DE69824562T2 - System zum transport von wafer von kassetten zum ofen und verfahren - Google Patents

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Description

  • Die Erfindung betrifft den Transport von Wafern in Wafer-Gestellen.
  • Bei der Behandlung von Halbleiterscheiben oder Wafern werden diese nach dem Stand der Technik in Wafer-Gestellen angeordnet, wobei die Wafer-Gestelle in Öfen eingeführt werden und danach eine Behandlung bei erhöhter Temperatur stattfindet, wobei eine beliebige Art von Prozessgas zugeführt wird. In dem US-Patent US-A 5 407 449, das an die ASM International N. V. abgetreten worden ist, wird ein System beschrieben, bei dem die Wafer auf herkömmliche Weise in Kassetten zugeführt werden. Die Wafer werden von einem zentralen Roboter aus den Kassetten entnommen und an die Wafer-Gestelle für den betreffenden Ofen übergeben. Jede zusammengehörige Anordnung, bestehend aus einem Ofen und anderen Behandlungseinrichtungen, hat ihre eigene Be- und Entladevorrichtung.
  • Zur Steigerung der Leistung von Einrichtungen für die Behandlung von Wafern wurde nach dem Stand der Technik zuerst vorgeschlagen, eine Anzahl solcher Systeme parallel zueinander zu platzieren.
  • Bei einem späteren Vorschlag wurden zwei Öfen in einem Bereich platziert, und diese Öfen wurden mit Hilfe eines einzelnen Roboters mit Wafern aus Kassetten bestückt.
  • Das Problem bei der Auslegung solcher Systeme besteht darin, dass die Roboter für die Übergabe von Wafern von Kassetten an Wafer-Gestelle so dimensioniert sein müssen, dass die Zeit für die Übergabe der Wafer keinen einschränkenden Faktor darstellt, und zwar auch nicht für die kürzeste Behandlungszeit in den Öfen. Eine Lösung dieses Problems besteht darin, eine Anzahl von Robotern übereinander für gleichzeitiges Beladen eines Wafer-Gestells zu platzieren.
  • In der Praxis stellt sich jedoch heraus, dass die Leistungsfähigkeit solcher Robote selten in vollem Umfang ausgenutzt wird. Darüber hinaus entstehen bei einer großen Anzahl von Robotern ein beachtlicher Kostenaufwand und Platzbedarf.
  • US-5178639A beschreibt eine vertikale Wärmebehandlungseinrichtung, die eine Anzahl von nebeneinanderliegenden Öfen umfasst. Die Zuführung der mit Wafern gefüllten Wafer-Gestelle erfolgt durch eine einzelne Zuführschiene, entlang derer die Verschiebeeinrichtung zwischen den einzelnen Öfen verfahren kann, und einen zentralen Be-/Entladebereich. Die Verschiebeeinrichtung umfasst einen einfachen Ständer für die Wafer-Gestelle.
  • Aus den Patentzusammenfassungen Japans, Band 8, Nr. 29 (E-226) [1466], 7. Februar 1984, und JP 58 191446 A ist eine Vorrichtung für Bewegen von mit einer Vielzahl von Wafern beladenen Wafer-Gestellen bekannt, die einen Halter mit einem Sockel und senkrechten Wänden umfasst und mit Transporteinrichtungen und einem Träger für wenigstens ein unteres Ende eines in dem Halter angebrachten Wafer-Gestells ausgerüstet ist.
  • Die vorliegende Erfindung zielt darauf ab, die Transportbedingungen der Wafer zu kontrollieren. Dieses Ziel wird mit einer Vorrichtung gemäß Anspruch 1 erreicht. Die Erfindung stellt weiterhin ein System für Behandlung von Wafern bereit, das die genannte Vorrichtung umfasst, sowie ein Verfahren zur Ofenbehandlung von Wafern nach Anspruch 16.
  • Die Übergabe von Kassetten an Wafer-Gestelle muss nicht mehr in einer Gruppenanordnung mit den Öfen erfolgen, sondern kann an einem Ort in einer gewissen Entfernung von denselben durchgeführt werden. Infolge dessen kann die zentrale Be-/Entladestation mehrere in einem Bereich angeordnete Öfen bedienen. Es können drei oder auch 30 Öfen sein. Da die maximale Leistung aller Öfen nie gleichzeitig erreicht wird, kann eine Spitzenleistung für die zentrale Be-/Entladestation gewählt werden, die beachtlich unter der für Be-/Entladevorrichtungen nach dem Stand der Technik ermittelten Spitzenleistung liegt. Infolge dessen wird einerseits eine Kosteneinsparung und andererseits eine Platzeinsparung erreicht. Letztere führt nicht nur zur Begrenzung der Fixkosten, sondern ermöglicht auch eine Umsetzung der verschiedenen Merkmale unter Reinraumbedingungen.
  • Nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist der Halter der Vorrichtung mit einem abnehmbaren Deckel ausgerüstet. Infolge dessen ist es möglich, in dem Halter eine Atmosphäre zu erzeugen, die schützend in Bezug auf die Umgebung wirkt. Es ist weiterhin möglich, ein Schutzgas in den Halter einzuleiten oder mit Hilfe eines Gebläses Reinluft oder ein anderes Gas während des Transportes durch den Halter zu bewegen. Es ist ebenso möglich, den Inhalt des Halters auszupumpen.
  • Für den Transport der Wafer-Gestelle zwischen den zentralen Stationen und den Öfen ist es wichtig, dass keine Teilchen während des Transportes infolge von Bewegung der Wafer in Bezug auf die Wafer-Gestelle freigesetzt werden. Dies kann erreicht werden, indem die Wafer während des Transportes vorzugsweise mit Hilfe von Kunststofffingern etwas von den Wafer-Gestellen angehoben werden. Die Wafer-Gestelle übernehmen die Tragfunktion für die Wafer erst dann wieder, wenn die Wafer-Gestelle in den Ofen eingeladen werden, das heißt wenn die Temperatur ansteigt.
  • Auf diese Weise sind die Kunststofffinger stets niedrigen Temperaturbeanspruchungen ausgesetzt, und die Entstehung von Teilchen wird möglichst weitgehend verhindert. Das Arbeiten unter Reinraumbedingungen wird weiter gefördert, wenn während des Transportes ein Deckel an der Vorrichtung zum Transportieren der Wafer-Gestelle angebracht wird. Dadurch wird die Vorrichtung während der Bewegung zwischen der zentralen Station und den Öfen vollständig abgeschlossen. Die Konstruktion kann so ausgeführt werden, dass die Vorrichtung an dem Ofen in abdichtenden Eingriff mit dem Unterteil des Ofens gebracht wird und dass der an der Vorrichtung angebrachte Deckel danach in eine für diesen Zweck vorgesehene separate Kammer unterhalb des Ofens bewegt wird. Eine solche Kammer kann weiterhin dem Zweck dienen, den Verschluss für den Ofen aufzunehmen, der entfernt wird, um die Öffnung zum Einführen der Wafer-Gestelle freizulegen.
  • Von dem Stand der Technik ist bekannt, dass es möglich ist, den Boden der Wafer-Gestelle mit einem Verschlussblech für den Ofen zu versehen, so dass Schließen automatisch eintritt, wenn ein Wafer-Gestell in den Ofen eingeführt wird.
  • Es ist insbesondere effektiv, gleichzeitiges Entfernen des Verschlusses von dem Ofen und des Deckels von der Vorrichtung für Transportieren von Wafer-Gestellen zu bewirken. Bei dieser Verfahrensweise können das Oberteil des Deckels der Vorrichtung und das Unterteil des Verschlusses für den Ofen möglichst weitgehend gegen die Umge bung abgeschirmt werden, so dass daran anhaftende Verunreinigungen daran gehindert werden, in die Umgebung überzugehen.
  • Die Vorrichtung zum Bewegen der Wafer-Gestelle ist vorzugsweise mit Hebeeinrichtungen für die Wafer-Gestelle versehen, einerseits zum Befüllen der Wafer-Gestelle und andererseits zum Einführen der Wafer-Gestelle in den Ofen. Weiterhin können Hebeeinrichtungen an dem Ofen angeordnet sein, um die Vorrichtung zum Transportieren von Wafer-Gestellen in dichtenden Kontakt mit dem Unterteil des Ofens zu bringen.
  • Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf ein veranschaulichendes Ausführungsbeispiel, das in der Zeichnung dargestellt wird, ausführlicher beschrieben. Beschreibung der Zeichnungen:
  • 1 zeigt schematisch eine Draufsicht eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Systems.
  • 2 zeigt schematisch einen Querschnitt des Trolleys zum Bewegen von Wafer-Gestellen gemäß der Erfindung bei Bewegung unterhalb eines Ofens.
  • 3 zeigt den Trolley gemäß 2 bei Kopplung an den Ofen.
  • 4 zeigt den Trolley gemäß 2 beim Einführen des Wafer-Gestells.
  • 5 zeigt einen Querschnitt entlang der Linie VI-VI in 2; und
  • 6 zeigt schematisch eine Draufsicht des Durchlaufs durch einen Ofen.
  • In 1 wird das System in seiner Ganzheit mit 1 bezeichnet. Das System besteht aus dem Raum 2 und dem Übergabesystem 3. Der Raum 2 kann unter Reinraumbedingungen betrieben werden. Jedoch können in diesem Raum auch Standardbedingungen vorherrschen.
  • Eine Anzahl von Öfen zur Behandlung von Wafern bei erhöhter Temperatur, zum Beispiel durch Einleiten von Gas unter den genannten Bedingungen, sind in dem Raum 2 angeordnet. Mit Wafern gefüllte Wafer-Gestelle werden in die Öfen eingeführt. Die Wafer-Gestelle sind in Trolleys angeordnet, die von der in einem Bereich 3 angeordneten Be-/Entladestation zu den Öfen 4 bewegt werden. Das Be-/Entladen der Trolleys 5 erfolgt in Zellen 8. Diese Zellen können sowohl von dem Reinraum 2 als auch von dem Bereich 3 aus geöffnet und geschlossen werden.
  • In der Be-/Entladestation werden die Wafer in Kassetten verpackt angeliefert. Nach dem Stand der Technik sind diese Kassetten die herkömmlichen Transportmittel, mit denen Wafer über kurze und lange Entfernungen bewegt werden. Die Wafer werden dann von den Kassetten mit Hilfe von Robotern 7 bewegt und in Wafer-Gestellen platziert, die in Vorrichtungen 5 angeordnet sind. Diese Vorrichtungen 5 werden dann unter die Öfen 4 gefahren, und danach werden die Wafer-Gestelle wie unten beschrieben werden wird zum Zweck der oben beschriebenen Behandlung in den Öfen 4 platziert.
  • Nach dieser Behandlung werden die Vorrichtungen 5 zurück zu der Be-/Entladestation bewegt, d. h. in die Zelle 8, und die Wafer werden wieder in die Kassetten 6 eingesetzt.
  • Natürlich können die Wafer nach Behandlung in einem der Öfen 4 einer weiteren Behandlung in einem der Öfen 4 unterzogen werden. Einerseits kann es sich dabei um eine Fortführung einer früheren Behandlung handeln, jedoch kann ebenso ein anderes Gas oder ein anderes Temperaturprofil in einem anderen Ofen verwendet werden.
  • Im Gegensatz zum Stand der Technik ist es bei dieser Ausführung nicht mehr erforderlich, eine in Reihe an einen jeden Ofen angeschlossene Luftschleuse zu verwenden. Das heißt, die oben beschriebene Be-/Entladestation kann mit einer solchen Leistung gebaut werden, dass alle Öfen jederzeit in vollem Betrieb sein können. In der Praxis stellt sich eine solche Leistung um ein Vielfaches kleiner als die Leistung von in Reihe für einen jeden Ofen angeschlossenen Schleusenkonstruktionen heraus, und eine solche Leistung wird normalerweise nur zu einem sehr begrenzten Umfang ausgenutzt. In jedem Falle ist die Schleuse bei einer solchen Ausführung während der Wärmebehandlung in dem Ofen normalerweise nicht betriebsbereit. Weiterhin ist es bei dieser Ausführung möglich, die Spitzenbelastung auf der Grundlage der Spitzenbelastung für alle Öfen zusammen und nicht für jeden Ofen einzeln zu ermitteln, so dass infolge dessen die Be-/Entladestation in dem Bereich 3 mit einer begrenzteren Leistung ausgelegt werden kann. Da eine begrenztere Ausführung der Be-/Entladestation möglich ist, werden die Installationskosten für dieselbe wie auch der beanspruchte Platzbedarf gesenkt.
  • 2 bis 4 zeigen eine Seitenansicht der in 1 gezeigten Vorrichtung 5 schematisch im Querschnitt. Diese Vorrichtungen umfassen ein halterähnliches Teil, das an Rädern 18 angebracht ist und das an dem Oberteil mit einem Deckel 20 versehen ist.
  • Drei Hebespindeln 12, zwischen denen sich ein Hebeträger 13 erstreckt, sind in dem Laufwagen angebracht. Der Hebeträger 13 kann mit Hilfe der Hebespindeln nach oben und unten bewegt werden. Drehung der Hebespindeln wird mit Hilfe von Hebemotoren 14 bewirkt. Die Ausführung des Aufzugs ist nur schematisch dargestellt und es sei darauf verwiesen, dass eine beliebige bekannte Ausführungsart verwendet werden kann. Der Hebeträger kann das Wafer-Gestell 9 aufnehmen. Das Wafer-Gestell 9 besteht aus einem oberen Bereich, auf dem das eigentliche Gestell aus Quarzmaterial angebracht ist, worauf das Letztgenannte mit Quarzträgern 15 zum Tragen der Wafer 10 versehen ist. Ein Verschlussblech 11 ist an dem unteren Teil des Wafer-Gestells 9 befestigt.
  • Wenn sich die Beladevorrichtung 5 in der Zelle 8 befindet, befindet sich der Hebeträger 13 in einer solchen Position, dass die am weitesten oben befindlichen Quarzträger 15 über den Laufwagen hinausragen. Beim Befüllen mit Hilfe eines Roboters 7 wird das Wafer-Gestell danach langsam nach oben aus dem Laufwagen heraus bewegt, und nachdem es vollständig befüllt worden ist, wird das Wafer-Gestell abgesenkt. Danach wird der Deckel 20 aufgesetzt. Die Bedingungen in der Vorrichtung 5 können danach in einer nicht dargestellten Weise verändert werden, so dass Reinraumbedingungen in derselben hergestellt werden. Es ist weiterhin möglich, ein Schutzgas einzuleiten oder das Innere der Vorrichtung 5 kontinuierlich zu belüften.
  • Nachdem das Wafer-Gestell 9 vollständig in die Vorrichtung 5 eingeführt worden ist, werden die an Tragböcken 17 befestigten Träger 16 nach innen unter die Wafer 10 bewegt, die auf den Quarzträgern 15 aufliegen (siehe auch 5). Die Tragböcke 17 mit den Kunststoffträgern 16 werden danach nach oben bewegt, so dass die Wafer nunmehr auf den Kunststoffträgern 16 aufliegen. Der Transport kann sodann erfolgen, ohne dass eine Gefahr besteht, dass Teilchen als Folge von Bewegung der Wafer in Bezug auf die Quarzträger 15 entstehen.
  • Die Vorrichtung 5 kann danach auf eine nicht ausführlicher dargestellte Weise unter den Ofen 4 bewegt werden, wie in 3 gezeigt. Diese Bewegung kann von Hand ausgeführt werden, jedoch können die verschiedenen Merkmale auch automatisiert werden. Die Vorrichtung 5 muss nicht unbedingt auf Rädern 18 laufen. Eine beliebige bekannte Ausführung kann verwendet werden, um eine Vorrichtung 5 von der Zelle 8 zu dem Ofen 4 zu bewegen.
  • Aus 2 ist ersichtlich, dass der Ofen 4 in einer solchen Höhe angeordnet werden kann, dass die Vorrichtung 5 unter denselben gefahren werden kann. Eine Hubbühne 25, die mit einem Hebebock 26 betrieben werden kann, befindet sich unterhalb der Öffnung des Ofens 4. Damit kann die Vorrichtung 5 gegen das Unterteil 19 des Ofens 4 gedrückt werden, wie in 3 gezeigt. Entweder die Vorrichtung 5 oder der Ofen 19 ist mit einer Runddichtung 24 versehen, so dass beide gegeneinander abgedichtet werden können. Der Ofen 4 ist an seinem Unterteil mit einem Ofenverschluss 21 mit einem Dichtungsstopfen 22 versehen. Dieser Verschluss wird auf eine nicht ausführlicher dargestellte Weise abgesenkt, bis er in Kontakt mit dem Deckel 20 kommt.
  • Der Deckel 20 wird danach auf eine nicht ausführlicher dargestellte Weise von dem Ofenverschluss 21 ergriffen, und der Ofenverschluss 21 zusammen mit dem Deckel 20 bewegt sich etwas nach oben.
  • Der Satz bestehend aus dem Ofenverschluss 21 und dem Deckel 20 bewegt sich danach nach rechts, wie in 4 gezeigt, in die Kammer 23 hinein. Auf diese Weise wird sichergestellt, dass etwaiges auf dem Unterteil des Ofenverschlusses 21 oder auf dem Oberteil des Deckels 20 vorhandenes verunreinigtes Material eingeschlossen wird und sich nicht ausbreitet. Nachdem sich der Satz bestehend aus dem Ofenverschluss 21 und dem Deckel 20 vollständig in die Kammer 23 hinein bewegt hat, kann das Wafer-Gestell 9 in den Ofen hinein bewegt werden. Dazu ist es zunächst erforderlich, dass die Wafer auf den Quarzträgern 15 des Wafer-Gestells 9 aufliegen. Dazu werden die Tragböcke 17 für die Kunststoffträger etwas nach unten bewegt, und danach werden die Kunststoffträger 16 nach außen bewegt. Die kunststoffträger verbleiben in dieser Position. Der Hebeträger 13 wird danach nach oben bewegt, indem die Motoren 14 betrieben werden, so dass das Wafer-Gestell in den Ofen eintritt. Diese Bewegung wird fortgesetzt, bis das Verschlussblech 11 den Ofen von unten her abschließt, woraufhin der jeweilige Prozess durchgeführt werden kann.
  • Die oben beschriebenen Bedienhandlungen werden danach in der umgekehrten Reihenfolge durchgeführt. Nach dem Schließen der Vorrichtung 5 mit dem Deckel 20 kann der Laufwagen in die gleiche Richtung zurück bewegt werden, jedoch kann der Laufwagen auch wie in 6 gezeigt geradeaus bewegt werden. Infolge dessen kann eine neue Vorrichtung 5 sofort unter dem Ofen positioniert werden, so dass die Leistung des Systems so weit wie möglich erhöht wird.
  • In 6 wird der elektronische Teil des Ofens 4 mit 28 bezeichnet, wohingegen die Ziffer 29 die Gasregelvorrichtungen für den Prozess bezeichnet. Aus dieser Figur ist ersichtlich, dass die Vorrichtung 5 von links nach rechts unter den Ofen bewegt wird.
  • Es wird ersichtlich sein, dass in dem Falle eines einfachen Ausführungsbeispieles des oben beschriebenen Verfahrens die Vorrichtung 5 in der gleichen Richtung wie die, aus der sie eingeführt wurde, zurück bewegt wird.
  • Obgleich die Erfindung oben unter Bezugnahme auf ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel beschrieben worden ist, wird ersichtlich sein, dass es zahlreiche Möglichkeiten der Anpassung des beschriebenen Ansatzes an für den Durchschnittsfachmann offensichtliche Modifikationen gibt, die in den Geltungsbereich der anhängenden Ansprüche fallen. Zum Beispiel ist es möglich, eine Kammer 23 mit einem verschließbaren Deckel bereitzustellen, die mit dem Deckel 20 des Laufwagens in Wechselwirkung tritt. Auf diese Weise kann das Innere des Ofens 4 vollständig gegen die Umgebung abgedichtet werden, so dass optimale Behandlungsbedingungen in dem Ofen auf eine einfache Weise aufrecht erhalten werden können. Ein solcher Deckel wird zusammen mit dem Deckel 20 entfernt, nachdem die Vorrichtung 5 mit dem Ofen 4 verbunden worden ist, so dass Eindringen von Verunreinigungen im Wesentlichen verhindert wird. Der Deckel 21 kann danach oder zur gleichen Zeit von dem Ofenrohr entfernt werden.

Claims (18)

  1. Vorrichtung (5) zum Bewegen von Wafer-Gestellen (9), die mit einer Vielzahl von Wafern (10) beladen sind, die einen Halter mit einem Sockel und vertikalen Wänden umfasst, der mit Transporteinrichtungen versehen ist, wobei ein Träger für wenigstens das untere Ende eines Wafer-Gestells in dem Halter angebracht ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Halter nahe an den Wänden desselben mit Einrichtungen (16, 17) zum Ergreifen und Verschieben der Wafer von den Wafer-Gestellen während des Transports versehen ist, so dass der Transport stattfinden kann, ohne dass Teilchen aufgrund von Bewegung der Wafer in Bezug auf die Wafer-Gestelle erzeugt werden.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Halter einen abnehmbaren Deckel (20) hat.
  3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei der Halter mit einer Einrichtung zum Beeinflussen der darin herrschenden Bedingungen versehen ist.
  4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–3, wobei der Halter mit Hebeeinrichtungen (12, 13, 14) zum Bewegen eines darin angebrachten Wafer-Gestells versehen ist.
  5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1–4, wobei die Transporteinrichtungen Räder (18) umfassen.
  6. System (1) zum Behandeln von Wafern, das wenigstens zwei Öfen (4) zum Bearbeiten der Wafer sowie eine Be-/Entladestation (3) zum Entladen von Wafern aus Kassetten in Wafer-Gestelle und umgekehrt, die einen Be-/Entladeraum hat, sowie eine Vielzahl von Vorrichtungen (5) nach einem der vorangehenden Ansprüche umfasst, die Wafer-Gestelle aufnehmen, die mit Wafern beladen sind, und zwischen der Be-/Entladestation (3) und den Öfen bewegt werden können.
  7. System nach Anspruch 6, wobei die Be-/Entladestation eine Vielzahl von Be-/Entladezellen (8) umfasst.
  8. System nach Anspruch 6 oder 7, wobei die Öfen an einer Seite mit einer Kammer (23) versehen sind, die eine Öffnung zum Aufnehmen, einen abnehmbaren Deckel (20) des Halters der Vorrichtung zum Bewegen von Wafer-Gestellen, die mit Wafern beladen sind, hat, wobei die Öffnung mit einem entfernbaren Verschluss versehen ist.
  9. System nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Kammer (23) eine Einrichtung zum Bewegen des Deckels (20) von dem Halter hat.
  10. System nach Anspruch 8 oder 9, wobei die Öfen jeweils mit einem Verschluss (21) versehen sind und Einrichtungen zum Bewegen des Verschlusses von dem Ofen in die Kammer (23) eingesetzt sind.
  11. System nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Einrichtungen zum Bewegen des Deckels des Halters und des Verschlusses des Ofens so aufgebaut sind, dass der Deckel des Halters und der Verschluss des Ofens aneinander positioniert werden, und die beiden gleichzeitig bewegen.
  12. System nach einem der Ansprüche 6–11, wobei Hebeeinrichtungen (25, 26) für die Vorrichtung an der Position des Ofens vorhanden sind.
  13. System nach einem der Ansprüche 6–12, wobei die Be-/Entladestation (3) in einem Reinraum angeordnet ist.
  14. System nach einem der Ansprüche 6–12, wobei die Öfen in einem Reinraum angeordnet sind.
  15. System nach Anspruch 14, wobei der Bereich zwischen der Be-/Entladestation (3) und den Öfen (4), in dem die Vorrichtung zum Bewegen der Wafer-Gestelle vorhanden ist, einen Reinraum umfasst.
  16. Verfahren zur Ofenbehandlung von Wafern (10), das das Zuführen der Wafer in Kassetten (6) zu einer Be-/Entladestation (3), das Entnehmen der Wafer aus den Kassetten und das Einlegen derselben in Wafer-Gestelle (9), das Laden der Wafer-Gestelle in eine Vorrichtung (5) zum Bewegen der Wafer-Gestelle, das Bewegen der Vorrichtung zu einem einer Vielzahl von Öfen (4), das Überführen der mit Wafern gefüllten Wafer-Gestelle in einen der Öfen, das Durchführen einer Ofenbehandlung der Wafer, das Ausbringen der in den Wafer-Gestellen aufbewahrten Wafer in eine Vorrichtung (5) zum Bewegen von Wafer-Gestellen, das Bewegen der Vorrichtung zu der Be-/Entladestation umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vielzahl von Vorrichtungen (5) zum Bewegen von Wafer-Gestellen eingesetzt wird und dass während der Bewegung der Wafer-Gestelle in der Vorrichtung (5) zum Bewegen von Wafer-Gestellen die Wafer ergriffen und von den Wafer-Gestellen verschoben werden, so dass der Transport stattfinden kann, ohne dass Teilchen aufgrund einer dadurch entstehenden Bewegung der Wafer in Bezug auf die Wafer-Gestelle erzeugt werden.
  17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei die Wafer relativ zu den Wafer-Gestellen nach oben verschoben werden, um sie von ihnen beim Transport in der Vorrichtung (5) zum Bewegen von Wafer-Gestellen freizuhalten.
  18. Verfahren nach Anspruch 16, wobei nach dem Ausbringen aus dem Ofen die Vorrichtung (5) zum Bewegen von Wafer-Gestellen zu einem weiteren Ofen für eine weitere Behandlung der Wafer bewegt wird.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1010317C2 (nl) 1998-10-14 2000-05-01 Asm Int Sorteer/opslaginrichting voor wafers en werkwijze voor het hanteren daarvan.
KR100487577B1 (ko) * 2002-11-25 2005-05-06 주식회사 피에스티 반도체 제조장치
CN100383912C (zh) * 2005-01-11 2008-04-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶片高温测试炉
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
CN103057945B (zh) * 2012-08-08 2015-07-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种多层基板存储装置
US9144901B2 (en) 2012-08-08 2015-09-29 Weibing Yang Storage device for multilayer substrate
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6219402B2 (ja) 2012-12-03 2017-10-25 エーエスエム イーペー ホールディング ベー.フェー. モジュール式縦型炉処理システム
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
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USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
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KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
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TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU7092981A (en) * 1980-05-30 1981-12-03 Elektro-Dahlen A.B. Baking oven and cart with rotating surfaces
JPS58191446A (ja) * 1982-05-04 1983-11-08 Nec Corp 半導体基板搬送装置
KR960001161B1 (ko) * 1987-09-29 1996-01-19 도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼가이샤 열처리장치
KR970008320B1 (ko) * 1987-11-17 1997-05-23 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 열처리 장치
US4981436A (en) * 1988-08-08 1991-01-01 Tel Sagami Limited Vertical type heat-treatment apparatus
JPH07120634B2 (ja) * 1988-12-27 1995-12-20 東京エレクトロン東北株式会社 処理装置
KR0153250B1 (ko) * 1990-06-28 1998-12-01 카자마 겐쥬 종형 열처리 장치
JP2888369B2 (ja) * 1990-09-25 1999-05-10 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
US5163832A (en) * 1990-10-30 1992-11-17 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical heat-treating apparatus
JP3275390B2 (ja) * 1992-10-06 2002-04-15 神鋼電機株式会社 可搬式密閉コンテナ流通式の自動搬送システム
JP3258748B2 (ja) * 1993-02-08 2002-02-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5788458A (en) * 1995-07-10 1998-08-04 Asyst Technologies, Inc. Method and apparatus for vertical transfer of a semiconductor wafer cassette
US5611448A (en) * 1995-09-25 1997-03-18 United Microelectronics Corporation Wafer container
JPH09148399A (ja) * 1995-11-28 1997-06-06 Toshiba Microelectron Corp ウエハ洗浄及び拡散システム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001519095A (ja) 2001-10-16
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AU6526298A (en) 1998-10-20
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DE69824562D1 (de) 2004-07-22
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JP4801711B2 (ja) 2011-10-26
WO1998043283A1 (en) 1998-10-01
NL1005625C2 (nl) 1998-10-01
EP0970510A1 (de) 2000-01-12

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