JPS6039162A - 薄膜処理真空装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は基板上に薄膜を形成するか或いは基板上の薄膜
をエツチングする薄膜処理装置に関するものである。

本発明の具体的応用分野の一例はシリコンの、モノリシ
ック集積回路製造工程における薄膜作製過上に厚み１ミ
クロン程度の金属薄膜や絶縁物薄膜を形成することが必
要とされる。作製すべき薄膜に必要とされる電気的・機
械的・物理的緒特性は一般的に真空容器内の不純物ガス
分圧が低いほどすぐれたものが得られるので、ス・やツ
タリングを行うべき真空容器は可能な限り大気にさらす
時間を短かくするのが好ましい。また大量にシリコンウ
ェハーを処理するだめにス・々ツタ装置の稼動に際して
はウェハーの装置への挿入・脱離と真空排気だめの時間
の全体に占める割合を小さくすることが好ましく、従っ
てシリコンウェハーを保持する部分（ホルダ）の容積を
小さくすることが望ましい。更に大量の処理を早くする
ためにはウェハーの装置への挿入・脱離を複数箇所で行
なうことが好ましく、更にまた処理すべきウェハーの上
に使手♀→晰　＝＝−−均一妾邦勢ぐ蟻１寸≠シか枦合
雫４砿噌萄４１−４塵埃が付着したりあるいは膜の付着
しないピンホール等が生じることさえ嫌られれ、そのだ
めに仮に真空室内に塵埃が発生してもウニ・・−の表面
に付着しないようにすることが好ましい。特にこの塵埃
やピンホールは品質に関するものであって、少なくとも
これは絶佳に避ける必要がある。

従来のこの種のスノＥツタリング装置は、コーチングス
テーションがふつう数個またはそれ以上直線状に又は環
状に配置されている。このよう々構成において、前述の
問題点を避けるため、あとに改めて説明するが、前記の
環を垂直に立てたようにコーチングステーションを配置
して各ウェハーが常に垂直に配置したものがある。これ
により相当の改善は得られているが、塵埃が装置中に生
じると垂直であるにも拘らず若干の付着があり、その付
着やピンホールの回避は充分ではなく、またウニ・・−
の装置への挿入が脱離を複数箇所で行なうことは困難で
あった。

うとするものである。

本発明の他の目的は上記に加えて基板ホルダへのウニ・
・−の挿入脱離を複数箇所で行なうことを可能としだ薄
膜処理真空装置を得ようとするものである。

本発明は上記の目的を達成するだめに塵埃の主たる発生
源がウエノ・−の上部に来ないようにすると共に環を垂
直に立てることを避けるようにしだものである。

すなわち本発明によれば、真空容器中回転可能に設けら
れ、薄膜処理すべき基板を複数個同心状に保持し得る基
板ホルダーと、未処理の基板を大気側から前記真空容器
中に挿入して前記基板ホルダーに装着し、この基板ホル
ダーの回転により所定位置で薄膜処理された基板を、該
基板ホルダから脱離し該真空室内から大気側に取り出す
基板移動手段とを有する薄膜処理装置において、前記基
板ホルダーが鉛直な回転軸を持つ多面体構造をしていて
、各面に前記基板を鉛直に近い姿勢で外方に向けて装置
できるように構成しであることを特徴とする薄膜処理真
空装置が得られる。

（５） まだ上記の装置において、更に前記基板移動手段が実質
的に同じ高さに２組設けられ、而してこの２組の基板移
動手段は同時に挿入装着と脱離取出しを行なうことが出
来るように構成しであることを特徴とする薄膜処理真空
装置が得られる。

次に図面を参照して詳細に説明する。

第１図は従来の薄膜処理装置の構成の一例を主部分を示
した図である。第１図において、基板ホルダ１は垂直に
なっていて２等角度に５つのコーチングステーション２
　、２／、２／／・・・を有している。

そしてコーチングステーション２“の位置ニス／Ｆツタ
電極５が配置しである。ウェハーの挿入にあたっては、
まずコーチングステーション２を図の左側の６の位置に
開く。一方力セットガイド７にはカセット８が移動可能
に保持されていて、その中にはウェハー９が多数垂直に
収納されている。

そこでこのウェハー９の端の１枚を上述の開いたコーチ
ングステーション６に装着し２次いで２の位置に戻す。

これからあとはふつうの方法で２′。

２“の順に送られ、２“においてスパック処理が行な（
６） われる。

本装置においては、コーチングステーション２゜２′・
・・に装着されだウエノ・−はすべて垂直に寿っている
ので塵埃の付着は確かに少ない。しかし基板ホルダ１が
回転移動すると、その振動により該ホルダから塵埃が落
下するので、下方にある基板に。

は僅かであっても伺着物が生じる。この付着物は極めて
微量でも先に述べたように問題になるのである。まだ第
１図から分るように、基板ホルダ１は相当大きく而も上
下に寸法が延びているので。

別の基板挿入脱離位置を」二方に設けようとすれば取扱
いが極めて困難になる。更に基体ホルダー自体も形状が
大きくなり大きな排気装置を必要とする０ 第２図は本発明の一実施例の真空容器および基体装置機
構部を斜めから見た外観図である。

第３図は第２図の実施例における真空容器内構成および
スパッタ一部の構成の断面を示しだ図である。

以下第２図および第３図を併用して本実施例の構成およ
び動作を説明する。なおいうまでもないことでちるが、
各構成要素の参照数字は両図で共用している。真空容器
１０は外側に６個の四角な面■〜■を持つ立体で構成さ
れている。面Ｉには比較的小さ々容器を持つ第１のロー
ドロック室２０および基体挿着機構収納室３０が取り付
けられ、２つの部屋の間にはロードロックバルブ２５が
設けられている。面■にはスパッタ電極５０が取付けら
れ、その真空側の面にクーケゝソト５１が設けられてい
る。面■には比較的小さな容量をもつ第２のロードロッ
ク室４０．基体脱離機構収納室３０′が取付けられ、２
つの部屋の間にはロードロックバルブ２６が設けられて
いる。なお面Ｉに取付けられた第１のロードロック室２
０．ロードロックバルブ２５および基体挿着機構収納室
３０と。

面■に取付けられた第２のロードロック室４０゜ロード
ロックバルブ２６および基体脱離機構収納室３０′とは
夫々真空容器の中心軸６１に軸対称な位置にある。面■
に対向する面■には第２のス・やツタ電極５０′が取付
けられている。真空容器１０の上部面■からは真空容器
内の基板ホルダー６０を駆動する軸６２が導入され、こ
こには図示されていない駆動源により真空容器６０内で
軸６１のまわりに断続的々回転運動を行わせる。図示さ
れていない真空容器の底面（Ｖｌ）には排気口が設けら
れており、そこに接続されたポンプにより真空容器内を
排気して真空にすることができる。また絶対必要という
訳ではないが、第１のロードロック室２０、第２のロー
ドロック室４０にもそれぞれ独立したポンプを設けて排
気できることが真空容器内の不純物ガス分圧を低く維持
するだめには望ましい。真空容器１０には図示されて・
はな１い４ガス導入系により通常はアルゴンガスが導入
され、その流量とポンプの排気速度を均衡させることに
よりグロー放電を行い、スフ９ツタリングを行うのに適
切な圧力の平衡状態を作ることができる。なお真空容器
の各面に取付けられる各構造物は絶縁スペーサー５３　
、５３’を用いて真空容器の真空を維持できるようなシ
ール機構を有している。

次にウェハーの移送順序について説明する。は（９） じめに主として第１図を参照すると２作業者は薄膜をそ
の上に作製すべきウェハー９１を複数個鉛直な状態で収
容したカセット８１をカセットガイド７０に取付ける。

次ぎにロードロック・ぐルブ２５を閉じ第１のロードロ
ック室２０が大気状態にされ１図示されてない扉開閉機
構により自動的にその扉が開いて２点鎖線２１で示す位
置に移動され、その状態で図示されていないウエノ・−
上下機構により矢印ａで示す軌跡に沿って９２の位置に
移送され固定される。次いで扉開閉機構により扉は閉じ
ることによりウエノ・−は矢印すで示す軌跡に沿って一
点鎖線９３の位置に移行する。次いで第１のロードロッ
ク室を排気した後にロードロックバルブ２５を開いてウ
エノ・−９１を矢印ｃ　ｆ示す軌跡に沿って李＃＝；辛
基体挿着機構収納室３０に収納された図示されていない
基体挿着機構にまで移送し、一点鎖線９４の位置に固定
する。

次いでウニ・・−は基体挿着機構により矢印ｄで示す軌
跡に沿って基板ホルダーに挿着される。薄膜作製が行わ
れたウニ・・−の真空容器から大気側へ（１０） の搬送は、ここで第３図を参照すると、基体脱離機構・
基体脱離機構収納室３０′、ロードロック・ぐルブ２６
．第２のロードロック室４０を経由して今迄述べたのと
はちょうど逆の順序に従って行われ、処理済みのウニ・
・−は別のカセット８２′へ収納される。

前述のウニ・・−の移送は１枚づつ次々に行われ。

カセット８１はそこからウニ・・−が送り出される毎に
カセットガイド７０に沿って矢印αの方向に所定の間隔
で自動的に移動され、すべてのウエノ・−が送シ出され
たカセット８２は矢印βの方向に送られて作業者が装置
から取り除く。他方側のカセットガイド７０′には作業
者があらかじめ空のカセットを用意しておくと、これに
処理されだウエノ・−が１枚づつ収納され、１枚収納が
終了するたびに矢印β′の方向に沿って自動的に所定の
間隔で移動され、処理されたウエノ・−で一杯となった
カセット８２′を作業者が装置から受け取ることができ
る。なお第１及び第２のロードロック室の容積は可能な
限り小さいことが望ましい。特に前記の説明とは異って
ロンドロック室の排気を行わずにロードロック・ぐルブ
を開いてウニ・・−を移送する場合には、ロードロック
室内の大気圧成分が真空容器内に流入しス・母ツタリン
グ最中の不純物ガス分圧を高めることになるので、この
ことは極めて重要である。

次に特に第３図を参照して真空容器内のウエノ・−の搬
送を更に詳細に説明する。真空容器内に導入されたウェ
ハー９１は図示されていない基体挿着機構により矢印ｄ
で示す軌跡に沿って移動され。

４枚のウェハー取付面をもつ基板ホルダー６０の１つの
面に取付けられて９１Ａに示す位置に固定される。次い
で基板ホルダー６０は回転軸６１のまわりに矢印ｊで示
す方向に約９０°回転して停止する。この結果前述のウ
ニ／％−は位置９１Ｂに移動しスパッタリングが起こる
ターゲツト面５１に対向する。ターゲツト面置 を介して真空容器壁面に取付けられだス・ぐツタ電極５
０に組込まれ、スパッタ電源１００から給電線１０１を
介して電力を供給される。ス・やツタ電源１００はＤＣ
ス・やツタリングを行う場合には一般にアース電位にあ
る真空容器金属壁に対して負の高電圧を電極５０に印加
する。なお高周波ス・ぐツタリングの場合はス・ぐツタ
電源１００として高周波電圧が供給される。かくして既
に述べたように、真空容器内は放電を行うのに適した圧
力に保持することができ、その状態で電力を供給すると
ターゲット５１から放出されるス・母ツタ原子が基体９
１０表面に付着し薄膜を形成する。所定の電力で所定の
時間放電を行うことにより所期の厚みの薄膜を得ること
ができる。次いで基板ホルダー６０は軸６１のまわりに
矢印ｊで示す方向に約９０°回転して停止し、この結果
ウニ・・−は位置９１Ｃに移動する。そして図示されて
いない基体脱離機構により矢印ｅで示す軌跡に沿って移
動され、基体脱離機構収納室３０′・ロードロックバル
ブ２６・第２のロードロック室４０を順次経由して大気
側に送りだされ、カセットに収容されてから矢印β′で
示す方向に移行する。

なお真空容器１０には必要に応じて更にもう−（１３） つのス・母ツタ電極５０′を組込むことができる。そし
て基板ホルダーの回転方向を前述の場合とは逆に矢印ｊ
′で示すように選らべば９位置９１Ｄにおいてターゲッ
ト５１′よりスフ４ツタする原子を堆積して薄膜を形成
することができる。２個のス・母ツタ電極５０　、５０
’に相異る材質のターケ”ツ）５１゜５１′を取付けて
回転方向を矢印ｊかあるいは矢印ｊ′かの一方に選らぶ
ことと、スパッタリングをすべき電極５０あるいは５０
′のいずれか一方を選らび、また電力を供給すべきス・
やツタ電源１００あるいは１００′かのいづれか一方を
選らぶことにより、同じ装置を用いて２種類の相異る薄
膜を作製することができる。また図示はしてないが、ツ
ノ４ツタ電極５０　、５０’には電力が供給され熱が発
生するために電極組立５２　、５２’には通常冷却水を
流しである。

以下余日 （１４） 第４図は本発明の第２の実施例の構成をあられした図で
あシ、第１の実施例の変形である。第１の実施例と異る
点は第２図の真空容器の面■に相当する面に基体脱離機
構収納室３σ、ロードロックバルブ２６．第２のロード
ロック室４０が設けられ、更に第２図の真空容器の面■
に相当する面にスパッタ電極５０が取付けられているこ
とである。この結果基板ホルダー６０の上に挿着された
ウェハーは軸６１のまわりの矢印ｊの方向の約９０°毎
の断続回転により２位置９１Ｂでターゲット５１′と対
向して第１の薄膜が形成せられ１次いで位置９１．ｃで
ターゲット５１と対向して第２の薄膜が形成せられ、更
に位置９１Ｄにおいて基板ホルダーから脱離せしめられ
矢印ｅに示す軌跡に沿って移送される。ターゲット５１
と５１′が同材質の場合には通常位置９１Ｂと位置９１
Ｃで作製した膜の境界の区別はつかないが、異る材質の
場合とはウェハーの上に材質の異る２層の薄膜を形成す
ることができる。

このような構成の装置では、薄膜を作製すべきウェハー
を収容したカセットは矢印αの方向に進み、すべてのウ
ェハーを真空容器に送シ込んでからになった状態で矢印
βの方向にすすみ装置から取シ除かれる。また薄膜が形
成されたウェハーを収容すべきカセットは装置に取付け
られα′の方向に移動しながらウェハーを順次収容し、
β′の方向に装置から取シ除かれる。従ってウェハーの
入ったカセットは本装置によって薄膜作製の処理を行う
ことによシ約９０°進行方向を変えるようになる。

第５図は本発明の第３の実施例である。ここに基体着脱
機構によって行われる。その結果第１の実施例、第２の
実施例で述べた基体挿着機構収納室と基体脱離機構収納
室は別々の場所に設けず。

図に示すように真空容器の面Ｉに基体着脱機構収納室３
０が設けられ、更にその両側にロードロックバルブ２５
を介して第１のロードロック室２０とロードロックバル
ブ２６を介して第２のロードロック室４０が設けられて
いる。そして真空容器の面■１面■、及び面■には必要
に応じて最高３個までのスパッタ電極を取付けることが
できる。

ウェハーの搬送が矢印ａ、ｂ、ｃ、ｄに示す軌跡に沿っ
て基板ホルダーに取付けられる迄は既に述べた実施例と
同じであるが、薄膜形成後に基板ホルダーから取りはず
され矢印ｅに示す軌跡に沿って再び基体着脱機構収納室
３０に戻る。次いでロードロックバルブ２６を開き矢印
ｆに示す軌跡に沿ってウェハーを第２のロードロック室
４０の内部の一点鎖線９５に示す位置に移送され固定さ
れる。次いでロードロックバルブ２６を閉じてロードロ
ック室が大気にされ図示されていない扉開閉機構によシ
その扉が自動的に開いて２点鎖線４１で示す位置まで動
かされ、それに従いウェハーは矢印ｇに沿って一点鎖線
９６の位置にまで移行される。更にウェハーは図示され
ていないウェハー上下機構によシ矢印りに沿って開いた
扉４１の下部にあるカセット８２内に収容される。扉か
らカセットへウェハーが移送された後扉は再び閉じられ
、望ましくは第２のロードロック室専用のボン（１７） プに排気され次の処理されたウエノ・−が送シ込まれて
くるのに待期する。

本実施例においては薄膜作製をすべきウエノ・−９１を
収容した°カセット８１はカセットガイド７０に沿って
αの方向に移動するが、未処理のウェハーを送シ出した
あとはそのｉｔ移動して次に処理済みのウエノ・−９９
を収容するカセット８２として使用することができる。

処理済みのウエノ・−を収容したカセット８２は矢印β
の方向に移動できる。なお第１のロードロック室の扉と
第２のロードロック室の扉の開閉運動の回転方向を本図
の如く同じ方向にすることによシ、未処理ウェハー収容
カセット８１内のウェハー９１の薄膜を作製すべき面と
処理済みウェハー収容８２の内のウニ・・−９９の薄膜
が形成された面とは共にカセットの進向方向α及びβに
対して同じ向きにすることができる。

第６図は第５図の第３の実施例におけるウェハーの搬送
と真空容器内部の関係を更に詳細に説明するものである
。図において各部の番号は第５図（１８） と共通になっている。真空容器内に導入されたウェハー
９１は基体着脱機構により矢印ｄに沿って移動し先ず位
置９１．　Ａにおいて基板ホルダー６０の１つの面に挿
着される。次いで基板ホルダーは軸６１のまわシを矢印
ｊの方向に約９０°回転し。

ウェハーは位置９１．　Ｂに停止ここでターケゞット５
１に対向する。電源１００から給電線１０１を経てスパ
ッタ電極５０に電力を供給することにょシ位置９　］、
　Ｈにおいて薄膜形成される。次に再び基板ホルダーは
約９０°回転し、ウェハーは位置９１、　Ｃに移り必要
に応じて設けられたスパッタ電極５σでス・ぐツタリン
グを行う。基板ホルダーの約９０°の断続回転を行うこ
とにより最初のウェハーはまた位置９］Ａに戻り基体着
脱機構にょシ矢印ｅに沿って基体着脱機構収容室３０に
戻り、ロードロックバルブ２６を経由して第２のロード
ロック室４０へ移送される。

基板ホルダー６０は４個のウェハー挿着面を持っている
。従って位置９１．　Ａにおけるウェハーの挿着と脱離
の時間を位置９１　Ｂ　、　９　］、　Ｃ、９］、　Ｄ
におけるウェハーへの薄膜形成の時間とあわせることに
より、この４個所における作業を同時に進行させること
ができる。この第６図には３個のス・ぐツタ電極が同一
真空容器内に組込まれている場合が示されているり：、
この場合異るターゲットを用いて３層の異る材質の薄膜
をウェハー上に作製することができる。また一部のスパ
ッタ電極のかわ９にウェハーを加熱するだめの赤外線照
射ランプを設けたり、ウェハーを電子衝撃するための電
子シャワー源、あるいはイオン衝撃するためのイオンシ
ャワー源を設けたシすることにより、ス・やツタ膜の作
製の前段階あるいは後段階で同一真空中でウェハーの加
熱２表面清浄化および薄膜エツチング処理を行うことも
可能である。

第７図は本発明の第４の実施例の構成を示す図であシ、
第３の実施例の変形である。真空容器の面ｒ、ｎ、■は
第３の実施例と同様の構成となっている。しかじ面■は
面Ｉと鏡面対称となるように第１のロードロック室２σ
、ロックバルブ２５′。

基体着脱機構収納室３σ、ロックバルブ２６’及び第２
のロードロック室４σが設けられている。そして装置に
は図示してはないがこれら２つの面に沿ってカセットガ
イドが合計２個設けられている。

未処理のウェハー９１を収容したカセットが矢印αに沿
って装置に組込まれ、−万態の未処理ウェハー９１′を
収容したカセットが矢印αに沿って装置に組込まれる。

ウェハー９１は第１のロードロック室２０．ロックバル
ブ２５．基体着脱機構収容室３０を経由して矢印ｄに沿
って位置９　’１．　Ａで基板ホルダー６０に挿着され
２次いで基板ホルダー６０の軸６１の壕わシの回転によ
り移動して位置９１Ｂにて薄膜を形成されて後に更に回
転移動し２位置９１Ｃにおいて基板ホルダーから脱離さ
れ矢印ｅ′に沿ってもう一方の基体着脱機構収容室３σ
、ロードロックバルブ２σ、第２（７）ロードロック室
４σを経て真空容器外に送りだされる。−万態のカセッ
トに入っている未処理のウェハー９１′は他方の第１の
ロードロック室２σ、ロックバルブ２５′、基体着脱機
構収容室３σを経由して矢印ｄに沿って位置９１Ｃで基
板ホルダー６０に（２１） 挿着され２次いで基板ホルダー６０の軸６１のまわシの
回転により移動して位置９　］、　Ｄにて薄膜を形成さ
れて後に更に回転移動し位置９　］、　Ａにおいて脱離
され、矢印ｅに沿って基体着脱機構収容室３０．０−ト
ｔｆｆツクバルーｙ’２６．第２（Ｄロードロック室４
０を経て大気側に送シ出される。基板ホルダー６０は４
枚のウェハーを挿着できる面を持っているので２位置９
１Ａにおけるウェハー９１の挿着とウェハー９１′の脱
離の時間１位置９１Ｃにおけるウェハー９１′の挿着と
ウェハー９１の脱離の時間２位置９１Ｂにおける薄膜形
成の時間及び位置９１Ｄにおける薄膜形成の時間の計４
つの時間をあわせることにより、この４箇所における作
業を同時に進行することができる。この第４の実施例は
特に薄膜作製のための必要時間は充分短かく装置の生産
性はウェハーの搬送に要する時間で決まる場合に、前述
迄の実施例よりも大きな生産性が得られる効果がある。

以上ウェハーへ薄膜を作製するためのスパッタ装置の場
合について本発明の具体的実施例を述べ（２２） たが２本発明の応用できる基体材質は半導体のシリコン
ウエノ・−に限定されるものではなく、金属。

ガラス及びセラミック等の無機絶縁物、有機グラスチッ
ク等にも適用できる。また形状についてもシリコンウェ
ハーのような円形のものだけではなく、矩形はじめ各種
板状の基体にも使用できる。

更に本発明の具体的応用例ではスパッタリングによるウ
ェハー上への薄膜形成について説明を行ったが、各種の
変形が可能である。基板ホルダーに電圧を印加した状態
で基体上に薄膜を形成するバイアスス／４　ツタリング
及びアルゴン以外の活性ガスを添加して放電を行い薄膜
を形成するりアクティブスパッタリング等の技術にも適
用できる。更に又１本発明の要旨はスパッタリングによ
る薄膜作製のみに限定されるものではない。例えばプラ
ズマＣＶＤ　、プラズマ重合等の薄膜作製も具体的実施
例における装置の構成を殆んど変えることなく達成する
ことができる。なおまた第３の実施例の説明において一
部のスパッタ電極のかわシにイオンシャワー源を設ける
ことについて説明したが。

その代りに全部をイオンシャワー源に置換えて外部で形
成した薄膜をエツチング加工する装置としても使用する
ことができる。また全部をイオンシャワー源として種々
のエツチングを行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の薄膜処理装置の構成の一部を余１めから
見た図、第２図は本発明の第１の実施例によるウエノ・
−に薄膜を形成するためのス・母ツタ装置の一部を斜め
からみた図、第３図は本発明の第１の実施例におけるウ
ニ・・−搬送部およびスパッタ部の断面概略図、第４図
は本発明の第２の実施例の断面概略図、第５図は本発明
の第３の実施例で、未処理ウニ・・−収容カセットを処
理ウェハー収容カセットとして使う機構の斜視図、第６
図は本発明の第３の実施例におけるウェハー搬送機構の
断面概略図、第７図は本発明の第４の実施例の構成の断
面概略図である。 記号の説明二１０は真空容器、２０及び２σは第１のロ
ードロック室、２５および２６はロードロックバルブ、
３０および３σは基体挿着機構収納室、４０及び４σは
第２のロードロック室。 ５０はスパッタ電極、６０は基板ホルダー、７０ている
。 （２５） 第１図 、５ 特開口ＲＧＯ−３９１Ｇ２　（８） 第３図 乃４１２１ 帛５図 特開昭ＧＯ−３９１Ｇ２　（９） 招６図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）真空容器中回転可能に設けられ、薄膜処理すべき
   基板を複数個同心状に保持し得る基板ホルダーと、未処
   理の基板を大気側から前記真空容器中に挿入して前記基
   板ホルダーに装着し、この基板ホルダーの回転により所
   定位置で薄膜処理された基板を、該基板ホルダから脱離
   し該真空室内から大気側に取り出す基板移動手段とを有
   する薄膜処理装置において、前記基板ホルダーが鉛直な
   回転軸を持つ多面体構造をしていて、各面に前記基板を
   鉛直に近い姿勢で外方に向けて装置できるように構成し
   であることを特徴とする薄膜処理真空装置。
2. （２）真空容器中回転可能に設けられ、薄膜処理すべき
   基板を複数個同心状に保持し得る基板ホルダーと、未処
   理の基板を大気側から前記真空容器中に挿入して前記基
   板ホルダーに装着し、この基板ホルダーの回転によシ所
   定位置で薄膜処理された基板を、該基板ホルダから脱離
   し該真空室内から大気側に取り出す基板移動手段とを有
   する薄膜処理装置において、前記基板ホルダーが鉛直な
   回転軸を持つ多面体構造をしていて、各面に前記基板を
   鉛直に近い姿勢で外方に向けて装置できるように構成し
   、且つ前記基板移動手段が実質的に同じ高さに２組設け
   られ、而してこの２組の基板移動手段は同時に挿入装着
   と脱離取出しを行なうことが出来るように構成しである
   ことを特徴とする薄膜処理真空装置。