FI95150C - Höyrypäällystyslaite - Google Patents

Höyrypäällystyslaite Download PDF

Info

Publication number
FI95150C
FI95150C FI905349A FI905349A FI95150C FI 95150 C FI95150 C FI 95150C FI 905349 A FI905349 A FI 905349A FI 905349 A FI905349 A FI 905349A FI 95150 C FI95150 C FI 95150C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
reaction
gas
branch
reaction tubes
reaction tube
Prior art date
Application number
FI905349A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI905349A0 (fi
FI95150B (fi
Inventor
Takuo Yamashita
Takashi Ogura
Masaru Yoshida
Koichi Tanaka
Akiyoshi Mikami
Kousuke Terada
Katsushi Okibayashi
Shigeo Nakajima
Hiroaki Nakaya
Kouji Taniguchi
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Publication of FI905349A0 publication Critical patent/FI905349A0/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI95150B publication Critical patent/FI95150B/fi
Publication of FI95150C publication Critical patent/FI95150C/fi

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591Fixed means, e.g. wings, baffles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

1 95150 Höyrypäällystyslaite. - Ängbeläggningsanordning.
Keksinnön kohteena on höyrypäällystyslaite, johon laittee-5 seen kuuluu pääreaktioputki, joka on vertikaaliasennossa ja jonka pohjassa on kaasureikä, kaksi haarareaktioputkea, jotka on horisontaalisesti kiinnitetty pääreaktioputken yläosaan ja joissa on päässä kaasun sisäänmenoaukot, ja kuumennuslaitteet, jotka pystyvät tuomaan mainituille reak-10 tioputkille kontrolloidun lämmön, jolloin kiinteät raaka- aineet sijoitetaan kahteen haarareaktioputkeen, päällystettävät alustat sijoitetaan pystysuorasti pääreaktioputkeen, kantokaasu johdetaan haarareaktioputkiin mainitusta kaasun sisäänmenoaukosta ja poistetaan kaasureiästä mainitussa 15 tietyssä lämpötilassa, kun alustoja päällystetään ohuella kalvolla.
Menetelmä ohuen puolijohtavan kalvon tuottamiseksi elektronisiin laitteisiin, lähtökohtana ZnS, GaAs Si jne. tai 20 vastaavasti eristekalvon tuottamiseksi, lähtökohtana Ta20g, AI2O3 jne. sisältää höyrypäällystysmenetelmän, jossa ohuen kalvon raaka-aine höyrystetään ja siirretään alustan pinnalle. Jos raaka-aineen höyryn paine on alhainen huoneen lämpötilassa, esim. alhaisempi kuin 1 torri, raaka-ainetta täytyy 25 kuumentaa tai kemiallisesti vaikuttaa reaktiivisella kanto-kaasulla höyrystymisen edesauttamiseksi.
Esimerkiksi, jos sähköluminisenssinen kalvo valmistetaan aineista ZnS ja Mn kuumennettavalla kemiallisella höyrypääl-30 lystysmenetelmällä, käytetään yleisesti horisontaalista höyrynkehityslaitetta, kuten kuviosta 3 ilmenee. Tässä laitteessa reaktioputkeen 1 kuuluu kaksi reaktioputkea 2a ja 2b ja sitä ympäröi sähkökuumentimet 3a, 3b ja 3c. Raaka-aine ZnS 11 on sijoitettu reaktioputkeen 2a ja metallimateriaali 35 (Mn) 12 on sijoitettu reaktioputkeen 2b. Alustat 10 on sijoitettu pitimeen ja ne ovat hieman erillään reaktioput-kista 2a ja 2b. Kaasun sekoittamiseksi on väliseinä 4 sijoitettu alustojen 10 ja reaktioputkien 2a ja 2b väliin. Sähkö- 2 95150 kuumentimet 3b ja 3c kuumentavat reaktioputket 2a ja 2b haluttuun lämpötilaan, joihin putkiin syötetään kantokaasua 5 ja raaka-ainekaasu siirretään alustalle väliseinän 4 läpi, jolloin se muodostaa alustalle 10 ZnS:Mn kalvon.
Viime vuosina on haluttu kemiallisesti höyrypäällystetty kalvo, jolla on hyvät ominaisuudet, ja joka kasvaa pinta-10 alaltaan suureksi, jopa yli 100 cm^. Halutaan siis laite, joka pystyy tuottamaan tällaista kemiallisesti höyrypäällys-tettyä kalvoa huokeasti ja suuressa määrin. Edellä mainitun suunnitelman toteuttamisessa on kuitenkin kolme ongelmaa, jotka on ratkaistava.
15 (1) Koska alustat tulevat suuremmiksi ja raskaammiksi, ei käyttönostinta voida käyttää ja kasaantuminen reaktioputken seiniin kiinnittyy myös alustaan.
20 (2) Jos horisontaalinen reaktioputki tehdään suuremmassa koossa, kaasun virtaus ylös ja alas tapahtuu merkitsevästi, jolloin aiheutuu epätasaisuutta kerrostetun kalvon paksuuteen alustan ylä- ja alaosan välillä kahdessa alustassa tai samassa alustassa.
25 (3) Tavanomainen vertikaalinen laite isoille alustoille ei mahdollista asemaa, johon kiinteät raaka-aineet laitetaan.
Tämän keksinnön tarkoituksena on aikaansaada höyrypäällys-30 tyslaite, jolla voidaan muotoilla päällystekalvo laaja-alai-sille alustoille ja suurissa määrin.
Keksinnön mukainen höyrypäällystyslaite on tunnettu siitä, että pääreaktioputken haarareaktioputkien välissä on vä-35 liseinä.
Keksinnön mukaisen väliseinä etuna on kaasunsekoittumien edistäminen ja haarareaktioputkiin on syötetty kantokaasu sekoittuu kaasun sisään menokohdista väliseinäjärjestelyn 5 3 95150 avulla siirtyy pystysuunnassa pystysuorasti suunnattujen alustojen päälle tavalla, joka ei viitejulkaisuista ilmene.
Keksinnön mukaisessa laitteessa kaasu virtaa ylös ja alas, jotka suunnat ovat samat kuin kaasunvirtaaman suunnat, jolloin kaasunvirtaaman tehot ovat niin pienet, että kalvon paksuus ylös-alas suunnassa samoinkuin epäpuhtauskonsent-10 raatiotkin ovat tasaiset.
Eräässä suoritusmuodossa alustat voidaan helposti laittaa sisään tai ulos pääreaktioputken pohjan läpi. Toisessa suoritusmuodossa alusta on säiliössä, jota on helppo käsi-15 teliä ja se suojaa alustaa pölyltä.
Kuvio 1 esittää kaavamaisesti leikkauskuvana keksinnön mukaisen laitteen erästä suoritusmuotoa.
20 Kuvio 2 esittää kaavamaisesti leikkauskuvana tavanomaista laitetta.
Kuvio 3 esittää tuodun päällystetyn kalvon paksuutta ja Mn-konsentraatiota samalla alustalla.
25
Kuvio 4 esittää päällystetyn alustan luminanssia sähkö-luminisenssinä.
Sähköluminisenssikalvo (ZnS:Mn) muotoillaan laajapintaisen 30 lasialustan päälle kuvion 1 mukaisella laitteella.
Tässä laitteessa on pääreaktioputken sisähalkaisija 28 cm ja korkeus on 70 cm ja se on asetettu vertikaalisesti, ja siinä on kaksihaaraiset reaktioputket 2a ja 2b, jotka on kiinni-35 tetty horisontaalisesti pääreaktioputken 1 yläosaan. Pää- ja haarareaktioputket 1, 2a ja 2b ovat sähkökuumentimen 3a, 3b ja 3c ympäröimät. Pääreaktioputken 1 ja haarareaktioputkien 2a ja 2b välillä on väliseinä 4 ja sen yläpuolella on kuu-mennin 3d. Poistoreikä 5 on pääreaktioputken 1 pohjassa.
4 95150
Alustanpidin 6 on pääreaktioputkessa 1 ja se voidaan ottaa siitä pois. Kiinteät raaka-aineet ovat sijoitetut kiinteiden 5 raaka-aineiden paikoille II ja III, jotka ovat haarareak-tioputkissa 2a ja 2b. Pääreaktioputki 1 ja haarareaktioput-ket 2a ja 2b ovat valmistetut kokonaan kvartsista ja ne muodostavat reaktiokammion. Pidin 6 on liitetty moottoriin 8 ja se voi pyöriä reaktion aikana. Alustat 10 pannaan pitimen 10 6 päälle tiettyyn järjestykseen ja etäisyydelle toisistaan ja laitetaan sitten pääreaktioputkeen 1 käyttäen apuna levyä 9c alustojen 10 sisäänlaitossa ja ulosotossa. ZnS-jauhe 11 ja Mn-metalli 12 ovat vastaavasti sijoitetut kvartsilevyille ja laitettu kiinteän raaka-aineen paikoille II ja III käyt-15 täen apuna laippoja 9a ja 9b laitettaessa kiinteä raaka-aine sisään ja otettaessa se ylös.
Kaksi kuuden tuuman (170 x 140 mm) lasialustaa on asetettu muodostamaan parin. Kymmenen lasiparia on asetettu pitimelle 20 6. Vetykaasu virtaa haaraputkeen 2a, joka kuumennetaan 900°C
- 1000°C lämpötilaan saakka ja siirtää ZnS:ää pääreaktioputkeen 1. Pääreaktioputki ilmataan mekaanisella ja öljykierto-pumpulla ja paine pidetään arvossa 60 torria. Päällystetyn kalvon kasvumäärä säädetään välille 50-200 A/min, vetykaasun 25 virtausmäärää kontrolloiden, ja Mn:n konsentraatio säädetään 0,3 - 0,6 %:iin kontrolloiden vetykaasun ja kloorivetykaasun virtaussuhdetta.
Päällystettyä ZnS:Mn -kalvoa ja sen paksuutta sekä samalla 30 alustalla olevan Mn:n konsentraatiota voidaan arvostella kuviosta 4 (A), (B), (C). Kalvon paksuudessa mitattuna pinnankarkeuden mittarilla on poikkeamaa alle 2 %, ja se on varsin tasainen. Mn-konsentraatio kasvaa lähestyttäessä alustan reunoja ja sen poikkeama on i10 %. Alustojen välillä 35 tehty arvostelu osoittaa hyvin pienet vaihtelut. Päällystetty alusta käytetään sähköluminisenssilevyiksi ja sen pinnasta mitattu luminanssi on hyvin tasainen, kuten kuviosta 4 havaitaan. Käytännössä vaaditaan luminanssin jakauman Min/-Maks-arvoksi pinnassa 70 % tai enemmän, mutta 5 95150 tämän keksinnön mukaisesti saavutettu sähköluminisenssinäyt-tö täyttää nämä vaatimukset. Vaikka 50 alustaa oli päällys-5 tettävänä, saatiin tyydyttävä tulos. Tämän keksinnön mukaista laitetta voidaan hyvin käyttää massatuotantoon. Tavanomaisella horisontaalisella höyrypäällystyslaitteella aikaansaadut Mn-konsentraatiot ja kalvon paksuudet näyttävät epätasaisilta ylös-alassuunnissa. Myös luminanssin vaihtelu 10 näyttää epäsymmetriseltä pinnan vaihtelulta ylös-alassuunnissa, mutta epäsymmetristä vaihtelua ei esiinny koskaan tämän keksinnön mukaisilla laitteilla.
Kiinteää raaka-ainetta (ZnS ja Mn) täytyy täydentää aina 15 joka jakson jälkeen, mutta täydennys voidaan tehdä helposti käyttäen laippoja 9a, 9b. Vaikka reaktioputkella on monimutkainen muoto, sen lujuudessa ei esiinny ongelmia ja laitteella saadaan sangen hyvää laatua vielä 100 jakson jälkeenkin.
20
Keksinnön mukaisessa laitteessa, raaka-ainepaikkojen ollessa toisistaan erillään, kuumentimen lämpötilaa voidaan kontrolloida erikseen.

Claims (4)

  1. 6 95150 5 1. Höyrypäällystyslaite, johon laitteeseen kuuluu pääreak- tioputki (1)/ joka on vertikaaliasennossa ja jonka pohjassa on kaasureikä (5), kaksi haarareaktioputkea (2a, 2b), jotka on horisontaalisesti kiinnitetty pääreaktioputken (1) yläosaan ja joissa on päässä kaasun sisäänmenoaukot, ja kuumen-10 nuslaitteet (3a, 3b, 3c), jotka pystyvät tuomaan mainituille reaktioputkille kontrolloidun lämmön, jolloin kiinteät raaka-aineet sijoitetaan kahteen haarareaktioputkeen (2a, 2b), päällystettävät alustat (10) sijoitetaan pystysuorasti pääreaktioputkeen (1), kantokaasu johdetaan haarareak-15 tioputkiin (2a, 2b) mainitusta kaasun sisäänmenoaukosta ja poistetaan kaasureiästä (5) mainitussa tietyssä lämpötilassa, kun alustoja (10) päällystetään ohuella kalvolla, tunnettu siitä, että pääreaktioputken (1) haara-reaktioputkien (2a, 2b) välissä on väliseinä (4). 20
  2. 2. Anordning enligt patentkravet 1, kännetecknad därav, att underlagen (10) placerats pä en underlagshällare (6), som kan rotera under beläggningen.
    2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laite, tunnettu siitä, että alustat (10) on sijoitettu alustapitimelle (6), joka voi pyöriä päällystyksen aikana.
  3. 3. Anordning enligt patentkravet 1, kännetecknad därav, att underlagen (10) placerats i en viss ordning med visst mellanrum sinsemellan pä underlagshällaren (6).
    3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laite, tunnettu siitä, että alustat (10) on asetettu tiettyyn järjestykseen tietyn välin päähän toisistaan alustanpitimelle (6).
    4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laite, tunnettu 30 siitä, että kuumentimet (3a, 3b, 3c) ovat sähkökuumentimia ja ne sijaitsevat reaktioputkien (1, 2a, 2b) ympärillä. » 95150 5 1. Ängbeläggningsanordning, vilken anordning omfattar ett huvudreaktionsrör (1), som är i vertikalt läge och vars botten uppvisar ett gashäl (5), tvä grenreaktionsrör (2a, 2b), som horisontalt fästs i huvudreaktionsrörets (1) överdel och som i ändan uppvisar gasinloppsöppningar, och 10 upphettningsanordningar (3a, 3b, 3c), som förmär tillföra kontrollerad värme tili nämnda reaktionsrör, varvid fasta räämnen placeras i tvä grenreaktionsrören (2a, 2b), under-lagen (10), som skall beläggas, placeras vertikalt i huvudreaktionsröret (1), bärgasen leds tili grenreaktions-15 rören (2a, 2b) genom nämnda gasinloppsöppningar och avlägs-nas frän gashälet (5) vid nämnd bestämd temperatur, da underlagen (10) beläggas med en tunn hinna, kanne-t e c k n a d därav, att mellan huvudreaktionsröret (1) och grenreaktionsrören (2a, 2b) finns en mellanvägg (4). 20
  4. 4. Anordning enligt patentkravet 1, kännetecknad 30 därav, att upphettare (3a, 3b, 3c) är elektriska upphettare och de befinner sig runt reaktionsrören (1, 2a, 2b). *
FI905349A 1989-11-02 1990-10-30 Höyrypäällystyslaite FI95150C (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28645489 1989-11-02
JP1286454A JPH0818902B2 (ja) 1989-11-02 1989-11-02 気相成長装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI905349A0 FI905349A0 (fi) 1990-10-30
FI95150B FI95150B (fi) 1995-09-15
FI95150C true FI95150C (fi) 1995-12-27

Family

ID=17704602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI905349A FI95150C (fi) 1989-11-02 1990-10-30 Höyrypäällystyslaite

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5334250A (fi)
EP (1) EP0426494B1 (fi)
JP (1) JPH0818902B2 (fi)
DE (1) DE69017354T2 (fi)
FI (1) FI95150C (fi)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6573164B2 (en) * 2001-03-30 2003-06-03 Technologies And Devices International, Inc. Method of epitaxially growing device structures with sharp layer interfaces utilizing HVPE
KR20030002070A (ko) * 2001-06-30 2003-01-08 삼성전자 주식회사 원심력을 이용한 비점착 웨이퍼 건조방법 및 장치
US7501023B2 (en) * 2001-07-06 2009-03-10 Technologies And Devices, International, Inc. Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials
US6936357B2 (en) * 2001-07-06 2005-08-30 Technologies And Devices International, Inc. Bulk GaN and ALGaN single crystals
US20070032046A1 (en) * 2001-07-06 2007-02-08 Dmitriev Vladimir A Method for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run and semiconductor structure grown thereby
US6613143B1 (en) * 2001-07-06 2003-09-02 Technologies And Devices International, Inc. Method for fabricating bulk GaN single crystals
US20060011135A1 (en) * 2001-07-06 2006-01-19 Dmitriev Vladimir A HVPE apparatus for simultaneously producing multiple wafers during a single epitaxial growth run
JP4714422B2 (ja) * 2003-04-05 2011-06-29 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. ゲルマニウムを含有するフィルムを堆積させる方法、及び蒸気送達装置
US20060065622A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Floyd Philip D Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency
KR100792396B1 (ko) * 2005-10-11 2008-01-08 주식회사 유진테크 파티션 구조형 가열유닛과 이를 이용한 히팅장치
US9416464B1 (en) 2006-10-11 2016-08-16 Ostendo Technologies, Inc. Apparatus and methods for controlling gas flows in a HVPE reactor
WO2008103632A2 (en) * 2007-02-20 2008-08-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Equipment and methods for etching of mems
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7569488B2 (en) 2007-06-22 2009-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of making a MEMS device by monitoring a process parameter
EP2181355A1 (en) 2007-07-25 2010-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mems display devices and methods of fabricating the same
US8023191B2 (en) * 2008-05-07 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Printable static interferometric images
US9343273B2 (en) * 2008-09-25 2016-05-17 Seagate Technology Llc Substrate holders for uniform reactive sputtering
US20120251428A1 (en) * 2010-03-04 2012-10-04 Satoru Morioka Crystal growing apparatus, method for manufacturing nitride compound semiconductor crystal, and nitride compound semiconductor crystal
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
JP6241903B2 (ja) * 2014-03-11 2017-12-06 株式会社Joled 蒸着装置及び蒸着装置を用いた蒸着方法、及びデバイスの製造方法
WO2015136857A1 (ja) * 2014-03-11 2015-09-17 株式会社Joled 蒸着装置及びその制御方法、蒸着装置を用いた蒸着方法、及びデバイスの製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3098763A (en) * 1961-05-29 1963-07-23 Raytheon Co Chemical reactor
US3310425A (en) * 1963-06-28 1967-03-21 Rca Corp Method of depositing epitaxial layers of gallium arsenide
US3424629A (en) * 1965-12-13 1969-01-28 Ibm High capacity epitaxial apparatus and method
US3858548A (en) * 1972-08-16 1975-01-07 Corning Glass Works Vapor transport film deposition apparatus
JPS544566A (en) * 1977-06-13 1979-01-13 Nec Corp Vapor phase growth method of semiconductor
JPS5931985B2 (ja) * 1977-11-14 1984-08-06 富士通株式会社 マグネスピネルの気相成長法
DD206687A3 (de) * 1981-07-28 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur gasfuehrung fuer lp cvd prozesse in einem rohrreaktor
US4487640A (en) * 1983-02-22 1984-12-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for the preparation of epitaxial films of mercury cadmium telluride
JPS59207622A (ja) * 1983-05-11 1984-11-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体薄膜気相成長装置
JPS6065526A (ja) * 1983-09-20 1985-04-15 Nec Corp 多元混晶3−5族化合物半導体成長方法及び装置
JPS60215594A (ja) * 1984-04-06 1985-10-28 Fujitsu Ltd 気相成長装置
JPS60253212A (ja) * 1984-05-30 1985-12-13 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長装置
JPS61101021A (ja) * 1984-10-24 1986-05-19 Hitachi Ltd 膜形成装置
JPH07105345B2 (ja) * 1985-08-08 1995-11-13 日電アネルバ株式会社 基体処理装置
JPS6291496A (ja) * 1985-10-15 1987-04-25 Nec Corp 気相成長装置用反応管
JPH0691020B2 (ja) * 1986-02-14 1994-11-14 日本電信電話株式会社 気相成長方法および装置
JPS6335776A (ja) * 1986-07-30 1988-02-16 Matsushita Electronics Corp 気相化学蒸着装置
US4886412A (en) * 1986-10-28 1989-12-12 Tetron, Inc. Method and system for loading wafers
JPH01108744A (ja) * 1987-10-22 1989-04-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置
US4854266A (en) * 1987-11-02 1989-08-08 Btu Engineering Corporation Cross-flow diffusion furnace
JPH0760738B2 (ja) * 1988-05-13 1995-06-28 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス発光膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69017354T2 (de) 1995-09-28
JPH0818902B2 (ja) 1996-02-28
EP0426494A1 (en) 1991-05-08
DE69017354D1 (de) 1995-04-06
FI905349A0 (fi) 1990-10-30
FI95150B (fi) 1995-09-15
EP0426494B1 (en) 1995-03-01
US5334250A (en) 1994-08-02
JPH03150293A (ja) 1991-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI95150C (fi) Höyrypäällystyslaite
US10814349B2 (en) Vapor phase deposition of organic films
KR102664066B1 (ko) 유기막들의 기상 퇴적
CN100481329C (zh) 薄膜沉积设备及方法
US20050087134A1 (en) Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions
KR20020089341A (ko) 기재상에 하나 이상의 층을 증착하기 위한 장치와 방법
US10793949B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same
CN104641464B (zh) 基板处理装置
KR101625478B1 (ko) 수직 적층식 히터를 구비한 박막 증착 장치 및 이를 이용한 박막 증착 방법
CN104412363B (zh) 基板处理装置
KR101202425B1 (ko) 실리콘카바이드 코팅 장치
CN115928050A (zh) 一种横流式薄膜沉积反应器
US4035460A (en) Shaped bodies and production of semiconductor material
CN111020492B (zh) 用于近空间升华沉积设备的坩埚系统
FI101585B (fi) Alennettupaineinen CVD-menetelmä materiaalikerroksen kerrostamiseksi s ubstraatille
JPH0565652A (ja) プラズマ増強形化学蒸着装置
KR101393459B1 (ko) 표면에 오목면이 형성된 서셉터의 제조방법 및 그로부터 제조되는 서셉터
KR100243520B1 (ko) 박막증착장치
KR20190099568A (ko) 미세한 구멍을 갖는 그라파이트 소재를 실리콘카바이드 코팅하는 방법
JPS6343315A (ja) 減圧cvd装置
CN110016656B (zh) 化学气相沉积腔室
JP2024518032A (ja) 気相のエピタキシャル層を含む半導体ウェハを堆積チャンバ内で製造する方法
TW202225471A (zh) 用於用以進行pecvd處理且具有高基板裝載能力的半導體基板的支撐件
JPH01205076A (ja) 炭化珪素被膜のコーテイング装置
JPS61158148A (ja) プラズマcvd膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Owner name: SHARP KABUSHIKI KAISHA

BB Publication of examined application
MM Patent lapsed

Owner name: SHARP KABUSHIKI KAISHA