JPH01108744A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH01108744A JPH01108744A JP26540487A JP26540487A JPH01108744A JP H01108744 A JPH01108744 A JP H01108744A JP 26540487 A JP26540487 A JP 26540487A JP 26540487 A JP26540487 A JP 26540487A JP H01108744 A JPH01108744 A JP H01108744A
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- Japan
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- substrate
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- grain
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体製造装置に関し、特にガスデポノショ
ン法により ht等の金属を堆積して多層配線を施す半
導体製造装置に関するものである。
ン法により ht等の金属を堆積して多層配線を施す半
導体製造装置に関するものである。
(従来の技術)
従来の半導体製造装置は、例えば特開昭60−1249
27号公報等に開示されている。次に。
27号公報等に開示されている。次に。
第4図を参照して従来の半導体製造装置について説明す
る。第4図において、超微粒子生成室1は、ガス流量調
整用の調整用パルプ2を途中に設けているガス導入管3
に接続され、内部に抵抗加熱用のが−ト4が設けられて
いる。このポート4は、超微粒子にするための例えばM
等の金属5が入れられ、外部の電源6に接続されている
。又、超微粒子生成室1は、減圧排気するためのパルプ
7aと真空ボングアb等から構成される第1の排気系7
に接続されている。超微粒子生成室lと膜形成室8とを
接続している搬送管9は膜形成室8内でその先端にノズ
ル10を備えている。又、膜形成室8は、パルプlla
と真空ポングllb等から構成される第2の排気系11
に接続されている。
る。第4図において、超微粒子生成室1は、ガス流量調
整用の調整用パルプ2を途中に設けているガス導入管3
に接続され、内部に抵抗加熱用のが−ト4が設けられて
いる。このポート4は、超微粒子にするための例えばM
等の金属5が入れられ、外部の電源6に接続されている
。又、超微粒子生成室1は、減圧排気するためのパルプ
7aと真空ボングアb等から構成される第1の排気系7
に接続されている。超微粒子生成室lと膜形成室8とを
接続している搬送管9は膜形成室8内でその先端にノズ
ル10を備えている。又、膜形成室8は、パルプlla
と真空ポングllb等から構成される第2の排気系11
に接続されている。
次に、か\る装置の動作について説明する。第1の排気
系7によシ超微粒子生成室lは減圧排気され、第2の排
気系11により膜形成室8は減圧排気される。この状態
で、電源6からの電力供給によりボート4が抵抗加熱さ
れてボート4内の金属5が蒸発し、超微粒子化する。一
方、調整用パルプ2の調整により不活性ガスが不図示の
がンペからガス導入管3を通って超微粒子生成室l内に
導入されているので上記のように生成した超微粒子は、
エアロゾル状にされて膜形成室8内に搬送され、ノズル
lOからウェハ載置台12上に載置された半導体基板(
以下、基板という)13に向けて高速噴射される。これ
Kよシ、膜形成室8内に配置された基板13上に超微粒
子膜を形成することができる。 − (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記構成の装置では超微粒子金属として
例えばArのような酸化性金属を用いて基板に堆積させ
、堆積後基板を空気中の雰囲気にさらすと超微粒子膜が
酸化される次めに低抵抗金属膜の形成が困難であシ、又
、超微粒子膜形成後の熱処理により超微粒子膜が収縮し
て規定の寸法通りに形成できないと云う問題点があった
。これらは、超微粒子膜が超微粒子の形状を保持して連
鎖状となっているために表面積が大きくな夛酸化が早く
進行すると共に加熱により溶融して収縮する之めでbる
。
系7によシ超微粒子生成室lは減圧排気され、第2の排
気系11により膜形成室8は減圧排気される。この状態
で、電源6からの電力供給によりボート4が抵抗加熱さ
れてボート4内の金属5が蒸発し、超微粒子化する。一
方、調整用パルプ2の調整により不活性ガスが不図示の
がンペからガス導入管3を通って超微粒子生成室l内に
導入されているので上記のように生成した超微粒子は、
エアロゾル状にされて膜形成室8内に搬送され、ノズル
lOからウェハ載置台12上に載置された半導体基板(
以下、基板という)13に向けて高速噴射される。これ
Kよシ、膜形成室8内に配置された基板13上に超微粒
子膜を形成することができる。 − (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記構成の装置では超微粒子金属として
例えばArのような酸化性金属を用いて基板に堆積させ
、堆積後基板を空気中の雰囲気にさらすと超微粒子膜が
酸化される次めに低抵抗金属膜の形成が困難であシ、又
、超微粒子膜形成後の熱処理により超微粒子膜が収縮し
て規定の寸法通りに形成できないと云う問題点があった
。これらは、超微粒子膜が超微粒子の形状を保持して連
鎖状となっているために表面積が大きくな夛酸化が早く
進行すると共に加熱により溶融して収縮する之めでbる
。
本発明は1以上述べた超微粒子膜の酸化と収縮の問題点
を除去し、安定な超微粒子膜を形成することが可能な半
導体製造装置を提供することを目的とする。
を除去し、安定な超微粒子膜を形成することが可能な半
導体製造装置を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明に係る半導体製造装置は、金属超微粒子を高速噴
射させることによシ基板上に超微粒子膜を形成する半導
体製造装置において、通電により基板上に形成される超
微粒子膜を加熱溶融する比めの加熱手段を膜形成室拷に
設けたものである。
射させることによシ基板上に超微粒子膜を形成する半導
体製造装置において、通電により基板上に形成される超
微粒子膜を加熱溶融する比めの加熱手段を膜形成室拷に
設けたものである。
(作用)
本発明における半導体製造装置は、基板上に形成される
超微粒子膜を加熱手段によp真空中で加熱溶融すること
Kよル非酸化で高密度の金属膜にする。
超微粒子膜を加熱手段によp真空中で加熱溶融すること
Kよル非酸化で高密度の金属膜にする。
(′A施例)
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。第1図は本発明の一実施例を示す装置の概略図であり
、同図において、従来装置と同一部分には第4図と同じ
符号を付し、その説明を省略する。本発明の装置が従来
装置と異なる点はノズル10先端に基板13を対向配量
する九めのウェハ載置台12は膜形成室8内に設けられ
、基板13t−加熱するための加熱手段としてのヒータ
14を内設している点にある。ヒータ14は膜形成室8
外部の電源15に接続されている。なお、電源6.15
には電源を入−切するためのスイッチが設けられている
。
。第1図は本発明の一実施例を示す装置の概略図であり
、同図において、従来装置と同一部分には第4図と同じ
符号を付し、その説明を省略する。本発明の装置が従来
装置と異なる点はノズル10先端に基板13を対向配量
する九めのウェハ載置台12は膜形成室8内に設けられ
、基板13t−加熱するための加熱手段としてのヒータ
14を内設している点にある。ヒータ14は膜形成室8
外部の電源15に接続されている。なお、電源6.15
には電源を入−切するためのスイッチが設けられている
。
次に動作について説明する。電源15からの電力供給に
よシヒータ14が加熱してウェハ載置台12上の基板1
3を加熱する。これにより基板13上く形成される超微
粒子膜は、膜形成室8内の真空中で加熱溶融されて冷却
固化され九時には安定な高密度の金属膜になる。他の動
作については従来例と同じなので省略する。
よシヒータ14が加熱してウェハ載置台12上の基板1
3を加熱する。これにより基板13上く形成される超微
粒子膜は、膜形成室8内の真空中で加熱溶融されて冷却
固化され九時には安定な高密度の金属膜になる。他の動
作については従来例と同じなので省略する。
次に、上記実施例における実験結果について以下に述べ
る。金属5としては純粋AI 、 k1合金(AI−I
XSi)又はAI!合金(,1u−IXSi−5XCu
)を用い、不活性ガスとしてHe (又はAr )を用
い、超微粒子生成室l内の圧力は5,3 X 10’P
a (Aスカル)、膜形成室8内の圧力は1.3 X
lo’Paで行った。
る。金属5としては純粋AI 、 k1合金(AI−I
XSi)又はAI!合金(,1u−IXSi−5XCu
)を用い、不活性ガスとしてHe (又はAr )を用
い、超微粒子生成室l内の圧力は5,3 X 10’P
a (Aスカル)、膜形成室8内の圧力は1.3 X
lo’Paで行った。
又、ヒータ14によシ加熱した基板13の温度を200
’C、250℃、300℃、 350’C: 、 40
0℃、425’C,450℃、500℃、570℃の各
条件にて実験を行つ几。又、基板13上に厚さが500
0λ、1μ町1.5μmの各超微粒子膜を形成し比後に
大気中にさらして超微粒子膜の抵抗測定を行つ九結果、
堆積中の基板13の温度が300℃以上では超微粒子膜
の抵抗率の変化が生じないことが判明し次◎第2図は本
発明の他の実施例を示し、同図において、第1図に示し
たヒータ14と電源15とから構成される手段の代りに
ウェハ載置台12上に載置された基板13の上方から光
を照射して加熱する加熱手段としてのレーザ五6とその
電源17を用い次のが特徴である。
’C、250℃、300℃、 350’C: 、 40
0℃、425’C,450℃、500℃、570℃の各
条件にて実験を行つ几。又、基板13上に厚さが500
0λ、1μ町1.5μmの各超微粒子膜を形成し比後に
大気中にさらして超微粒子膜の抵抗測定を行つ九結果、
堆積中の基板13の温度が300℃以上では超微粒子膜
の抵抗率の変化が生じないことが判明し次◎第2図は本
発明の他の実施例を示し、同図において、第1図に示し
たヒータ14と電源15とから構成される手段の代りに
ウェハ載置台12上に載置された基板13の上方から光
を照射して加熱する加熱手段としてのレーザ五6とその
電源17を用い次のが特徴である。
第3図は本発明の他の実施例を示し、同図において、上
記手段が、ノズル10の周囲で且つ膜形成室8内に設け
られた加熱手段としての赤外線ラング18と赤外線ラン
グ18に接続され九電源19とから構成される装置 第2図及び第3図の各実施例において、その他の部分の
構成は、第1図に示した装置と同構成であり、第1の実
施例と同様の効果を奏した。
記手段が、ノズル10の周囲で且つ膜形成室8内に設け
られた加熱手段としての赤外線ラング18と赤外線ラン
グ18に接続され九電源19とから構成される装置 第2図及び第3図の各実施例において、その他の部分の
構成は、第1図に示した装置と同構成であり、第1の実
施例と同様の効果を奏した。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように本発明によれば超微粒子膜
を加熱溶融するための加熱手段を膜形成宮古に設けたの
で、低抵抗率で抵抗変化がなく且つ所望の寸法の金属膜
の形成が可能とな9、半導体集積回路の配線金属の品質
向上の効果が期待できる。
を加熱溶融するための加熱手段を膜形成宮古に設けたの
で、低抵抗率で抵抗変化がなく且つ所望の寸法の金属膜
の形成が可能とな9、半導体集積回路の配線金属の品質
向上の効果が期待できる。
第1図乃至第3図は本発明の各実施例を示す装置の概略
図、第4図は従来装置の概略図である。 図中、l・・・超微粒子生成室、2・・・調整用パルプ
、3・・・ガス導入管、4・・・&−ト、7,11・・
・排気系、9・・・搬送’g、10・・・ノズル、12
・・・ウェハ載置台、13・・・M板、t4・・・ヒー
タ、16・・・レーザ、18・・・赤外線ラング。 第2図 第3図 第4図
図、第4図は従来装置の概略図である。 図中、l・・・超微粒子生成室、2・・・調整用パルプ
、3・・・ガス導入管、4・・・&−ト、7,11・・
・排気系、9・・・搬送’g、10・・・ノズル、12
・・・ウェハ載置台、13・・・M板、t4・・・ヒー
タ、16・・・レーザ、18・・・赤外線ラング。 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 不活性ガス雰囲気中で生成した金属超微粒子を減圧排
気した膜形成室内に搬送することによつて該膜形成室内
の半導体基板上に超微粒子膜を形成する半導体製造装置
において、 前記半導体基板上に形成される超微粒子膜を加熱溶融す
る加熱手段を膜形成室に備えたことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26540487A JPH01108744A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26540487A JPH01108744A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01108744A true JPH01108744A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17416696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26540487A Pending JPH01108744A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01108744A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5334250A (en) * | 1989-11-02 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition apparatus for using solid starting materials |
US5401316A (en) * | 1992-10-15 | 1995-03-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for hydrophobic treatment |
US5746868A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP26540487A patent/JPH01108744A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5334250A (en) * | 1989-11-02 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition apparatus for using solid starting materials |
US5401316A (en) * | 1992-10-15 | 1995-03-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for hydrophobic treatment |
US5746868A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
US5976393A (en) * | 1994-07-21 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
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