JPS6054153A - 荷電粒子モニタ−用発光体 - Google Patents
荷電粒子モニタ−用発光体Info
- Publication number
- JPS6054153A JPS6054153A JP16237083A JP16237083A JPS6054153A JP S6054153 A JPS6054153 A JP S6054153A JP 16237083 A JP16237083 A JP 16237083A JP 16237083 A JP16237083 A JP 16237083A JP S6054153 A JPS6054153 A JP S6054153A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitter
- luminous layer
- tbf3
- luminescent
- charged particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/224—Luminescent screens or photographic plates for imaging ; Apparatus specially adapted therefor, e.g. cameras, TV-cameras, photographic equipment, exposure control; Optical subsystems specially adapted therefor, e.g. microscopes for observing image on luminescent screen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/886—Chalcogenides with rare earth metals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、電子ビーム、イオンビーム等の荷電粒子のビ
ーム形状、照射位置をモニターするだめの発光体に関す
るものである。
ーム形状、照射位置をモニターするだめの発光体に関す
るものである。
（背景技術）
従来、このようなモニター用には、螢光体粉末を金属板
に分散させた発光体が使用されていた。
に分散させた発光体が使用されていた。
第１図はこのような発光体の例を示す断面図である。図
において、１１はＡｌ 、 Ｃｕ等より成る金属基板で
、その上に有機又は無機螢光体粉末を分散させた溶液か
ら浸漬法により形成された螢光体粉末層１２が被覆され
ている。このような発光体に荷電粒子ビームが照射され
ると、照射部が螢光を発するため、荷電粒子のビーム形
状、照射位置がモニターできる。
において、１１はＡｌ 、 Ｃｕ等より成る金属基板で
、その上に有機又は無機螢光体粉末を分散させた溶液か
ら浸漬法により形成された螢光体粉末層１２が被覆され
ている。このような発光体に荷電粒子ビームが照射され
ると、照射部が螢光を発するため、荷電粒子のビーム形
状、照射位置がモニターできる。
しかし、このような発光体では、発光層は、螢光体粉末
を付着させた粉末分散体であるため、基板１１からの剥
離や損傷を受け易く、寿命が短かく、るため、均一な発
光層の作成が困難で、発光層は厚み０５〜１． Ｏｍｍ
を必波とするため、量産が困＆ｉｌｌで原料物質を多量
に必要とし、再現性良く量産できないという製造上の問
題点があった。
を付着させた粉末分散体であるため、基板１１からの剥
離や損傷を受け易く、寿命が短かく、るため、均一な発
光層の作成が困難で、発光層は厚み０５〜１． Ｏｍｍ
を必波とするため、量産が困＆ｉｌｌで原料物質を多量
に必要とし、再現性良く量産できないという製造上の問
題点があった。
（発明の開示）
木発明は、上述の問題点を解決するだめ成されたもので
、発光層が損傷されず、長寿命を有し、易に量産可能な
荷電粒子モニター用発光体を提供せんとするものである
。
、発光層が損傷されず、長寿命を有し、易に量産可能な
荷電粒子モニター用発光体を提供せんとするものである
。
本発明は、基板上に、発光中心としてＴ ｂ Ｆ ３を
含むＺｎＳ又はＺｎ５ｅより成る発光体層を形成して成
ることを特徴とする荷電粒子モニター用発光体である。
含むＺｎＳ又はＺｎ５ｅより成る発光体層を形成して成
ることを特徴とする荷電粒子モニター用発光体である。
本発明の発光体によりモニターする荷電粒子は、例えば
電子ビーム、イオンビーム、Ｘ線等である。
電子ビーム、イオンビーム、Ｘ線等である。
以下、本発明を図ｍ」を用いて実施例により説明する。
第２図は本発明の実施例を示す断面図である。
図において、Ｉは基板で、その−ヒに発光体層２が形成
されている。基板Ｉは表面が平担な、例えばガラス、金
属゛（例、Ａ／？ 、 ＣｕＡ、η）板１ワ゛より成る
。
されている。基板Ｉは表面が平担な、例えばガラス、金
属゛（例、Ａ／？ 、 ＣｕＡ、η）板１ワ゛より成る
。
発光体層２はＺｎＳ又はＺｎ５ｅ母材に発光中心として
ＴｂＦ３（弗化テルビウス）を含有させたものである。
ＴｂＦ３（弗化テルビウス）を含有させたものである。
ＴｂＦ３の含有量は０１〜１０重量％が好捷しく、０．
１重量％未満又は１０重量％を越えると、発光効率が著
しく減衰し、モニターとしての役割りに支障を来たす。
１重量％未満又は１０重量％を越えると、発光効率が著
しく減衰し、モニターとしての役割りに支障を来たす。
発光体層２の形成方法としては、例えば真空蒸着法、ス
パッタ法、電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法
等の気相薄膜作成方法のいずれを用いても良い。
パッタ法、電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法
等の気相薄膜作成方法のいずれを用いても良い。
又発光体層２の厚みは数μｍ程度（１０μ７ｎ以下）で
充分であるので、原料物質も少量ですむ。
充分であるので、原料物質も少量ですむ。
このような木発明による発光体の発光体層２に第３図に
示すように荷電粒子ビーム３を照射すると、照射部４で
発光５を生ずるので、その発光像を観察することにより
、ビーム形状、照射位置を精確にモニターすることがで
きる。１は基板である。
示すように荷電粒子ビーム３を照射すると、照射部４で
発光５を生ずるので、その発光像を観察することにより
、ビーム形状、照射位置を精確にモニターすることがで
きる。１は基板である。
（実施例）
高純度に精製されたＺｎＳ粉末に、５重量％の高純度の
ＴｂＦ３粉末を混合し、成型ペレットを作成した。
ＴｂＦ３粉末を混合し、成型ペレットを作成した。
このペレットを不活性ガス雰囲気（例、Ａｒ等）中でＩ
＋、００’Ｃに加熱し、約６時間程度焼成し、焼結ペレ
ットを作成した。
＋、００’Ｃに加熱し、約６時間程度焼成し、焼結ペレ
ットを作成した。
このペレットを蒸着材料として電子ビーム蒸着法により
、清浄な平担面を有するガラス基板上に厚み０．５〜１
１ｔｍ程度の発光体層を蒸着させた。蒸着時の基板温度
は１５０〜２５０°Ｃの範囲であった。
、清浄な平担面を有するガラス基板上に厚み０．５〜１
１ｔｍ程度の発光体層を蒸着させた。蒸着時の基板温度
は１５０〜２５０°Ｃの範囲であった。
このような条件で、緻密でかつ均質性の良い発光体層が
得られた。
得られた。
得られた発光体を用い、０２ イオンビームを照射させ
た所、発光強度の強い緑色の発光が（６られた。
た所、発光強度の強い緑色の発光が（６られた。
発光色のスペクトルは第４図に示す通りである。
図において、発光中心として添加しだＴｂの緑色発光体
が波長５４５ ｎｍに強く現われている。
が波長５４５ ｎｍに強く現われている。
（発明の効果）
上述のように構成された木発明の荷電粒子モニター用発
光体は次のような効果がある。
光体は次のような効果がある。
（イ）基板上に、発光中心としてＴｂ’Ｆ３を含むＺｎ
Ｓ又はＺｎ Ｓｅより成る発光体層を形成して成るため
、発光体層が緻密で、かつ均質性が良いので、損傷を受
けず、寿命が長く、又発光中心のＴＩ）による波長が強
い緑色の均一な発光強度の発光が得られるので、荷電粒
子のビーム形状、照射位置を精確にモニターできると共
に、ビームの強度分布が発光強度の大小で判別できる。
Ｓ又はＺｎ Ｓｅより成る発光体層を形成して成るため
、発光体層が緻密で、かつ均質性が良いので、損傷を受
けず、寿命が長く、又発光中心のＴＩ）による波長が強
い緑色の均一な発光強度の発光が得られるので、荷電粒
子のビーム形状、照射位置を精確にモニターできると共
に、ビームの強度分布が発光強度の大小で判別できる。
（ロ）発光体層の形成は、例えば真空蒸着法、スパッタ
法、電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法等の気Ａ目薄
膜法により行なえるため、大面積で均一な薄膜を容易に
製造することができ、量産が可能であり、又発光体層の
厚みは数μｍ程度で十分であるので、原料物質が少量て
すみ、安価に製造し得る。
法、電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法等の気Ａ目薄
膜法により行なえるため、大面積で均一な薄膜を容易に
製造することができ、量産が可能であり、又発光体層の
厚みは数μｍ程度で十分であるので、原料物質が少量て
すみ、安価に製造し得る。
第１図は従来の発光体の例を示す断面図である。
第２図は木発明の実施例を示す断面図である。
第３図は本発明の発光体の実施例に荷電粒子を照射した
場合の状態を示す断面図である。 第４図は本発明発光体の実施例に０２ イオンビームを
照射した場合の発光色のスペクトルを示す図である。 １．ＩＩ・・基板、２・・・発光体層、３・・・荷電粒
子ビーム、４・・・照射部、５・・・発光、Ｉ２・・・
螢光体粉末層。 ヤ１０ 才２図 シ皮４（？２−４ｎ−）
場合の状態を示す断面図である。 第４図は本発明発光体の実施例に０２ イオンビームを
照射した場合の発光色のスペクトルを示す図である。 １．ＩＩ・・基板、２・・・発光体層、３・・・荷電粒
子ビーム、４・・・照射部、５・・・発光、Ｉ２・・・
螢光体粉末層。 ヤ１０ 才２図 シ皮４（？２−４ｎ−）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板上に、発光中心としてＴｌ）Ｆ３を含むＺｎ
Ｓ又はＺｎ５ｅより成る発光体層を形成して成ることを
特徴とする荷電粒子モニター用発光体。 ＋２１ＴｂＦ３の含有量が０１〜１０重量％である特許
請求の範囲第１項記載の荷電粒子モニター用発光体。 （３）発光体層の厚みが１０μｍ以下である特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の荷電粒子モニター用発光体
。 （４）発光体層が、真空蒸着法、スパッタ法、電子ビー
ム蒸着法又はプラグ−ｒ ＣＶＤ （Ｃｂｅｍｉｃａｌ
ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法により形成さ
れたものである特許請求の範囲第１項、第２項又は第３
項記載の荷電粒子モニター用発光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16237083A JPS6054153A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 荷電粒子モニタ−用発光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16237083A JPS6054153A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 荷電粒子モニタ−用発光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054153A true JPS6054153A (ja) | 1985-03-28 |
Family
ID=15753277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16237083A Pending JPS6054153A (ja) | 1983-09-02 | 1983-09-02 | 荷電粒子モニタ−用発光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054153A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0342063A2 (en) * | 1988-05-13 | 1989-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for preparing an electroluminescent film |
-
1983
- 1983-09-02 JP JP16237083A patent/JPS6054153A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0342063A2 (en) * | 1988-05-13 | 1989-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for preparing an electroluminescent film |
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