DE3119742A1 - Anlage zum bearbeiten von halbleiter-platinen - Google Patents

Anlage zum bearbeiten von halbleiter-platinen

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DE3119742A1
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Withdrawn
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DE19813119742
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John T. 94803 El Sobrante Calif. Davies
Richard E. 94546 Castro Valley Calif. Reichelderfer
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Branson International Plasma Corp
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Branson International Plasma Corp
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure

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Description

Beschreibung:
Die Erfindung bezieht sich auf eine Gasplasma-Reaktionsanlage im allgemeinen und im besonderen auf eine automatisierte Anlage und ein Verfahren zum Ätzen oder zum anderweitigen Bearbeiten von Halbleiterplatinen.
Bei den bisher verwendeten Reaktionsanlagen zum Bearbeiten von Halbleiterplatinen mittels eines Plasmas lassen sich zwei Grundtypen unterscheiden, nämlich ebene und zylindrische Reaktionsanlagen. Um den Durchfluß oder die Anzahl der bearbeiteten Platinen zu erhöhen, werden die Platinen chargenweise oder in dem Reaktor bearbeitet. Die Zahl der Platinen, die in einer vorgegebenen Zeit bearbeitet werden können, ist jedoch durch die Größe der Reaktionsanlage und durch die angewandte Bearbeitungsgeschwindigkeit begrenzt. Wenn die Platinen chargenweise bearbeitet werden, ist es zudem im allgemeinen schwierig, von Platine zu Platine und von Produktionsreihe zu Produktionsreihe eine gleichmäßige Bearbeitung zu erzielen.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine neue und verbesserte Anlage und ein Verfahren zum Ätzen oder zum anderweitigen Bearbeiten von Halbleiterplatinen in einer Plasmaumgebung zu schaffen, wobei es auch möglich sein soll, die Platinen verschieden zu bearbeiten.
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Dabei soll es auch möglich sein, den Betrieb von einem Rechner automatisch zu steuern.
Die erfindungsgemäße Reaktionsanlage weist eine zum Bearbeiten der Platinen vorgesehene Reaktionskammer mit einem Förderer auf, um die Platinen in die und aus der Reaktionskammer durch Beladungsschleusen zu transportieren. In der Reaktionskammer ist eine erste stationäre Elektrode eingebaut, und eine zweite Elektrode ist auf einem Schwingarm montiert, der von einer Platinenaufnahmestellung in der Nähe des Förderers zu einer Platinenbearbeitungsstellung benachbart zu der ersten Elektrode schwenkbar ist. Die Platinen werden von dem Förderer zu der zweiten Elektrode weitergeleitet und werden an der Elektrode gehalten, um den Schwenkvorgang zu der Bearbeitungsstellung durchzuführen. Der Kammer wird ein Reagenzgas zugeleitet und die Elektroden werden erregt, um das Gas zu ionisieren und um ein Plasma zwischen den Elektroden zur Bearbeitung der Platinen zu bilden. In der bevorzugten Ausführungsform wird die Platine an der zweiten Elektrode mit Hilfe einer Vakuumklemmvorrichtung gehalten, und die erste Elektrode weist eine Platte aus porösem Material auf, durch die das Gas der Kammer zugeführt wird. Nach der Beendigung der gewünschten Bearbeitung schwenkt die zweite Elektrode zu der Platinenauf nahmestelle wieder zurück, wobei die Platine zu dem Förderer zurückgegeben und aus der Kammer herausgeschafft wird. Die Reaktionsanlage arbeitet automatisch und wird dabei durch einen Rechner gesteuert.
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Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigen im einzelnen:
Fig. 1: ein Blockschaltbild der erfindungsgemäßen Reaktionsanlage;
Fig. 2: eine Teilansicht der Reaktionskammer mit weggebrochenen Teilen;
Fig. 3: eine Teilansicht der stationären Elektrode in der Reaktionskammer mit weggebrochenen Teilen;
Fig. 4: einen Schnitt längs der Linie 4-4 in Fig. 2;
Fig. 5: einen Querschnitt längs der Linie 5-5 in Fig. 4;
Fig. 6: einen Querschnitt längs der Linie 6-6 in Fig. 4;
Fig. 7: einen Querschnitt längs der Linie 7-7 in Fig.
In Fig. 1 ist eine Reaktionsanlage mit einer Reaktionskammer 10 gezeigt, in der die Platinen bearbeitet werden. Die zu bearbeitenden Platinen werden in einer Eingangskassette und die fertig bearbeiteten Platinen in einer Ausgangskassette 12 gestapelt. Die beiden Kassetten sind außerhalb der Reaktionskammer angeordnet, wobei die Platinen zwischen den Kassetten und der Reaktionskammer durch einen durch einen Motor angetriebenen Förderer 13 transportiert werden.
Die Platinen werden der Reaktionskammer über Beladungsschleusen 16 und 17 zu- und von ihr abgeführt, die die Reaktionskammer ungeachtet der Durchlaßpassage für die
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Platinen geschlossen halten. Die Beladungsschleusen sind von üblicher Bauart und umfassen interne Kammern mit Einlaß- und Auslaßtüren auf gegenüberliegenden Seiten. Die Türen werden durch einen Türwächter 18 und 19 betätigt; bevor die Türen, die zu der Reaktionskammer führen, geöffnet werden, wird über eine Vakuumpumpe 21 der Druck in den Kammern der Beladungsschleusen gesenkt, bis er unterhalb des Drucks in der Reaktionskammer liegt. Bevor die Außentüren geöffnet werden, werden die Kammer der Beladungsschleusen mit einem reaktionsträgen Gas durchflutet, wobei der Druck in diesem Kammern bis über Atmosphärendruck ansteigt.
Wie später noch weiter ausgeführt wird, sind in der Reaktionskammer eine stationäre Elektrode 23 und eine bewegbare Elektrode 24 vorgesehen. Die bewegbare Elektrode 24 empfängt die Platinen von dem Förderer und hebt sie in eine umgekehrte Stellung über die stationäre Elektrode 23, um sie in einem zwischen den Elektroden gebildeten Plasma zu bearbeiten. Die bewegbare Elektrode 24 wird durch einen Antriebsmotor 26 zwischen einer Aufnahme- und einer Bearbeitungsstellung der Platinen hin- und hergeschwenkt, wobei die Platinen an der bewegbaren Elektrode durch eine mit Unterdruck arbeitende Klanmvorrichtung gehalten werden.
Die Reaktionsgase und andere Gase (z.B. Spühlgase) werden von einer oder mehreren Gasquellen 27 über Strömungsregler 28 in die Reaktionskammer eingeleitet. Durch eine Absaugpumpe 29 werden die Gase über ein Drosselventil 30 von der Reaktionskammer abgepumpt. Das für die Elektrodenklemmvorrichtung benötigte Vakuum wird durch die Pumpe 29 über ein elektromagnetisch betätigbares Ventil 31 erzeugt.
Über einen Hochfrequenz-Generator 32, der mit einer entsprechenden Leistung und Frequenz arbeitet, wird die Elektro-
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energie zum Erregen der Elektroden bereitgestellt. Der Ausgang des Hochfrequenz-Generators 32 ist über ein Anpassungsnetzwerk 33 mit den Elektroden verbunden. Von einer Kühlquelle 34 aus zirkuliert ein Kühlmittel durch die Elektroden, um sie auf einer gewünschten Temperatur zu halten. Ein Sensor am Kühlmittelspeicher mißt die Temperatur des Kühlmittels, die wiederum durch die Kühlquelle reguliert wird.
Lagesensoren 36 und 37 für die Platinen sind in die Reaktionskammer eingebaut; diese Lagesensoren 36 und 37 erkennen, wenn eine Platine von dem Förderer zu der bewegbaren Elektrode 24 oder von dieser zurück zum Förderer 13 übergeben wird. Vorzugsweise bestehen diese Sensoren aus photoelektrischen Bauteilen; sofern dies gewünscht wird, können aber auch andere geeignete Sensoren Verwendung finden. Der Druck in der Reaktionskarnmer wird durch einen Sensor 39 überwacht; die Vollendung der Reaktion wird durch einen Abschluß-Sensor 41 festgestellt. Der Sensor 41 ist ein optischer Sensor, bei dem sich das Bearbeitungsende durch die Wellenlänge des Lichts bestimmt, das von einer bestimmten erregten Spezie emitiert wird, die bei Beendigung des Bearbextungsprozesses einem Konzentrationswechsel unterliegen.
Der Arbeitsvorgang der Reaktionsanlage wird durch einen Rechner 46 gesteuert, der entsprechend der Bearbeitungsweisen der Platinen programmiert ist. Jeder geeignete Rechner kann dabei benutzt werden, wobei im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein Mikroprozessor verwendet wird. Der Rechner 46 erhält einerseits Eingangssignale von den Lagesensoren der Platinen, den Drucksensoren, dem Strömungsregler, dem Hochfrequenz-Generator, dem Förderer, den Beladungsschleusen und den Abschlußsensoreri; andererseits erzeugt er Steuersignale für die Kassetten 11 und 12, den Antriebs-
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motor 14 für den Förderer, die Türwächter 18 und 19 der Beladungsschleusen, die Vakuumpumpe 21, den Antriebsmotor 26 der Elektrode, den Strömungsregler 28, das Drosselventil 30 der Absaugpumpe, das elektromagnetisch betätigbare Ventil 31 und den Hochfrequenz-Generator 32. Über eine Tastatur 47 können zusätzliche Informationen in den Rechner eingegeben werden; dabei können nur einige oder alle der Funktionen der Anlage über die Tastatur gesteuert werden. Eine durch den Rechner angesteuerte Anzeige 48 ermöglicht eine optische Darstellung der Konmandos der Daten und der Programmfolge. Die Information der Anzeige wird durch einen Drucker 49 oder ein anderes geeignetes Aufzeichnungsgerät aufgezeichnet. Zur Verbindung mit anderen Rechen-,Aufzeichnungs- und Eingabegeräte umfaßt . der Rechner auch geeignete Anschlüsse.
Nähere Einzelheiten der Reaktionskammer und des Förderers sind in Fig. 2 gezeigt. Die Reaktionskammer ist rechteckig und wird durch einen Boden 51, eine nicht naher gezeigte Decke, eine Frontseite 52, eine Rückseite 53 und durch Seitenwände 54 und 56 gebildet. Ein Sichtfenster 57 ist in der Frontseite 52 vorgesehen und erlaubt einen Blick auf den in der Reaktionskammer ablaufenden Arbeitsvorgang. Eine Einlaßöffnung 58 für die Platinen ist in der Seitenwand 54 in der Nähe der Rückseite der Kammer und eine Auslaßöffnung 59 für die Platinen in der Seitenwand 56 auf der zu der Einlaßöffnung gegenüberliegenden Seite gebildet.
Der Förderer 13 besteht aus einem Hubbalkenförderer, der längliche Querstangen 61 bis 63 aufweist, die sich in Abschnitte gliedern und durch die Einlaß- und Auslaßöffnungen 58 und 59 erstrecken^ wodurch auch eine Verbindung zu den Beladungsschleusen hergestellt wird. Die Querträger-
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abschnitte sind in Längsrichtung im Abstand voneinander angeordnet, wobei die Türen der Beladungsschleusen so zwischen den Abschnitten angeordnet sind, daß die Querträger eine Bedienung der Türen nicht, behindern. Die drei Querträger sind mit dem Querträger 63 zwischen den Querträgern 61 und 62 Seite an Seite angeordnet. Die äusseren Querträger 61 und 62 werden in Bezug auf den inneren Querträger 63, von der Vorderseite der Reaktionskammer aus betrachtet, elliptisch angetrieben, wobei durch das wechselweise Heben und Senken der Querträger die Platinen durch die Anlage transportiert werden. In der in Fig. 2 gezeigten Stellung sind die Querträger in Axialrichtung mit der Elektrode 24 ausgerichtet. In dieser Stellung ist die Elektrode in einem Rundloch 64 zwischen den Querträgerabschnitten angeordnet, wobei die Oberseite der Elektrode ein wenig unterhalb der Oberseiten der Querträger angeordnet ist.
Der Förderer umfaßt auch Mittel zur Übergabe der Platinen von den Hubbalken zu der bewegbaren Elektrode 24 und umgekehrt. Diese Mittel bestehen aus mehreren Fingern 66, die frei durch Öffnungen 67 in der Elektrode durchgreifen und über die Oberseite der Elektrode hinausragen. Die dem Weitertransport der Platinen dienenden Finger sind betriebsmäßig mit den Querbalken über einen Verbindungsstab 68 verbunden und werden mit der gleichen elliptischen Bewegung wie die Querbalken angetrieben.
Die Lagesensoren 36 und 37 für die Platinen sind auf Halteklammern oder Armen 71 und 72 montiert und über dem mittleren Querträger des Förderers auf jeder Seite der Elektrode 24 angeordnet.
Die Elektrode 23 ist in einer stationären Lage zur Frontseite der Reaktionskammer hin im Bereich des Sichtfensters
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57 eingebaut. Diese Elektrode ist elektrisch von den Wänden der Reaktionskammer getrennt und mit dem "heißen" oder ungeerdeten Anschluß des Hochfrequenz-Generators verbunden. Die Elektrode 24 ist elektrisch auf Masse gelegt. Die Elektrode 23 umfaßt eine Platte 73 aus elektrisch leitendem, porösem Material, durch das das Reagensgas in die Reaktionskammer diffundiert. In der bevorzugten Ausführungsform ist die Platte aus gesintertem, korrosionsbeständigem Stahl hergestellt und weist eine Porengröße von ungefähr 35 Mikromillimeter (35 um) auf. In der gezeigten Ausführungsform ist die Platte rund und scheibenförmig ausgeführt; am Rand ist ein Haltering 74 an der Platte 73 durch geeignete Maßnahmen wie z.B. durch Aufschrumpfen befestigt.
Wie Fig. 3 zeigt, weist die Elektrode 23 einen zylindrischen Elektrodenkörper 76 aus elektrisch leitendem Material mit einem darunter angeordneten Elektrodenfuß 77 auf. In dem unteren Abschnitt des Elektrodenkörpers 76 ist ein Kühlmantel 78, und in dem oberen Abschnitt des Elektrodenkörpers 76 ist eine Gasverteilungskammer 79 gebildet. Eine runde Bodenplatte 81 ist an der Außenwand des Elektrodenkörpers 77 befestigt und bildet die Grundplatte des Kühlmantels Mehrere gebogen angeordnete Umlenkbleche 82 bilden radiale und sich bogenförmig erstreckende Kanäle 83 in der Gasverteilungskammer 79. Die Platte 73 ist auf den oberen Abschnitt des Elektrodenkörpers 76 montiert und bildet die Deckwand der GasVerteilungskammer 79. Die Gasverteilungskammer 79 und der Kühlmantel 78 erstrecken sich durch die seitliche Ausdehnung der Platte 73 und ermöglichen dadurch eine gleichmäßige Verteilung des Gases und eine gleichmäßige Kühlung der Platte 73.
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Der Elektrodenfuß 77 umfaßt ein sich von dem mittleren Abschnitt der Bodenplatte 81 nach unten erstreckenden Hohlrohr 84. Eine Gaszuführungsleitung 86 erstreckt sich vertikal innerhalb des Hohlrohrs 84 durch die Bodenplatte 81 und durch den mittleren Wandabschnitt 87 des Elektrodenkörpers 76, um eine Verbindung zwischen der Gasquelle und der Gasverteilungskammer 79 herzustellen. Darüber hinaus erstreckt sich in den Elektrodenfuß auch ein vertikales Kühlrohr 88, das durch die Bodenplatte 81 zum Kühlmantel 78 führt.Das Kühlmittel wird dem Kühlmantel über einen Durchflußweg 89 und eine Öffnung 91 in der Bodenplatte 81 zugeführt, wobei der Durchflußweg 89 aus der Außenwand der Röhren 86 und 88 und der Innenwand des rohrförmigen Elektrodenfusses 77 gebildet wird. Das Kühlmittel fließt über das Rohr 88 wieder zur Kühlquelle zurück.
Die Elektrode 24 ist auf einen Schwenkarm 92 montiert, um eine Verschwenkung zwischen der Aufnahmestellung, wie sie in Fig. 2 gezeigt ist, und einer Bearbeitungsstellung über der stationären Elektrode 23, bei der die Platinen eine in Bezug zur Aufnahmestellung umgekehrte Lage einnehmen, zu ermöglichen. Der Schwenkarm 9 2 ist fest an der Welle 9 3 mit quadratischem Querschnitt mit Hilfe einer Kappe 94 und Schrauben 96 befestigt. Die Welle 9 erstreckt sich zwischen den Seitenwänden 54 und 56 der Reaktionskammer und ist drehbar in einem Lager und in einer Dichtungsanordnung 97 gelagert, über Leitungen 98 und nicht näher gezeigte, in der Welle 93 und im Schwingarm gebildete Durchflußwege zirkuliert das Kühlmittel durch die Elektrode 24.
Darüber hinaus sind Mittel vorgesehen, um die Platinen an der Oberseite der Elektrode 24 beim Umschwenken der Elektrode zu der Bearbeitungsstellung über der stationären Elektrode 23 festzuhalten. Diese Mittel bestehen, wie in
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den Fig. 4 bis 7 gezeigt ist und nachfolgend noch beschrieben wird, aus einer Vakuumklemmeinrichtung. Der Unterdruck für die Vakuumkleitimeinrichtung wird über die Absaugpumpe 29 über das elektromagnetisch betätigbare Ventil 31, eine Vakuumleitung 99 und nicht näher gezeigte Durchflußwege in der Welle 93 und im Schwenkarm 92 aufgebaut. Alternativ dazu können andere geeignete Mittel wie eine elektrostatische Klemmeinrichtung zum Festhalten der Platinen an der Elektrode Verwendung finden.
Ein Antriebszahnrad 1o1 ist auf der Welle 93 auf der Außenseite der Reaktionskammer angebracht und wird zum Verschwenken der Elektrode 24 zwischen der Aufnahmestellung und der Bearbeitungsstellung der Platinen durch einen Motor 26 angetrieben. Wie in den Fig. 4 bis 7 gezeigt, umfaßt die Elektrode 24 eine zylindrische Halteplatte 1o6, die eine ebene Oberseite 1o7 zur Aufnahme der Platinen aufweist. Vakuumdurchflußwege 1o8 erstrecken sich senkrecht durch die Halteplatte 1o6 und enden in Spalten 1o9, die auf der Oberseite der Halteplatte 1o6 ausgebildet sind. Diese Spalten 1o9 sind, wie in Fig. 2 gezeigt, so angeordnet, daß sie vollständig durch eine Platine üblicher Größe, z.B. mit einem Durchmesser von 7 - 1o cm (3-4 inch) bedeckt wird.
Durch eine Ausnehmung 111 im unteren Abschnitt der Halteplatte 106 wird ein Kühlmantel für die Elektrode 24 vorgesehen Die Vakuumdurchflußwege 1o8 sind als rechtwinklige Vorsprünge 112 ausgebildet, die sich durch den Kühlungsmantel erstrecken. Die öffnungen 67 für die die Platinen weitertransportierenden Finger 66 des Förderers 13 erstrecken sich durch rechteckige Vorsprünge 113 und unterbrechen die Oberfläche der Halteplatte 1o6.
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Ein Steg 116 ist auf der Unterseite der Halteplatte 1o6 auf einer Seite des Kühlmantels gebildet. Ein Kühlmittelverteilungsrohr 117 weist mehrere Ausströmöffnungen 118 auf, die sich in den Kühlmantel zwischen den rechteckigen Vorsprüngen erstrecken, und die mit einem Einlaßweg 119 in dem Steg 116 in Verbindung stehen. Der Auslaßweg 121 für das Kühlmittel ist in dem Steg 116 gebildet und steht direkt mit dem Wassermantel in Verbindung. Mit Gewinde versehene Bohrungen 122 sind in dem unteren Abschnitt des Steges 116 zur Aufnahme von nicht näher gezeigten Schrauben gebildet, durch die die Elektrode an dem Schwenkarm 92 befestigt ist.
Die Elektrode 23 umfaßt auch eine Dichtungsplatte 126, die in einer Flachsenke 127 auf der Unterseite der Halteplatte 1o6 eingesetzt ist. Die Öffnungen 67 für die die Platinen weitertransportierenden Finger erstrecken sich durch diese Platte, wozu Schlitze 1o8a in der Dichtungsplatte 126, die mit den Vakuumdurchflußwegen 1o8 fluchten, vorgesehen sind. Die Oberseite der Dichtungsplatte 126 liegt an der Unterseite der Vorsprünge 112, 113 und an dem Steg 116 der Halteplatte 1o6 an, um flüssigkeitsdicht zu sein. Der Einlaßweg 119 für das Kühlmittel und die Schrauben aufnehmenden Bohrungen 122 erstrecken sich durch die Dichtungsplatte 126,in der eine Kühlmittelausflußöffnung gebildet ist, die mit dem Auslaßweg 121 fluchtet.
Die Elektrode 24 umfaßt auch eine auf der Unterseite der Halteplatte 1o6 und der Dichtungsplatte 126 eingebaute Verteilerplatte 131. Auf der Oberseite der Verteilerplatte 131 ist ein Verzweigungsweg 132 gebildet, der mit einem Vakuumeinlaß 133, der sich durch die Verteilerplatte 131 erstreckt, in Verbindung steht. Der Verzweigungs-
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weg 132 enthält seitlich ausgehende Kanäle 136 und einen mittleren Verbindungskanal 137. Die Kanäle 136 sind unmittelbar unter den Schlitzen 1o8a angeordnet und stehen mit den Vakuumdurchflußwegen 1o8a in der Halteplatte 1o6 in Verbindung. Die öffnung 6 7 für die Finger 66 erstrecken sich ebenso wie der Kühlmittel-Einlaßweg 119, die Kühlmittelausflußöffnung 128 und die Schrauben aufnehmenden Bohrungen 122 durch die Verteilerplatte 131. Die Unterseite der Verteilerplatte 131 ruht auf der Oberseite des Schwenkarms 92 mit dem Vakuumdurchlaßweg, wobei die Kühlmittel-Einlaßund Auslaßöffnungen mit den entsprechenden Durchflußwegen in dem Schwenkarm 92 fluchten.
Die Ausstromöffnung 141 ist an der Seitenwand 54 in der Nähe der stationären Elektrode 23 gebildet und ist mit der Absaugpumpe 29 über eine Absaugleitung 142 und das Drosselventil 3ο verbunden.
Der Abschlußsensor 41 ist in der Seitenwand 56 der Ausströmöffnung 141 eingebaut. Ein nach oben gerichtetes, geöffnetes Gaseinlaßrohr 143 ist ebenfalls in der Seitenwand 56 benachbart zum Sensor 41 eingebaut. Bei einigen Arbeitsvorgängen ist es wünschenswert, gewisse Gase (z.B. Spühlgase) durch dieses Rohr einzuleiten, obgleich in der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform alle Gase durch die Platte 73 in die Reaktionskammer eingeführt werden.
Der Betrieb und die Anwendung der erfxndungsgemaßen Reaktionsanlage werden nachfolgend beschrieben. Dabei wird vorausgesetzt, daß der Rechner 44 entsprechend dem auszuführenden Arbeitsverfahren programmiert ist, z.B.hinsichtlich der Ätzung VOnSiIl1ZiUmSi3N4, SiO3, oder Aluminium.
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Eine Kassette mit zu bearbeitenden Platinen ist auf einem Stapel am Einlaßende des Förderers 13 aufgeladen und eine weitere Kassette zur Aufnahme der bearbeiteten Platinen ist am Auslaßende des Förderers angeordnet. Der Förderer transportiert jeweils zu einem gewissen Zeitpunkt eine der Platinen von der Einlaßkassette zu der Reaktionskammer. Wenn jede Platine die Beladungsschleuse erreicht, wird diese mit reaktionsträgem Gas gereinigt, und die äußere Tür öffnet sich, um die Platine durchzulassen. Diese Tür wird dann verschlossen, wonach der Druck in der Kammer der Beladungsschleuse bis unter den Druck in der Reaktionskammer gesenkt wird. Die innere Tür der Beladungsschleuse 16 wird dann geöffnet, und die Platine wird in die Reaktionskammer transportiert. Wenn die Platine die Elektrode 24 erreicht, wird sie mit ihrer Oberseite obenliegend von den Förderquerbalken zur Oberseite der Elektrode mittels der Finger 66 übergeben.
Wenn die Platinen zur Elektrode 24 weitergeleitet worden sind, wird der Motor 26 zum Abheben der Platinen von dem Förderer angeschaltet, und um die Platinen auf der Elektrode festzuhalten, wird die Vakuumklemmvorrichtung betätigt. Die Elektrode 24 schwenkt zur Elektrode 23, wobei die Platine in eine umgekehrte, mit ihrer Oberfläche nunmehr unten liegende Lage über der Oberfläche der Platte 73 gebracht wird.
Durch die poröse Platte 73 der Elektrode 23 strömt Gas in die Reaktionskammer und die Elektrode wird erregt, um das Gas zu ionisieren und ein Plasma zur Bearbeitung der Platinen zwischen den Elektroden aufzubauen. Wenn der Bearbeitungsprozeß beendet ist, was durch "den Sensor 41 festgestellt wird, wird die Elektrode 23 abgeschaltet und der Motor 26 betätigt, um die Elektrode 24 zurückzu-
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bewegen und dabei die Platine in die in Fig. 2 gezeigte Lage zu bringen. Der Förderer 13 wird dann wieder betätigt, um die Platine von der Elektrode 24 zu den Förderquerbalken und aus der Reaktionskammer durch die Auslaß-Beladungsschleuse 17 herauszuschaffen. Wenn die Platine die Beladungsschleuse erreicht, wird ihre innere Tür zunächst geöffnet und dann hinter der Platine wieder geschlossen. Wenn die innere Tür geschlossen ist, wird der Kammer der Beladungsschleuse Spülgas zugeführt und die äußere Tür geöffnet, so daß die Platine aus der Beladungsschleuse austreten kann. Wenn eine Platine die Reaktionskammer verläßt, wird die nächste eingeführt und zur Elektrode 24 weitertransportiert, um wie eben beschrieben bearbeitet zu werden.
Die Abgase werden von der Reaktionskammer durch eine Absaugpumpe 29 entfernt, wobei das Drosselventil 3o den gewünschten Druck in der Reaktionskammer, so wie er durch den Sensor 39 festgestellt wird, aufrechterhält.
Durch die erfindungsgemäße Anlage, die automatisch arbeitet und durch einen Rechner gesteuert wird, werden Unkosten für Bearbeitungspersonal vermieden und ein höherer Durchsatz -im Gegensatz zu einem Handbetrieb erzielt.
Das Plasma ist größenmäßig auf das Gebiet zwischen den Elektroden beschränkt; dies ermöglicht es, den Förderer und andere Bestandteile aus einem Material zu fertigen, das andererseits durch das Plasma angegriffen werden könnte.
Ein weiterer wichtiger Vorteil ist, daß die Reaktionskammer gegenüber der Atmosphäre nicht frei zugänglich ist; das hilft die Luft sauber und frei von Verunreinigungen zu halten.
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Claims (8)

Anlage zum Bearbeiten von HaIbIe i ter-Platinen Patentansprüche
1.)Anlage zum Bearbeiten von Halbleiter-Platinen, gekennzeichnet durch eine Reaktionskammer (10), eine erste in einer bestimmten Lage in der Reaktionskammer befestigten Elektrode (23), eine zweite auf einem Schwenkarm (92) befestigte Elektrode (24), um zwischen eine Aufnahmestellung der Platinen, entfernt von der ersten Elektrode, und einer Bearbeitungsstellung der Platinen, benachbart zu der ersten Elektrode zu schwenken, einen Förderer (13) zum Transport der Platinen zur und von der zweiten Elektrode (24), wenn sich diese in der Aufnahmestellung der Platinen befindet, Mittel zum Festhalten der Platinen an der zweiten Elektrode (24), um mit dieser Elektrode (24) zwischen der Aufnahmestellung und der Bearbeitungsstellung der Platinen verschwenkt zu werden, Mittel zum Einführen eines Reagensgases in die Reaktionskammer und Mittel zum Erregen der Elektroden (23, 24), um das Gas zu ionisieren und ein Plasma zum Bearbeiten der Platinen zwischen den Elektroden (23, 24) zu erzeugen, wenn sich die zweite Elektrode (24) in der Bearbeitungsstellung oberhalb der ersten Elektrode (23) befindet.
2. Anlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (23) eine Platte (73) aus porösem Material umfaßt, durch das Gas in die Reaktionskammer (10) einführbar ist,
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3. Anlage nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (23) einen Elektrodenkörper (76) aus elektrisch leitendem Material umfaßt, auf den die poröse Platte (73) montiert ist, die eine Gasverteilungskammer (79) in dem oberen Abschnitt des Elektrodenkörpers
(76) direkt unterhalb der porösen Platte (73) und eine Gaszuführungsleitung (86) aufweist, die mit der Gasverteilungskammer (79) in Verbindung steht.
4. Anlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Festhalten der Platinen an der zweiten Elektrode (24) eine Vakuum-Klemmvorrichtung umfassen.
5. Anlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Förderer (13) Hubbalken umfaßt, die relativ zueinander bewegbare längliche Querträger (61 - 63) zum Befördern der Platinen zur und von der zweiten Elektrode (24) aufweist, und mehrere Finger (66) mit den Querträgern (61 63) betrieblich verbunden sind und sich durch Öffnungen (67) in der zweiten Elektrode (24) erstrecken, um die Platinen auf die zweite Elektrode hin und von ihr runter zu befördern, -wenn sich die zweite Elektrode (24) in der Aufnahmestellung befindet.
6. Anlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer (10) Einlaß- (58) und Auslaßöffnungen (59) mit Beladungsschleusen (16, 17) umfaßt, durch die die Platinen· mittels des Förderers (13) transportiert werden.
7. Anlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anlage in einer vorbestimmten Weise durch einen Rechner (46) gesteuert wird.
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8. Anlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrode (24) einen Elektrodenkörper umfaßt, der zur Aufnahme der Platine eine ebene Wand aufweist, und eine Vakuumkammer in dem Elektrodenkörper, die mit einer Vakuumquelle (29) verbunden ist und mehreren sich durch die Wand erstreckenden Öffnungen (108), die mit der Vakuumkammer in Verbindung stehen, um das Vakuum auf der Rückseite einer auf der Wand aufliegenden Platine zu erzeugen.
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DE19813119742 1980-05-19 1981-05-18 Anlage zum bearbeiten von halbleiter-platinen Withdrawn DE3119742A1 (de)

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NL (1) NL8102414A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3204311A1 (de) * 1981-02-13 1982-09-09 Lam Research Corp., 95050 Santa Clara, Calif. Plasmaarbeitskammer mit verstellbaren elektroden

Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
JPS5816078A (ja) * 1981-07-17 1983-01-29 Toshiba Corp プラズマエツチング装置
DE3147986C2 (de) * 1981-12-04 1992-02-27 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren
US4381965A (en) * 1982-01-06 1983-05-03 Drytek, Inc. Multi-planar electrode plasma etching
US4551192A (en) * 1983-06-30 1985-11-05 International Business Machines Corporation Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography
JPS6020515A (ja) * 1983-07-14 1985-02-01 Ulvac Corp 真空処理装置
JPH0674504B2 (ja) * 1983-07-21 1994-09-21 キヤノン株式会社 堆積膜の製造方法
JPS6060060A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 株式会社日立製作所 鉄道車両の扉開閉装置
US4496423A (en) * 1983-11-14 1985-01-29 Gca Corporation Gas feed for reactive ion etch system
US4576828A (en) * 1984-05-17 1986-03-18 Geotel, Inc. Method and apparatus for plasma spray coating
JPS6130235U (ja) * 1984-07-26 1986-02-24 株式会社 プラズマシステム プラズマエツチング装置
US4657620A (en) * 1984-10-22 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Automated single slice powered load lock plasma reactor
US4657621A (en) * 1984-10-22 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Low particulate vacuum chamber input/output valve
US4657618A (en) * 1984-10-22 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Powered load lock electrode/substrate assembly including robot arm, optimized for plasma process uniformity and rate
US4657617A (en) * 1984-10-22 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Anodized aluminum substrate for plasma etch reactor
US4654106A (en) * 1984-10-22 1987-03-31 Texas Instruments Incorporated Automated plasma reactor
US4661196A (en) * 1984-10-22 1987-04-28 Texas Instruments Incorporated Plasma etch movable substrate
US4659413A (en) * 1984-10-24 1987-04-21 Texas Instruments Incorporated Automated single slice cassette load lock plasma reactor
BG41744A1 (en) * 1984-11-26 1987-08-14 Savov Method for control of chimico= thermic processing of work- pieces with glowing dicharge in medium of processing gas and device for implementing this method
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
JPS61263127A (ja) * 1985-05-15 1986-11-21 Rohm Co Ltd エツチング装置
JPH06101780B2 (ja) * 1985-05-22 1994-12-12 ミノルタ株式会社 画像読取装置
KR900001666B1 (ko) * 1985-07-19 1990-03-17 후지쓰가부시끼가이샤 화합물 반도체의 에피택셜층 성장용의 화학적 유기 금속 기상 성장장치
DE3689735T2 (de) * 1985-08-02 1994-06-30 Semiconductor Energy Lab Verfahren und Gerät zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen.
US5296405A (en) * 1985-08-02 1994-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co.., Ltd. Method for photo annealing non-single crystalline semiconductor films
US5753542A (en) * 1985-08-02 1998-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for crystallizing semiconductor material without exposing it to air
US4749440A (en) * 1985-08-28 1988-06-07 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
US4902531A (en) * 1986-10-30 1990-02-20 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Vacuum processing method and apparatus
US5755886A (en) * 1986-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for preventing deposition gases from contacting a selected region of a substrate during deposition processing
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
JPS63186875A (ja) * 1987-01-29 1988-08-02 Tadahiro Omi 表面反応成膜装置
US4997677A (en) * 1987-08-31 1991-03-05 Massachusetts Institute Of Technology Vapor phase reactor for making multilayer structures
JPS6481650A (en) * 1987-09-18 1989-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Flat type motor
US4951603A (en) * 1988-09-12 1990-08-28 Daidousanso Co., Ltd. Apparatus for producing semiconductors
WO1990010092A1 (en) * 1989-02-24 1990-09-07 Massachusetts Institute Of Technology A modified stagnation flow apparatus for chemical vapor deposition providing excellent control of the deposition
US5458724A (en) * 1989-03-08 1995-10-17 Fsi International, Inc. Etch chamber with gas dispersing membrane
US5002010A (en) * 1989-10-18 1991-03-26 Varian Associates, Inc. Vacuum vessel
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
US7089680B1 (en) 1990-08-29 2006-08-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
USRE39823E1 (en) * 1990-08-29 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39756E1 (en) * 1990-08-29 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US5578520A (en) 1991-05-28 1996-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for annealing a semiconductor
US5766344A (en) * 1991-09-21 1998-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor
US7097712B1 (en) 1992-12-04 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for processing a semiconductor
CN100367461C (zh) 1993-11-05 2008-02-06 株式会社半导体能源研究所 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法
US6897100B2 (en) 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
US5597439A (en) * 1994-10-26 1997-01-28 Applied Materials, Inc. Process gas inlet and distribution passages
US6699530B2 (en) * 1995-07-06 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Method for constructing a film on a semiconductor wafer
US5653806A (en) * 1995-03-10 1997-08-05 Advanced Technology Materials, Inc. Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same
US5708556A (en) * 1995-07-10 1998-01-13 Watkins Johnson Company Electrostatic chuck assembly
TW283250B (en) 1995-07-10 1996-08-11 Watkins Johnson Co Plasma enhanced chemical processing reactor and method
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
AU6962196A (en) 1995-09-01 1997-03-27 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Wafer support system
US5609720A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Lam Research Corporation Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching
JPH09172001A (ja) * 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 半導体製造装置の温度制御方法および装置
US5741363A (en) * 1996-03-22 1998-04-21 Advanced Technology Materials, Inc. Interiorly partitioned vapor injector for delivery of source reagent vapor mixtures for chemical vapor deposition
US5986874A (en) * 1997-06-03 1999-11-16 Watkins-Johnson Company Electrostatic support assembly having an integral ion focus ring
AT408930B (de) * 1999-01-13 2002-04-25 Thallner Erich Vorrichtung zur chemischen behandlung von wafern
US6118218A (en) * 1999-02-01 2000-09-12 Sigma Technologies International, Inc. Steady-state glow-discharge plasma at atmospheric pressure
US20010035403A1 (en) 2000-05-18 2001-11-01 Albert Wang Method and structure for producing flat wafer chucks
US6838114B2 (en) * 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US6821347B2 (en) 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6955725B2 (en) 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6926775B2 (en) * 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6818249B2 (en) * 2003-03-03 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7335396B2 (en) * 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7344755B2 (en) * 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7235138B2 (en) * 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) * 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) * 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) * 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7647886B2 (en) * 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7584942B2 (en) 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US20050249873A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Demetrius Sarigiannis Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices
US8133554B2 (en) * 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) * 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US7156470B1 (en) * 2004-06-28 2007-01-02 Wright James P Wheel trim hub cover
US20060165873A1 (en) * 2005-01-25 2006-07-27 Micron Technology, Inc. Plasma detection and associated systems and methods for controlling microfeature workpiece deposition processes
US7988872B2 (en) * 2005-10-11 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Method of operating a capacitively coupled plasma reactor with dual temperature control loops
US8092638B2 (en) * 2005-10-11 2012-01-10 Applied Materials Inc. Capacitively coupled plasma reactor having a cooled/heated wafer support with uniform temperature distribution
US8157951B2 (en) * 2005-10-11 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control
US8034180B2 (en) * 2005-10-11 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Method of cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
US8608900B2 (en) * 2005-10-20 2013-12-17 B/E Aerospace, Inc. Plasma reactor with feed forward thermal control system using a thermal model for accommodating RF power changes or wafer temperature changes
US8092606B2 (en) 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
WO2010008021A1 (ja) * 2008-07-15 2010-01-21 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP5257328B2 (ja) * 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US9136155B2 (en) 2011-11-17 2015-09-15 Lam Research Ag Method and device for processing wafer shaped articles
US9269544B2 (en) 2013-02-11 2016-02-23 Colorado State University Research Foundation System and method for treatment of biofilms
DE102014205695B4 (de) 2014-03-27 2016-01-28 Christof-Herbert Diener Niederdruckplasmaanlage mit sequentieller Steuerung
JP6285305B2 (ja) * 2014-07-22 2018-02-28 住友化学株式会社 半導体製造装置及び半導体の製造方法
CN108227413B (zh) * 2016-12-15 2023-12-08 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种光刻胶去除装置及其清洗方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3326717A (en) * 1962-12-10 1967-06-20 Ibm Circuit fabrication
US3528906A (en) * 1967-06-05 1970-09-15 Texas Instruments Inc Rf sputtering method and system
US3756939A (en) * 1971-10-14 1973-09-04 Materials Research Corp Target mounting device for sequential sputtering
US3857479A (en) * 1972-06-26 1974-12-31 J Brems Prime mover mechanism and transfer system
US3838031A (en) * 1972-09-15 1974-09-24 A Snaper Means and method for depositing recrystallized ferroelectric material
US4192706A (en) * 1975-01-22 1980-03-11 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Gas-etching device
JPS5291650A (en) * 1976-01-29 1977-08-02 Toshiba Corp Continuous gas plasma etching apparatus
US4252595A (en) * 1976-01-29 1981-02-24 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Etching apparatus using a plasma
JPS5378170A (en) * 1976-12-22 1978-07-11 Toshiba Corp Continuous processor for gas plasma etching
DE2730819A1 (de) * 1977-07-07 1979-01-25 Siemens Ag Plasma-aetzverfahren
US4208159A (en) * 1977-07-18 1980-06-17 Tokyo Ohka Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for the treatment of a wafer by plasma reaction
JPS5421175A (en) * 1977-07-18 1979-02-17 Tokyo Ouka Kougiyou Kk Improvement of plasma reaction processor
US4131267A (en) * 1978-06-02 1978-12-26 Disco Kabushiki Kaisha Apparatus for holding workpiece by suction
US4209357A (en) * 1979-05-18 1980-06-24 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3204311A1 (de) * 1981-02-13 1982-09-09 Lam Research Corp., 95050 Santa Clara, Calif. Plasmaarbeitskammer mit verstellbaren elektroden

Also Published As

Publication number Publication date
GB2075921A (en) 1981-11-25
JPH0158653B2 (de) 1989-12-13
IT1138342B (it) 1986-09-17
CA1161966A (en) 1984-02-07
JPS5710238A (en) 1982-01-19
IT8121802A0 (it) 1981-05-19
FR2482782A1 (fr) 1981-11-20
US4313783A (en) 1982-02-02
GB2075921B (en) 1984-02-08
NL8102414A (nl) 1981-12-16
CH642484A5 (fr) 1984-04-13

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