JP5524541B2 - 半田バンプ形成方法 - Google Patents
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Description
4 104 基盤
6 ポスト
8 108 半田層
104 配線パターン
Claims (3)
- 酸化雰囲気に晒すと酸化膜を形成する金属製ポストまたは金属製配線パターン上に錫を含む半田層を配置した処理物に、前記半田層の溶融温度よりも低い温度下で、遊離基ガスを照射する過程と、
前記処理物を大気に晒す過程と、
前記処理物を前記半田層の溶融温度以上の温度に加熱する過程とを、
具備する半田バンプの形成方法。 - 請求項1記載の半田バンプの形成方法において、前記金属は銅である半田バンプの形成方法。
- 請求項1または2記載の半田バンプの形成方法において、前記遊離基ガスは水素ラジカルである半田バンプの形成方法。
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