違ってくる。
長波長帯（１〜１．６μｍ帯）用の材料としては■ｎＰ
基板に格子整合したＩｎＸＧａ１−ＸＡ５ｙＰｉ−ｙ、
短波長帯（０，７〜０．９ μｍ帯）用ノ材料としては
ＧａＡｓ基板に格子整合した八ＡｘＧａ１−ｘｉｓある
いはＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰｌ−ｙがある。
基板に格子整合したＩｎＸＧａ１−ＸＡ５ｙＰｉ−ｙ、
短波長帯（０，７〜０．９ μｍ帯）用ノ材料としては
ＧａＡｓ基板に格子整合した八ＡｘＧａ１−ｘｉｓある
いはＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰｌ−ｙがある。
しかし、より短波長を目指すＫＱゴ、ＧａＡ、ｓ基板に
格子整合して史に大きな面接選移型のバンドエネルギー
全４〕するＡ＃ｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙ Ｐ系がある。
格子整合して史に大きな面接選移型のバンドエネルギー
全４〕するＡ＃ｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙ Ｐ系がある。
この材料によるとＧａＡｓ基板に格子整合したダブルへ
戸口構造で０５８μｍ程度Ｋまで発振波長全短波長化で
き、従来の材料をしのぐ短波長可視成牛導体レーザーが
実現できる。
戸口構造で０５８μｍ程度Ｋまで発振波長全短波長化で
き、従来の材料をしのぐ短波長可視成牛導体レーザーが
実現できる。
このよりなＡｄ、Ｑａ及びＩｎの■族元素を含む多元混
晶１−Ｖ族化合物半導体は、現状ではＭ（ＪＣ−■法（
有機金属成長法）やＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）
等で行なわれており、ｊ、ＰＥ法（液相成長法）や■」
Ｔ法（）・ロダン輸送法）等の方法では困難とされてい
る。この原因の第１は、結晶への偏析係数がＡ １１＞
＞Ｇ ａ ＞＞ Ｉｎとなっており１、ｌが他原子に比
較して非常に犬さく結晶中にとりこまれやすいことであ
る。その為に、ＬＰＥ法やＨＴ法等の熱力学的に平衡状
態を弁しての成長では、八ｌの供給量はＧａ、Ｉｎに比
較して極〈少量に制御する必要があるが、少量全精密に
制御することは実用上はとんど不可δヒであり 、 Ａ
＃、 （Ｊａ。
晶１−Ｖ族化合物半導体は、現状ではＭ（ＪＣ−■法（
有機金属成長法）やＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）
等で行なわれており、ｊ、ＰＥ法（液相成長法）や■」
Ｔ法（）・ロダン輸送法）等の方法では困難とされてい
る。この原因の第１は、結晶への偏析係数がＡ １１＞
＞Ｇ ａ ＞＞ Ｉｎとなっており１、ｌが他原子に比
較して非常に犬さく結晶中にとりこまれやすいことであ
る。その為に、ＬＰＥ法やＨＴ法等の熱力学的に平衡状
態を弁しての成長では、八ｌの供給量はＧａ、Ｉｎに比
較して極〈少量に制御する必要があるが、少量全精密に
制御することは実用上はとんど不可δヒであり 、 Ａ
＃、 （Ｊａ。
Ｉｎ系の多元混晶Ｉ−Ｖ族化合物半導体を所足の組成に
成長させることは極めて困難である・この点ＭＯＣＶＩ
）法やＭ １３ Ｅ法では、非平衡な状態での結晶成長
法であるから、原料ガスの供給量と結晶中の組成比が対
応していてＡｌｌの前記の問題点はない。その原因の第
２は、ＡＪが非常に５ｉ０２と酸化反応を起こしやすく
石英の反応管１石英のボート全腐蝕するという事である
。この為、ＡＩもＧａやＩｎと同様に反応室の原料供給
室に単独で石英ボート内に置くという従来の成長方法で
は、Ａ ｌ ’ｆ含んだ成長は、ＬＰＥ法やＨＴ法など
の如く反応管全面接加熱する成長法では実現が困難であ
る。
成長させることは極めて困難である・この点ＭＯＣＶＩ
）法やＭ １３ Ｅ法では、非平衡な状態での結晶成長
法であるから、原料ガスの供給量と結晶中の組成比が対
応していてＡｌｌの前記の問題点はない。その原因の第
２は、ＡＪが非常に５ｉ０２と酸化反応を起こしやすく
石英の反応管１石英のボート全腐蝕するという事である
。この為、ＡＩもＧａやＩｎと同様に反応室の原料供給
室に単独で石英ボート内に置くという従来の成長方法で
は、Ａ ｌ ’ｆ含んだ成長は、ＬＰＥ法やＨＴ法など
の如く反応管全面接加熱する成長法では実現が困難であ
る。
不発明の目的は、組成制御が容易で■族元素としてＡ１
１ｆ＜含む多元混晶Ｉ−Ｖ族化合物半導体の成長方法及
びその成長装置の提供にある。
１ｆ＜含む多元混晶Ｉ−Ｖ族化合物半導体の成長方法及
びその成長装置の提供にある。
本願の第１の発明の構成は、Ｖ族元素と複数のＩ族原素
との化合物の半導体が表面に成長する基板を反応室の内
の成長領域に置き、前記■族元素全前記反応室の円の原
料供給室に置き、この原料供給室に導いたハロゲン化水
素と前記■族元素との反応により生じさせたハロゲン化
■族元累を前記成長領域に供給し、外部から前記成長領
域に前６［：Ｖ族元素の化合物ガス全供給して行う多元
混晶Ｈ−ｖ族化合物半導体の成長方法において、前記■
族元素の１つはＡｌであり、この人ｌは少なくとも１つ
の他の前記ｌ族元素と混合して前記原料供給室に置くこ
とを特徴とする・ 本願の第２の発明の構成は、成長領域及び複数の原料供
給室を有する反応室と、前記成長領域にＶ族元素の１ζ
合物ガスを供給する手段と、前記原料供給室にハロゲン
化水素ｋｍ人する手段と、Ａｌ及び少なくとも１つの他
の■族元素並びに前記Ｖ族元素との多元混晶１［−Ｖ族
化合物半導体が表面に成長する基板を前記成長領域内に
保持する手段とを備え、前記Ｎｌを含む前記■族元素は
前記原料供給室に置かれ前記ハロゲン化水素と反応して
前記成長領域に供給され、前記Ａｌは前記他の■族元素
の一部と混合して前記原料供給室に置かれ、前記他の■
族元素の残部は前記Ａ、７が置かれない前記原料供給室
に置かれ、前記）１０ケン化水素導入手段は前記入ｌが
置かれる前記原料供給室と前記他の■族元素の残部が置
かれる前記原料供給室とにそれぞれ導入する前記ハロゲ
ン化水素の導入量の比により前り己多元混晶ト」族化合
物半導体におけるＡｌと前記他の凹族元素との組成比金
制御することを特徴とする・ 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
との化合物の半導体が表面に成長する基板を反応室の内
の成長領域に置き、前記■族元素全前記反応室の円の原
料供給室に置き、この原料供給室に導いたハロゲン化水
素と前記■族元素との反応により生じさせたハロゲン化
■族元累を前記成長領域に供給し、外部から前記成長領
域に前６［：Ｖ族元素の化合物ガス全供給して行う多元
混晶Ｈ−ｖ族化合物半導体の成長方法において、前記■
族元素の１つはＡｌであり、この人ｌは少なくとも１つ
の他の前記ｌ族元素と混合して前記原料供給室に置くこ
とを特徴とする・ 本願の第２の発明の構成は、成長領域及び複数の原料供
給室を有する反応室と、前記成長領域にＶ族元素の１ζ
合物ガスを供給する手段と、前記原料供給室にハロゲン
化水素ｋｍ人する手段と、Ａｌ及び少なくとも１つの他
の■族元素並びに前記Ｖ族元素との多元混晶１［−Ｖ族
化合物半導体が表面に成長する基板を前記成長領域内に
保持する手段とを備え、前記Ｎｌを含む前記■族元素は
前記原料供給室に置かれ前記ハロゲン化水素と反応して
前記成長領域に供給され、前記Ａｌは前記他の■族元素
の一部と混合して前記原料供給室に置かれ、前記他の■
族元素の残部は前記Ａ、７が置かれない前記原料供給室
に置かれ、前記）１０ケン化水素導入手段は前記入ｌが
置かれる前記原料供給室と前記他の■族元素の残部が置
かれる前記原料供給室とにそれぞれ導入する前記ハロゲ
ン化水素の導入量の比により前り己多元混晶ト」族化合
物半導体におけるＡｌと前記他の凹族元素との組成比金
制御することを特徴とする・ 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本願の第２の発明による■−■族化合物半導体
成長装置の一実施例の模式図である。この実施例はＨＴ
法のうちのハイドライド気相成長法（本願の第１の発明
）の実施に使用する装置の一例ある。ハイドライド気相
成長法では、■族は■族原料であるＧａ、 Ｉｎ、 Ａ
ｌ／ メタル等を反応室の原料供給室に置き、それらの
メタルとＨＣｌガスの接触１ｃ 、！： ッテ生成した
ＧａＣｌ、 ＩｎＣｌ、 Ａｌｃｌｌ等の塩化物を成長
領域に供給し、Ｖ族はＡＳＩ−１３，ＰＨ３等の化合物
ガスの形で外部から導入し熱分解によってＡ５４． Ｐ
４ としてその成長領域に供給する。
成長装置の一実施例の模式図である。この実施例はＨＴ
法のうちのハイドライド気相成長法（本願の第１の発明
）の実施に使用する装置の一例ある。ハイドライド気相
成長法では、■族は■族原料であるＧａ、 Ｉｎ、 Ａ
ｌ／ メタル等を反応室の原料供給室に置き、それらの
メタルとＨＣｌガスの接触１ｃ 、！： ッテ生成した
ＧａＣｌ、 ＩｎＣｌ、 Ａｌｃｌｌ等の塩化物を成長
領域に供給し、Ｖ族はＡＳＩ−１３，ＰＨ３等の化合物
ガスの形で外部から導入し熱分解によってＡ５４． Ｐ
４ としてその成長領域に供給する。
成長領域では、■族元素’ｅ［、ＩＩ族の塩化物＠Ｉｃ
Ｉ 。
Ｉ 。
■族元素をＶで現わすと、次のような水素の還元反応に
よって基板上に夏■という形で析出する。
よって基板上に夏■という形で析出する。
ここで、■とじてＧａ、 Ｉｎ、 Ａ／！’等、■とし
てはＡｓ。
てはＡｓ。
Ｐ等があり、これらの組み合わせによりＧａｘＡ／ｘ
−ｘＡｓ。
−ｘＡｓ。
ＩｎｘＧａ １−ｘＡｓｙＰｔ−ｙ、ＡｇｘＧａｙＩｎ
ｚ−ｘ−ｙＰ等の所要の多元混晶化合物半導体の結晶を
成長させる。
ｚ−ｘ−ｙＰ等の所要の多元混晶化合物半導体の結晶を
成長させる。
原料供給室１にはＩｎメタル５、原料供給室２にはＧａ
メタル６、・原料供給室３にはＧａとＡｌの混合メタル
７、原料供給室４にはｉｎとＡ６の混合メタル８が石英
製もしくはＳｉＣコーティングしたカーボン製のボート
９に載せて置かれている。
メタル６、・原料供給室３にはＧａとＡｌの混合メタル
７、原料供給室４にはｉｎとＡ６の混合メタル８が石英
製もしくはＳｉＣコーティングしたカーボン製のボート
９に載せて置かれている。
各々の原料供給室には、導入管１０を通してＨＣｌガス
が供給され、導入管１１からは■族原料であるＡＳＩ１
３． ＰＩ−１３等の化合物ガスあるいはドーピング用
化合物ガスが供給される。成長用基板１２は、成長用基
板ホルダー１３に取付けである。
が供給され、導入管１１からは■族原料であるＡＳＩ１
３． ＰＩ−１３等の化合物ガスあるいはドーピング用
化合物ガスが供給される。成長用基板１２は、成長用基
板ホルダー１３に取付けである。
このような反応系で成長を行うと、各原料供Ｚ室では１
−ＴＣｘ ガスの尋人により次のような反応が生じてい
る。
−ＴＣｘ ガスの尋人により次のような反応が生じてい
る。
原料供給室Ｉ Ｉｎ＋ＨＣｌ→Ｉｎｅｌ＋−７Ｈ２原料
供給室２ ０ａ＋ＨＣｄ−＋ＧａＣＡ＋−Ｈ２原料供給
室３ Ｇａ＋ＨＣト心ａＣ６＋ −Ｈ２Ａｌｌ＋Ｈｃ！
！−＋Ａ１１Ｃ１ｌ＋−Ｈ２原料供給室４ Ｉｎ＋ＨＣ
／→ＩｎｃＡ’＋−Ｈ２Ａｌｌ＋Ｈｃｌ−＋Ａ１１ＣＩ
＋ −Ｈｚこの反応によって成長領域にＩｎＣ６，Ｇａ
Ｃｌ！。
供給室２ ０ａ＋ＨＣｄ−＋ＧａＣＡ＋−Ｈ２原料供給
室３ Ｇａ＋ＨＣト心ａＣ６＋ −Ｈ２Ａｌｌ＋Ｈｃ！
！−＋Ａ１１Ｃ１ｌ＋−Ｈ２原料供給室４ Ｉｎ＋ＨＣ
／→ＩｎｃＡ’＋−Ｈ２Ａｌｌ＋Ｈｃｌ−＋Ａ１１ＣＩ
＋ −Ｈｚこの反応によって成長領域にＩｎＣ６，Ｇａ
Ｃｌ！。
ＡＩＩｃＩ が供給され、他に供給されたＡＳ４ 、
ｐ。
ｐ。
等の■族化合物のガスとの反応によ４１、（１１式に従
いＡｊｉｉ、 Ｇａ、 Ｉｎの■族元素を含んだ多元混
晶１−■族化合物半棉体が基板１２の上に成長する。
いＡｊｉｉ、 Ｇａ、 Ｉｎの■族元素を含んだ多元混
晶１−■族化合物半棉体が基板１２の上に成長する。
実際に成長を行う場合、Ｇａ／Ｌｓ、 Ｉｎｐ基板等に
結晶成長させるわけであるが、多元混晶にした場合組成
制御を行って基板に格子整合した条件を把握す′）必要
がある。この具体的な方法としては■族（′関（では各
原料供給室に供給するＨＣＩ ガスの流量比、Ｖ族に関
してはＡｓ１−１ｓ、 ＰＡ３等の流量比の制御によっ
て得られる。ここでＧａとＩｎの供給量比は原料供給室
１．２に供給するＨＣＩＩの流量比によって、ＡｌとＩ
ｎの供給量比は原料供給室１．４に供給するＨＣＩの流
量比によって、 ＡｌとＧａの供給量比は原料供給ヲ２
．３に供給するＨＣＩの流量比によってそれぞれ制御で
きる。この為、混合メタルのＩｙｌｍは正確に秤量する
必要はない。
結晶成長させるわけであるが、多元混晶にした場合組成
制御を行って基板に格子整合した条件を把握す′）必要
がある。この具体的な方法としては■族（′関（では各
原料供給室に供給するＨＣＩ ガスの流量比、Ｖ族に関
してはＡｓ１−１ｓ、 ＰＡ３等の流量比の制御によっ
て得られる。ここでＧａとＩｎの供給量比は原料供給室
１．２に供給するＨＣＩＩの流量比によって、ＡｌとＩ
ｎの供給量比は原料供給室１．４に供給するＨＣＩの流
量比によって、 ＡｌとＧａの供給量比は原料供給ヲ２
．３に供給するＨＣＩの流量比によってそれぞれ制御で
きる。この為、混合メタルのＩｙｌｍは正確に秤量する
必要はない。
但しこの場合、結晶への偏析係数がＡ ｌ＞＞Ｇ ａ
＞’：＞ ｆｎであるから、Ａｌｃｌの供給量全極力少
量に制御する必要がある。この為には、ＧａとＩｙｌ
の混合メタル７、Ｉｎと八ｌの混合メタル８において、
谷々Ｇａ、ｌｎ が支配的な混合比にし八ｇは微量にす
る。
＞’：＞ ｆｎであるから、Ａｌｃｌの供給量全極力少
量に制御する必要がある。この為には、ＧａとＩｙｌ
の混合メタル７、Ｉｎと八ｌの混合メタル８において、
谷々Ｇａ、ｌｎ が支配的な混合比にし八ｇは微量にす
る。
更に、原料供給室３．４に導入するＨＣｌガスの流量は
、原料供給室１．２と比較して少量にする。
、原料供給室１．２と比較して少量にする。
この方法によってｋｌｌｃｌの供給量を少なくでき、偏
析供数の大きいＡｌ’に含んだ■−■族化合物半専体が
Ｂ Ｔ法のくｔ相成長方法でも所定の組成に成長でさる
。更に、ＡｅメタルはＧａ、Ｉｎが支配的なメタルにご
く微量に存在しているだけ橙のでＡｅによる８ｉ０２の
腐蝕反応が起こりに＜＜、またｉ？−ト９は石英製より
もＳｉＣコーティングしたカーボン製であれば腐蝕反応
に対してはより有効的である。
析供数の大きいＡｌ’に含んだ■−■族化合物半専体が
Ｂ Ｔ法のくｔ相成長方法でも所定の組成に成長でさる
。更に、ＡｅメタルはＧａ、Ｉｎが支配的なメタルにご
く微量に存在しているだけ橙のでＡｅによる８ｉ０２の
腐蝕反応が起こりに＜＜、またｉ？−ト９は石英製より
もＳｉＣコーティングしたカーボン製であれば腐蝕反応
に対してはより有効的である。
このように、前述の実施例によれば、■族原料の供給２
Ｉｎ メタル、Ｇａメｌ Ａ／、 Ｇａ （！−Ａ／
の混合メタル、ＩｎとＡＪの混合メタルを用いる事によ
り、Ａ＃、Ｇａ、Ｉｎの夏族元累と含んだ多元混晶ト」
族化合物半導体のＨＴ法による気相成長が可能となり、
特に混合メタルにおけるＡ［量を微量にし、かつ各原料
供給室に導入するＨＣｌガスの流量比全制御する事によ
り、結晶への偏析係数の大幅に違うＡ／ｉ含んだ系でも
組成制御が可能になる・−更に、混合メタルを用いる事
により、Ａｌが微量になるから、石英管及びボート等の
８ｉ０２腐触反応が生じにくくなる。
Ｉｎ メタル、Ｇａメｌ Ａ／、 Ｇａ （！−Ａ／
の混合メタル、ＩｎとＡＪの混合メタルを用いる事によ
り、Ａ＃、Ｇａ、Ｉｎの夏族元累と含んだ多元混晶ト」
族化合物半導体のＨＴ法による気相成長が可能となり、
特に混合メタルにおけるＡ［量を微量にし、かつ各原料
供給室に導入するＨＣｌガスの流量比全制御する事によ
り、結晶への偏析係数の大幅に違うＡ／ｉ含んだ系でも
組成制御が可能になる・−更に、混合メタルを用いる事
により、Ａｌが微量になるから、石英管及びボート等の
８ｉ０２腐触反応が生じにくくなる。
以上説明したように、不発明によれば、組成制御が容易
で曹族元素としてＡ［（ｉ７含む多元混晶■−Ｖ族化合
物牛導体の成長方法及び成長装置が提供できる。
で曹族元素としてＡ［（ｉ７含む多元混晶■−Ｖ族化合
物牛導体の成長方法及び成長装置が提供できる。
第１図は本願の第２の発明の一実施例を示す模式図であ
る。 １〜４・・・・・・原料供給室％ ５・・・・・・Ｉｎ
メタル、６・・・・・・Ｇａメタル、７・・・・・・Ｇ
ａと！’／ｌの混合メタル。 ８・・・・・・ＩｎとＡｌの混合メタル、９・・・・・
・石英製もしくはＳＩＣコーティングしたカーボン製の
ボート、１０・・・・・・導入管（ＨＣＩガス用）、
１１・山・・導入管（ＡｓＨ３，ＰＨａ等用）、１２・
・・・・・成長用基板、１３・・・・・・基板ホルダー
、１４・山・・ヒーター。
る。 １〜４・・・・・・原料供給室％ ５・・・・・・Ｉｎ
メタル、６・・・・・・Ｇａメタル、７・・・・・・Ｇ
ａと！’／ｌの混合メタル。 ８・・・・・・ＩｎとＡｌの混合メタル、９・・・・・
・石英製もしくはＳＩＣコーティングしたカーボン製の
ボート、１０・・・・・・導入管（ＨＣＩガス用）、
１１・山・・導入管（ＡｓＨ３，ＰＨａ等用）、１２・
・・・・・成長用基板、１３・・・・・・基板ホルダー
、１４・山・・ヒーター。
Claims (2)
- （１）■族元素と複数の■族原累との化合物の半４体が
表面に成長する基板を反応室の内の成長領域に匝き、前
記■族元素全前記反応室の内の原料供給室に直き、この
原料供給室に導いたハロゲン化水素と前記■族元素との
反応により生じさせたハロゲン化■族元累を前記成長領
域に供給し、外部から前記成長領域に前記■族元素の化
合物ガスを供給して行う多元混晶■−■族化合物半纏体
の成長方法において、前記Ｕ族元素の１つはＮｌであり
、このＡ［は少なくとも１つの他の前記■族元素と混合
して前記原料供給室に置くこと全特徴とする多元混晶■
−■族化合物半導体成長方法。 - （２）成長領域及び複数の原料供給室を有する反応室と
、前記成長領域にＶ族元素の化合物ガスを供給する手段
と、前記原料供給室にハロゲン化水素を導入する手段と
、Ａｌ及び少なくとも１つの他の■族元素並びに前記■
族元素との多元混晶１−Ｖ族化合物半導体が表面に成長
する基板全前記成長領域内に保持する手段とを備え、前
記Ａ［ｉ含む前記■族元素は前記原料供給室に置かれ前
記ハロゲン化水素と反応して前記成長領域に供給され、
前記ＩＬｌは前記他の■族元素の一部と混合して前記原
料供給室に置かれ、前記他の■族元素の残部は前記Ａ、
／が置かれない前記原料供給室に置かれ、前記ハロゲン
化水素導入手段は前記Ａｌが置かれる前記原料供給室と
前記他のＮ族元素の残部が置かれる前記原料供給室とに
それぞれ導入する前記ハロゲン化水素の導入量の比によ
り前記多元混晶■−Ｖ族化合物半導体におけるＡ７と前
記他の夏族元素との組成比全制御することを特徴とする
多元混晶］［−Ｖ族化合物半導体成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17347383A JPS6065526A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 多元混晶３−５族化合物半導体成長方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17347383A JPS6065526A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 多元混晶３−５族化合物半導体成長方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065526A true JPS6065526A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15961130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17347383A Pending JPS6065526A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 多元混晶３−５族化合物半導体成長方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065526A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334250A (en) * | 1989-11-02 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition apparatus for using solid starting materials |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP17347383A patent/JPS6065526A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334250A (en) * | 1989-11-02 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition apparatus for using solid starting materials |
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