JPS6020515A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS6020515A JPS6020515A JP12696083A JP12696083A JPS6020515A JP S6020515 A JPS6020515 A JP S6020515A JP 12696083 A JP12696083 A JP 12696083A JP 12696083 A JP12696083 A JP 12696083A JP S6020515 A JPS6020515 A JP S6020515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- etching
- holder
- electrode
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体薄；１す製造工程等に於て使用されるス
パッタエツチング装置に関する。
パッタエツチング装置に関する。
従来この種装置は基板をトレイに載せてスパッタエツチ
ング室に搬入し或は搬出し、該基板のエツチングレート
叺してはそのままトレイ全体に高周波電力を加えるを一
般とするが、高周波電力をトレイ全体に加えて所定のエ
ツチングレートを取るためには大きな車力が必要で経済
的でない等の不都合がある。
ング室に搬入し或は搬出し、該基板のエツチングレート
叺してはそのままトレイ全体に高周波電力を加えるを一
般とするが、高周波電力をトレイ全体に加えて所定のエ
ツチングレートを取るためには大きな車力が必要で経済
的でない等の不都合がある。
本発明はこうした不都合を解決することを目的としたも
ので、基板収容室に１４接してエツチング電極を備えた
スパッタエツチング室を設け。
ので、基板収容室に１４接してエツチング電極を備えた
スパッタエツチング室を設け。
両室間で基板の受渡しを行なう式のものに於て、該エツ
チング電極を該電極と略同径に形成してスパッタエツチ
ング室の上方に配置すると共にその下方に前記基板を該
エツチング電極に押し付けるべく昇降する絶縁材製のシ
ートラ配置し、該シートの側方［該基板収容室内と該エ
ツチング電極の下方とに基板を載せたホルダを把持して
移送すべく旋回するスイングアームを設けて成る。
チング電極を該電極と略同径に形成してスパッタエツチ
ング室の上方に配置すると共にその下方に前記基板を該
エツチング電極に押し付けるべく昇降する絶縁材製のシ
ートラ配置し、該シートの側方［該基板収容室内と該エ
ツチング電極の下方とに基板を載せたホルダを把持して
移送すべく旋回するスイングアームを設けて成る。
本発明の笑施例を別紙図面の第１図乃至第３図につき説
明するに、（ｌ）は基板収容室、（２）は該基板収容室
（１）に隣接して設けたスパツタエツチング室、（３）
は該エツチング室（２）内の上方に設けたエツチング電
極を示し、該基板収容室ｆｉｌとスノξツタエツチング
室（２１の出↓には両室間にスノぐツタエツチング処理
が施される基板（４）を受渡すための開口（５）が形成
される。また画室！１）ｉ２１は図示してない真空ポン
プにより真空に排気されるが、基板収容室ｉｌ＋が基板
（４）を収めたカセットケース（６）の取出し或は収容
のために大気圧［なった場合エツチング室（２）の真壁
度が低下することを防止すべく開口（５）に仕切バルブ
（７）を設けるようにした。
明するに、（ｌ）は基板収容室、（２）は該基板収容室
（１）に隣接して設けたスパツタエツチング室、（３）
は該エツチング室（２）内の上方に設けたエツチング電
極を示し、該基板収容室ｆｉｌとスノξツタエツチング
室（２１の出↓には両室間にスノぐツタエツチング処理
が施される基板（４）を受渡すための開口（５）が形成
される。また画室！１）ｉ２１は図示してない真空ポン
プにより真空に排気されるが、基板収容室ｉｌ＋が基板
（４）を収めたカセットケース（６）の取出し或は収容
のために大気圧［なった場合エツチング室（２）の真壁
度が低下することを防止すべく開口（５）に仕切バルブ
（７）を設けるようにした。
図示の例でにスパッタエツチング室（２）にさらに仕切
バルブ（８）を備えた開口（９）全弁して連通する成膜
室ｕ０１を設け、該スパッタエッチ室（２）に於てエツ
チング処理された基板（４）はトレイ（１１１１Ｃ載せ
られて順次藷成膜室（［（２）に送り込まれ、そこで蒸
着その他の成膜処理が施される構成とした。
バルブ（８）を備えた開口（９）全弁して連通する成膜
室ｕ０１を設け、該スパッタエッチ室（２）に於てエツ
チング処理された基板（４）はトレイ（１１１１Ｃ載せ
られて順次藷成膜室（［（２）に送り込まれ、そこで蒸
着その他の成膜処理が施される構成とした。
各基板（４）は円板状に形成されて夫々第２図示のよう
な外周に鍔部（１２ａ）分備えたホルダＵりに敗付けら
れ、図示のものではボルダα２に取付けた基板ｆ４）の
複数枚を層状にカセットケース（６）内に収め、こねよ
り一つずつ回転軸１３）ＶＣより旋回されるエツチング
室（２）内のスイングアーム（１４１で取出されるよう
にした。該スイングアーム■はその旋回方向の側部に切
欠部（１４ａ）を形成した円弧状の先端部（１４ｂ）を
備え、その旋回でホルダ（１２１の鍔部（１２ａ）を該
先端部（１４ｂ）の円弧状内に支え、エツチング電極（
３）の下方とカセットケース（６）との間を往復する。
な外周に鍔部（１２ａ）分備えたホルダＵりに敗付けら
れ、図示のものではボルダα２に取付けた基板ｆ４）の
複数枚を層状にカセットケース（６）内に収め、こねよ
り一つずつ回転軸１３）ＶＣより旋回されるエツチング
室（２）内のスイングアーム（１４１で取出されるよう
にした。該スイングアーム■はその旋回方向の側部に切
欠部（１４ａ）を形成した円弧状の先端部（１４ｂ）を
備え、その旋回でホルダ（１２１の鍔部（１２ａ）を該
先端部（１４ｂ）の円弧状内に支え、エツチング電極（
３）の下方とカセットケース（６）との間を往復する。
エツチング電極（３）ハ基板（４１と略同径の円形に形
成され、その下方の昇降テーブルａ９か上昇すると上面
に形成した絶縁材製の突起（１６ａ）からなるシー）
［６１で九ルダａカが゛持ち上げられて基板（４）がエ
ツチング電極（３）に押し付けられる。該エツチング電
極＋３１ ［例えばＲＦ定電源接続されると該基板（４
）の下面がエツチングされる。エツチング処理された基
板（４１にさらに蒸着その他の成膜処理ケ施す場合スイ
ングアーム（１滲とシート（１６１との間に予めトレイ
０１）全待機させ、該トレイ（ｌＤＫ形成した挿通孔（
ｌ ｌａ）を介して突起状のシートｕｔｉが上昇し、ス
イングアーム（１４ｆ−ｔこれよりホルダＨがエツチン
グ処理のために持ち上げられると旋回退去し、その処理
後にシー） ｔ１６１が下降するとホルダσ２はトレイ
（ＩＩ）上に置かれ、成膜室ｆｉｌｌにトレイａυに載
せて送り込″！れる。
成され、その下方の昇降テーブルａ９か上昇すると上面
に形成した絶縁材製の突起（１６ａ）からなるシー）
［６１で九ルダａカが゛持ち上げられて基板（４）がエ
ツチング電極（３）に押し付けられる。該エツチング電
極＋３１ ［例えばＲＦ定電源接続されると該基板（４
）の下面がエツチングされる。エツチング処理された基
板（４１にさらに蒸着その他の成膜処理ケ施す場合スイ
ングアーム（１滲とシート（１６１との間に予めトレイ
０１）全待機させ、該トレイ（ｌＤＫ形成した挿通孔（
ｌ ｌａ）を介して突起状のシートｕｔｉが上昇し、ス
イングアーム（１４ｆ−ｔこれよりホルダＨがエツチン
グ処理のために持ち上げられると旋回退去し、その処理
後にシー） ｔ１６１が下降するとホルダσ２はトレイ
（ＩＩ）上に置かれ、成膜室ｆｉｌｌにトレイａυに載
せて送り込″！れる。
０７）バカセットケース（６）を昇降させる昇降台で。
該ケース（６）の層状のホルダ（ｌａの下方にスイング
アーム（１４の先端部（１４ｂ）が介入すると一段下降
してこれにホルダ（１２１を載せ、該アームα滲の旋回
で該ケース（６１から取出される。
アーム（１４の先端部（１４ｂ）が介入すると一段下降
してこれにホルダ（１２１を載せ、該アームα滲の旋回
で該ケース（６１から取出される。
その作動を基板収容室１１）のカセットケース（１１）
から未処理の基板（４）を収めたホルダ０を取出し、エ
ツチング処理を施したのち成膜工程へと移送する」場合
につき説、明すると、スイングアーム（１４１Ｕｔず開
口（５）を介して基板収容室（１）のカセットケース（
６）からホルダα力を取出してエツチング電極（３）の
下方−＼と旋回する。次で７−ｚｔ６１がその上方のト
レイ（１１）の挿通孔（ｌｌａ）Ｔｈ介して上昇し、ス
イングアーム（ｌ／Ｄに保持されたホルダ（１２１を持
ち上げ、これに収めた基板（４）がエツチング電極（３
）ニ押し付けられ、スイングアーム０なは側方に旋回退
去する。ここで該電極（３）に高周波電力が与えられ基
板（４）の下面がエツチングさり、るが、その電力は基
板１４１ Ｋ所定のエツチングレートを生じさせるもの
であれば足り、比較的消費電力が少なくて済む。エツチ
ング処理が終るとシート（１ｅはホルダ（１２）と共に
下降するが、その途中に於て該ホルダ（１２＋はトレイ
０Ｄ上に載せられ、次の成膜室＋１０１へと運ばれる。
から未処理の基板（４）を収めたホルダ０を取出し、エ
ツチング処理を施したのち成膜工程へと移送する」場合
につき説、明すると、スイングアーム（１４１Ｕｔず開
口（５）を介して基板収容室（１）のカセットケース（
６）からホルダα力を取出してエツチング電極（３）の
下方−＼と旋回する。次で７−ｚｔ６１がその上方のト
レイ（１１）の挿通孔（ｌｌａ）Ｔｈ介して上昇し、ス
イングアーム（ｌ／Ｄに保持されたホルダ（１２１を持
ち上げ、これに収めた基板（４）がエツチング電極（３
）ニ押し付けられ、スイングアーム０なは側方に旋回退
去する。ここで該電極（３）に高周波電力が与えられ基
板（４）の下面がエツチングさり、るが、その電力は基
板１４１ Ｋ所定のエツチングレートを生じさせるもの
であれば足り、比較的消費電力が少なくて済む。エツチ
ング処理が終るとシート（１ｅはホルダ（１２）と共に
下降するが、その途中に於て該ホルダ（１２＋はトレイ
０Ｄ上に載せられ、次の成膜室＋１０１へと運ばれる。
尚、エツチング処理され′ｆｃ基板をスイングアームで
基板収容室へと取出すようにしてもよい。
基板収容室へと取出すようにしてもよい。
該エツチング電極（３）の直径ｔ２００ｍとし、これに
二酸化シリコンの基板（４）を押し付け、５×１０−５
ｔｏｒｒの真空化したエツチング室（２）で高周波によ
り処理した場合、第４図示の曲線Ａで示したようなエツ
チングレート特性が得られ、曲線Ｂで示したような従来
の基板ｔトレイにのせて全体に高周波をかける場合より
も消費′電力が少なくなる。
二酸化シリコンの基板（４）を押し付け、５×１０−５
ｔｏｒｒの真空化したエツチング室（２）で高周波によ
り処理した場合、第４図示の曲線Ａで示したようなエツ
チングレート特性が得られ、曲線Ｂで示したような従来
の基板ｔトレイにのせて全体に高周波をかける場合より
も消費′電力が少なくなる。
このように本発明によるときは基板を載せたホルダをス
イングアームで基板収容室とスパッタエツチング室との
間を移送し、該基板をこれと略同径のエツチング室の上
方のエツチング電極にシートで押し付けてスパッタリン
グする工つにしたのでスパッタ電力の消費が少なくなり
、経済的である等の効果がある。
イングアームで基板収容室とスパッタエツチング室との
間を移送し、該基板をこれと略同径のエツチング室の上
方のエツチング電極にシートで押し付けてスパッタリン
グする工つにしたのでスパッタ電力の消費が少なくなり
、経済的である等の効果がある。
第１図は本発明の実施例の裁断平面図、第２図はそのＩ
Ｉ −ｎ線裁断側面図、第３図はその要部のが１祝図、
第４図はエツチングレートの特性曲線図である。 （１）・・・基板収容室 （２）・・・スパッタエツチ
ング室（３）・・・エツチング電極 （４）・・・基板
０り・・ホルダ （１４１・・・スイングアーム（１６
）・・・シート 外２名 第１図 １′４ｂ
Ｉ −ｎ線裁断側面図、第３図はその要部のが１祝図、
第４図はエツチングレートの特性曲線図である。 （１）・・・基板収容室 （２）・・・スパッタエツチ
ング室（３）・・・エツチング電極 （４）・・・基板
０り・・ホルダ （１４１・・・スイングアーム（１６
）・・・シート 外２名 第１図 １′４ｂ
Claims (1)
- 基板収容室に隣接してエツチング電極を備えたスパッタ
エツチング室を設け１両室間で基板の受渡し２行なう式
のものに於て、該エツチング電極を該基板と略同径に形
成してスパッタエツチング室の上方に配置すると共にそ
の下方に前記基板全該エツチング電極に押し付けるべく
昇降する絶縁材製のシートを配置し、該シートの側方［
該基板収容室内と該エツチング電極の下方とに基板ケ載
せたホルダを把持して移送すべく旋回するスイングアー
ムを設けて成るスパッタエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12696083A JPS6020515A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12696083A JPS6020515A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020515A true JPS6020515A (ja) | 1985-02-01 |
| JPH0352216B2 JPH0352216B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=14948153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12696083A Granted JPS6020515A (ja) | 1983-07-14 | 1983-07-14 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629369A (ja) * | 1985-10-24 | 1994-02-04 | Texas Instr Inc <Ti> | ウェーハ処理ステーション |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421174A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Plasma reaction processor |
| JPS5710238A (en) * | 1980-05-19 | 1982-01-19 | Buranson Intern Purazuma Corp | Computer controlled device for processing semiconductor wafer and method therefor |
-
1983
- 1983-07-14 JP JP12696083A patent/JPS6020515A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421174A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Tokyo Ouka Kougiyou Kk | Plasma reaction processor |
| JPS5710238A (en) * | 1980-05-19 | 1982-01-19 | Buranson Intern Purazuma Corp | Computer controlled device for processing semiconductor wafer and method therefor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629369A (ja) * | 1985-10-24 | 1994-02-04 | Texas Instr Inc <Ti> | ウェーハ処理ステーション |
| JPH0645425A (ja) * | 1985-10-24 | 1994-02-18 | Texas Instr Inc <Ti> | ウェーハ移送方法及びウェーハ処理モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0352216B2 (ja) | 1991-08-09 |
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