FI95150C - Höyrypäällystyslaite - Google Patents
Höyrypäällystyslaite Download PDFInfo
- Publication number
- FI95150C FI95150C FI905349A FI905349A FI95150C FI 95150 C FI95150 C FI 95150C FI 905349 A FI905349 A FI 905349A FI 905349 A FI905349 A FI 905349A FI 95150 C FI95150 C FI 95150C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- reaction
- gas
- branch
- reaction tubes
- reaction tube
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
1 95150 Höyrypäällystyslaite. - Ängbeläggningsanordning.
Keksinnön kohteena on höyrypäällystyslaite, johon laittee-5 seen kuuluu pääreaktioputki, joka on vertikaaliasennossa ja jonka pohjassa on kaasureikä, kaksi haarareaktioputkea, jotka on horisontaalisesti kiinnitetty pääreaktioputken yläosaan ja joissa on päässä kaasun sisäänmenoaukot, ja kuumennuslaitteet, jotka pystyvät tuomaan mainituille reak-10 tioputkille kontrolloidun lämmön, jolloin kiinteät raaka- aineet sijoitetaan kahteen haarareaktioputkeen, päällystettävät alustat sijoitetaan pystysuorasti pääreaktioputkeen, kantokaasu johdetaan haarareaktioputkiin mainitusta kaasun sisäänmenoaukosta ja poistetaan kaasureiästä mainitussa 15 tietyssä lämpötilassa, kun alustoja päällystetään ohuella kalvolla.
Menetelmä ohuen puolijohtavan kalvon tuottamiseksi elektronisiin laitteisiin, lähtökohtana ZnS, GaAs Si jne. tai 20 vastaavasti eristekalvon tuottamiseksi, lähtökohtana Ta20g, AI2O3 jne. sisältää höyrypäällystysmenetelmän, jossa ohuen kalvon raaka-aine höyrystetään ja siirretään alustan pinnalle. Jos raaka-aineen höyryn paine on alhainen huoneen lämpötilassa, esim. alhaisempi kuin 1 torri, raaka-ainetta täytyy 25 kuumentaa tai kemiallisesti vaikuttaa reaktiivisella kanto-kaasulla höyrystymisen edesauttamiseksi.
•
Esimerkiksi, jos sähköluminisenssinen kalvo valmistetaan aineista ZnS ja Mn kuumennettavalla kemiallisella höyrypääl-30 lystysmenetelmällä, käytetään yleisesti horisontaalista höyrynkehityslaitetta, kuten kuviosta 3 ilmenee. Tässä laitteessa reaktioputkeen 1 kuuluu kaksi reaktioputkea 2a ja 2b ja sitä ympäröi sähkökuumentimet 3a, 3b ja 3c. Raaka-aine ZnS 11 on sijoitettu reaktioputkeen 2a ja metallimateriaali 35 (Mn) 12 on sijoitettu reaktioputkeen 2b. Alustat 10 on sijoitettu pitimeen ja ne ovat hieman erillään reaktioput-kista 2a ja 2b. Kaasun sekoittamiseksi on väliseinä 4 sijoitettu alustojen 10 ja reaktioputkien 2a ja 2b väliin. Sähkö- 2 95150 kuumentimet 3b ja 3c kuumentavat reaktioputket 2a ja 2b haluttuun lämpötilaan, joihin putkiin syötetään kantokaasua 5 ja raaka-ainekaasu siirretään alustalle väliseinän 4 läpi, jolloin se muodostaa alustalle 10 ZnS:Mn kalvon.
Viime vuosina on haluttu kemiallisesti höyrypäällystetty kalvo, jolla on hyvät ominaisuudet, ja joka kasvaa pinta-10 alaltaan suureksi, jopa yli 100 cm^. Halutaan siis laite, joka pystyy tuottamaan tällaista kemiallisesti höyrypäällys-tettyä kalvoa huokeasti ja suuressa määrin. Edellä mainitun suunnitelman toteuttamisessa on kuitenkin kolme ongelmaa, jotka on ratkaistava.
15 (1) Koska alustat tulevat suuremmiksi ja raskaammiksi, ei käyttönostinta voida käyttää ja kasaantuminen reaktioputken seiniin kiinnittyy myös alustaan.
20 (2) Jos horisontaalinen reaktioputki tehdään suuremmassa koossa, kaasun virtaus ylös ja alas tapahtuu merkitsevästi, jolloin aiheutuu epätasaisuutta kerrostetun kalvon paksuuteen alustan ylä- ja alaosan välillä kahdessa alustassa tai samassa alustassa.
25 (3) Tavanomainen vertikaalinen laite isoille alustoille ei mahdollista asemaa, johon kiinteät raaka-aineet laitetaan.
Tämän keksinnön tarkoituksena on aikaansaada höyrypäällys-30 tyslaite, jolla voidaan muotoilla päällystekalvo laaja-alai-sille alustoille ja suurissa määrin.
Keksinnön mukainen höyrypäällystyslaite on tunnettu siitä, että pääreaktioputken haarareaktioputkien välissä on vä-35 liseinä.
Keksinnön mukaisen väliseinä etuna on kaasunsekoittumien edistäminen ja haarareaktioputkiin on syötetty kantokaasu sekoittuu kaasun sisään menokohdista väliseinäjärjestelyn 5 3 95150 avulla siirtyy pystysuunnassa pystysuorasti suunnattujen alustojen päälle tavalla, joka ei viitejulkaisuista ilmene.
Keksinnön mukaisessa laitteessa kaasu virtaa ylös ja alas, jotka suunnat ovat samat kuin kaasunvirtaaman suunnat, jolloin kaasunvirtaaman tehot ovat niin pienet, että kalvon paksuus ylös-alas suunnassa samoinkuin epäpuhtauskonsent-10 raatiotkin ovat tasaiset.
Eräässä suoritusmuodossa alustat voidaan helposti laittaa sisään tai ulos pääreaktioputken pohjan läpi. Toisessa suoritusmuodossa alusta on säiliössä, jota on helppo käsi-15 teliä ja se suojaa alustaa pölyltä.
Kuvio 1 esittää kaavamaisesti leikkauskuvana keksinnön mukaisen laitteen erästä suoritusmuotoa.
20 Kuvio 2 esittää kaavamaisesti leikkauskuvana tavanomaista laitetta.
Kuvio 3 esittää tuodun päällystetyn kalvon paksuutta ja Mn-konsentraatiota samalla alustalla.
25
Kuvio 4 esittää päällystetyn alustan luminanssia sähkö-luminisenssinä.
Sähköluminisenssikalvo (ZnS:Mn) muotoillaan laajapintaisen 30 lasialustan päälle kuvion 1 mukaisella laitteella.
Tässä laitteessa on pääreaktioputken sisähalkaisija 28 cm ja korkeus on 70 cm ja se on asetettu vertikaalisesti, ja siinä on kaksihaaraiset reaktioputket 2a ja 2b, jotka on kiinni-35 tetty horisontaalisesti pääreaktioputken 1 yläosaan. Pää- ja haarareaktioputket 1, 2a ja 2b ovat sähkökuumentimen 3a, 3b ja 3c ympäröimät. Pääreaktioputken 1 ja haarareaktioputkien 2a ja 2b välillä on väliseinä 4 ja sen yläpuolella on kuu-mennin 3d. Poistoreikä 5 on pääreaktioputken 1 pohjassa.
4 95150
Alustanpidin 6 on pääreaktioputkessa 1 ja se voidaan ottaa siitä pois. Kiinteät raaka-aineet ovat sijoitetut kiinteiden 5 raaka-aineiden paikoille II ja III, jotka ovat haarareak-tioputkissa 2a ja 2b. Pääreaktioputki 1 ja haarareaktioput-ket 2a ja 2b ovat valmistetut kokonaan kvartsista ja ne muodostavat reaktiokammion. Pidin 6 on liitetty moottoriin 8 ja se voi pyöriä reaktion aikana. Alustat 10 pannaan pitimen 10 6 päälle tiettyyn järjestykseen ja etäisyydelle toisistaan ja laitetaan sitten pääreaktioputkeen 1 käyttäen apuna levyä 9c alustojen 10 sisäänlaitossa ja ulosotossa. ZnS-jauhe 11 ja Mn-metalli 12 ovat vastaavasti sijoitetut kvartsilevyille ja laitettu kiinteän raaka-aineen paikoille II ja III käyt-15 täen apuna laippoja 9a ja 9b laitettaessa kiinteä raaka-aine sisään ja otettaessa se ylös.
Kaksi kuuden tuuman (170 x 140 mm) lasialustaa on asetettu muodostamaan parin. Kymmenen lasiparia on asetettu pitimelle 20 6. Vetykaasu virtaa haaraputkeen 2a, joka kuumennetaan 900°C
- 1000°C lämpötilaan saakka ja siirtää ZnS:ää pääreaktioputkeen 1. Pääreaktioputki ilmataan mekaanisella ja öljykierto-pumpulla ja paine pidetään arvossa 60 torria. Päällystetyn kalvon kasvumäärä säädetään välille 50-200 A/min, vetykaasun 25 virtausmäärää kontrolloiden, ja Mn:n konsentraatio säädetään 0,3 - 0,6 %:iin kontrolloiden vetykaasun ja kloorivetykaasun virtaussuhdetta.
Päällystettyä ZnS:Mn -kalvoa ja sen paksuutta sekä samalla 30 alustalla olevan Mn:n konsentraatiota voidaan arvostella kuviosta 4 (A), (B), (C). Kalvon paksuudessa mitattuna pinnankarkeuden mittarilla on poikkeamaa alle 2 %, ja se on varsin tasainen. Mn-konsentraatio kasvaa lähestyttäessä alustan reunoja ja sen poikkeama on i10 %. Alustojen välillä 35 tehty arvostelu osoittaa hyvin pienet vaihtelut. Päällystetty alusta käytetään sähköluminisenssilevyiksi ja sen pinnasta mitattu luminanssi on hyvin tasainen, kuten kuviosta 4 havaitaan. Käytännössä vaaditaan luminanssin jakauman Min/-Maks-arvoksi pinnassa 70 % tai enemmän, mutta 5 95150 tämän keksinnön mukaisesti saavutettu sähköluminisenssinäyt-tö täyttää nämä vaatimukset. Vaikka 50 alustaa oli päällys-5 tettävänä, saatiin tyydyttävä tulos. Tämän keksinnön mukaista laitetta voidaan hyvin käyttää massatuotantoon. Tavanomaisella horisontaalisella höyrypäällystyslaitteella aikaansaadut Mn-konsentraatiot ja kalvon paksuudet näyttävät epätasaisilta ylös-alassuunnissa. Myös luminanssin vaihtelu 10 näyttää epäsymmetriseltä pinnan vaihtelulta ylös-alassuunnissa, mutta epäsymmetristä vaihtelua ei esiinny koskaan tämän keksinnön mukaisilla laitteilla.
Kiinteää raaka-ainetta (ZnS ja Mn) täytyy täydentää aina 15 joka jakson jälkeen, mutta täydennys voidaan tehdä helposti käyttäen laippoja 9a, 9b. Vaikka reaktioputkella on monimutkainen muoto, sen lujuudessa ei esiinny ongelmia ja laitteella saadaan sangen hyvää laatua vielä 100 jakson jälkeenkin.
20
Keksinnön mukaisessa laitteessa, raaka-ainepaikkojen ollessa toisistaan erillään, kuumentimen lämpötilaa voidaan kontrolloida erikseen.
Claims (4)
- 6 95150 5 1. Höyrypäällystyslaite, johon laitteeseen kuuluu pääreak- tioputki (1)/ joka on vertikaaliasennossa ja jonka pohjassa on kaasureikä (5), kaksi haarareaktioputkea (2a, 2b), jotka on horisontaalisesti kiinnitetty pääreaktioputken (1) yläosaan ja joissa on päässä kaasun sisäänmenoaukot, ja kuumen-10 nuslaitteet (3a, 3b, 3c), jotka pystyvät tuomaan mainituille reaktioputkille kontrolloidun lämmön, jolloin kiinteät raaka-aineet sijoitetaan kahteen haarareaktioputkeen (2a, 2b), päällystettävät alustat (10) sijoitetaan pystysuorasti pääreaktioputkeen (1), kantokaasu johdetaan haarareak-15 tioputkiin (2a, 2b) mainitusta kaasun sisäänmenoaukosta ja poistetaan kaasureiästä (5) mainitussa tietyssä lämpötilassa, kun alustoja (10) päällystetään ohuella kalvolla, tunnettu siitä, että pääreaktioputken (1) haara-reaktioputkien (2a, 2b) välissä on väliseinä (4). 20
- 2. Anordning enligt patentkravet 1, kännetecknad därav, att underlagen (10) placerats pä en underlagshällare (6), som kan rotera under beläggningen.2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laite, tunnettu siitä, että alustat (10) on sijoitettu alustapitimelle (6), joka voi pyöriä päällystyksen aikana.
- 3. Anordning enligt patentkravet 1, kännetecknad därav, att underlagen (10) placerats i en viss ordning med visst mellanrum sinsemellan pä underlagshällaren (6).3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laite, tunnettu siitä, että alustat (10) on asetettu tiettyyn järjestykseen tietyn välin päähän toisistaan alustanpitimelle (6).4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laite, tunnettu 30 siitä, että kuumentimet (3a, 3b, 3c) ovat sähkökuumentimia ja ne sijaitsevat reaktioputkien (1, 2a, 2b) ympärillä. » 95150 5 1. Ängbeläggningsanordning, vilken anordning omfattar ett huvudreaktionsrör (1), som är i vertikalt läge och vars botten uppvisar ett gashäl (5), tvä grenreaktionsrör (2a, 2b), som horisontalt fästs i huvudreaktionsrörets (1) överdel och som i ändan uppvisar gasinloppsöppningar, och 10 upphettningsanordningar (3a, 3b, 3c), som förmär tillföra kontrollerad värme tili nämnda reaktionsrör, varvid fasta räämnen placeras i tvä grenreaktionsrören (2a, 2b), under-lagen (10), som skall beläggas, placeras vertikalt i huvudreaktionsröret (1), bärgasen leds tili grenreaktions-15 rören (2a, 2b) genom nämnda gasinloppsöppningar och avlägs-nas frän gashälet (5) vid nämnd bestämd temperatur, da underlagen (10) beläggas med en tunn hinna, kanne-t e c k n a d därav, att mellan huvudreaktionsröret (1) och grenreaktionsrören (2a, 2b) finns en mellanvägg (4). 20
- 4. Anordning enligt patentkravet 1, kännetecknad 30 därav, att upphettare (3a, 3b, 3c) är elektriska upphettare och de befinner sig runt reaktionsrören (1, 2a, 2b). *
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28645489 | 1989-11-02 | ||
JP1286454A JPH0818902B2 (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 気相成長装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI905349A0 FI905349A0 (fi) | 1990-10-30 |
FI95150B FI95150B (fi) | 1995-09-15 |
FI95150C true FI95150C (fi) | 1995-12-27 |
Family
ID=17704602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI905349A FI95150C (fi) | 1989-11-02 | 1990-10-30 | Höyrypäällystyslaite |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5334250A (fi) |
EP (1) | EP0426494B1 (fi) |
JP (1) | JPH0818902B2 (fi) |
DE (1) | DE69017354T2 (fi) |
FI (1) | FI95150C (fi) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6337102B1 (en) * | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
WO2002080225A2 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Technologies And Devices International Inc. | Method and apparatus for growing submicron group iii nitride structures utilizing hvpe techniques |
KR20030002070A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-08 | 삼성전자 주식회사 | 원심력을 이용한 비점착 웨이퍼 건조방법 및 장치 |
US6936357B2 (en) * | 2001-07-06 | 2005-08-30 | Technologies And Devices International, Inc. | Bulk GaN and ALGaN single crystals |
US20070032046A1 (en) * | 2001-07-06 | 2007-02-08 | Dmitriev Vladimir A | Method for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run and semiconductor structure grown thereby |
US7501023B2 (en) * | 2001-07-06 | 2009-03-10 | Technologies And Devices, International, Inc. | Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials |
US20060011135A1 (en) * | 2001-07-06 | 2006-01-19 | Dmitriev Vladimir A | HVPE apparatus for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run |
US6613143B1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-09-02 | Technologies And Devices International, Inc. | Method for fabricating bulk GaN single crystals |
JP4714422B2 (ja) * | 2003-04-05 | 2011-06-29 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | ゲルマニウムを含有するフィルムを堆積させる方法、及び蒸気送達装置 |
US20060065622A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-03-30 | Floyd Philip D | Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency |
KR100792396B1 (ko) * | 2005-10-11 | 2008-01-08 | 주식회사 유진테크 | 파티션 구조형 가열유닛과 이를 이용한 히팅장치 |
US9416464B1 (en) | 2006-10-11 | 2016-08-16 | Ostendo Technologies, Inc. | Apparatus and methods for controlling gas flows in a HVPE reactor |
CN101632150B (zh) * | 2007-02-20 | 2011-11-23 | 高通Mems科技公司 | 用于蚀刻微机电系统的装备及方法 |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
US7569488B2 (en) | 2007-06-22 | 2009-08-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter |
JP2010534865A (ja) | 2007-07-25 | 2010-11-11 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | Mems表示装置及び該mems表示装置の製造方法 |
US8023191B2 (en) * | 2008-05-07 | 2011-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Printable static interferometric images |
US9343273B2 (en) * | 2008-09-25 | 2016-05-17 | Seagate Technology Llc | Substrate holders for uniform reactive sputtering |
KR20120039670A (ko) * | 2010-03-04 | 2012-04-25 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 결정 성장 장치, 질화물계 화합물 반도체 결정의 제조 방법 및 질화물계 화합물 반도체 결정 |
US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
CN106062240B (zh) * | 2014-03-11 | 2018-09-28 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 蒸镀装置以及使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法 |
US20170022605A1 (en) * | 2014-03-11 | 2017-01-26 | Joled Inc. | Deposition apparatus, method for controlling same, deposition method using deposition apparatus, and device manufacturing method |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3098763A (en) * | 1961-05-29 | 1963-07-23 | Raytheon Co | Chemical reactor |
US3310425A (en) * | 1963-06-28 | 1967-03-21 | Rca Corp | Method of depositing epitaxial layers of gallium arsenide |
US3424629A (en) * | 1965-12-13 | 1969-01-28 | Ibm | High capacity epitaxial apparatus and method |
US3858548A (en) * | 1972-08-16 | 1975-01-07 | Corning Glass Works | Vapor transport film deposition apparatus |
JPS544566A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-13 | Nec Corp | Vapor phase growth method of semiconductor |
JPS5931985B2 (ja) * | 1977-11-14 | 1984-08-06 | 富士通株式会社 | マグネスピネルの気相成長法 |
DD206687A3 (de) * | 1981-07-28 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur gasfuehrung fuer lp cvd prozesse in einem rohrreaktor |
US4487640A (en) * | 1983-02-22 | 1984-12-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for the preparation of epitaxial films of mercury cadmium telluride |
JPS59207622A (ja) * | 1983-05-11 | 1984-11-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体薄膜気相成長装置 |
JPS6065526A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | Nec Corp | 多元混晶3−5族化合物半導体成長方法及び装置 |
JPS60215594A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-28 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
JPS60253212A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-13 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
JPS61101021A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Hitachi Ltd | 膜形成装置 |
JPH07105345B2 (ja) * | 1985-08-08 | 1995-11-13 | 日電アネルバ株式会社 | 基体処理装置 |
JPS6291496A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-25 | Nec Corp | 気相成長装置用反応管 |
JPH0691020B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1994-11-14 | 日本電信電話株式会社 | 気相成長方法および装置 |
JPS6335776A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Matsushita Electronics Corp | 気相化学蒸着装置 |
US4886412A (en) * | 1986-10-28 | 1989-12-12 | Tetron, Inc. | Method and system for loading wafers |
JPH01108744A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置 |
US4854266A (en) * | 1987-11-02 | 1989-08-08 | Btu Engineering Corporation | Cross-flow diffusion furnace |
JPH0760738B2 (ja) * | 1988-05-13 | 1995-06-28 | シャープ株式会社 | エレクトロルミネッセンス発光膜の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1286454A patent/JPH0818902B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-10-30 FI FI905349A patent/FI95150C/fi not_active IP Right Cessation
- 1990-11-02 DE DE69017354T patent/DE69017354T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-02 EP EP90312034A patent/EP0426494B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-02-17 US US08/022,742 patent/US5334250A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FI95150B (fi) | 1995-09-15 |
JPH0818902B2 (ja) | 1996-02-28 |
EP0426494B1 (en) | 1995-03-01 |
DE69017354T2 (de) | 1995-09-28 |
EP0426494A1 (en) | 1991-05-08 |
US5334250A (en) | 1994-08-02 |
DE69017354D1 (de) | 1995-04-06 |
JPH03150293A (ja) | 1991-06-26 |
FI905349A0 (fi) | 1990-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FI95150C (fi) | Höyrypäällystyslaite | |
US11389824B2 (en) | Vapor phase deposition of organic films | |
KR102664066B1 (ko) | 유기막들의 기상 퇴적 | |
CN100481329C (zh) | 薄膜沉积设备及方法 | |
US20050087134A1 (en) | Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions | |
US10793949B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same | |
JP2017028260A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101625478B1 (ko) | 수직 적층식 히터를 구비한 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법 | |
CN104641464B (zh) | 基板处理装置 | |
CN104412363B (zh) | 基板处理装置 | |
KR101202425B1 (ko) | 실리콘카바이드 코팅 장치 | |
CN115928050A (zh) | 一种横流式薄膜沉积反应器 | |
US4035460A (en) | Shaped bodies and production of semiconductor material | |
CN111020492B (zh) | 用于近空间升华沉积设备的坩埚系统 | |
JPH0565652A (ja) | プラズマ増強形化学蒸着装置 | |
KR101393459B1 (ko) | 표면에 오목면이 형성된 서셉터의 제조방법 및 그로부터 제조되는 서셉터 | |
KR100200888B1 (ko) | 층간절연막의 형성방법 | |
KR100243520B1 (ko) | 박막증착장치 | |
KR20190099568A (ko) | 미세한 구멍을 갖는 그라파이트 소재를 실리콘카바이드 코팅하는 방법 | |
JPS6343315A (ja) | 減圧cvd装置 | |
JP2024518032A (ja) | 気相のエピタキシャル層を含む半導体ウェハを堆積チャンバ内で製造する方法 | |
JPH01205076A (ja) | 炭化珪素被膜のコーテイング装置 | |
JPS61158148A (ja) | プラズマcvd膜の製造方法 | |
JPH06135795A (ja) | 化合物半導体の有機金属気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2005108988A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FG | Patent granted |
Owner name: SHARP KABUSHIKI KAISHA |
|
BB | Publication of examined application | ||
MM | Patent lapsed |
Owner name: SHARP KABUSHIKI KAISHA |