JP4458835B2 - 半田バンプの形成方法及びその装置 - Google Patents
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Description
ロジン、溶剤、活性剤、増粘剤等)とを混合した半田ペーストを用いないで、半田粉末のみを用いる方法、すなわち、図4(a)に示す如く、ビアホール1に半田粉末2を充填したマスク形成基板3を準備し、それを真空下で水素ラジカル等の還元性遊離基ガスを照射しながら加熱溶融する(例えば、下記特許文献1参照)方法が挙げられる。
また、本発明の半田バンプの形成装置は、請求項8に記載のように、還元性遊離基ガスを真空チャンバー内へ導入する遊離基ガス発生装置と、電極パッドに対応してビアホールを形成するように前記電極パッドが形成されている基板面上にマスクを形成したマスク形成基板を支持するステージ装置と、前記マスク上の半田粉末をスキージで押し移送して前記ビアホールに充填する印刷装置と、前記ビアホールに充填された半田粉末を加熱溶融する加熱装置と、前記マスク形成基板を前記ステージ装置から前記加熱装置へ移送したり或るいは前記加熱装置から前記ステージ装置へ移送したりする基板移送装置とを備え、かつ前記ステージ装置、印刷装置、加熱装置及び基板移送装置を前記真空チャンバー内に設置し、電極パッドに対応してビアホールを形成するように前記電極パッドが形成されている基板面上にマスクを形成したマスク形成基板の前記ビアホールに対する半田粉末の充填工程、及び、ビアホールに充填された前記半田粉末をリフローする工程を、チャンバー内を真空排気している状態で還元性遊離基ガスを照射しながら行う機構を有したことを特徴とする半田バンプの形成装置である。
また、本発明の半田バンプの形成装置は、請求項10に記載のように、還元性遊離基ガスを真空チャンバー内へ導入する遊離基ガス発生装置と、電極パッドに対応してビアホールを形成するように前記電極パッドが形成されている基板面上にマスクを形成したマスク形成基板を支持する加熱ステージ装置と、前記マスク上の半田粉末をスキージで押し移送して前記ビアホールに充填する印刷装置と、前記マスク形成基板のマスク形成側から加熱するヒータとを備え、かつ前記ステージ装置、印刷装置及びヒータを前記真空チャンバー内に設置し、電極パッドに対応してビアホールを形成するように前記電極パッドが形成されている基板面上にマスクを形成したマスク形成基板の前記ビアホールに対する半田粉末の充填工程、及び、ビアホールに充填された前記半田粉末をリフローする工程を、チャンバー内を真空排気している状態で還元性遊離基ガスを照射しながら行う機構を有したことを特徴とする半田バンプの形成装置である。
2:半田粉末
3:マスク形成基板
4:マスク
5:電極パッド
6:基板
8:気泡
10:還元性遊離基ガス発生装置
17:ステージ装置
18:印刷装置
19:加熱装置
20:基板移送装置
31:上ヒータ
32:下ヒータ
40:加熱ステージ装置
Claims (12)
- 電極パッドに対応してビアホールを形成するように前記電極パッドが形成されている基板面上にマスクを形成したマスク形成基板の前記ビアホールに半田粉末を充填し、次いで、前記半田粉末に真空下で還元性遊離基ガスを照射しながら加熱溶融する半田バンプの形成方法において、前記半田粉末の充填を、真空下で還元性遊離基ガスを照射しながら前記マスクを用いる印刷法によって行うことを特徴とする半田バンプの形成方法。
- 前記加熱溶融を、前記マスク形成基板のマスク形成側及びマスク非形成側の両面側から加熱して行うことを特徴とする請求項1に記載の半田バンプの形成方法。
- 前記充填と前記加熱溶融とを一つの真空チャンバー内で行うことを特徴とする請求項2に記載の半田バンプの形成方法。
- 前記還元性遊離基ガスが水素ラジカルであることを特徴とする請求項3に記載の半田バンプの形成方法。
- 前記充填と前記加熱溶融とを真空チャンバー内の異なる箇所で行うことを特徴とする請求項4に記載の半田バンプの形成方法。
- 前記充填と前記加熱溶融とを真空チャンバー内の同一箇所で行うことを特徴とする請求項4に記載の半田バンプの形成方法。
- 前記加熱溶融後、前記真空下での水素ラジカル照射をしながら冷却することを特徴とする請求項5又は6に記載の半田バンプの形成方法。
- 還元性遊離基ガスを真空チャンバー内へ導入する遊離基ガス発生装置と、電極パッドに対応してビアホールを形成するように前記電極パッドが形成されている基板面上にマスクを形成したマスク形成基板を支持するステージ装置と、前記マスク上の半田粉末をスキージで押し移送して前記ビアホールに充填する印刷装置と、前記ビアホールに充填された半田粉末を加熱溶融する加熱装置と、前記マスク形成基板を前記ステージ装置から前記加熱装置へ移送したり或るいは前記加熱装置から前記ステージ装置へ移送したりする基板移送装置とを備え、かつ前記ステージ装置、印刷装置、加熱装置及び基板移送装置を前記真空チャンバー内に設置し、電極パッドに対応してビアホールを形成するように前記電極パッドが形成されている基板面上にマスクを形成したマスク形成基板の前記ビアホールに対する半田粉末の充填工程、及び、ビアホールに充填された前記半田粉末をリフローする工程を、チャンバー内を真空排気している状態で還元性遊離基ガスを照射しながら行う機構を有したことを特徴とする半田バンプの形成装置。
- 前記遊離基ガス発生装置を、前記ステージ装置の上方から還元性遊離基ガスを導入するように設置すると共に前記加熱装置を、前記マスク形成基板のマスク形成側に設置された上ヒータとマスク非形成側に設置された下ヒータとで構成したことを特徴とする請求項8に記載の半田バンプの形成装置。
- 還元性遊離基ガスを真空チャンバー内へ導入する遊離基ガス発生装置と、電極パッドに対応してビアホールを形成するように前記電極パッドが形成されている基板面上にマスクを形成したマスク形成基板を支持する加熱ステージ装置と、前記マスク上の半田粉末をスキージで押し移送して前記ビアホールに充填する印刷装置と、前記マスク形成基板のマスク形成側から加熱するヒータとを備え、かつ前記ステージ装置、印刷装置及びヒータを前記真空チャンバー内に設置し、電極パッドに対応してビアホールを形成するように前記電極パッドが形成されている基板面上にマスクを形成したマスク形成基板の前記ビアホールに対する半田粉末の充填工程、及び、ビアホールに充填された前記半田粉末をリフローする工程を、チャンバー内を真空排気している状態で還元性遊離基ガスを照射しながら行う機構を有したことを特徴とする半田バンプの形成装置。
- 前記加熱ステージ装置を、前記マスク形成基板を前記真空チャンバー内からチャンバー外へ移動させ得るように水平動自在に設けたことを特徴とする請求項10に記載の半田バンプの形成装置。
- 前記還元性遊離基ガスが水素ラジカルであることを特徴とする請求項8〜11のいずれか一つに記載の半田バンプの形成装置。
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