JP5183028B2 - 固着材およびバンプ形成方法 - Google Patents

Description

本発明は、はんだ等の金属を半導体チップの電極上に固定する際の固着材およびこれを
用いたバンプ形成方法に関する。

近年、電子機器の小型化、軽量化の社会的要求に応えてＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit) などの半導体装置では、半導体チップを積層化させることにより、高密度実装化を図っている。そして、これを実現する一つの手法として、バンプ（突起電極）を用いたフリップチップ（ＦＣ：Flip Chip ）接続が行われている。これによれば、高精度の位置決めにより、微細な単位で電極を形成できるため、実装面積を小さくすることが可能となる。

このようなフリップチップ接続に用いられるバンプは、半導体チップ等の電極上に供給したはんだ等の金属を溶融（リフロー）することにより形成されるが、この際、はんだを電極上に固定する薬剤としてフラックスが使用されるのが一般的である。フラックスは、電極上にはんだを固着させると同時に、はんだ表面における酸化膜の生成を防止するという機能を有しているため、良好な接続を実現する。
特開２００５−２３０８３０号公報

ところが、フラックスは、上記のような機能を有する一方で、はんだ溶融後において残渣となって残り、金属配線の腐食や、電極間にブリッジが生じる要因ともなっている。従って、はんだ接続後にフラックス残渣の洗浄作業を行っているが、これは半導体装置の電極間の狭ピッチ化が進むにつれて、非常に困難を要する作業となっている。そこで、このような洗浄作業を必要としないはんだバンプの形成方法が開発されている（例えば、特許文献１）。

特許文献１では、半導体チップ等に供給したはんだに遊離基ガスを照射することによって、その表面の酸化膜を還元除去し、その後一定の雰囲気中でリフローすることによりはんだバンプを形成する、という方法が開示されている。このような方法を用いることによって、従来のフラックスを用いずに酸化膜の除去を行うため、リフロー後の洗浄作業が不要となる。

しかしながら、上記方法はこのような利点があるものの、特にはんだボールを用いた場合には、バンプ形成の過程ではんだが安定せずに位置ずれしたり、転がってしまうという問題があった。これは、固着材の粘性を高めるということと残渣を生じにくくするということとが相反する特性を有しており、両者ともに満足させるような固着材の開発が困難であったことに起因する。そこで、はんだ等の金属を安定して固定することができ、かつリフロー後においてもその残渣が残らない新たな固着材の開発が望まれていた。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、粘性が高くかつリフロー後に残渣の残らない固着材、およびこれを用いたバンプ形成方法を提供することにある。

本発明による固着材は、第１金属からなる下地電極上に、第２金属からなるはんだ材を固着させるための固着材であって、安息香酸およびジエタノールアミンからなるか、または２５体積％以下のオクタノールを更に含み、かつ安息香酸のジエタノールアミンに対する体積比率が０．８以上１．８以下であるものである。

本発明のバンプ形成方法は、半導体チップ上に第１金属層を形成する工程と、第２金属層を、安息香酸およびジエタノールアミンからなるか、または２５体積％以下のオクタノールを更に含む固着材を用いて第１金属層上に固着させる工程と、第１金属層の表面および第２金属層の表面の酸化膜を、遊離基ガスを照射することにより除去する工程と、第２金属層を不活性雰囲気あるいは還元性雰囲気中で溶融させることにより、第１金属層と第２金属層とを接合させる工程とを含み、安息香酸のジエタノールアミンに対する体積比率が、０．８以上１．８以下であるものである。

本発明の固着材によれば、安息香酸とジエタノールアミンとを含むようにしたので、第１金属からなる下地電極上に第２金属からなるはんだ材を安定して固着させることができ、かつはんだ材を溶融した後に生じる残渣を大幅に低減させることができる。

本発明のバンプ形成方法によれば、第１金属層上に安息香酸とジエタノールアミンとを所定の体積比率で含む固着材を用いて第２金属層を固着させ、これらの表面に形成された酸化膜を遊離基ガスを照射することにより除去した後、第２金属層を溶融させるようにしたので、溶融時まで第２金属層を安定して固定することができると共に、溶融後に固着材の残渣が生じることがない。これにより、バンプを精度良く形成することが可能となり、狭ピッチ化によるブリッジや位置ずれを防止し、半導体チップの小型化実装を容易に実現することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体装置１の断面構成を表すものである。この半導体装置１は、配線基板１５上に半導体チップ１０を、はんだバンプ１３を介して搭載したフリップチップ実装体である。はんだバンプ１３は、はんだ１２と下地電極１１とにより構成されている。配線基板１５に設けられた電極接合部１４に対して、半導体チップ１０上のはんだバンプ１３が対向して接合されている。

配線基板１５は、例えばポリイミド樹脂により形成される配線基板であり、その表面の電気回路は公知のフォトリソグラフィ技術により作成されたものである。また、電極接合部１４は、例えば銅（Ｃｕ）によりめっき法により形成するのが導電性が優れているため好ましい。なお、配線基板１５は、図示しない外部のプリント基板等に電気的に接続されている。

半導体チップ１０は、例えばゲルマニウム（Ｇｅ），シリコン（Ｓｉ），ガリウムヒ素（ＧａＡｓ），ガリウム・リン（ＧａＰ）等の材料により構成されているが、実装製品を小型化できるよう、チップはできるだけ薄いことが望ましい。このようなチップのためのウェハは例えば、上記材料からなる単結晶を薄くスライスすることにより製造することができる。また、半導体チップ１０の表面には、配線パターン（図示せず）が形成されている。この配線パターンは例えばモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ_２）などのシリサイド、金（Ａｕ）または銅等の導電性の良好な金属をめっきしたのち、リソグラフィ法で金属層をエッチングして部分的に除去することによ
り設けられたものである。

はんだバンプ１３は、配線基板１５と半導体チップ１０との電気的接続を容易にするための電極として機能し、半導体チップ１０上の下地電極１１に対しはんだ１２が溶融して接合することにより形成される。はんだ１２を構成する金属としては、導電性や密着性等を考慮して、例えばスズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、銅、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）、あるいはこれらの金属の合金である。また、下地電極１１を構成する金属としては、例えばスズ、銀、鉛、銅、金、ビスマス、インジウム、パラジウム（Ｐｄ）あるいはこれらの金属の合金である。

次に、上記半導体装置１の製造方法について説明する。この方法は、本発明に係るバンプ形成方法としての工程を含むものである。

まず、図２（Ａ）に示したように、半導体チップ１０上に複数の下地電極１１を、例えば蒸着法、スパッタ法、めっき法により間隔を置いて形成する。次に、図２（Ｂ）に示したように、半導体チップ１０上に形成された下地電極１１上に、例えばボール法を用いて、はんだ１２を供給する。このとき、下地電極１１に対してはんだ１２を固着材２０を用いて固定する。

固着材２０としては、安息香酸とジエタノールアミンを混合したものを用いる。具体的には、安息香酸とジエタノールアミンを、安息香酸の融点（約２５０℃）以上の温度で混合したものである。安息香酸の融点温度以上としたのは、常温固体である安息香酸を液化して良好に混合するためである。また、このような温度で混合することにより、通常反応媒介として用いるハロゲン化物、無水酢酸等の触媒が不要となる点においても有効である。さらに、安息香酸とジエタノールアミンの割合は、安息香酸のジエタノールアミンに対する体積比率が０．８以上１．８以下となるようにすることが望ましい。これは、体積比率が０から徐々に増加していくと、０．８付近で粘性が急激に高くなる一方で、生じる残渣も徐々に増加するが１．８付近までは、実用上問題ない範囲を保つからである。また、０．８付近で急激に粘性が増すのは、カルボキシル基とアミノ基による脱水結合（アミド結合）が促進されるためである。このため、逆に、体積比率が０．８未満であると十分な粘性が得られず、また１．８を越えると残渣が急激に増加してしまうため好ましくない。

さらに、固着材２０は、オクタノールを２５体積％以下となるように混合して作成するようにしてもよい。これにより、安息香酸とジエタノールアミンとにより作成した場合に生じる残渣をより低減することができる。オクタノールを用いずに作成した場合であっても、その残渣は実用上問題ない範囲を保つことが可能であるが、オクタノールを用いることにより、粘性を低減することなく残渣を最小限に抑えることができるので、非常に有効である。これは、オクタノールが揮発性の高い物質であることによる。また、２５体積％以下の混合量としたのは、混合量が増加するにつれて、残渣は徐々に低減する傾向にあるが、粘性については２５体積％付近で急激に低下してしまうからである。これは、オクタノールが、揮発性が高く残渣の生じにくい性質を有している一方で、粘性を有さず、また安息香酸やジエタノールアミンに対して反応を起こさないという性質を有していることに起因する。

次に、はんだ１２および下地電極１１の表面に形成された酸化膜を除去し、はんだ１２を溶融するまでの一連の工程を、図３に示したようなはんだ付け装置２を用いて行う。このはんだ付け装置２は、水素ガス発生部２１、チャンバー２２、真空ポンプ２４、圧力計２５、制御部２６およびマイクロ波発生部２７によりその主要部が構成され、チャンバー２２内には、ウェハ等の被処理物を支持する平板状の支持台２３が設けられている。支持台２３には図示しないヒータが埋設されており、裏面には冷却装置を備えている。マイクロ波発生部２７において発振されたマイクロ波が、水素ガス発生部２１から発生した水素ガスをプラズマ化することにより、水素ラジカルを発生する機構となっている。チャンバー２２内の圧力、温度および雰囲気を調整しつつ、水素ラジカルの照射を行って酸化膜を除去した後、リフローする。以下、その具体的手順について説明する。

まず、はんだ１２を供給した半導体チップ１０を、チャンバー２２内の支持台２３上に配置する。その後、真空ポンプ２４を作動させてチャンバー２２内を、例えば０．０１Ｔｏｒｒとなるまで排気する。次に、水素ガス発生部２１を制御して、チャンバー２２内に水素ガスを供給する。この際、チャンバー２２内の圧力は、例えば０．１Ｔｏｒｒ以上１．０Ｔｏｒｒ以下とし、温度ははんだ１２の融点よりも低い温度、例えば１５０℃になるまで加熱する。次いで、マイクロ波発生部２７を約１分間駆動して、マイクロ波を発振させる。このマイクロ波が、マイクロ波導入部２８を介してチャンバー２２内全域に向かって進入する。一方で、水素ガス発生部２１からチャンバー２２内に、水素ガスを供給する。これにより、チャンバー２２内では、水素ガスをマイクロ波がプラズマ化して水素ラジカルが発生する。このとき、チャンバー２２上方に設けられたシールド２９により水素イオン等の不要な荷電粒子は捕集され、水素ラジカルのみが支持台２３の全面に対して照射されることとなる。なお、遊離基ガスとして水素ラジカルを用いているが、他にも還元性ガスや気化した有機酸等を用いることも可能である。

次に、チャンバー２２内を再び約０．０１Ｔｏｒｒとなるまで排気し、その後、図示しない窒素ガス源からチャンバー２２内に窒素ガスを供給する。このとき、チャンバー２２内の圧力は例えば０．１Ｔｏｒｒ以上１．０Ｔｏｒｒ以下となるようにする。この後、チャンバー２２内を、はんだ１２の融点以上の温度に加熱することにより、リフローを行う。また、リフロー雰囲気中の酸素濃度は、１００ｐｐｍ（part per million；1ppm＝0.0001% ）以下になるようにする。このような雰囲気中でリフローすることにより、はんだ１２が溶融中に膨張したり破裂することがない。なお、リフローの際の雰囲気には、上記窒素ガスに限られず、他の不活性ガスや還元性ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）や水素（Ｈ_２）、あるいはこれらの混合ガス等を用いてもよい。

以上の工程により、半導体チップ１０上に、はんだバンプ１３が完成する（図２（Ｃ））。以下に、形成したはんだバンプ１３を用いて、半導体装置１を作製する手順を説明する。

まず、図２（Ｄ）に示したように、半導体チップ１０上のはんだバンプ１３と、配線基板１５に設けられた電極接合部１４とを突き合わせるように、半導体チップ１０と配線基板１５との位置合わせを行う。この後、これらをはんだ付け装置２の支持台２３上に配置し、上記同様、窒素ガス等の不活性ガスあるいは還元性ガスの雰囲気中でリフローを行う。これにより、はんだバンプ１３と配線配線基板１５側の電極接合部１４が密着接合し、半導体チップ１０と配線基板１５の電気的接続が得られる。

最後に、半導体チップ１０を接合した配線基板１５をダイシングあるいはレーザビーム等により切断して分割することにより、半導体装置１を完成する。なお、この半導体装置１は、配線基板と半導体チップとをはんだバンプにより接合した構造であるが、半導体チップと他の半導体チップとを上記と同様の手順で接合することができる。従って、上記手順を繰り返し行うことによって、配線基板上に半導体チップを集積させることも可能である。

本実施の形態に係る固着材２０によれば、安息香酸とジエタノールアミンとを含むようにしたので、粘性が高くなると共に、リフロー時等の昇温によって最終的に揮発するため、リフロー後に残渣が生じにくくなる。また、安息香酸とジエタノールアミンとを、安息香酸のジエタノールアミンに対する体積比率が０．８〜１．８となるように混合し、さらにオクタノールを２５体積％以下の混合量で加えるようにすれば、粘性を低減することなく残渣を最小限に抑えることが可能となる。

本実施の形態に係るバンプ形成方法では、半導体チップ１０の下地電極１１上にはんだ１２を、上記のような固着材２０を用いて供給した後、水素ラジカルの照射することにより酸化膜を除去し、最後に、はんだ１２をリフローすることによりバンプを形成する。固着材２０を用いることにより、はんだ１２をリフロー時まで安定して固定することができるが、この固着材２０はリフロー後にはほとんど揮発して、残渣としてほとんど残ることがないため、洗浄作業が不要となる。従って、位置ずれやバラつきのない電気的接続を実現し、多ピン化や高度集積化に対応できる信頼性の高い半導体装置を得ることが可能となる。

以下、具体的な実施例について説明する。

（実施例１−１、比較例１）
実施例１−１とその比較例１として、安息香酸の融点（約２５０℃）以上の温度下で、以下に挙げる有機酸とアミンとを、有機酸のアミンに対する体積比率が１．０となるように混合することにより固着材２０を作成した。

有機酸としては、安息香酸、４−ブチル安息香酸、３，４ジメトキシ安息香酸、安息香酸エチル、安息香酸エチレン、安息香酸フェニル、安息香酸ベンジル、安息香酸メチル、１−アントラキノンカルボン酸、２−アントラキノンカルボン酸、１−アントラセンカルボン酸、２−アントラセンカルボン酸、９−アントラセンカルボン酸、安息香酸アニリド（ベンズアニリド）および安息香酸アミド（ベンズアミド）のうちのいずれか１種を用いた。

アミンとしては、ヒドロキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジ−Ｎ−ペンチルアミン、ジ−Ｎ−ブチルアミン、ジアリルアミン、ジイソブチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジエチルアミン、ジエチレントリアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジフェニルアミン、ジメチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリメチルアミンおよびジエタノールアミンのうちのいずれか１種を用いた。

上記有機酸とアミンとの組み合わせのうち、実施例１−１として、安息香酸とジエタノールアミンとの組み合わせ、また、実施例１−１に対する比較例１として、安息香酸とジエタノールアミンとの組み合わせを除く全ての組み合わせから成るものを、固着材２０として作成し、以下の特性に基づく測定を行った。

〈粘性測定〉
固着材としての粘性を測定する実験を行った。具体的には、シリコン基板３０上に金属電極１１を形成し、作成した固着剤２０を用いて、ボール状のはんだ１２を付着させた。金属電極１１としては、直径２４０μｍの大きさの銅パッドを用い、はんだ１２としては、ボールの直径が３００μｍで、Ｓｎ−３．０ｍａｓｓ％Ａｇ−０．５ｍａｓｓ％Ｃｕの組成を有する金属を用いた。そして、図４（Ａ）に示すように、はんだ１２を固着させた基板３０を９０度傾けた状態で、はんだ１２を保持できる時間（分）を測定した。なお、粘性については、３分以上の保持が確認されれば実用上問題はないとする。

〈残渣測定〉
次に、リフロー後に生じる残渣について測定する実験を行った。具体的には、上記と同様に作成した固着材２０の中にはんだ１２を浸すことにより、はんだ１２表面全体に固着材２０を付着させ、図４（Ｂ）に示すように、リフロー後のはんだ１２表面に残っている残渣Ｓの割合を測定した。残渣Ｓの面積および全体の表面積は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した写真の画像処理によって測定した。この際、以下の式を用いて残渣率（％）を算出した。なお、残渣率が３０％以下であれば実用上問題はないとする。
残渣率（％）＝（ボール表面に付着した残渣Ｓの面積／ボール全体の表面積）×１００

上記測定の結果、安息香酸とジエタノールアミンとの組み合わせから成る実施例１−１の固着材２０においては、１７．２分の粘性と、１０％の残渣率が測定された。しかしながら、その他の組み合わせから成る比較例１の固着材２０では、粘性３分以上かつ残渣率３０％以下の数値が測定されたものはなかった。この結果から、安息香酸とジエタノールアミンとを混合することにより、格段に優れた粘性を有し、かつリフロー後も残渣がほとんど残らない固着材２０を作成できることがわかった。これは、安息香酸とジエタノールアミンとを、安息香酸の融点以上の温度に加熱して混合することにより、カルボキシル基とアミノ基が脱水結合（アミド結合）するためと推測される。

（実施例２−１、比較例２−１〜２−７）
次に、実施例２−１として、安息香酸のジエタノールアミンに対する体積比率を１．５としたことを除き、実施例１−１と同様にして作成した固着材２０に対し、上記測定を行った。また、実施例１−１および実施例２−１に対する比較例２−１〜２−７として、安息香酸のジエタノールアミンに対する体積比を、比較例２−１では０、比較例２−２では０．５、比較例２−３では０．７５、比較例２−４では２．０、比較例２−５では２．１、比較例２−６では２．２および比較例２−７では２．３としたことを除き、実施例１−１と同様にして作成した固着材２０に対し、上記測定を行った。これらの結果を実施例１−１の結果と共に表１および図５に示す。なお、図中の点はそれぞれの測定結果を示している。

表１および図５に示したように、粘性（図中Ａ）については、体積比率が増加するにつれて、すなわち安息香酸の混合量が増加するに従って高くなる。特に、体積比率が０．８付近から急上昇し高い粘性を保持することがわかった。これは、体積比率が０．８付近で、カルボキシル基とアミノ基により脱水結合（アミド結合）が急激に促進されるためである。ところが、この粘性は、逆に体積比率が２．０を越えたあたりから低減し始め、２．２〜２．３付近で急激に低下する。これは、安息香酸の混合量が過剰になると、安息香酸が常温固体の物質であることに起因して、次第に粘性が失われるためである。また、残渣率（図中Ｂ）については、安息香酸の混合量が増加するに従って徐々に大きくなり、特に体積比率が１．８付近で急激に増加して３０％を越えてしまうことがわかった。実用上、残渣率が３０％以下であれば洗浄作業は不要であるため、体積比率は１．８以下であることが望ましい。これらのことから、安息香酸のジエタノールアミンに対する体積比率を０．８以上１．８以下とすることにより粘性が高く、かつ残渣の生じにくい固着材２０を作成できることがわかった。

（実施例３−１、比較例３）
次に、実施例３−１として、安息香酸とジエタノールアミンとを安息香酸のジエタノールアミンに対する体積比率が１．０となるように混合し、さらに、オクタノールを１０体積％の混合量で加えて、安息香酸の融点以上の温度（約２５０℃）下で作成した固着材２０について、上記測定を行った。また、実施例３−１に対する比較例３として、オクタノールに換えて、ヘキサノール、ヘプタノール、ノナノール、デカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ヘキサデカノール、ヘプタデカノールおよびオクタデカノールのうちのいずれか１種を加えたことを除き、実施例３−１と同様にして作成した固着材２０について、上記測定を行った。この結果、オクタノールを用いた実施例３−１では、１７．５分の粘性を示し、残渣率に関しては２．８％まで低減した。これに対して、オクタノール以外のアルコールを用いた比較例３においては、いずれの場合も残渣率が大幅に低減することはなかった。これにより、安息香酸とジエタノールアミンを混合し、さらにオクタノールを加えることで、より残渣率を低減できることがわかった。

（実施例４−１、比較例４−１〜４−３）
さらに、実施例４−１として、オクタノールを２５体積％の混合量で加えたことを除き、実施例３−１と同様にして作成した固着材２０について、上記測定を行った。また、実施例３−１および実施例４−１に対する比較例４−１〜４−３として、オクタノールの混合量を、比較例４−１では３０体積％、比較例４−２では４５体積％、比較例４−３では５０体積％としたことを除き、実施例３−１および実施例４−１と同様にして作成した固着材２０について、上記測定を行った。これらの結果を実施例１−１および実施例３−１の結果と共に表２および図６に示す。なお、図中の点は、それぞれの測定結果を示している。

表２および図６に示したように、粘性（図中Ａ）は、オクタノールの混合量が２５体積％に達するまでは、さほど大きく低減しないが、２５体積％を越えると急激に低下してしまう。これは、オクタノールが粘性を有しない物質であり、また安息香酸やジエタノールアミンに対して反応を起こさないためである。一方、残渣率（図中Ｂ）については、混合量の増加と共に低減する。これは、オクタノールが非常に揮発性が高い物質であることに起因する。これらの結果から、オクタノールの混合量を２５体積％以下とすることにより、高い粘性を保持したまま、残渣を最小限に抑えることが可能であることがわかった。

以上実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態や実施例に限定されるものではなく種々変形可能である。例えば、配線基板１０上に搭載する半導体チップは１層だけではなく、２層以上とすることもできる。すなわち、配線基板１５上に搭載する半導体チップ１０の上にさらに、２以上の半導体チップを順次搭載していくようにしてもよい。この際、各半導体チップの間についても、はんだバンプを形成することにより接続が可能である。

本発明の実施の形態に係る半導体装置の構造を表す断面図である。 半導体装置の作製工程を説明するための図である。 はんだ付け装置の概略構成を表す模式図である。 本発明の実施例に係る粘性測定および残渣測定を説明するための図である。 安息香酸とジエタノールアミンとの体積比率に対する粘性および残渣率を表す特性図である。 オクタノールの混合量に対する粘性および残渣率を表す特性図である。

符号の説明

１…半導体装置、２…はんだ付け装置、１０…半導体チップ、１１…下地電極、１２…
はんだ、１３…はんだバンプ、１４…電極接合部、１５…基板、２０…固着材。

Claims (8)

1. 第１金属からなる下地電極上に、第２金属からなるはんだ材を固着させるための固着材であって、
   安息香酸およびジエタノールアミンからなるか、または２５体積％以下のオクタノールを更に含み、かつ
   前記安息香酸の前記ジエタノールアミンに対する体積比率が０．８以上１．８以下である
   ことを特徴とする固着材。
2. 前記安息香酸の融点以上の温度下で混合したものである
   ことを特徴とする請求項１に記載の固着材。
3. 前記第１金属は、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）およびパラジウム（Ｐｄ）のうち少なくとも１種を含む金属である
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の固着材。
4. 前記第２金属は、スズ、銀、鉛、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）およびリン（Ｐ）のうち少なくとも１種を含む金属である
   ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の固着材。
5. 半導体チップ上に第１金属層を形成する工程と、
   第２金属層を、安息香酸およびジエタノールアミンからなるか、または２５体積％以下のオクタノールを更に含む固着材を用いて前記第１金属層上に固着させる工程と、
   前記第１金属層の表面および前記第２金属層の表面の酸化膜を、遊離基ガスを照射することにより除去する工程と、
   前記第２金属層を不活性雰囲気あるいは還元性雰囲気中で溶融させることにより、前記第１金属層と前記第２金属層とを接合させる工程とを含み、
   前記安息香酸の前記ジエタノールアミンに対する体積比率が０．８以上１．８以下である
   ことを特徴とするバンプ形成方法。
6. 前記固着材は、安息香酸の融点以上の温度下で混合したものである
   ことを特徴とする請求項５に記載のバンプ形成方法。
7. 前記第１金属層は、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）およびパラジウム（Ｐｄ）のうち少なくとも１種を含む金属から構成される
   ことを特徴とする請求項５または６に記載のバンプ形成方法。
8. 前記第２金属層は、スズ、銀、鉛、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）およびリン（Ｐ）のうち少なくとも１種を含む金属から構成される
   ことを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載のバンプ形成方法。

Images