CN100383912C - 晶片高温测试炉 - Google Patents

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CN100383912C CNB2005100232156A CN200510023215A CN100383912C CN 100383912 C CN100383912 C CN 100383912C CN B2005100232156 A CNB2005100232156 A CN B2005100232156A CN 200510023215 A CN200510023215 A CN 200510023215A CN 100383912 C CN100383912 C CN 100383912C
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Abstract

晶片高温测试炉，包括一炉体，其有一腔体结构；还包括支撑架、滑轨、晶舟盒；其中，支撑架设置于所述的炉体腔体；滑轨设置于支撑架，滑轨的形状为梯形结构；晶舟盒设于滑轨上，其底部开设有与滑轨相对应的滑槽，便于放置及拿取晶舟盒；所述的晶舟盒的侧壁和底部开有多个通孔，有利于晶片均匀加热，同时也缩短了降温的时间；所述的晶舟盒内部底部开有多个夹持晶片的固定槽，该固定槽为V形槽；所述的晶舟盒内部底部的V形固定槽的一边垂直于晶舟盒底面，另一边为倾斜结构；V形槽的角度小于90度，使晶片自然倾斜，不会随意晃动。

Description

晶片高温测试炉
技术领域
本发明涉及一种晶片高温测试炉，特别涉及制造半导体器件用的高温测试炉。
背景技术
在半导体的制造过程中，高温测试炉的应用非常广泛。在应力迁移(SM)、PN结漏电流(Junction leakage)、高温生命期(HTOL)、非易失性存储器的数据保持特性(Data Retention)等等的测试中，将晶片放置于高温测试炉内加热至150℃、200℃或250℃，并可持续1000小时，可设中间读数点(例如，168小时、500小时等)。
传统的半导体器件如晶片的高温测试炉的内部结构如图1a、图1b所示，图1a所示为现有一种结构形式的晶片高温测试炉透视结构示意图，该高温测试炉包括一炉体10，其有一腔体结构，腔体内设有隔板20，晶片30平放在隔板20上。此结构测试炉中由于单片晶片30平放在炉内，晶片30所占空间大，浪费了很多炉内空间；在拿进、取出测试炉时很容易使晶片破碎。图1b所示为另一种结构形式晶片高温测试炉透视结构示意图。该测试炉包括一炉体10，炉体腔体内设有隔板20以及放置其上的晶舟盒40；晶片30装设于晶舟盒40。由于晶舟盒40较重，操作时不方便；而且，由于三面封闭，加热均匀性不好，会导致晶片30破碎；同时，在冷却时很耗时，延长了加工周期。
发明内容
本发明的目的在于设计一种晶片高温测试炉，可使晶舟盒放置及拿取更加方便；同时，保证晶片加热均匀，并缩短降温时间；晶舟盒内的晶片固定更加稳定。
为达到上述目的，本发明的技术解决方案是，晶片高温测试炉，包括一炉体，其有一腔体结构；还包括支撑架、滑轨、晶舟盒；其中，支撑架设置于所述的炉体腔体；滑轨设置于支撑架上；晶舟盒设于滑轨上，其底部开设有与滑轨相对应的滑槽，便于放置及拿取晶舟盒；所述的晶舟盒的侧壁和底部开有多个通孔，有利于晶片均匀加热，同时也缩短了降温的时间。
进一步，所述的滑轨的形状为梯形结构。
所述的晶舟盒底部滑槽的形状为与所述的滑轨相配合的燕尾。
所述的晶舟盒内部底部开有多个夹持晶片的固定槽，该固定槽为V形槽；所述的晶舟盒内部底部的V形固定槽的一边垂直于晶舟盒底面，另一边为倾斜结构；所述的V形槽的角度小于90度，使晶片自然倾斜，不会随意晃动。
本发明的有益效果是：
1.滑槽结构便于放置及拿取晶舟盒；
2.晶舟盒开有通孔，有利于晶片均匀加热及散热；
3.晶舟盒内底部的V形槽使晶片的固定更加稳定，不易晃动。
附图说明
图1a为现有晶片高温测试炉的一种结构形式的透视图：
图1b为现有晶片高温测试炉的另一种结构形式的透视图；
图2a为本发明的结构透视图；
图2b为图2a的A部放大示意图；
图3为本发明的晶舟盒结构透视图；
图4为图3的右视图；
图5为图4的B部放大图；
图6为本发明的晶舟盒的另一实施例局部放大示意图。
具体实施方式
参见图2a、图2b、图3，本发明的晶片高温测试炉，包括一炉体1、支撑架2、滑轨3、晶舟盒4：其中，炉体1有一腔体结构100；支撑架2设置于所述的炉体腔体100内；滑轨3设置于支撑架2；晶舟盒4设于滑轨3上，其底部41开设有与滑轨3相对应的滑槽411；所述的滑轨3的形状为梯形结构；所述的晶舟盒4底部滑槽411的形状为与所述的滑轨3相配合的燕尾槽，通过滑轨3与晶舟盒4底部41的滑槽411配合，放置及拿取晶舟盒更加方便。
再请参见图4，本发明所述的晶舟盒4的侧壁42开有多个通孔421和底部41开有多个通孔，有利于晶片5均匀加热及散热。
请参见图5，所述的晶舟盒4内部底部开有多个夹持晶片5的固定槽43，该固定槽43为V形槽；所述的V形槽的角度θ小于90度，使晶片5自然倾斜，不会随意晃动。
请参见图6，本发明的晶舟盒4内部底部的V形固定槽43的一边垂直于晶舟盒底面，另一边为倾斜结构，所述的V形固定槽43的角度θ小于90度。由于V形固定槽43一面垂直晶舟盒底面，该结构可使放置于V形固定槽43中的晶片5更加稳定。

Claims (7)

1.晶片高温测试炉，包括，
一炉体，其有一腔体结构；其特征是，还包括，
支撑架，设置于所述的炉体腔体；
滑轨，设置于支撑架上；
晶舟盒，设于滑轨上，其底部开设有与滑轨相对应的滑槽；
晶舟盒的侧壁和底部开有多个通孔。
2.如权利要求1所述的晶片高温测试炉，其特征是，所述的滑轨的形状为梯形结构。
3.如权利要求1所述的晶片高温测试炉，其特征是，所述的晶舟盒底部滑槽的形状为与所述的滑轨相配合的燕尾。
4.如权利要求1所述的晶片高温测试炉，其特征是，所述的晶舟盒内部底部开有多个夹持晶片的固定槽。
5.如权利要求4所述的晶片高温测试炉，其特征是，所述固定槽为V形槽。
6.如权利要求5所述的晶片高温测试炉，其特征是，所述的晶舟盒内部底部的V形固定槽的一边垂直于晶舟盒底面，另一边为倾斜结构。
7.如权利要求5所述的晶片高温测试炉，其特征是，所述的V形槽的角度小于90度。
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