JPS63301530A - 硫化亜鉛の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、イオウ（Ｓ）の原料として少なくとも一種の
硫化炭素を含む蒸気を用いた硫化亜鉛（ＺｎＳ）の製造
方法に関する。

［従来の技術］ 従来、亜＠ｊＱＴ４　（Ｚｎソース）として有機金属化
合物を用いＺｎＳを作成する際に使用されているイオウ
原料（Ｓソース）としては、硫化水素（ＩＩ、Ｓ）、あ
るいはイオウのアルキル化合物［（Ｃ＝ｌＩ６）！Ｓま
たは（ＣＩｌ、）、Ｓコ等が使用されているが、前者は
極めて毒性か強くその取り扱いには甚だ危険を伴う。一
方、空気中へそのガスが漏れると激しく発火燃焼する。

又、非常に高価であるため実用性に乏しい。

［発明が解決しようとする問題点コ 上記いずれかのＳソースと、Ｚｎソースとしてのジメチ
ル亜鉛［ＤＭＺ　；　（Ｃ１ｌ−）　ｔＺｎ］またはジ
メチル亜鉛［ＤＥＺ　；　（Ｃｔｌｌａ）ｔＺｎコ等、
有機金属化合物として知られているアルキルＺｎを組み
合わせ、化学気相反応を起こさせることによりＺｎＳを
形成する際、ＳソースとしてＨｔ　Ｓを用いると室温で
もアルキルＺｎと反応してしまい目的物を容易に得がた
いという問題や、またＳソースとして前記イオウのアル
キル化合物を使用した場合、室温でアルキルＺｎと反応
するという問題は克服できるが、より安定なため反応温
度が高くなり過ぎるという新たな問題を生じている。

本発明は、人手並びに取り扱いが容易で、しかも安価な
Ｓソースとして二硫化炭素（ＣＳ、）を用いＺｎＳの製
造方法を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、前記問題を解決するため、ＳソースとしてＣ
Ｓ　ｔを採用し、Ｚｎソースとして現在多量に使われ安
価となったアルキルＺｎを用い、搬送（キャリヤ）前反
応ガスとして水素を使用する熱ＣＶＤ法またはプラズマ
ＣＶＤ法あるいは光ＣＶＤ法等によって、硫化亜鉛を形
成するようにしたものである。

硫化炭素、特にＣＳ　ｔは、常温で液体で、古くからゴ
ム等の製造時に使用される加硫剤をはじめ工業薬品とし
て広く利用されている。それゆえ入手容易でかつ安価で
ある。また、比較的安定な物質であり、従って取り扱い
も容易である。

本発明に係るＺｎＳは、ＣＶＤ用リアクタ内にセットさ
れた導電体、絶縁体または半導体等の基体上に、成分元
素であるＺｎ及びイオウを含む反応ガスの化学気相反応
によってＺｎＳ層を被着させることにより形成できる。

反応ガスは水素を主体とし、その中にＺｎがＤＭＺまた
はＤＥＺの蒸気として、またイオウは硫化炭素を含む蒸
気として含まれるのが望ましい。　さらに、係る反応ガ
ス中に必要に応じて発光中心や発光付活剤となる不純物
元素もしくは導電性を制御する不純物元素を含むガスを
前記ＺｎソースあるいはＳソースと同時にまたは個別に
供給することによって含ませる事ができる。ここで、供
給ソースガスにおけるＺｎとＳの原子比Ｓ　／　Ｚ　ｎ
は、１〜６０の範囲とすることが好ましい。ＺｎＳ膜を
形成する場合においては、１以下もしくは６０以上の範
囲は、膜の光透過率もしくは結晶性が著しく低下するこ
とがあり望ましくない。ただしＺｎとＳのソースガス導
入口の相対的位置関係によって、最も好ましいＳ／Ｚｎ
比の範囲が存在する。

［作用Ｊ 本発明方法によれば、基体上で次のような反応か進行し
、硫化水素０ｔｔｓ）が生成される。

１、　ＣＳ＊　＋　３Ｈｔ　→ＣＨ３ＳＨ十Ｈ！Ｓ２、
　　　ＣＳｔ　　＋　　　４Ｈｚ　　　−ＣＨ４＋　　
　２ＨｔＳ（またはＣ５＋　３Ｈ，→　ＣＨ，十Ｈ，Ｓ
）３、ＣＨ，ＳＨ＋ｌ（、→　ＣＨ，＋　ｌ−１ｔｓま
た、本発明方法によれば、熱反応のみによる場合、約２
００℃　以下ではＺｎソースとＳソースは全く反応せず
ＺｎＳが形成されない。よって約２００℃以上の温度で
初めて上記反応が開始され、Ｈ、Ｓが生成される　次に
このＨ、Ｓと、ＺｎソースであるアルキルＺｎの反応は
次のように進行し、所望のＺｎＳが形成される。

（ＣＨｓ）ｘ７．ｎ　　＋　ＨｔＳ−１−ＺｎＳ　　＋
　　２ＣＨ４または （ＣｚＨｓ）ｔＺｎ＋Ｈ１ｓ　−ＺｎＳ４−２ＣｔＨａ
従って、基体温度、各ソースガスおよび水素ガス流入量
を精密に制御することにより、Ｈ，Ｓガスの生成を経て
、十分な精度で膜厚の制御されたＺｎＳが形成される。

また本発明方法によれば、２００℃〜４５０℃の温度範
囲にわたって再現性良く高品質のＺｎＳが作成できる。

次に本発明を実施するための好ましい製造装置例を第１
図、第２図及び第３図にそれぞれ示す。

第１図は縦型熱ＣＶＤ装置である。ここでは、リアクタ
１内に黒鉛サセプタ２を設置、その上に基体３をセット
し、また同図に示されているように基体３の近傍にアル
キルＺｎを含むソースガス導入口４を、基体３の上方に
Ｃ８，を含むソースガ。

ス導入口５をそれぞれ配置した。反応ガスであるＨ７は
、ソースガスを輸送するキャリアガスとして供給される
ことはもちろん、このほかにＨ，ガス導入管６を同図の
ように設け、ソースガスの供給量とは別個にリアクタ内
へＨ，ガスを供給する事ができる。サセプタ２は高周波
誘導加熱装置のワークコイル７との誘導結合によって発
熱し、その結果サセプタ２の上にセットされた基体３が
均一に加熱されるようになっている。より均一な膜作成
を実現するため、サセプタ２を毎分３〜４０回転の範囲
で回転させることができる。膜作成時におけるリアクタ
内圧力は、７６０　Ｔｏｒｒ（大気圧）〜１０−”Ｔｏ
ｒｒの範囲で任意の値にセットできる構造となっている
。

第２図は、前述したように２００℃以下ではＺｎソース
とＳソースが全く反応しないという利点を最大限に活か
すため、リアクタ１中にＺｎおよびＳソースを１本の導
入口８から導入し、さらに水素ガスを８と同軸になって
いる導入管６から導入できる構造を（丁するＣＶＤ装置
のりアクタ部分である。リアクタ内部に毎分３〜４０回
転で回転出来る黒鉛サセプタ２を設置し、その表面に基
体３がセットできるようになっている。ソースガス導入
口８の先端部側壁に設けである噴出口群からアルキルＺ
ｎ％ＣＳ　ｔガス、さらに必要に応じて、発光中心や発
光付活剤を含む不純物ガス等をＨ、ガスもしくは不活性
ガスのキャリアガスととらに噴き出さけることが出来る
。さらに、これらのソースガスとは独立にＨ１ガスを、
導入管６からも噴出させられるようになっている。　基
体３は、リアクタ内部に設けた高周波誘導加熱用ワーク
コイル７によってサセプタ２を加熱することにより均一
に加熱される。

上に述べたような２種類のいずれのソースガス導入方法
によっても３００℃〜４５０℃の範囲において高品質Ｚ
ｎＳを作成することが出来る。

さらに第２図の装置には、基体表面に平行に、あるいは
垂直に外部からレーザ光を導入するための窓９．１０が
それぞれ設けられている。レーザ光を導入することによ
り、基体表面の速やかな加熱によるソースガスの局所的
熱分解またはソースガスを直接光分解することによる低
温反応や基体表面上での結晶化を促進するいわゆる°Ｐ
　ｈｏＬｏ−ａｓｉｓｔｅｄ効果°による光ＣＶＤが実
施できる。　ところで、レーザ光の垂直照射は、基体表
面の特定部位の選択的加熱あるいは全面にわたる均一な
加熱により所望の膜作成を行う際有効である。また水平
照射は、基体表面近傍で基体温度と無関係にソースガス
のみ光化学分解させることにより基体上に良質の膜を作
成するのに適している。　これらの外に、基体上の空間
にプラズマ（直流もしくは高周波によって励起）を発生
させこの中にソースガスを導入し、効率良くソースガス
を分解し、ＺｎＳを形成するプラズマＣＶＤも可能であ
る。

第３図に、その１例として電子サイクロトロン共鳴（Ｅ
ＣＲ）を用いたマイクロ波プラズマＣＶＤ装置のりアク
タ１を示す。ＥＣＲプラズマ生成室１１へ、ガス導入管
６からＨ，ガスを導入し、一方、導波管！２を通じて２
．４５　Ｇｔ（ｚのマイクロ波を放射させ、この生成室
内にマイクロ波水素プラズマを発生させる。この時の雰
囲気圧力は１０°’Ｔｏｒｒ〜１０　Ｔｏｒｒとし、さ
らに磁気コイル１３により生成室内のマイクロ波入射部
付近にｏ、ｏｇｙｓ　Ｔの磁界を発生させ、ＥＣＲ水素
プラズマを生成する。この水素プラズマは開口部１４か
ら成長室１５に向かって流動し、成長室内に設けられた
サセプタ２の上にセットされた基板３に達する。その際
、基板近傍にセットしであるソースガス導入口８からア
ルキルＺｎ並びにＣ８，あるいは必要に応じ添加用不純
物を含むガスを供給する。これにより比較的低温の基板
玉に速やかにＺｎＳ膜が形成される。

以上は本発明を実施するための好適な実施例であるが、
その製造装置及び方法は特定するものではなく、ＺｎＳ
またはＺｎターゲットを用いてスパッタ法により基体上
にＺｎ５ＦＪを形成する際、スパッタガスとしてＣＳ　
ｔと、Ａｒ、Ａｒ／Ｈｚ、Ａｒ　／　Ｈｃ、またはＨｅ
　／　Ｈを等の混合ガスを使用することも出来、さらに
、反応性蒸着法により基体上にＺｎＳを形成する際にも
、これらの混合ガスやＣ８，ガスもしくはプラズマ状態
のガスを使用することも出来る。

本発明に係るＳソースとしてのＣＳ　ｔは、室温でアル
キルＺｎと反応しないので、ソースガスの供給方法に制
限を受けないこと、並びに高品質結晶性薄膜が容易に作
成出来るという作用効果がある。

以下、本発明を実施例により説明する。

［実施例　１コ 第１図に示す縦型熱ＣＶＤ装置を使いサセプタ２にガラ
ス（コーニング＃　７０５９）基板をセットし、同図に
示されているように基板近傍にＤＥＺを、基板上方的１
３ｃｍのところからＣＳ　ｔを含ガスをそれぞれ供給し
、さらに基板上方から２０００　ｃｃ／ｍｉｎ以下のＨ
，ガスを流しながら高周波誘導加熱装置によりサセプタ
２を加熱し基板温度を４５０℃までの各温度に保った。

次にＤＥＺとＣＳ　ｔを含む蒸気をＩＩｓキャリアガス
によりリアクタ！内へ輸送し、リアクタ内圧力を２６０
　Ｔｏｒｒで一定値に保ちつつ、基板を毎分７回転で回
転させながら基板上にＺｎＳ層を堆積させた。　第４図
は、供給ガス中のＳ　／　Ｚ　ｎ比を２０　（ＤＥＺＳ
ＣＳｆの供給量をそれぞれ５×１０１及び５ｘｘｏ−’
　ｍｏｌ／＋ｉｎ、また両ソース温度はそれぞれ１２℃
及び−５℃）とした場合、ＺｎＳ層の成長速度の基板温
度依存性を示す典型的な例である。この実施例で使用し
たＣＶＤ装置においてはりアクタ灼、へΩ供給反応ガス
中のＳ／Ｚｎ比を５〜６０とすることが好ましく、ｌＯ
〜４０とすることがさらに好ましく、１７〜２３とする
ことが最も好ましい。

この装置のソースガス導入口配置においては、該比率が
５以下もしくは６０以上ではＺｎＳ３の結晶性あるいは
光透過率が著しく低下することがあり好ましくなかった
。本実施例により形成したＺｎＳ層は可視光域での光透
過率は８５％以上を示し、この光透過率スペクトルから
算出した禁制帯幅は約３．８ｅＶであった。この値は六
方晶（ウルツ鉱構造）ＺｎＳの室温における禁制帯幅と
ほぼ一致することが判った。また走査形電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）観察の結果ＺｎＳ層の表面状態は極めて平滑であ
った。　さらに、ＺｎＳ層のＸ線回折による同定の結果
、主回折ピーク半値幅は０．１９°以下を示し、基板に
垂直にＣ軸配向した膜であることが判った。

本方法によって高品質なＺｎＳ３を形成出来ることが確
認できた。

基板として多重コーティングを施したガラス基板、即ち
Ｔ　ａ　！　Ｏｓ絶縁層／ＺｎＯ：Ａｌ透明電極／ガラ
ス（コーニング＃　７０５９）を採用し、この上に上記
方法にてＺｎＳ膜を形成した後この膜にマンガン（Ｍｎ
）を熱拡散させた発光ｍ　（ＺｎＳ：Ｍｎ）を使用した
二重絶縁構造薄膜エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素
子を用い５ｋｌｌｚの正弦波駆動により、印加電圧１６
０　Ｖで発光輝度８０００ｃｄ／ｍ’を実現できた。

また、月給縁構造、即ち金属／　Ｔ　ａ　ｔ　Ｏｓ／Ｚ
ｎＳ　：Ｍｎ／ＺｎＯ：Ａｌ／ガラス（コーニング＃７
０５９ＮＭ造を有するＥＬ素子を用いて５ｋｌｌｚの正
弦波駆動により、印加電圧１００ｖで発光輝度６１００
　ｃｄ／ｍ″を実現した。

［実施例２］ 第２図の装置を用い、基板として実施例１と同じく多重
コーティングを施したコーニング＃　７０５９ガラス基
板を採用し、ソースガス導入口８からＤＥＺＳＣＳｔ及
び発光中心としてＭｎを導入するためのドーピングガス
としてビスシクロペンタジニエルマンガン［ＣＰＪｎ；
　（ＣｓＨｓ）ｔＭｎ］をそれぞれ含む蒸気を、又導入
管６からＨ，ガスを３０　ｃｃ／ｍｊｎ流しながら基板
温度を４５０℃までの各温度に保ち、マンガン（Ｍｎ）
ドープＺ　ｎ　Ｓ　（ＺｎＳ：Ｍｎ）膜を形成した。

尚、リアクタ内圧力は２６０　Ｔｏｒｒ、　ｉＬ板回転
速度は７ｒｐｉとした。又、高品質ＺｎＳ：Ｍｎを作成
するには供給反応ガス中のＳ／Ｚｎ比を、１〜３０とす
ることが好ましく、１〜２３とすることがさらに好まし
く、１〜１０とすることが最も好ましいことがわかった
。

Ｓ／Ｚｎ比を２．５とし、基板温度３５０℃で形成され
たＺｎＳ：Ｍｎ上に絶縁層、そして電極を付けた二重絶
縁措造薄膜ＥＬ素芋において、５ｋｌｌｚ正弦波駆動に
より、印加電圧１５０ｖで発光輝度９０００ｃｄ／ｍ’
を実現できた。

また、透明電極（ＺｎＯ：＾１）、絶縁層（ＴａｔＯｓ
）、並びに発光層（ＺｎＳ：Ｍｎ）という組み合わせを
用いた片絶縁構造ＥＬ素子において、１００　Ｖ５ｋｌ
ｌｚ正弦波駆動により発光輝度７２００ｃｄ／ｍ’を実
現した。

又、Ｍｎソースとしてトリカルボニルシクロペンタジニ
エルマンガン（ＴＣＭ）を使用した場合にもほぼ同様の
結果が得られた。

［実施例３］ 実施例１または実施例２においてリアクタ内圧力を２６
０Ｔｏｒｒ一定とし、基体として高比誘電率を持つ、チ
タン酸バリウム（ＢａＴｉＯｓ）焼結セラミックスを絶
縁層兼基板として採用し、その片面上に実施例１または
２と同様の方法により基板温度３．５０℃でＺｎＳ：Ｍ
ｎ発光層を形成し作成した膜上にＺｎＯ：＾１透明電極
を、他面にＡＩ主電極それぞれ付けたＥＬ水素子作成し
、　５ｋｌｌｚ正弦波駆動により印加電圧１００Ｖで発
光輝度９０００ｃｄ／ｍ”を実現できた。その典型的な
輝度−電圧特性を第５図に示す。他に、チタン酸ストロ
ンチウム（ＳｒＴｉＯ１）、アンチモン（Ｓｂ）を添加
した高比誘電率Ｂａ＋−ｘＳｒｘＴｉＯ３、または鉛系
複合ペロブスカイト化合物のＰｂ（Ｆｅ＋、Ｊｂ＋、ｙ
）Ｏｓ−Ｐｂ（ＦｅｚｚＪ＋ｚ３）系、Ｐｂ（Ｍｇｌ、
３Ｎｂｆｆ、りｏ＋−ＰｂＴｉ０３系、Ｐｂ（Ｍｇｌ、
Ｊｂｔ、３）Ｏｓ−ＰｂＴｉＯａ　　Ｐｂ（Ｍｇ＋ｚＪ
＋７ｔ）０３系あるいはＰＬＺＴ系等の高比誘電率セラ
ミックス用いても、同等らしくはそれ以上の性能のＥＬ
水素子実現できた。

［実施例４コ 第１図及び第２図の装置において、リアクタ内圧力を２
６０Ｔｏｒｒ一定とし、（１１１）面シリコン（Ｓｉ）
単結晶基板上にＺｎＳ層を堆積させた場合、この基板上
にエピタキシャル成長をさせることができた。

また、基板面方位を選択することにより六方晶（ウルツ
鉱構造）、または立方晶（閃亜鉛鉱形）構造を持つＺｎ
５ＦＪを形成することができた。

Ｓｉの代わりにガリウムひ素（ＧａＡｓ）、及びガリウ
ム燐（Ｇａｌり単結晶７．（仮を用いてムロ様にエピタ
キシャル成長させることか出来た。

第１図の装置を使い、Ｓｉ単結晶基板」−にＺｎＳエピ
タキノヤル膜を形成する際、発光付活剤となる不純物と
し°ＣＡＩをトリメチルＡ　Ｉ　（１’Ｍ＾１）として
Ｉ！、キャリアガスとと６にリアクタ内へ輸送しＺｎ５
ｅにＡ１ドーピングを行った。この時、’Ｉ’ＭＡＩ／
ＤＥＺ比は０．２、基板温度は４２５℃であった。この
ＺｎＳ膜を発光層として用いたＭＩＳ形発光発光ダイオ
ード成したところ、直流３ｖ印加で、室温においても極
めて強い青色発光が得られた。

尚、添加する不純物として塩素を用いても同等の特性が
得られた。

一方、発光中心としてＭｎをドープしたＺｎＳ：Ｍｎを
発光層として用いると、黄だいだい色発光が５Ｖの印加
電圧で得られた。

［実施例５］ 第３図のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を使い、
基板としてＳｉ単結晶を、また、ソースガスとしてＤＥ
Ｚ並びにＣＳ　ｔをそれぞれ用い、基板温度２００℃で
ＺｎＳ膜の成長を試みた。その結果このような低い基板
温度にもかかわらず、実施例４と同程度のエビタキノヤ
ルＺｎＳ層を形成することが出来た。

次に、実施例１と同じ多重コーティングを施したガラス
基板を用い、水素ガス供給１５０ｃｃ／ｍｉｎ。

Ｄ　Ｅ　Ｚ　及ヒＣＳ　、ノ供給ｆｆｉをそｆＬぞｈ　
５ｘｌＯ−’、２．５ｘｌＯ−’　ｍｏｌ／ｍｉｎ、基
板温度３００℃、圧力２ＸＩＯ−’Ｔｏｒｒ、基板温度
２００℃でＥＣＲマイクロ波水素プラズマＣＶＤ法によ
ってＺｎＳ膜の成長を試みた。

この膜に実施例１と同様の方法でＭｎをドープし、作成
した二重絶縁構造薄膜ＥＬ素子に交流１００Ｖを印加し
たところ、発光輝度８０００ｃｄ／ｍ’を実現した。

［実施例６　］ 第２図の装置を用いて実施例２．４の’１．　ｎ　Ｓ層
を形成する際、リアクタ内を０．０６Ｔｏｒｒに排気し
、基板上にリアクタ外部からフッ化アルゴン（＾ｒＦ）
エキシマレーザ光を照射することによって、室温から３
００℃という低い基板温度にらかかわらず、前記実施例
２及び４と同程度以上の結晶性を有するＺｎＳ層を形成
することが出来た。さらに本実施例の場合リアクタ内を
１０−’Ｔｏｒｒ以上の高真空に保ち、ＺｎソースとＳ
ソースを交互に供給することによっ′てｂＺｎｓ層を形
成出来た。

本発明は原子層エピタキシー（＾ＬＩ４）法、ガスソー
ス分子麹エピクキシー（Ｍ［１ｌＥ）法、反応性蒸首法
、反応性スパッタ法、プラズマＣＶ　Ｉ）法、？ＡＣＶ
Ｄ法、あｋＬ”ｊよ光ＣＶＤ法等においてＺｎＳを作成
する時のＳソースとしてＣ８，が適用出来る。

さらに重連したよう？こ、不純物添加ＺｎＳ層を形成す
るためには供給ガス中に不純物元素を含む適当なガスを
混入すれば可能である。一方、本実施例ではＺｎソース
としてＤＥＺを使用したが、これをＤＭＺに代えてら前
記実施例と同様の結果が得られた。勿論、本発明に係る
ＺｎＳの製造方法は、装置をこれらの実施例に特定する
ものではない。さらに、ＳソースとしてはＣ８，の代り
にその低級炭化物のＣ８を使用してもよい。

［発明の効果コ 以上、本発明によれば、従来ＳソースとしてＨ、Ｓのよ
うな危険なガスを使用していたが本発明では極めて安全
性が高くかつ取り扱い容ｇなＣ８ｔを採用しているため
容易に高品質なＺｎＳを製造できる点でこの発明は極め
て有効である。

さらに蒸着あるいはスパッタリング等によっては作成す
ることが困難であったＥＬ水素子に有利な六方晶Ｚ、ｎ
Ｓが容易に形成出来るという効果がある。つまり本発明
に係る製造方法によって作成された六方晶ＺｎＳは薄膜
においても結晶性の後れたしのが容易に得られること、
並びに禁制帯幅や移動度が大きいという物性的効果を有
するためＥＬ素子等の発光素子用として特に有効である
。

ところで、Ｓソースとして通常用いられている）ｔ、Ｓ
を使用した場合、このＨ，ＳとアルキルＺｎが室温でも
直ちに反応してしまう性質を有するため普通リアクタ中
を減圧しながら、Ｓソース、Ｚｎソース導入管をそれぞ
れ切り離しＺｎソース導入管を出来るだけ基板近くに配
置するという対策を講じている。しかしそれでも、基板
上での反応を経てＺｎＳ層の形成というプロセスはほど
んと期待できない。従って低温安定相である立方晶Ｚｎ
Ｓ分子が基板に堆積し、高温安定相である六方晶ＺｎＳ
の形成の余地はほどんとない。一方、ＺｎソースとＳソ
ースを交互に供給するようなＡＬＢ、アルキルＳを使用
するＭＯＣＶＤおよびＭＢＥ法によってＺｎＳを作成す
る際、５５０℃以上の基板温度で作成すると六方晶Ｚｎ
Ｓが出来やすいといわれている。これは蒸気圧の関係か
ら基板」二にｌｄ初Ｚｎ原子が付着し、ちゅうｔｌ六方
格子面を持つＺｎ層が形成され、非熱平衡状態の丁で高
１品安定相である六方晶ＺｎＳが出来やすくなるためと
考えられる。本発明においてもこのような効果が、２０
０℃〜４５０℃の成長温度範囲において期待できる。こ
の温度範囲は半導体製造プロセスに良く適合し、かつ高
品質な結晶を作成するためにも有効なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るＣＶＤ装置のりアクタ断面図。 第２図は本発明に係るＣＶＤ装置のりアクタ断面図。 第３図は本発明に係るＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置のりアクタ断面図。 第４図は本発明に係るＺｎＳ層の成長速度と基板温度の
関係を示した曲線図。 第５図は本発明に係るＥし素子の輝度−電圧特性を示し
た曲線図。 ｌ・・・リアクタ、２・・・黒鉛サセプタ、３・・・基
体、４・・・アルキルＺｎソースガス導入口、５・・・
Ｃ８，ソースガス導入口、６・・・Ｉ−１、ガス導入管
、７・・・ワークコイル、８・・・アルキルＺ、　ｎ及
びＣＳ　ｔソースガス導入口、９と１０・、・レーザ光
導入窓、１１・・・ＥＣＲプラズマ生成室、１２・・・
導波管、Ｉ３・・・磁気コイル、１４・・・開口部、１
５・・・成長室。 特許出願人　　高田新三　　　（ばか２名）第２図 第３図 第４図 基板温度［ｔｌ 第５図 印加電圧［Ｖコ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に亜鉛および硫化炭素を含む反応ガスを供
   給し化学気相反応によって硫化亜鉛層を被着することを
   特徴とする硫化亜鉛の製造方法。
2. （２）反応ガスが水素を主体とし、硫化炭素を二硫化炭
   素の蒸気として含む特許請求の範囲第１項記載の硫化亜
   鉛の製造方法。
3. （３）反応ガスが水素を主体とし亜鉛をジメチル亜鉛ま
   たはジエチル亜鉛の蒸気として含む特許請求の範囲第１
   項または第２項記載の硫化亜鉛の製造方法。
4. （４）供給反応ガス中の亜鉛に対するイオウの原子比（
   Ｓ／Ｚｎ）が１〜６０である特許請求の範囲第１項、第
   ２項または第３項記載の硫化亜鉛の製造方法。
5. （５）供給反応ガス中の亜鉛に対するイオウの原子比（
   Ｓ／Ｚｎ）が１〜４０である特許請求の範囲第１項、第
   ２項または第３項記載の硫化亜鉛の製造方法。
6. （６）供給反応ガス中の亜鉛に対するイオウの原子比（
   Ｓ／Ｚｎ）が１〜２３である特許請求の範囲第１項、第
   ２項または第３項記載の硫化亜鉛の製造方法。
7. （７）硫化亜鉛が原子層エピタキシー、分子線エピタキ
   シー、熱化学気相結晶成長（熱ＣＶＤ）、光ＣＶＤ、プ
   ラズマＣＶＤ、反応性蒸着、反応性スパッタ法によって
   、発光ダイオード、金属／絶縁層／半導体／絶縁層／金
   属の二重絶縁構造を有する薄膜形、あるいは金属／絶縁
   層／半導体の片絶縁構造を有する薄膜形、もしくはこれ
   らの絶縁層の一つが高比誘電率焼結セラミックスから成
   る薄膜形エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子、
   または金属等と硫化亜鉛を組み合わせて成る反射防止も
   しくはハードコーティング膜を製造するために利用され
   る特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項、第
   ５項、または第６項記載の硫化亜鉛の製造方法。