KR101003134B1 - 반도체 디바이스 테스트 핸들러 및 디바이스의 고온화 방법 - Google Patents

반도체 디바이스 테스트 핸들러 및 디바이스의 고온화 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스 테스트 핸들러 및 디바이스의 고온화 방법에 관한 것으로서, 두 개의 로딩헤드(피커)와 이동 가능한 가열 플레이트를 사용하여 디바이스를 테스트 영역으로 이송시키는 시간을 줄임으로써, 불필요한 인덱스 타임을 줄이고 생산성을 증대시킬 수 있는 반도체 디바이스 테스트 핸들러 및 디바이스의 고온화 방법을 제공함에 그 특징적인 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 검사대상이 되는 반도체 디바이스가 적재되어 있는 복수개의 커스터머 트레이; 상기 커스터머 트레이에 적재된 디바이스를 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트로 이송하고, 고온화된 디바이스를 테스트 영역으로 이송하는 제 1 피커 및 제 2 피커; 및 다수개의 포켓(Pocket)이 구성되어 있으며, 상기 제 1 피커 및 제 2 피커에 의해 이송된 디바이스를 장착하여 고온화시키는 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트; 를 포함한다.
반도체 디바이스, 고온화, 핸들러

Description

반도체 디바이스 테스트 핸들러 및 디바이스의 고온화 방법{THE TEST HANDLER OF SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR HEATING OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 수평식 디바이스 테스트 핸들러를 이용한 반도체 디바이스의 고온화 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 두 개의 로딩헤드(피커)와 이동 가능한 가열 플레이트를 사용함으로써, 디바이스를 테스트 영역으로 이송시키는 시간을 줄일 수 있는 반도체 디바이스 테스트 핸들러 및 디바이스의 고온화 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 디바이스의 생산 후 그 출하전에 상온 또는 고온 테스트를 진행하게 된다. 이러한, 디바이스를 테스트하는 장비를 핸들러라고 하며, 디바이스가 트레이에 담겨져 핸들러 내부 공정간에 수평(플랫)으로 이송됨으로 인해 수평식 핸들러라 한다. 또한, 테스트가 완료되면 핸들러의 언로딩 헤드에 의해 여러 등급으로 분류한다.
한편, 종래의 디바이스 테스트 핸들러는 도 1a 에 도시된 바와 같이 셔틀(1,2), 테스트 챔버(3), 테스트 영역(4), 가열 플레이트(5,6), 로딩 커스터머 트레이(7), 로딩 3축 로봇(8), 로딩 헤드(피커)(9), 베이스(10) 등을 포함한다. 이러 한 핸들러를 이용하여 디바이스를 고온화하는데 있어, 종래에는 도 1a 에 도시된 바와 같이 단일의 로딩헤드(피커)(9)와 고정된 가열 플레이트(5,6)를 이용하여 왔다. 그러나, 이는 상온의 디바이스를 고온의 디바이스로 가열하여 다시 테스트 영역으로 이송시키는데 많은 시간이 소요됨으로써, 결과적으로 생산효율이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 두 개의 로딩헤드(피커)와 이동 가능한 가열 플레이트를 사용하여 디바이스를 테스트 영역으로 이송시키는 시간을 줄임으로써, 불필요한 인덱스 타임을 줄이고 생산성을 증대시킬 수 있는 반도체 디바이스 테스트 핸들러 및 디바이스의 고온화 방법을 제공함에 그 특징적인 목적이 있다.
본 발명은 셔틀, 테스트 챔버, 로딩 3축 로봇, 베이스, 테스트 영역을 포함하는 반도체 디바이스 테스트 핸들러에 관한 것으로서, 검사대상이 되는 반도체 디바이스가 적재되어 있는 복수개의 커스터머 트레이; 상기 커스터머 트레이에 적재된 디바이스를 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트로 이송하고, 고온화된 디바이스를 테스트 영역으로 이송하는 제 1 피커 및 제 2 피커; 및 다수개의 포켓(Pocket)이 구성되어 있으며, 상기 제 1 피커 및 제 2 피커에 의해 이송된 디바이스를 장착하여 고온화시키는 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트; 를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트는, 상기 베이스로부터 위치하는 그 높이(h1,h2)가 상이하여 서로 위치변경이 가능한 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 반도체 디바이스 테스트 핸들러는, 상기 제 1 피커가 커스터머 트레이에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 1 가열 플레이트 또는 제 2 가열 플레이트의 비어있는 포켓에 이송함과 동시에, 상기 제 2 피커가 제 1 가열 플레이트 또는 제 2 가열 플레이트에서 고온화된 포켓의 디바이스를 테스트 영역으로 이송하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명은 반도체 디바이스의 고온화 방법에 관한 것으로서, (a) 제 1 피커가 커스터머 트레이에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 1 가열 플레이트의 1번 포켓에 이송하고, 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트가 서로 위치를 변경하는 단계; (b) 상기 제 1 피커가 커스터머 트레이에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 2 가열 플레이트의 1번 포켓에 이송하고, 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트가 서로 위치를 변경하는 단계; 및 (c) 상기 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트의 모든 포켓이 디바이스로 채워질때까지, 상기 (a) 단계 내지 (b) 단계의 절차를 반복하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (c) 단계 이후에, (d) 제 2 피커가 상기 제 1 가열 플레이트에서 고온화된 1번 포켓의 디바이스를 테스트 영역으로 이송하고, 상기 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트가 서로 위치를 변경하는 단계; (e) 상기 제 1 피커가 커스터머 트레이에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 1 가열 플레이트의 비어있는 1번 포켓에 이송함과 동시에, 상기 제 2 피커가 제 2 가열 플레이트에서 고온화된 1번 포켓의 디바이스를 테스트 영역으로 이송하는 단계; (f) 상기 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트가 서로 위치를 변경하는 단계; (g) 상기 제 1 피커가 커스터머 트레이에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 2 가열 플레이트의 비어있는 1번 포켓에 이송함과 동시에, 상기 제 2 피커가 제 1 가열 플레이트에서 고온화된 2번 포켓의 디바이스를 테스트 영역으로 이송하는 단계; (h) 상기 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트가 서로 위치를 변경하는 단계; (i) 상기 제 1 피커가 커스터머 트레이에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 2 가열 플레이트의 비어있는 2번 포켓에 이송함과 동시에, 제 2 피커가 제 1 가열 플레이트에서 고온화된 3번 포켓의 디바이스를 테스트 영역으로 이송하는 단계; 및 (j) 상기 제 1 가열 플레이트 및 제 2 가열 플레이트가 서로 위치를 변경하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 (j) 단계 이후에, (k) 상기 커스터머 트레이에 적재된 검사 대상 디바이스가 모두 테스트 영역으로 이송될때까지 상기 (d) 내지 (j) 단계와 같은 절차를 반복 수행하는 단계; 를 더 포함하되, 상기 반복수행되는 절차는, 상기 제 1 피커가 커스터머 트레이에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 1 가열 플레이트 또는 제 2 가열 플레이트의 비어있는 포켓에 이송함과 동시에, 상기 제 2 피커가 제 1 가열 플레이트 또는 제 2 가열 플레이트에서 고온화된 포켓의 디바이스를 테스트 영역으로 이송하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 디바이스를 가열하여 고온화 후 테스트 영역으로 이송시키는데 있어, 이동식 가열 플레이트와 2개의 로딩 헤드를 사용하여, 로딩 헤드가 서로 다른 영역에서 동시에 작업이 이루어지게 함으로써, 고온화된 디바 이스를 테스트 영역으로 이동시간을 기존의 방법에 비해 2배 이상 단축하여 결과적으로 인덱스 타임을 줄임으로써 생산성을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 구체적 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서 본 발명에 관련된 공지 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 반도체 디바이스 테스트 핸들러 및 디바이스의 고온화 방법에 관하여 도 2 내지 도 4 를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2 및 도 3 은 본 발명에 따른 반도체 디바이스 테스트 핸들러를 개념적으로 도시한 구성도로서, 도시된 바와 같이 셔틀(1,2), 테스트 챔버(3), 로딩 3축 로봇(4,5), 베이스(6), 테스트 영역(7), 커스터머 트레이(100), 피커(200:210,220), 가열 플레이트(300:310,320)를 포함한다. 이때, 고온화 방법을 수행하기 위한 해당 구성을 보다 구체적으로 살피면 다음과 같다.
검사대상이 되는 반도체 디바이스가 적재되어 있는 복수개의 커스터머 트레이(100), 상기 커스터머 트레이(100)에 적재된 디바이스를 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)로 이송하고, 고온화된 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하는 제 1 피커(210) 및 제 2 피커(220), 상기 제 1 피커(210) 및 제 2 피커(220)에 의해 이송된 디바이스를 장착하여 고온화시키는 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)를 포함하여 이루어진다. 이때, 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)는 반도체 디바이스의 적재를 위한 다수개의 포켓(Pocket)이 구성되어 있다.
이때, 반도체 디바이스가 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)에서 고온화되는 온도는 60℃ 내지 150℃ 일 수 있다.
앞서 서술한 바와 같이, 본 발명의 특징적인 일양상에 따른 반도체 디바이스의 고온화 방법은, 2개로 구성되는 피커와, 도 2 에 도시된 바와 같이 베이스(6)로부터 위치하는 높이(h1,h2)가 상이하여 서로 위치변경이 가능한 2개의 가열 플레이트를 이용한 것으로서, 상술한 디바이스 테스트 핸들러를 이용한 본 발명의 특징적인 일양상에 따른 반도체 디바이스의 고온화 방법을 도 4 를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 1 가열 플레이트(310)의 1번 포켓에 이송한 후, 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경한다(S10).
제 1 피커(210)가 상기 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 2 가열 플레이트(320)의 1번 포켓에 이송한 후, 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경한다(S20).
제 S10 단계 내지 제 S20 단계의 절차를 반복함으로써(S30), 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)의 모든 포켓이 디바이스로 채워지도록 한다.
최초 제 1 가열 플레이트(310)의 위치는 제 1 피커(210)의 동작영역에 존재 하게되나, 제 2 가열 플레이트(320)까지 모든 포켓이 채워지는 순간에는 제 2 피커(220)의 동작영역에 존재하게 된다.
이후, 제 2 피커(220)가 상기 제 1 가열 플레이트(310)에서 고온화된 1번 포켓의 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송한 후, 상기 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경한다(S40).
제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 1 가열 플레이트(310)의 비어있는 1번 포켓에 이송함과 동시에, 제 2 피커(220)가 제 2 가열 플레이트(320)에서 고온화된 1번 포켓의 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송한다(S50). 이후, 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경한다(S60).
제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 2 가열 플레이트(320)의 비어있는 1번 포켓에 이송함과 동시에, 제 2 피커(220)가 제 1 가열 플레이트(310)에서 고온화된 2번 포켓의 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하며(S70), 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경한다(S80).
제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 2 가열 플레이트(320)의 비어있는 2번 포켓에 이송함과 동시에, 제 2 피커(220)가 제 1 가열 플레이트(310)에서 고온화된 3번 포켓의 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하며(S90), 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320) 가 서로 위치를 변경한다(S100).
이후, 위와 같은 방법으로, 상기 커스터머 트레이(100)에 적재된 검사 대상 디바이스가 모두 테스트 영역(7)으로 이송될때까지, 제 1 가열 플레이트(310) 또는 제 2 가열 플레이트(320)의 비어있는 포켓에 디바이스를 이송하고, 이미 고온화된 포켓의 디바이스를 테스트 영역으로 이송하는 제 S40 내지 제 S100 단계와 같은 과정을 반복 수행한다(S110).
즉, 커스터머 트레이(100)에 적재된 상온의 디바이스를 제 1 피커(210)를 이용하여 제 1 피커(210)의 동작영역에 위치한 제 1 가열 플레이트(310) 또는 제 2 가열 플레이트(320)에 이송하고, 제 2 피커(220)를 이용하여 제 2 피커(220)의 동작영역에 위치한 제 1 가열 플레이트(310) 또는 제 2 가열 플레이트(320)에 고온화된 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하게 된다.
정리하면, 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 고온화 방법은, 디바이스를 커스터머 트레이(100)에서 가열 플레이트로 이송하는 피커(210)와 고온화된 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하는 피커(220)를 각각 구성하고, 베이스(6)로부터 서로 다른 높이를 갖는 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)의 위치 변경을 통해, 디바이스를 커스터머 트레이(100)에 적재된 상온의 디바이스를 고온의 디바이스로 가열하는 과정과, 고온화된 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하는 과정을 동시에 수행함을 통해 달성된다.
이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것이 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대해 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
도 1a 는 종래 반도체 디바이스 테스트 핸들러에 관한 구성도.
도 2 및 도 3 은 본 발명에 따른 반도체 디바이스 테스트 핸들러에 관한 구성도.
도 4 는 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 고온화 방법에 관한 전체 흐름도.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
1,2: 셔틀 3: 테스트 챔버
4,5: 로딩 3축 로봇 6: 베이스
7: 테스트 영역 100: 커스터머 트레이
210: 제 1 피커 220: 제 2 피커
310: 제 1 가열 플레이트 320: 제 2 가열 플레이트

Claims (6)

  1. 셔틀(1,2), 테스트 챔버(3), 로딩 3축 로봇(4,5), 베이스(6), 테스트 영역(7)을 포함하는 반도체 디바이스 테스트 핸들러에 있어서,
    검사대상이 되는 반도체 디바이스가 적재되어 있는 복수개의 커스터머 트레이(100);
    상기 커스터머 트레이(100)에 적재된 디바이스를 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)로 이송하고, 60℃ 내지 150℃로 고온화된 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하는 제 1 피커(210) 및 제 2 피커(220); 및
    다수개의 포켓(Pocket)이 구성되어 있으며, 상기 제 1 피커(210) 및 제 2 피커(220)에 의해 이송된 디바이스를 장착하여 60℃ 내지 150℃로 고온화시키는 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320); 를 포함하되,
    상기 베이스(6)로부터 제 1 가열 플레이트(310)의 높이(h1)와, 베이스(6)로부터 제 2 가열 플레이트(320)의 높이(h2)가 서로 상이함에 따라, 상기 제 1 가열 플레이트(310)와 제 2 가열 플레이트(320)는 서로 위치변경이 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 테스트 핸들러.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 1 가열 플레이트(310) 또는 제 2 가열 플레이트(320)의 비어있는 포켓에 이송함과 동시에, 상기 제 2 피커(220)가 제 1 가열 플레이트(310) 또는 제 2 가열 플레이트(320)에서 60℃ 내지 150℃로 고온화된 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 테스트 핸들러.
  4. 반도체 디바이스의 고온화 방법에 있어서,
    (a) 제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 1 가열 플레이트(310)의 1번 포켓에 이송하고, 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경하는 단계;
    (b) 상기 제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 2 가열 플레이트(320)의 1번 포켓에 이송하고, 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경하는 단계; 및
    (c) 상기 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)의 모든 포켓이 디바이스로 채워질때까지, 상기 (a) 단계 내지 (b) 단계의 절차를 반복하는 단계; 를 포함하되,
    상기 디바이스가 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)에서 고온화되는 온도는 60℃ 내지 150℃ 인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 고온화 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 (c) 단계 이후에,
    (d) 제 2 피커(220)가 상기 제 1 가열 플레이트(310)에서 60℃ 내지 150℃로 고온화된 1번 포켓의 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하고, 상기 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경하는 단계;
    (e) 상기 제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 1 가열 플레이트(310)의 비어있는 1번 포켓에 이송함과 동시에, 상기 제 2 피커(220)가 제 2 가열 플레이트(320)에서 60℃ 내지 150℃로 고온화된 1번 포켓의 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하는 단계;
    (f) 상기 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경하는 단계;
    (g) 상기 제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 2 가열 플레이트(320)의 비어있는 1번 포켓에 이송함과 동시에, 상기 제 2 피커(220)가 제 1 가열 플레이트(310)에서 60℃ 내지 150℃로 고온화된 2번 포켓의 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하는 단계;
    (h) 상기 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경하는 단계;
    (i) 상기 제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 2 가열 플레이트(320)의 비어있는 2번 포켓에 이송함과 동시에, 제 2 피커(220)가 제 1 가열 플레이트(310)에서 60℃ 내지 150℃로 고온화된 3번 포켓의 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하는 단계; 및
    (j) 상기 제 1 가열 플레이트(310) 및 제 2 가열 플레이트(320)가 서로 위치를 변경하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 고온화 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 (j) 단계 이후에,
    (k) 상기 커스터머 트레이(100)에 적재된 검사 대상 디바이스가 모두 테스트 영역(7)으로 이송될때까지 상기 (d) 내지 (j) 단계의 절차를 반복 수행하는 단계; 를 더 포함하되,
    상기 반복수행되는 절차는, 상기 제 1 피커(210)가 커스터머 트레이(100)에 적재된 하나 또는 복수개의 디바이스를 제 1 가열 플레이트(310) 또는 제 2 가열 플레이트(320)의 비어있는 포켓에 이송함과 동시에, 상기 제 2 피커(220)가 제 1 가열 플레이트(310) 또는 제 2 가열 플레이트(320)에서 60℃ 내지 150℃로 고온화된 포켓의 디바이스를 테스트 영역(7)으로 이송하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 고온화 방법.
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