JPH0760738B2 - エレクトロルミネッセンス発光膜の製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス発光膜の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、エレクトロルミネッセンス（EL）発光膜の
製造方法に関する。さらに詳しくは、高品質の薄膜成長
が可能であり、しかも量産性に優れた気相成長法を用い
た薄膜状のEL発光膜の製造方法に関するものである。こ
の発明の方法を用いて製造される薄膜EL素子は、発光の
高輝度及び多色化により高品質な平面型ディスプレイと
して各種電子機器の表示部、計測器及びコンピュータの
端末、更には平面テレビへの応用が可能である。
製造方法に関する。さらに詳しくは、高品質の薄膜成長
が可能であり、しかも量産性に優れた気相成長法を用い
た薄膜状のEL発光膜の製造方法に関するものである。こ
の発明の方法を用いて製造される薄膜EL素子は、発光の
高輝度及び多色化により高品質な平面型ディスプレイと
して各種電子機器の表示部、計測器及びコンピュータの
端末、更には平面テレビへの応用が可能である。
（ロ）従来の技術 従来から、ZnS,ZnSe,CaS,SrS,SrSe等のII−VI族半導体
を発光層母体とし、これにTb,Sm,Eu,Ce等の希土類元素
を発光中心元素としてドープさせた薄膜を発光膜として
用いた薄膜EL素子が知られている。
を発光層母体とし、これにTb,Sm,Eu,Ce等の希土類元素
を発光中心元素としてドープさせた薄膜を発光膜として
用いた薄膜EL素子が知られている。
これらのうち現在、実用化されている代表的な薄膜EL素
子は発光層母体であるZnSに発光中心としてMnを添加
（ドーピング）した薄膜状の発光膜を抵抗率の高い絶縁
膜で挟持した二重絶縁構造を有し、更にその外側に透明
電極と背面電極を設けたガラス基板が配設された構造か
らなるものである。
子は発光層母体であるZnSに発光中心としてMnを添加
（ドーピング）した薄膜状の発光膜を抵抗率の高い絶縁
膜で挟持した二重絶縁構造を有し、更にその外側に透明
電極と背面電極を設けたガラス基板が配設された構造か
らなるものである。
この薄膜EL素子においては、高い発光輝度と信頼性を得
るために、発光層はMnを0.1〜1at.％という比較的高い
濃度範囲で含有し、しかも高い結晶性を有する必要があ
る。現在、かかる発光層の製造には実用上２種類の方法
が用いられており、その１つはZnSとMnの混合焼結ペレ
ットを用いた電子ビーム蒸着法であり、他の１つはZn,M
nとＳを蒸気の形態で交互に基板上へ輸送することで一
単原子層づつ形成する原子層エピタキシー法（ALE法）
である。
るために、発光層はMnを0.1〜1at.％という比較的高い
濃度範囲で含有し、しかも高い結晶性を有する必要があ
る。現在、かかる発光層の製造には実用上２種類の方法
が用いられており、その１つはZnSとMnの混合焼結ペレ
ットを用いた電子ビーム蒸着法であり、他の１つはZn,M
nとＳを蒸気の形態で交互に基板上へ輸送することで一
単原子層づつ形成する原子層エピタキシー法（ALE法）
である。
なお、分子線エピタキシー法（MBE法）、有機金属気相
成長法（MOCVD法）によりEL素子の作製が試みられてい
るが、いずれも基礎研究の段階であり、実用化には至っ
ていない。また発光ダイオードやレーザーへの応用を目
的として気相成長法によりZnSなどのII−VI族半導体単
結晶薄膜の成長を行なうことは試みられてはいるが、か
かる気相成長により同時に一種の不純物たる発光中心と
なる元素を高濃度ドープして、薄膜EL素子の発光層を生
成した例は現在のところ知られていない。
成長法（MOCVD法）によりEL素子の作製が試みられてい
るが、いずれも基礎研究の段階であり、実用化には至っ
ていない。また発光ダイオードやレーザーへの応用を目
的として気相成長法によりZnSなどのII−VI族半導体単
結晶薄膜の成長を行なうことは試みられてはいるが、か
かる気相成長により同時に一種の不純物たる発光中心と
なる元素を高濃度ドープして、薄膜EL素子の発光層を生
成した例は現在のところ知られていない。
（ハ）発明が解決しようとする課題 高い発光輝度と駆動電圧の低減を実現するには発光層が
薄くしかも高い結晶性が不可欠である。更にまた高濃度
のMnドーピングが安定に制御性良く行える成膜法が望ま
しい。
薄くしかも高い結晶性が不可欠である。更にまた高濃度
のMnドーピングが安定に制御性良く行える成膜法が望ま
しい。
この点、従来の電子ビー蒸着法は成膜速度が早く量産性
に優れているが、膜成長の初期に３次元的な核成長が起
きるため、結晶性が低い。このため高輝度を得るには膜
厚を厚くする必要があり、駆動電圧の増大をもたらすと
共に結晶性の悪さは信頼性低下の原因にもなっている。
に優れているが、膜成長の初期に３次元的な核成長が起
きるため、結晶性が低い。このため高輝度を得るには膜
厚を厚くする必要があり、駆動電圧の増大をもたらすと
共に結晶性の悪さは信頼性低下の原因にもなっている。
一方、ALE法は２次元的な膜成長であるため、結晶性に
優れており、高輝度および低電圧駆動が可能であるが、
成長速度が極めて遅く、量産性に乏しいという問題があ
った。
優れており、高輝度および低電圧駆動が可能であるが、
成長速度が極めて遅く、量産性に乏しいという問題があ
った。
またMBE法については高い結晶性の膜が得られるものの
大面積化および量産性に欠けており、さらに、MOCVD法
については発光中心をドーピングするための有機材料が
乏しいという欠点がある。
大面積化および量産性に欠けており、さらに、MOCVD法
については発光中心をドーピングするための有機材料が
乏しいという欠点がある。
この発明はかかる状況下なされたものであり、ことに、
量産性、大面積化に適しかつ高品質のEL発光膜を得るこ
とができる製造方法を提供しようとするものである。
量産性、大面積化に適しかつ高品質のEL発光膜を得るこ
とができる製造方法を提供しようとするものである。
（ニ）課題を解決するための手段 本発明者らは、上記観点から、量産性や大面積化に適す
る気相成長法を応用する点について鋭意研究、検討を行
なった。その結果、母材の成長時に、発光中心となる元
素をハロゲン化物として気相接触させることにより、所
定量の発光中心が効率良く発光層母材中にドープされ、
高品質な薄膜発光膜が形成できる事実を見出し、この発
明に到達した。
る気相成長法を応用する点について鋭意研究、検討を行
なった。その結果、母材の成長時に、発光中心となる元
素をハロゲン化物として気相接触させることにより、所
定量の発光中心が効率良く発光層母材中にドープされ、
高品質な薄膜発光膜が形成できる事実を見出し、この発
明に到達した。
かくしてこの発明によれば、水素又は不活性ガスの流通
雰囲気下にエレクトロルミネッセンス素子用基板を反応
管内に配置して所定温度に保持し、（ａ）II−VI族半導
体を構成しうるII族元素とVI族元素の化合物と、（ｂ）
II−VI族半導体中で発光中心となりうる元素のハロゲン
化物の供給手段が前記反応管内に配置され、前記基板表
面に前記供給手段周辺領域の温度より基板周辺領域の温
度が低く設定された条件下で、前記II族元素とVI族元素
の化合物と前記ハロゲン化物を蒸気の形態で同時に流通
して接触させることにより、この基板表面にII−VI族半
導体を母体としてその内部に発光中心元素が含有された
薄膜の発光膜を形成させることを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス発光膜の製造法が提供される。
雰囲気下にエレクトロルミネッセンス素子用基板を反応
管内に配置して所定温度に保持し、（ａ）II−VI族半導
体を構成しうるII族元素とVI族元素の化合物と、（ｂ）
II−VI族半導体中で発光中心となりうる元素のハロゲン
化物の供給手段が前記反応管内に配置され、前記基板表
面に前記供給手段周辺領域の温度より基板周辺領域の温
度が低く設定された条件下で、前記II族元素とVI族元素
の化合物と前記ハロゲン化物を蒸気の形態で同時に流通
して接触させることにより、この基板表面にII−VI族半
導体を母体としてその内部に発光中心元素が含有された
薄膜の発光膜を形成させることを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス発光膜の製造法が提供される。
この発明の製造方法において、発光膜の形成基体となる
EL素子擁基板は、キャリアーガスとしての水素又は不活
性ガスの流通雰囲気下通常、CVDチャンバー内、に配置
される。ここで不活性ガスとしては例えば、アルゴンガ
ス、窒素ガス等が挙げられる。
EL素子擁基板は、キャリアーガスとしての水素又は不活
性ガスの流通雰囲気下通常、CVDチャンバー内、に配置
される。ここで不活性ガスとしては例えば、アルゴンガ
ス、窒素ガス等が挙げられる。
この状態で、上記EL素子用基板は所定温度に保持され、
気相成長の条件に付される。ここで、基板の加熱保持温
度は400〜600℃程度が適している。
気相成長の条件に付される。ここで、基板の加熱保持温
度は400〜600℃程度が適している。
気相成長は、（ａ）II−VI族半導体を構成しうるII族元
素とVI族元素の化合物とを、各々蒸気の形態で、上記加
熱状態の基板表面に同時に流通して接触させることによ
り行なわれる。
素とVI族元素の化合物とを、各々蒸気の形態で、上記加
熱状態の基板表面に同時に流通して接触させることによ
り行なわれる。
ここで上記II族元素としては、Zn,Cd,Ca,Sr等が挙げら
れ、VI族元素としては、S,Se,O等が挙げられ、これらの
化合物としては、例えばZnS,ZnSe,SrS,CaS等が挙げられ
る。かかる化合物は常温で個体であるため、前記水素ガ
ス又は不活性ガスの流通下、基板の前段で所定温度に加
熱することにより気化させて輸送する。この際の温度は
例えばZnS化合物の場合、通常800〜1000℃とするのが適
しており、輸送速度は10-5〜10-3mol/min程度が適して
いる。
れ、VI族元素としては、S,Se,O等が挙げられ、これらの
化合物としては、例えばZnS,ZnSe,SrS,CaS等が挙げられ
る。かかる化合物は常温で個体であるため、前記水素ガ
ス又は不活性ガスの流通下、基板の前段で所定温度に加
熱することにより気化させて輸送する。この際の温度は
例えばZnS化合物の場合、通常800〜1000℃とするのが適
しており、輸送速度は10-5〜10-3mol/min程度が適して
いる。
一方、発光中心となる元素としては、Mnや各種希土類元
素（例えば、Tb,Sm,Eu,Ce等）が挙げられ、これらのハ
ロゲン化物としては、弗化物、塩化物、臭化物、ヨウ化
物等が挙げられる。これらのうち塩化物を用いるのが適
しており、この具体例としては、例えば、MnCl2、TbC
l3、EuCl等が挙げられる。かかるハロゲン化物は常温で
固体であるので、前記と同様に加熱気化させて供給する
ことができる。しかしながら、発光中心となる元素即
ち、金属Mnや希土類金属、あるいはハロゲン化物以外の
これらの化合物（例えば、酸化物や硫化物）を配置して
所定温度（例えばMnの場合600〜800℃）に加熱し、この
状態で塩化水素のごときハロゲン化水素のガスを供給し
てその場でハロゲン化物の生成及び気化を行ない、前記
したII族元素とVI族元素の化合物と共に基板へ供給して
もよい。このハロゲン化水素を用いた発光中心元素ハロ
ゲン化物の供給方式を適用した場合には、ことに品質の
優れた発光膜を形成することができる点、好ましい。
素（例えば、Tb,Sm,Eu,Ce等）が挙げられ、これらのハ
ロゲン化物としては、弗化物、塩化物、臭化物、ヨウ化
物等が挙げられる。これらのうち塩化物を用いるのが適
しており、この具体例としては、例えば、MnCl2、TbC
l3、EuCl等が挙げられる。かかるハロゲン化物は常温で
固体であるので、前記と同様に加熱気化させて供給する
ことができる。しかしながら、発光中心となる元素即
ち、金属Mnや希土類金属、あるいはハロゲン化物以外の
これらの化合物（例えば、酸化物や硫化物）を配置して
所定温度（例えばMnの場合600〜800℃）に加熱し、この
状態で塩化水素のごときハロゲン化水素のガスを供給し
てその場でハロゲン化物の生成及び気化を行ない、前記
したII族元素とVI族元素の化合物と共に基板へ供給して
もよい。このハロゲン化水素を用いた発光中心元素ハロ
ゲン化物の供給方式を適用した場合には、ことに品質の
優れた発光膜を形成することができる点、好ましい。
上記ハロゲン化物の輸送速度は、例えば、MnCl2の場
合、10-4〜10-6mol/min程度とするのが適している。
合、10-4〜10-6mol/min程度とするのが適している。
このようにして、各成分を基板表面へ同時に流通して接
触させることにより、緻密で結晶性が良く、かつ高濃度
（0.1〜1at.％）の発光中心元素がドープされたII−VI
族半導体を母体とするエレクトロルミネッセンス発光膜
が推積成長する。この際、推積時間は、発光膜厚が0.3
〜1.0μｍとなるように調整するのが、薄膜EL素子構成
上好ましい。
触させることにより、緻密で結晶性が良く、かつ高濃度
（0.1〜1at.％）の発光中心元素がドープされたII−VI
族半導体を母体とするエレクトロルミネッセンス発光膜
が推積成長する。この際、推積時間は、発光膜厚が0.3
〜1.0μｍとなるように調整するのが、薄膜EL素子構成
上好ましい。
（ホ）作用 気相成長法によって発光層母体が成長形成し、同時に発
光中心元素をハロゲン化物の形態で基板表面へ輸送する
ことにより、高濃度の発光中心がドープされた高い結晶
性の発光層が連続成長される。
光中心元素をハロゲン化物の形態で基板表面へ輸送する
ことにより、高濃度の発光中心がドープされた高い結晶
性の発光層が連続成長される。
（ヘ）実施例 実施例１ 気相成長法によりZnS膜を生成する方法として、本実施
例ではZnS粉末を高温で加熱し、H2ガスを流して反応領
域へ輸送する方法を用いた場合の結果について述べる。
H2ガスに代えてArガスを用いた場合、またZnS粉末に代
えてZnとＳの粉末を別々に設置した場合についても同様
な結果が得られた。以下、本発明に基づくEL素子の発光
層の製造方法を第１図に示した気相成長装置の構成図を
もとにして説明する。
例ではZnS粉末を高温で加熱し、H2ガスを流して反応領
域へ輸送する方法を用いた場合の結果について述べる。
H2ガスに代えてArガスを用いた場合、またZnS粉末に代
えてZnとＳの粉末を別々に設置した場合についても同様
な結果が得られた。以下、本発明に基づくEL素子の発光
層の製造方法を第１図に示した気相成長装置の構成図を
もとにして説明する。
本実施例で用いた反応炉は長さ1m内径5cmの石英製本管
の内部に長さ50cm、内径2cmの原料ガス導入管2,3が２本
装備されており、本管１は電気炉４に納められ、炉内の
長手方向の温度分布は図中に示したとおりである。原料
であるZnS粉末５は導入管２の温度930℃の付近に石英ボ
ートに入れて設置し、また発光中心材料としてMn粉末６
を導入管３の温度750℃付近に同じく石英ボートに入れ
て設置した。導入管２にはH2ガスボンベ11から流量100c
c/minのH2ガスを流してZnSを蒸気として輸送した。Arガ
スを用いると輸送速度が約１割低下するが同様な膜成長
が可能あである。Mnは導入管３にHClガスボンベ12から
0.1〜1.5cc/minの流量範囲でHClガスを流すことで下記
の反応式に基づき塩化物の形態で蒸気輸送した。
の内部に長さ50cm、内径2cmの原料ガス導入管2,3が２本
装備されており、本管１は電気炉４に納められ、炉内の
長手方向の温度分布は図中に示したとおりである。原料
であるZnS粉末５は導入管２の温度930℃の付近に石英ボ
ートに入れて設置し、また発光中心材料としてMn粉末６
を導入管３の温度750℃付近に同じく石英ボートに入れ
て設置した。導入管２にはH2ガスボンベ11から流量100c
c/minのH2ガスを流してZnSを蒸気として輸送した。Arガ
スを用いると輸送速度が約１割低下するが同様な膜成長
が可能あである。Mnは導入管３にHClガスボンベ12から
0.1〜1.5cc/minの流量範囲でHClガスを流すことで下記
の反応式に基づき塩化物の形態で蒸気輸送した。
Mn＋2HCl→MnCl2＋H2 ……（Ｉ） 反応領域には予めITO膜、SiO2膜、Si3N4を積層したガラ
ス基板７を基板ホルダ８上に傾斜立脚させて配置し、反
応時間60分として、発光層生成後、Si3N4膜、Al2O3膜、
Al膜を順次積層してEL素子とした。なお、ITO,Si3N4，S
iO2，Al2O3膜の生成には高周波スパッタ法を使用し、Al
膜は真空蒸着法により生成した。なお、図中、9,10はマ
スフローコントローラー、13は圧力計、14は主バルブ、
15は油回転ポンプを各々示す。
ス基板７を基板ホルダ８上に傾斜立脚させて配置し、反
応時間60分として、発光層生成後、Si3N4膜、Al2O3膜、
Al膜を順次積層してEL素子とした。なお、ITO,Si3N4，S
iO2，Al2O3膜の生成には高周波スパッタ法を使用し、Al
膜は真空蒸着法により生成した。なお、図中、9,10はマ
スフローコントローラー、13は圧力計、14は主バルブ、
15は油回転ポンプを各々示す。
上記、気相成長装置及び気相成長条件で、HClガス流量
を種々変化させ、発生するMnClの輸送速度及びZnS発光
膜中のMn濃度との関係を調べた。なお発光膜中のMn濃度
は電子線プローブＸ線マイクロアナライザーによって測
定した。この結果を第２図に示す。このように、Mnの輸
送速度はHClガス流量にほぼ比例して増大しており、式
（Ｉ）の反応に従ってMnが制御性良く輸送されることを
示している。また、ZnS膜中のMn濃度はHClガス流量が0.
3cc/min以上で急速に増大しており、HClガス0.5〜0.6cc
/minの時にEL素子の最適Mn濃度として知られている0.3
〜0.5at.％のMnがドープされる。
を種々変化させ、発生するMnClの輸送速度及びZnS発光
膜中のMn濃度との関係を調べた。なお発光膜中のMn濃度
は電子線プローブＸ線マイクロアナライザーによって測
定した。この結果を第２図に示す。このように、Mnの輸
送速度はHClガス流量にほぼ比例して増大しており、式
（Ｉ）の反応に従ってMnが制御性良く輸送されることを
示している。また、ZnS膜中のMn濃度はHClガス流量が0.
3cc/min以上で急速に増大しており、HClガス0.5〜0.6cc
/minの時にEL素子の最適Mn濃度として知られている0.3
〜0.5at.％のMnがドープされる。
第３図は上記で得られたMnを0.36at.％添加したZnS膜を
用いて作製したEL素子の輝度−印加電圧特性であり、第
４図はその発光スペクトルを示す。このように、Mnに起
因する580nm,付近の黄橙色発光が得られ、しかも周波数
1KHzの駆動において約700ft−Ｌの高い輝度を示し、ま
た駆動電圧も低く良好な特性が得られている。
用いて作製したEL素子の輝度−印加電圧特性であり、第
４図はその発光スペクトルを示す。このように、Mnに起
因する580nm,付近の黄橙色発光が得られ、しかも周波数
1KHzの駆動において約700ft−Ｌの高い輝度を示し、ま
た駆動電圧も低く良好な特性が得られている。
なお本実施例では発光中心材料としてMnを用いたが、Mn
SやMnOなどの化合物を用いてもそれぞれ MnS＋2HCl→MnCl2＋H2S MnO＋2HCl→MnCl2＋H2O なる反応によって塩化物としてMnの輸送が可能であり、
またHClに代えてHBrなど他のハロゲン化水素を用いた場
合でも Mn＋2HBr→MnBr2＋H2 なる反応によりハロゲン化物として輸送できることが確
認された。更にMn以外の発光中心材料であるTb,Smなど
の希土類元素（Lu）の場合、 2LU＋6HCl→LuCl3＋3H2 なる反応によりハロゲン化物の形態で輸送され、本実施
例と同様な原理に従って発光中心をドープすることがで
きることも判った。また、発光中心用原料としてMnCl2
やTbCl3のようなハロゲン化物を使用した場合には、ハ
ロゲン化水素ガスが必要でなくなりその場合、加熱手段
のみでハロゲン化物の蒸気の形態で輸送することが可能
である。
SやMnOなどの化合物を用いてもそれぞれ MnS＋2HCl→MnCl2＋H2S MnO＋2HCl→MnCl2＋H2O なる反応によって塩化物としてMnの輸送が可能であり、
またHClに代えてHBrなど他のハロゲン化水素を用いた場
合でも Mn＋2HBr→MnBr2＋H2 なる反応によりハロゲン化物として輸送できることが確
認された。更にMn以外の発光中心材料であるTb,Smなど
の希土類元素（Lu）の場合、 2LU＋6HCl→LuCl3＋3H2 なる反応によりハロゲン化物の形態で輸送され、本実施
例と同様な原理に従って発光中心をドープすることがで
きることも判った。また、発光中心用原料としてMnCl2
やTbCl3のようなハロゲン化物を使用した場合には、ハ
ロゲン化水素ガスが必要でなくなりその場合、加熱手段
のみでハロゲン化物の蒸気の形態で輸送することが可能
である。
実施例２ 基板の加熱温度を種々変化させて実施例１と同様にし
て、厚さ0.5μｍのZnS発光膜を基板上に形成させた。こ
の際のMn輸送速度と発光膜中のMn濃度及び発光輝度（周
波数1KHzで駆動）との関係並びに基板温度の影響を第５
図に示した。この実施例では、Mn（MnCl2）の輸送速度
が約５×10-6mol/min以上でとくにMnの高輝度ドーピン
グが行なえ、発光輝度はMn濃度が約0.3〜0.5at.％付近
で最大となることが判る。
て、厚さ0.5μｍのZnS発光膜を基板上に形成させた。こ
の際のMn輸送速度と発光膜中のMn濃度及び発光輝度（周
波数1KHzで駆動）との関係並びに基板温度の影響を第５
図に示した。この実施例では、Mn（MnCl2）の輸送速度
が約５×10-6mol/min以上でとくにMnの高輝度ドーピン
グが行なえ、発光輝度はMn濃度が約0.3〜0.5at.％付近
で最大となることが判る。
（ト）発明の効果 この発明によれば高い結晶性を有する発光層母体中に高
濃度の発光中心元素がドープされたEL発光膜を効率良く
製造することができる。そして気相成長法を利用した方
法であるため大面積化、量産性にも適した成膜法であ
る。また、この方法を経て製造したEL素子は高い発光輝
度と低い駆動電圧を実現化するものである。従って、こ
の発明の製造法は、従来法に比べて高い工業的価値を有
するものである。
濃度の発光中心元素がドープされたEL発光膜を効率良く
製造することができる。そして気相成長法を利用した方
法であるため大面積化、量産性にも適した成膜法であ
る。また、この方法を経て製造したEL素子は高い発光輝
度と低い駆動電圧を実現化するものである。従って、こ
の発明の製造法は、従来法に比べて高い工業的価値を有
するものである。
第１図は、この発明の一実施例に用いた気相成長装置の
構成とその反応炉における長手方向の温度分布を併せて
示す説明図、第２図は、同じく実施例におけるMnの輸送
速度およびZnS膜中のMn濃度のHClガス流量依存性を示す
グラフ図、第３図は同じく実施例で構成した薄膜EL素子
の発光輝度−印加電圧特性を示すグラフ図、第４図は、
同じく実施例で構成した薄膜EL素子の発光スペクトル
図、第５図は同じく実施例でのMn輸送速度と発光膜中の
Mn濃度及び発光輝度との関係並びに基板温度の影響を示
すグラフ図である。 １……反応管、2,3……ガス導入管、４……電気炉、５
……ZnS粉末、６……Mn粉末、７……基板、８……基板
ホルダー、9,10……マスフローコントローラ、11……H2
ガスボンベ、12……HClガスボンベ、13……圧力計、14
……主バルブ、15……油回転ポンプ。
構成とその反応炉における長手方向の温度分布を併せて
示す説明図、第２図は、同じく実施例におけるMnの輸送
速度およびZnS膜中のMn濃度のHClガス流量依存性を示す
グラフ図、第３図は同じく実施例で構成した薄膜EL素子
の発光輝度−印加電圧特性を示すグラフ図、第４図は、
同じく実施例で構成した薄膜EL素子の発光スペクトル
図、第５図は同じく実施例でのMn輸送速度と発光膜中の
Mn濃度及び発光輝度との関係並びに基板温度の影響を示
すグラフ図である。 １……反応管、2,3……ガス導入管、４……電気炉、５
……ZnS粉末、６……Mn粉末、７……基板、８……基板
ホルダー、9,10……マスフローコントローラ、11……H2
ガスボンベ、12……HClガスボンベ、13……圧力計、14
……主バルブ、15……油回転ポンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 勝 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 中島 重夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−37857（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−256588（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−240592（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】水素又は不活性ガスの流通雰囲気下にエレ
クトロルミネッセンス素子用基板を反応管内に配置して
所定温度に保持し、（ａ）II−VI族半導体を構成しうる
II族元素とVI族元素の化合物と、（ｂ）II−VI族半導体
中で発光中心となりうる元素のハロゲン化物の供給手段
が前記反応管内に配置され、前記基板表面に前記供給手
段周辺領域の温度より基板周辺領域の温度が低く設定さ
れた条件下で、前記II族元素とVI族元素の化合物と前記
ハロゲン化物を蒸気の形態で同時に流通して接触させる
ことにより、この基板表面にII−VI族半導体を母体とし
その内部に発光中心元素が含有された薄膜の発光膜を形
成させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス発
光膜の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117943A JPH0760738B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | エレクトロルミネッセンス発光膜の製造方法 |
| EP19890304862 EP0342063B1 (en) | 1988-05-13 | 1989-05-12 | Process for preparing an electroluminescent film |
| DE1989617016 DE68917016T2 (de) | 1988-05-13 | 1989-05-12 | Verfahren zur Herstellung eines elektrolumineszenten Films. |
| FI892309A FI103226B (fi) | 1988-05-13 | 1989-05-12 | Elektroluminesenssikalvon valmistusmenetelmä |
| US08/789,818 US5372839A (en) | 1988-05-13 | 1991-11-12 | Process for preparing an electroluminescent film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63117943A JPH0760738B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | エレクトロルミネッセンス発光膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01289091A JPH01289091A (ja) | 1989-11-21 |
| JPH0760738B2 true JPH0760738B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=14724066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63117943A Expired - Fee Related JPH0760738B2 (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | エレクトロルミネッセンス発光膜の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0342063B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0760738B2 (ja) |
| DE (1) | DE68917016T2 (ja) |
| FI (1) | FI103226B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE3502106A1 (de) * | 1985-01-23 | 1986-07-24 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von cyclischen, aliphatischen orthokohlensaeureestern sowie neue cyclische orthokohlensaeureester |
| US5087531A (en) * | 1988-11-30 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device |
| JPH0818902B2 (ja) * | 1989-11-02 | 1996-02-28 | シャープ株式会社 | 気相成長装置 |
| JPH0793191B2 (ja) * | 1990-01-09 | 1995-10-09 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| JPH0421780A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-24 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
| JP2680725B2 (ja) * | 1990-08-13 | 1997-11-19 | シャープ株式会社 | エレクトロルミネッセンス薄膜の作製方法 |
| JP2809235B2 (ja) * | 1991-01-24 | 1998-10-08 | 富士電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示パネルの発光膜の成膜方法 |
| FI106689B (fi) * | 1991-04-01 | 2001-03-15 | Sharp Kk | Menetelmä elektroluminenssiohutkalvon valmistamiseksi |
| DE4435016A1 (de) * | 1994-09-23 | 1996-03-28 | Hertz Inst Heinrich | Elektrolumineszenzdisplay mit einem Blau/Grün-Strahler, Verfahren zu dessen Herstellung und Vorrichtungen zur Verfahrensdurchführung |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6054153A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 荷電粒子モニタ−用発光体 |
| JPH0674416B2 (ja) * | 1984-07-30 | 1994-09-21 | セイコーエプソン株式会社 | ケイ光物質薄膜の製法および製造装置 |
| JPH0744067B2 (ja) * | 1985-04-17 | 1995-05-15 | セイコーエプソン株式会社 | Ｅｌ発光素子の製造方法 |
| JPH0744071B2 (ja) * | 1985-05-08 | 1995-05-15 | キヤノン株式会社 | 電場発光素子の製造方法 |
| US4720436A (en) * | 1985-09-11 | 1988-01-19 | Ricoh Company, Ltd. | Electroluminescence devices and method of fabricating the same |
| JPS6279285A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Ricoh Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
| AU8231987A (en) * | 1986-10-24 | 1988-05-25 | Sunstone, Inc. | Phosphors and methods of preparing the same |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP63117943A patent/JPH0760738B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-05-12 EP EP19890304862 patent/EP0342063B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-12 FI FI892309A patent/FI103226B/fi not_active IP Right Cessation
- 1989-05-12 DE DE1989617016 patent/DE68917016T2/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0342063A2 (en) | 1989-11-15 |
| EP0342063B1 (en) | 1994-07-27 |
| DE68917016D1 (de) | 1994-09-01 |
| FI892309A (fi) | 1989-11-14 |
| DE68917016T2 (de) | 1995-03-16 |
| JPH01289091A (ja) | 1989-11-21 |
| EP0342063A3 (en) | 1991-02-27 |
| FI892309A0 (fi) | 1989-05-12 |
| FI103226B1 (fi) | 1999-05-14 |
| FI103226B (fi) | 1999-05-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |