JPH01108744A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH01108744A JPH01108744A JP26540487A JP26540487A JPH01108744A JP H01108744 A JPH01108744 A JP H01108744A JP 26540487 A JP26540487 A JP 26540487A JP 26540487 A JP26540487 A JP 26540487A JP H01108744 A JPH01108744 A JP H01108744A
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- Japan
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- grain
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体製造装置に関し、特にガスデポノショ
ン法により ｈｔ等の金属を堆積して多層配線を施す半
導体製造装置に関するものである。
ン法により ｈｔ等の金属を堆積して多層配線を施す半
導体製造装置に関するものである。
（従来の技術）
従来の半導体製造装置は、例えば特開昭６０−１２４９
２７号公報等に開示されている。次に。
２７号公報等に開示されている。次に。
第４図を参照して従来の半導体製造装置について説明す
る。第４図において、超微粒子生成室１は、ガス流量調
整用の調整用パルプ２を途中に設けているガス導入管３
に接続され、内部に抵抗加熱用のが−ト４が設けられて
いる。このポート４は、超微粒子にするための例えばＭ
等の金属５が入れられ、外部の電源６に接続されている
。又、超微粒子生成室１は、減圧排気するためのパルプ
７ａと真空ボングアｂ等から構成される第１の排気系７
に接続されている。超微粒子生成室ｌと膜形成室８とを
接続している搬送管９は膜形成室８内でその先端にノズ
ル１０を備えている。又、膜形成室８は、パルプｌｌａ
と真空ポングｌｌｂ等から構成される第２の排気系１１
に接続されている。
る。第４図において、超微粒子生成室１は、ガス流量調
整用の調整用パルプ２を途中に設けているガス導入管３
に接続され、内部に抵抗加熱用のが−ト４が設けられて
いる。このポート４は、超微粒子にするための例えばＭ
等の金属５が入れられ、外部の電源６に接続されている
。又、超微粒子生成室１は、減圧排気するためのパルプ
７ａと真空ボングアｂ等から構成される第１の排気系７
に接続されている。超微粒子生成室ｌと膜形成室８とを
接続している搬送管９は膜形成室８内でその先端にノズ
ル１０を備えている。又、膜形成室８は、パルプｌｌａ
と真空ポングｌｌｂ等から構成される第２の排気系１１
に接続されている。
次に、か＼る装置の動作について説明する。第１の排気
系７によシ超微粒子生成室ｌは減圧排気され、第２の排
気系１１により膜形成室８は減圧排気される。この状態
で、電源６からの電力供給によりボート４が抵抗加熱さ
れてボート４内の金属５が蒸発し、超微粒子化する。一
方、調整用パルプ２の調整により不活性ガスが不図示の
がンペからガス導入管３を通って超微粒子生成室ｌ内に
導入されているので上記のように生成した超微粒子は、
エアロゾル状にされて膜形成室８内に搬送され、ノズル
ｌＯからウェハ載置台１２上に載置された半導体基板（
以下、基板という）１３に向けて高速噴射される。これ
Ｋよシ、膜形成室８内に配置された基板１３上に超微粒
子膜を形成することができる。 − （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記構成の装置では超微粒子金属として
例えばＡｒのような酸化性金属を用いて基板に堆積させ
、堆積後基板を空気中の雰囲気にさらすと超微粒子膜が
酸化される次めに低抵抗金属膜の形成が困難であシ、又
、超微粒子膜形成後の熱処理により超微粒子膜が収縮し
て規定の寸法通りに形成できないと云う問題点があった
。これらは、超微粒子膜が超微粒子の形状を保持して連
鎖状となっているために表面積が大きくな夛酸化が早く
進行すると共に加熱により溶融して収縮する之めでｂる
。
系７によシ超微粒子生成室ｌは減圧排気され、第２の排
気系１１により膜形成室８は減圧排気される。この状態
で、電源６からの電力供給によりボート４が抵抗加熱さ
れてボート４内の金属５が蒸発し、超微粒子化する。一
方、調整用パルプ２の調整により不活性ガスが不図示の
がンペからガス導入管３を通って超微粒子生成室ｌ内に
導入されているので上記のように生成した超微粒子は、
エアロゾル状にされて膜形成室８内に搬送され、ノズル
ｌＯからウェハ載置台１２上に載置された半導体基板（
以下、基板という）１３に向けて高速噴射される。これ
Ｋよシ、膜形成室８内に配置された基板１３上に超微粒
子膜を形成することができる。 − （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記構成の装置では超微粒子金属として
例えばＡｒのような酸化性金属を用いて基板に堆積させ
、堆積後基板を空気中の雰囲気にさらすと超微粒子膜が
酸化される次めに低抵抗金属膜の形成が困難であシ、又
、超微粒子膜形成後の熱処理により超微粒子膜が収縮し
て規定の寸法通りに形成できないと云う問題点があった
。これらは、超微粒子膜が超微粒子の形状を保持して連
鎖状となっているために表面積が大きくな夛酸化が早く
進行すると共に加熱により溶融して収縮する之めでｂる
。
本発明は１以上述べた超微粒子膜の酸化と収縮の問題点
を除去し、安定な超微粒子膜を形成することが可能な半
導体製造装置を提供することを目的とする。
を除去し、安定な超微粒子膜を形成することが可能な半
導体製造装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係る半導体製造装置は、金属超微粒子を高速噴
射させることによシ基板上に超微粒子膜を形成する半導
体製造装置において、通電により基板上に形成される超
微粒子膜を加熱溶融する比めの加熱手段を膜形成室拷に
設けたものである。
射させることによシ基板上に超微粒子膜を形成する半導
体製造装置において、通電により基板上に形成される超
微粒子膜を加熱溶融する比めの加熱手段を膜形成室拷に
設けたものである。
（作用）
本発明における半導体製造装置は、基板上に形成される
超微粒子膜を加熱手段によｐ真空中で加熱溶融すること
Ｋよル非酸化で高密度の金属膜にする。
超微粒子膜を加熱手段によｐ真空中で加熱溶融すること
Ｋよル非酸化で高密度の金属膜にする。
（′Ａ施例）
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。第１図は本発明の一実施例を示す装置の概略図であり
、同図において、従来装置と同一部分には第４図と同じ
符号を付し、その説明を省略する。本発明の装置が従来
装置と異なる点はノズル１０先端に基板１３を対向配量
する九めのウェハ載置台１２は膜形成室８内に設けられ
、基板１３ｔ−加熱するための加熱手段としてのヒータ
１４を内設している点にある。ヒータ１４は膜形成室８
外部の電源１５に接続されている。なお、電源６．１５
には電源を入−切するためのスイッチが設けられている
。
。第１図は本発明の一実施例を示す装置の概略図であり
、同図において、従来装置と同一部分には第４図と同じ
符号を付し、その説明を省略する。本発明の装置が従来
装置と異なる点はノズル１０先端に基板１３を対向配量
する九めのウェハ載置台１２は膜形成室８内に設けられ
、基板１３ｔ−加熱するための加熱手段としてのヒータ
１４を内設している点にある。ヒータ１４は膜形成室８
外部の電源１５に接続されている。なお、電源６．１５
には電源を入−切するためのスイッチが設けられている
。
次に動作について説明する。電源１５からの電力供給に
よシヒータ１４が加熱してウェハ載置台１２上の基板１
３を加熱する。これにより基板１３上く形成される超微
粒子膜は、膜形成室８内の真空中で加熱溶融されて冷却
固化され九時には安定な高密度の金属膜になる。他の動
作については従来例と同じなので省略する。
よシヒータ１４が加熱してウェハ載置台１２上の基板１
３を加熱する。これにより基板１３上く形成される超微
粒子膜は、膜形成室８内の真空中で加熱溶融されて冷却
固化され九時には安定な高密度の金属膜になる。他の動
作については従来例と同じなので省略する。
次に、上記実施例における実験結果について以下に述べ
る。金属５としては純粋ＡＩ 、 ｋ１合金（ＡＩ−Ｉ
ＸＳｉ）又はＡＩ！合金（，１ｕ−ＩＸＳｉ−５ＸＣｕ
）を用い、不活性ガスとしてＨｅ （又はＡｒ ）を用
い、超微粒子生成室ｌ内の圧力は５，３ Ｘ １０’Ｐ
ａ （Ａスカル）、膜形成室８内の圧力は１．３ Ｘ
ｌｏ’Ｐａで行った。
る。金属５としては純粋ＡＩ 、 ｋ１合金（ＡＩ−Ｉ
ＸＳｉ）又はＡＩ！合金（，１ｕ−ＩＸＳｉ−５ＸＣｕ
）を用い、不活性ガスとしてＨｅ （又はＡｒ ）を用
い、超微粒子生成室ｌ内の圧力は５，３ Ｘ １０’Ｐ
ａ （Ａスカル）、膜形成室８内の圧力は１．３ Ｘ
ｌｏ’Ｐａで行った。
又、ヒータ１４によシ加熱した基板１３の温度を２００
’Ｃ、２５０℃、３００℃、 ３５０’Ｃ： 、 ４０
０℃、４２５’Ｃ，４５０℃、５００℃、５７０℃の各
条件にて実験を行つ几。又、基板１３上に厚さが５００
０λ、１μ町１．５μｍの各超微粒子膜を形成し比後に
大気中にさらして超微粒子膜の抵抗測定を行つ九結果、
堆積中の基板１３の温度が３００℃以上では超微粒子膜
の抵抗率の変化が生じないことが判明し次◎第２図は本
発明の他の実施例を示し、同図において、第１図に示し
たヒータ１４と電源１５とから構成される手段の代りに
ウェハ載置台１２上に載置された基板１３の上方から光
を照射して加熱する加熱手段としてのレーザ五６とその
電源１７を用い次のが特徴である。
’Ｃ、２５０℃、３００℃、 ３５０’Ｃ： 、 ４０
０℃、４２５’Ｃ，４５０℃、５００℃、５７０℃の各
条件にて実験を行つ几。又、基板１３上に厚さが５００
０λ、１μ町１．５μｍの各超微粒子膜を形成し比後に
大気中にさらして超微粒子膜の抵抗測定を行つ九結果、
堆積中の基板１３の温度が３００℃以上では超微粒子膜
の抵抗率の変化が生じないことが判明し次◎第２図は本
発明の他の実施例を示し、同図において、第１図に示し
たヒータ１４と電源１５とから構成される手段の代りに
ウェハ載置台１２上に載置された基板１３の上方から光
を照射して加熱する加熱手段としてのレーザ五６とその
電源１７を用い次のが特徴である。
第３図は本発明の他の実施例を示し、同図において、上
記手段が、ノズル１０の周囲で且つ膜形成室８内に設け
られた加熱手段としての赤外線ラング１８と赤外線ラン
グ１８に接続され九電源１９とから構成される装置 第２図及び第３図の各実施例において、その他の部分の
構成は、第１図に示した装置と同構成であり、第１の実
施例と同様の効果を奏した。
記手段が、ノズル１０の周囲で且つ膜形成室８内に設け
られた加熱手段としての赤外線ラング１８と赤外線ラン
グ１８に接続され九電源１９とから構成される装置 第２図及び第３図の各実施例において、その他の部分の
構成は、第１図に示した装置と同構成であり、第１の実
施例と同様の効果を奏した。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように本発明によれば超微粒子膜
を加熱溶融するための加熱手段を膜形成宮古に設けたの
で、低抵抗率で抵抗変化がなく且つ所望の寸法の金属膜
の形成が可能とな９、半導体集積回路の配線金属の品質
向上の効果が期待できる。
を加熱溶融するための加熱手段を膜形成宮古に設けたの
で、低抵抗率で抵抗変化がなく且つ所望の寸法の金属膜
の形成が可能とな９、半導体集積回路の配線金属の品質
向上の効果が期待できる。
第１図乃至第３図は本発明の各実施例を示す装置の概略
図、第４図は従来装置の概略図である。 図中、ｌ・・・超微粒子生成室、２・・・調整用パルプ
、３・・・ガス導入管、４・・・＆−ト、７，１１・・
・排気系、９・・・搬送’ｇ、１０・・・ノズル、１２
・・・ウェハ載置台、１３・・・Ｍ板、ｔ４・・・ヒー
タ、１６・・・レーザ、１８・・・赤外線ラング。 第２図 第３図 第４図
図、第４図は従来装置の概略図である。 図中、ｌ・・・超微粒子生成室、２・・・調整用パルプ
、３・・・ガス導入管、４・・・＆−ト、７，１１・・
・排気系、９・・・搬送’ｇ、１０・・・ノズル、１２
・・・ウェハ載置台、１３・・・Ｍ板、ｔ４・・・ヒー
タ、１６・・・レーザ、１８・・・赤外線ラング。 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 不活性ガス雰囲気中で生成した金属超微粒子を減圧排
気した膜形成室内に搬送することによつて該膜形成室内
の半導体基板上に超微粒子膜を形成する半導体製造装置
において、 前記半導体基板上に形成される超微粒子膜を加熱溶融す
る加熱手段を膜形成室に備えたことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26540487A JPH01108744A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26540487A JPH01108744A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108744A true JPH01108744A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17416696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26540487A Pending JPH01108744A (ja) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108744A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334250A (en) * | 1989-11-02 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition apparatus for using solid starting materials |
| US5401316A (en) * | 1992-10-15 | 1995-03-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for hydrophobic treatment |
| US5746868A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
-
1987
- 1987-10-22 JP JP26540487A patent/JPH01108744A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334250A (en) * | 1989-11-02 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition apparatus for using solid starting materials |
| US5401316A (en) * | 1992-10-15 | 1995-03-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for hydrophobic treatment |
| US5746868A (en) * | 1994-07-21 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
| US5976393A (en) * | 1994-07-21 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing multilayer circuit substrate |
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