CH642484A5 - Appareil de traitement de galettes a semi-conducteurs. - Google Patents

Appareil de traitement de galettes a semi-conducteurs. Download PDF

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CH642484A5
CH642484A5 CH323581A CH323581A CH642484A5 CH 642484 A5 CH642484 A5 CH 642484A5 CH 323581 A CH323581 A CH 323581A CH 323581 A CH323581 A CH 323581A CH 642484 A5 CH642484 A5 CH 642484A5
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CH323581A
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John T Davies
Richard F Reichelderfer
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Branson Int Plasma
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Description

L'invention concerne d'une manière générale les réacteurs à plasma gazeux, et plus particulièrement un appareil automatisé pour graver, attaquer ou traiter autrement des galettes à semi-conducteurs.
Les réacteurs utilisés jusqu'à présent dans le traitement au plasma des galettes à semi-conducteurs sont de deux types principaux, à savoir les réacteurs plans et les réacteurs cylindriques. Pour accroître le débit ou le nombre de galettes traitées, ces dernières sont traitées par lots dans ces réacteurs. Cependant, le nombre de galettes pouvant être traitées dans un 5 temps donné est limité par la dimension du réacteur et la vitesse du procédé utilisé. De plus, lorsque les galettes sont traitées par lots, il est en général difficile d'obtenir un traitement uniforme sur chacune des galettes, d'une galette à l'autre et d'une passe à l'autre.
io L'invention a donc pour but de fournir un appareil plus avantageux que ceux qui sont connus pour attaquer ou traiter d'une autre façon des galettes à semi-conducteurs dans un milieu à plasma, en particulier pour traiter les galettes individuellement, l'appareil devant pouvoir fonctionner de manière 15 automatisée sous la commande d'un calculateur.
Pour atteindre ce but, l'invention propose un appareil de traitement de galettes à semi-conducteurs, caractérisé en ce qu'il comporte une chambre de réaction, une première électrode montée dans une position prédéterminée à l'intérieur de 20 la chambre, une seconde électrode montée sur un bras pivotant de manière à pouvoir se déplacer entre une position de réception d'une galette, éloignée de la première électrode, et une position de traitement d'une galette, adjacente à la première électrode, un transporteur destiné à transporter une galette 25 vers la seconde électrode lorsque cette dernière se trouve en position de réception d'une galette, un dispositif destiné à fixer la galette à la seconde électrode afin qu'elle se déplace avec cette dernière entre la position de réception et la position de traitement d'une galette, un dispositif destiné à introduire un 30 gaz réactif dans la chambre, et un dispositif destiné à alimenter les électrodes en énergie électrique afin d'ioniser le gaz et de former un plasma pour le traitement de la galette placée entre les électrodes lorsque la seconde électrode est en position de traitement, au-dessus de la première électrode. 35 L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemple nullement limitatif et sur lesquels:
la figure 1 est un schéma simplifié d'une forme de réalisation de l'appareil à réacteur selon l'invention;
40 la figure 2 est une vue en perspective, avece arrachement partiel, de la chambre de réaction de l'appareil montré sur la figure 1;
la figure 3 est une vue en perspective, avec coupe partielle, de l'électrode fixe placée dans la chambre de réaction de l'ap-45 pareil représenté sur la figure 1;
la figure 4 est une coupe suivant la ligne 4-4 de la figure 2; la figure 5 est une coupe suivant la ligne 5-5 de la figure 4; la figure 6 est une coupe suivant la ligne 6-6 de la figure 4;
et
50 la figure 7 est une coupe suivant la ligne 7-7 de la figure 4. Comme représenté sur la figure 1, l'appareil à réacteur selon l'invention comprend une chambre 10 de réaction dans laquelle les galettes sont traitées. Les galettes à traiter sont empilées dans un magasin 11 d'entrée et les galettes ayant été s5 traitées sont empilées dans un magasin 12 de sortie. Les deux magasins sont placés à l'extérieur de la chambre du réacteur et les galettes sont déplacées entre les magasins et la chambre par un transporteur 13 entraîné par un moteur 14.
Les galettes pénètrent dans la chambre du réacteur et en 60 sortent en passant dans des sas 16 et 17 de charge qui maintiennent la chambre à l'état fermé, malgré le passage des galettes. Les sas de charge sont de conception classique et comprennent des chambres intérieures dont les extrémités opposées comportent des portes d'entrée et de sortie. Ces dernières 65 sont commandées par des actionneurs 18,19. Avant que les portes communiquant avec la chambre de réaction soient ouvertes, la pression régnant à l'intérieur des chambres des sas est réduite à un niveau inférieur à celui de la chambre de
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réaction par une pompe à vide 21. Avant l'ouverture des portes extérieures, les chambres des sas sont purgées au moyen d'un gaz inerte et la pression régnant dans ces chambres est élevée à un niveau supérieur à celui de la pression atmosphérique.
Comme décrit plus en détail ci-après, une électrode fixe 23 et une électrode mobile 24 sont disposées dans la chambre du réacteur. L'électrode mobile reçoit les galettes du transporteur et les amène en position retournée au-dessus de l'électrode fixe afin de les traiter dans un plasma formé entre les électrodes. L'électrode mobile est déplacée entre les positions de réception et de traitement de la galette par un moteur 26 de commande, et les galettes sont fixées à l'électrode mobile par un mandrin actionné par vide.
Des gaz réactifs et d'autres gaz (par exemple des gaz de purge), provenant d'une ou plusieurs sources 27 de gaz, sont introduits dans la chambre du réacteur au moyen d'un régulateur 28 de débit. Les gaz sont évacués de la chambre par une pompe 29 d'aspiration, en passant par une valve 30 à étranglement. Le vide est appliqué au mandrin de l'électrode par la pompe 29 et par l'intermédiaire d'une électrovalve 31.
L'alimentation en énergie électrique des électrodes est assurée par un générateur 32 à haute fréquence fonctionnant à une puissance et une fréquence convenables. La sortie du générateur est reliée aux électrodes par un réseau 33 d'adaptation. Un fluide de refroidissement est mis en circulation dans les électrodes à partir d'une source 34, afin de maintenir lesdi-tes électrodes à une température souhaitée. La température du fluide de refroidissement est maintenue par un capteur placé dans le réservoir de fluide de refroidissement, et la température de ce dernier est régulée par la source.
Des capteurs 36,37 de position des galettes sont montés dans la chambre du réacteur et détectent lorsqu'une galette est transférée du transporteur vers l'électrode mobile, ou bien ramenée de cette dernière sur le'transporteur. Dans la forme préférée de réalisation, ces capteurs sont des éléments photoélectriques, bien que d'autres capteurs convenables puissent être utilisés si cela est souhaité. La pression régnant dans la chambre de réaction est contrôlée par un capteur 39 et la fin de la réaction est détectée par un capteur 41 de fin de processus. Dans la forme préférée de réalisation décrite, le capteur 41 est un capteur optique et la fin du processus est déterminée par la longueur d'onde de la lumière émise par certaines des substances excitées qui subissent une modification de leur concentration à la fin du processus.
Le fonctionnement du réacteur est commandé par un calculateur 46 qui est programmé conformément au mode selon lequel les galettes doivent être traitées. Tout calculateur convenable peut être utilisé et, dans la forme préférée de réalisation, un microprocesseur est employé. Le calculateur reçoit des signaux d'entrée des capteurs de position des galettes, du capteur de pression, du régulateur de débit, du générateur à haute fréquence, du transporteur, des sas et du capteur de fin de processus. Il produit des signaux de commande destinés aux magasins 11,12, au moteur 14 d'entraînement du transporteur, aux actionneurs 18,19 des portes des sas, à la pompe à vide 21, au moteur 26 de commande de l'électrode, au régulateur 28 de débit de gaz, à la valve 30 à étranglement de la pompe d'évacuation, à la bobine 31 de commande du mandrin à vide et au générateur 32 à haute fréquence. Une information supplémentaire peut être introduite dans le calculateur au moyen d'un clavier 47 et l'une quelconque ou toutes les fonctions de l'appareil peuvent être commandées manuellement à l'aide de ce clavier. Un visuel 48, commandé par le calculateur, donne une indication visible de la suite d'ordres, de données et de programmes. L'information affichée par le visuel est enregistrée par une imprimante 49 ou tout autre enregistreur convenable. Le calculateur comprend également une interface convenable lui permettant de communiquer avec d'autres équipements de traitement, d'enregistrement ou d'entrée.
La chambre de réaction et le transporteur sont représentés 5 plus en détail sur la figure 2. La chambre, de forme à peu près rectangulaire, comprend un fond 51, une paroi supérieure (non représentée), une paroi avant 52, une paroi arrière 53 et des parois latérales 54,56. Une fenêtre 57 de visée est ménagée dans la paroi avant 52 afin qu'il soit possible de voir le proces-io sus réalisé dans le réacteur. Une ouverture 58 d'entrée des galettes est réalisée dans la paroi latérale 54, vers la partie arrière de la chambre, et une ouverture 59 de sortie des galettes est formée dans la paroi latérale 56, dans une position opposée à celle de l'ouverture d'entrée.
i5 Le transporteur 13 est un transporteur à balancier comportant des rails allongés 61-63 qui sont divisés en tronçons et qui passent dans les ouvertures 58,59 et dans les sas associés. Les tronçons de rails sont espacés longitudinalement les uns des autres et les portes des sas sont disposées entre les tron-20 çons de manière que les rails ne gênent pas le fonctionnement de ces portes. Les trois rails sont disposés côte à côte, le rail 63 étant placé entre les rails 61,62. Les rails extérieurs sont entraînés simultanément de manière à suivre une course elliptique par rapport au rail intérieur, lorsque l'on considère la 25 chambre de face, et les mouvements alternés de montée et de descente des rails font progresser les galettes à travers l'appareil. Les rails sont alignés axialement avec l'électrode 24 lorsque cette dernière est dans la position montrée sur la figure 2. Dans cette position, l'électrode est disposée dans un intervalle 30 64 à peu près circulaire, délimité entre les tronçons de rails, la surface supérieure de l'électrode étant située légèrement au-dessous des surfaces supérieures des rails.
Le transporteur comprend également des moyens destinés à transférer les galettes des rails à mouvement de balancier 35 vers l'électrode mobile 24 et à les ramener de l'électrode vers les rails. Ces moyens comprennent plusieurs doigts 66 qui passent librement dans des ouvertures 67 de l'électrode et qui s'élèvent au-dessus de la surface supérieure de cette dernière. Les doigts de transfer des galettes sont reliés fonctionnelle-40 ment aux rails de transport par une biellette 68 et ils sont commandés de manière à effectuer le même mouvement elliptique que celui des rails.
Les capteurs 36,37 de position des galettes sont montés sur des équerres ou bras 71,72 et ils sont disposés au-dessus 45 du rail central du transporteur, de part et d'autre de l'électrode 24.
L'électrode 23 est montée en position fixe, vers la partie avant de la chambre, à proximité de la fenêtre 57. Cette électrode est isolée électriquement des parois du réacteur et elle est 50 reliée au côté «actif» ou non à la masse de la sortie du générateur. L'électrode 24 est à la masse électrique. L'électrode 23 comprend un plateau 73 en matière poreuse, conductrice du courant électrique et à travers laquelle le gaz réactif est diffusé vers l'intérieur de la chambre. Dans une forme préférée de 55 réalisation de l'invention, le plateau est réalisé en acier inoxydable fritté dont la porosité ou la dimension des pores est de l'ordre de 35 micromètres. Dans la forme de réalisation représentée, le plateau comprend une structure analogue à un disque circulaire et une bague périphérique 74 de montage est fi-60 xée au plateau par des moyens convenables, par exemple par emmanchement à retrait.
Comme représenté sur la figure 3, l'électrode 23 comprend également un corps cylindrique 76 en matière conductrice du courant électrique et duquel une tige 77 part vers le bas. Une 65 chemise 78 de refroidissement est formée dans la partie inférieure du corps de l'électrode et une chambre 79 de distribution de gaz est formée dans la partie supérieure du corps. Une plaque de fond 81, à peu près circulaire, est fixée à la paroi ex-
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térieure du corps de l'électrode et forme le fond de la chemise la plaque de mandrin, sur un côté de la chemise de refroidisse-
à eau 78. Plusieurs chicanes incurvées 82 forment des canaux ment. Un tube 117 de distribution de fluide de refroidisse-
83 qui s'étendent radialement et circonférentiellement dans la ment, présentant plusieurs orifices 118 de décharge, s'étend chambre de distribution. Le plateau 73 est monté sur la partie dans la chemise, entre les bossages rectangulaires, et commu-
supérieure du corps 76 de l'électrode et il forme la paroi supé- 5 nique avec un canal 119 d'entrée ménagé dans la zone mas-
rieure de la chambre de distribution. Cette dernière et la che- sive. Un canal 121 de sortie du fluide de refroidissement est mise de refroidissement s'étendent sur toute la dimension laté- réalisé dans la zone massive et communique directement avec raie du plateau afin de réaliser une distribution uniforme du la chemise à eau. Des trous taraudés 122 sont réalisés dans la gaz et un refroidissement uniforme du plateau. partie inférieure de la zone massive afin de recevoir des vis
La tige 77 comprend un tube 84 qui part vers le bas de la io (non représentées) au moyen desquelles l'électrode est fixée au partie centrale de la plaque 81 de fond. Un tube 86 d'arrivée bras oscillant.
de gaz s'élève verticalement à l'intérieur du tube 84 et traverse L'électrode 24 comporte également une plaque 126 d'é -la plaque 81 et la paroi centrale 87 du corps 76 afin d'établir tanchéité qui est montée dans un lamage 127 réalisé dans la une communication entre la source de gaz et la chambre de face inférieure de la plaque 106 de mandrin. Les ouvertures 67 distribution. Un tube 88 à fluide de refroidissement s'élève 15 destinées au passage des doigts de transfert des galettes traver-également verticalement à l'intérieur de la tige 77 et pénètre sent cette plaque et des fentes 108a sont également réalisées à dans la chemise de refroidissement en passant à travers la pia- travers la plaque, en alignement aves les canaux 108 à vide. La que de fond 81. Le fluide de refroidissement arrive à la che- surface supérieure de la plaque porte contre les surfaces infé-mise de refroidissement par un canal 89 formé entre les parois rieures d'épaulements 112,113 et de la zone massive de la pla-extérieures des tubes 86 et 88 et la paroi intérieure du tube 77, 20 que de mandrin afin de former une structure étanche aux flui-et par un orifice 91 ménagé dans la plaque 81. Le fluide de re- des. Le canal 119 d'entrée du fluide de refroidissement et les froidissement retourne à la source par le tube 88. trous 122 destinés à recevoir les vis de montage traversent la L'électrode 24 est montée sur un bras oscillant 92 afin de plaque 126, et une ouverture 128 de sortie du fluide de refroi-pouvoir être déplacée entre la position de réception d'une ga- dissement est réalisée dans cette plaque, en alignement avec le lette orientée à l'endroit, comme montré sur la figure 2, et une 25 canal 121. L'électrode 24 comprend également une plaque position de traitement d'une galette orientée à l'envers, au- 131 de distribution qui est montée sur les faces inférieures de dessus de l'électrode fixe 23. Le bras est fixé rigidement à un la plaque 106 de mandrin et de la plaque 126 d'étanchéité. Un axe 93 de section à peu près carrée, au moyen d'une bride 94 et canal 132 de distribution est réalisé dans la surface supérieure de vis 96. L'axe s'étend entre les parois latérales 54 et 56 de la de la plaque 131 et communique avec un orifice 133 d'entrée chambre et il est monté de manière à pouvoir tourner dans des 3" de vide traversant la plaque. Des canaux 136 partent latérale-ensembles 97 à palier et joint. Un fluide de refroidissement est ment du canal de distribution, ainsi qu'un canal central 137 mis en circulation dans l'électrode 24 au moyen de conduits de liaison. Les canaux .136 sont situés directement au-dessous 98 et de canaux (non représentés) réalisés dans l'axe 93 et dans des fentes 108a et communiquent avec les fentes 108 de la plaie bras 92. que de mandrin. Les ouvertures 67 destinées au passage des
Des moyens sont prévus pour fixer les galettes sur la sur- 35 doigts traversent également la plaque de distribution, de face supérieure de l'électrode 24 afin qu'elles se déplacent avec même que l'orifice 119 d'entrée du fluide de refroidissement,
cette électrode vers la position de traitement située au-dessus l'orifice 128 de sortie du fluide de refroidissement et les trous de l'électrode fixe 23. Ces moyens comprennent un mandrin à 122 des vis de montage. La surface inférieure de la plaque 131
vide qui est représenté sur les figures 4 à 7 et qui sera décrit ci- de distribution repose sur la surface supérieure du bras oscil-
après. Une dépression est appliquée au mandrin par la pompe 40 lant 92 de manière que le canal à vide et les assises d'entrée et aspirante 29 et par l'intermédiaire de l'électrovalve 31, d'un de sortie du fluide de refroidissement soient alignés avec les conduit 99 à vide et de canaux (non représentés) ménagés canaux correspondants ménagés dans le bras.
dans l'axe 93 et le bras 92. En variante, d'autres moyens con- Un orifice 141 d'aspiration est réalisé dans la paroi laté-
venables tels qu'un mandrin électrostatique peuvent être utili- raie 54, à proximité de l'électrode fixe 23, et est relié à une sés pour la fixation des galettes à l'électrode. 45 pompe 29 d'aspiration par un conduit 142 et une vanne 30 à
Un pignon 101 d'entraînement est monté sur l'axe 93, à étranglement.
l'extérieur de la chambre de réaction, et est commandé par un Le capteur 41 de fin de processus est monté dans la paroi moteur 26 afin de faire pivoter l'électrode 24 entre les posi- latérale 56, dans une position à peu près opposée à celle de tions de réception et de traitement des galettes. Comme repré- l'orifice 141 d'aspiration. Un tube 143 d'arrivée de gaz, ouvert senté sur les figures 4 à 7, l'électrode 24 comprend une plaque 50 vers le haut, est également monté dans la paroi latérale 56, à
à peu près cylindrique 106 de mandrin qui présente une sur- proximité immédiate du capteur 41. Dans certains procédés, il face supérieure plane 107 sur laquelle les galettes sont reçues. peut être souhaitable d'introduire certains gaz (par exemple
Des canaux à vide 108 traversent verticalement la plaque de des gaz de purge) au moyen de ce tube, bien que tous les gaz mandrin et aboutissent dans des fentes 109 réalisées dans la soient introduits à travers le plateau 73 dans la forme préférée surface supérieure de la plaque. Comme représenté sur la 55 de réalisation de l'invention.
figure 2, ces fentes sont disposées de manière à être totalement Le fonctionnement et l'utilisation de l'appareil à réacteur,
recouvertes par une galette de dimension classique, par exem- peut à présent être décrit. On suppose que le calculateur 41 est pie de 7,5 ou 10 cm de diamètre. programmé conformément au procédé à mettre en œuvre, par
Un évidement 111, ménagé dans la partie inférieure de la exemple un procédé d'attaque ou de gravure du silicium, du plaque 106 de mandrin, constitue une chemise de refroidisse- 60 Si3N4, du Si02 ou de l'aluminium. Un magasin contenant les ment pour l'électrode. Les canaux à vide 108 sont réalisés galettes à traiter est chargé sur un dispositif de réception situé dans des bossages 112 à peu près rectangulaires qui traversent à l'extrémité d'entrée du transporteur 13, et un magasin desia chemise de refroidissement. Des ouvertures 67 sont réali- tiné à recevoir les galettes traitées est placé à l'extrémité de sées à travers des bossages à peu près rectangulaires 113 et dé- sortie du transporteur. Ce dernier entraîne les galettes une à bouchent à la surface supérieure de la plaque de mandrin afin 65 une du magasin d'entrée vers la chambre de réaction. Lorsque de permettre le passage des doigts du transporteur destinés au chaque galette approche du sas 16 de charge, la chambre de ce transfert des galettes. sas est purgée avec un gaz inerte et la porte extérieure s'ouvre Une zone massive 116 est formée sur la face inférieure de pour permettre le passage de la galette. La porte est ensuite
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fermée et la pression régnant à l'intérieur de la chambre du sas ouverte pour permettre à la galette de sortir du sas. Lors-
est réduite à un niveau inférieur à celui de la pression de la qu'une galette sort de la chambre de réaction, la galette sui-
chambre du réacteur. La porte intérieure du sas 16 est ensuite vante y pénètre et est transférée vers l'électrode 24 pour être ouverte et la galette est introduite dans la chambre de réac- traitée de la même manière que celle décrite ci-dessus. Les gaz tion. Lorsque la galette approche de l'électrode 24, elle est 5 de décharge sont retirés de la chambre de réaction par la transférée, alors qu'elle est tournée vers le haut, des rails à ba- pompe 29 d'aspiration et la valve 30 à étranglement maintient lancier vers la surface supérieure de l'électrode au moyen des la pression souhaitée à l'intérieur de la chambre, cette pres-
doigts 66 de transfert. sion étant déterminée par le capteur 39. Le fluide de refroidis-
Après que la galette a été transférée sur l'électrode 24, le sement est mis en circulation à travers les électrodes afin de moteur 26 est mis en marche pour la soulever du transporteur 10 maintenir la température de ces dernières au niveau souhaité,
et le mandrin à vide est actionné afin de fixer la galette à l'élec- L'invention présente un certain nombre de caractéristi-
trode. Lorsque l'électrode 24 bascule vers l'électrode 23, la ga- ques et d'avantages importants. Etant donné que l'appareil lette est amenée en position retournée ou face tournée vers le est commandé par un calculateur, son fonctionnement et le bas, au-dessus de la surface du plateau 73. traitement réalisé sont totalement automatisés. On élimine
Un gaz est introduit dans la chambre à travers le plateau 15 ainsi le coût d'un opérateur et on obtient des cadences de proporeux de l'électrode 23, et les électrodes sont mises sous ten- duction supérieures à celles possibles avec un appareil ma-sion afin d'ioniser le gaz et de former un plasma destiné à trai- nuel. Le plasma est limité essentiellement à la zone comprise ter la galette placée entre les électrodes. Lorsque le traitement entre les électrodes et il est donc possible de réaliser le trans-est fini, ce qui est déterminé par le capteur 41, l'alimentation porteur et d'autres éléments dans des matières pouvant autre-des électrodes est coupée et le moteur 26 est mis en marche 20 ment être affectées par le plasma. Un autre avantage impor-pour ramener l'électrode 24 et la galette qu'elle porte vers la tant est que la chambre du réacteur n'est pas exposée à Fat-position montrée sur la figure 2. Le transporteur est ensuite mosphère, ce qui favorise son maintien à l'état propre et remis en marche pour transférer la galette de l'électrode sur exempt d'impuretés.
les rails du transporteur et pour la faire sortir de la chambre II ressort de la description précédente que l'appareil pro-
par le sas 17 de sortie. Lorsque la galette approche du sas, la 25 pose permet de graver ou traiter autrement des galettes à se-
porte intérieure de ce dernier s'ouvre, puis se referme derrière mi-conducteurs d'une manière très efficace. Il va de soi que de la galette. La porte intérieure étant fermée, un gaz de purge est nombreuses modifications peuvent être apportées à l'appareil introduit dans la chambre du sas et la porte extérieure est décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention.
C
4 feuilles dessins

Claims (8)

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1. Appareil de traitement de galettes à semi-conducteurs, caractérisé en ce qu'il comporte une chambre (10) de réaction, une première électrode (23) montée dans une position prédéterminée à l'intérieur de la chambre, une seconde électrode (24) montée sur un bras pivotant (92) de manière à pouvoir se déplacer entre une position de réception d'une galette, éloignée de la première électrode, et une position de traitement d'une galette, adjacente à la première électrode, un transporteur (13) destiné à transporter une galette vers la seconde électrode et à l'éloigner de la seconde électrode lorsque cette dernière se trouve en position de réception d'une galette, un dispositif destiné à fixer la galette à la seconde électrode afin qu'elle se déplace avec cette dernière entre la position de réception et la position de traitement d'une galette, un dispositif destiné à introduire un gaz réactif dans la chambre, et un dispositif destiné à alimenter les électrodes en énergie électrique afin d'ioniser le gaz et de former un plasma pour le traitement de la galette placée entre les électrodes lorsque la seconde électrode est en position de traitement, au-dessus de la première électrode.
2. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première électrode (23) comprend un plateau (73) en matière poreuse à travers laquelle le gaz est introduit dans la chambre.
2
REVENDICATIONS
3. Appareil selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première électrode comprend un corps (76) en matière conductrice du courant électrique, sur lequel le plateau est monté, la partie supérieure du corps présentant une chambre (79) de distribution de gaz située directement au-dessous du plateau, et un canal (86) d'arrivée de gaz communiquant avec cette chambre de distribution.
4. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dispositif de fixation de la galette à la seconde électrode (24) comprend un mandrin à vide.
5. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que le transporteur comprend un balancier comportant des rails allongés (61-63) relativement mobiles, destinés à transporter les galettes vers la seconde électrode et à les éloigner de cette électrode, et plusieurs doigts (66) reliés fonctionnellement aux rails et passant dans des ouvertures (67) de la seconde électrode afin de poser une galette sur la seconde électrode et de l'enlever de cette seconde électrode lorsque cette dernière est en position de réception d'une galette.
6. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que la chambre de réaction présente des ouvertures d'entrée et de sortie (58,59) équipées de sas (16,17) que le transporteur fait traverser aux galettes.
7. Appareil selon l'une des revendications 1 et 6, caractérisé en ce qu'il comprend un calculateur (46) qui commande le fonctionnement du manière prédéterminée.
8. Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde électrode (24) comprend un corps (106) qui comporte une paroi à peu près plane (107) sur laquelle la galette est reçue, une chambre (132) à vide ménagée à l'intérieur du corps et reliée à une source de vide (29), et plusieurs ouvertures (108) qui traversent la paroi et qui communiquent avec la chambre à vide afin d'appliquer le vide à la face arrière d'une galette reçue sur ladite paroi.
CH323581A 1980-05-19 1981-05-18 Appareil de traitement de galettes a semi-conducteurs. CH642484A5 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/151,169 US4313783A (en) 1980-05-19 1980-05-19 Computer controlled system for processing semiconductor wafers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH642484A5 true CH642484A5 (fr) 1984-04-13

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ID=22537605

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CH323581A CH642484A5 (fr) 1980-05-19 1981-05-18 Appareil de traitement de galettes a semi-conducteurs.

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US (1) US4313783A (fr)
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NL (1) NL8102414A (fr)

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
US4340462A (en) * 1981-02-13 1982-07-20 Lam Research Corporation Adjustable electrode plasma processing chamber
JPS5816078A (ja) * 1981-07-17 1983-01-29 Toshiba Corp プラズマエツチング装置
DE3147986C2 (de) * 1981-12-04 1992-02-27 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren
US4381965A (en) * 1982-01-06 1983-05-03 Drytek, Inc. Multi-planar electrode plasma etching
US4551192A (en) * 1983-06-30 1985-11-05 International Business Machines Corporation Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography
JPS6020515A (ja) * 1983-07-14 1985-02-01 Ulvac Corp 真空処理装置
JPH0674504B2 (ja) * 1983-07-21 1994-09-21 キヤノン株式会社 堆積膜の製造方法
JPS6060060A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 株式会社日立製作所 鉄道車両の扉開閉装置
US4496423A (en) * 1983-11-14 1985-01-29 Gca Corporation Gas feed for reactive ion etch system
US4576828A (en) * 1984-05-17 1986-03-18 Geotel, Inc. Method and apparatus for plasma spray coating
JPS6130235U (ja) * 1984-07-26 1986-02-24 株式会社 プラズマシステム プラズマエツチング装置
US4657618A (en) * 1984-10-22 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Powered load lock electrode/substrate assembly including robot arm, optimized for plasma process uniformity and rate
US4657620A (en) * 1984-10-22 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Automated single slice powered load lock plasma reactor
US4657621A (en) * 1984-10-22 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Low particulate vacuum chamber input/output valve
US4657617A (en) * 1984-10-22 1987-04-14 Texas Instruments Incorporated Anodized aluminum substrate for plasma etch reactor
US4654106A (en) * 1984-10-22 1987-03-31 Texas Instruments Incorporated Automated plasma reactor
US4661196A (en) * 1984-10-22 1987-04-28 Texas Instruments Incorporated Plasma etch movable substrate
US4659413A (en) * 1984-10-24 1987-04-21 Texas Instruments Incorporated Automated single slice cassette load lock plasma reactor
BG41744A1 (en) * 1984-11-26 1987-08-14 Savov Method for control of chimico= thermic processing of work- pieces with glowing dicharge in medium of processing gas and device for implementing this method
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
JPS61263127A (ja) * 1985-05-15 1986-11-21 Rohm Co Ltd エツチング装置
JPH06101780B2 (ja) * 1985-05-22 1994-12-12 ミノルタ株式会社 画像読取装置
KR900001666B1 (ko) * 1985-07-19 1990-03-17 후지쓰가부시끼가이샤 화합물 반도체의 에피택셜층 성장용의 화학적 유기 금속 기상 성장장치
US5753542A (en) * 1985-08-02 1998-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for crystallizing semiconductor material without exposing it to air
EP0211634B1 (fr) * 1985-08-02 1994-03-23 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Procédé et appareil pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs
US5296405A (en) * 1985-08-02 1994-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co.., Ltd. Method for photo annealing non-single crystalline semiconductor films
US4749440A (en) * 1985-08-28 1988-06-07 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
JPS6372877A (ja) * 1986-09-12 1988-04-02 Tokuda Seisakusho Ltd 真空処理装置
US4902531A (en) * 1986-10-30 1990-02-20 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Vacuum processing method and apparatus
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US5755886A (en) * 1986-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for preventing deposition gases from contacting a selected region of a substrate during deposition processing
JPS63186875A (ja) * 1987-01-29 1988-08-02 Tadahiro Omi 表面反応成膜装置
US4997677A (en) * 1987-08-31 1991-03-05 Massachusetts Institute Of Technology Vapor phase reactor for making multilayer structures
JPS6481650A (en) * 1987-09-18 1989-03-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Flat type motor
US4951603A (en) * 1988-09-12 1990-08-28 Daidousanso Co., Ltd. Apparatus for producing semiconductors
WO1990010092A1 (fr) * 1989-02-24 1990-09-07 Massachusetts Institute Of Technology Appareil d'ecoulement a stagnation modifie pour le depot en phase vapeur par procede chimique, assurant une regulation excellente du depot
US5458724A (en) * 1989-03-08 1995-10-17 Fsi International, Inc. Etch chamber with gas dispersing membrane
US5002010A (en) * 1989-10-18 1991-03-26 Varian Associates, Inc. Vacuum vessel
JP2644912B2 (ja) 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
US7089680B1 (en) 1990-08-29 2006-08-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
USRE39823E1 (en) * 1990-08-29 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39756E1 (en) * 1990-08-29 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US5578520A (en) * 1991-05-28 1996-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for annealing a semiconductor
US5766344A (en) 1991-09-21 1998-06-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a semiconductor
US7097712B1 (en) 1992-12-04 2006-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for processing a semiconductor
US6897100B2 (en) 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
CN1052566C (zh) 1993-11-05 2000-05-17 株式会社半导体能源研究所 制造半导体器件的方法
US5597439A (en) * 1994-10-26 1997-01-28 Applied Materials, Inc. Process gas inlet and distribution passages
US6699530B2 (en) * 1995-07-06 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Method for constructing a film on a semiconductor wafer
US5653806A (en) * 1995-03-10 1997-08-05 Advanced Technology Materials, Inc. Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same
TW283250B (en) 1995-07-10 1996-08-11 Watkins Johnson Co Plasma enhanced chemical processing reactor and method
US5708556A (en) * 1995-07-10 1998-01-13 Watkins Johnson Company Electrostatic chuck assembly
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
WO1997009737A1 (fr) 1995-09-01 1997-03-13 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Dispositif de support pour tranches
US5609720A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Lam Research Corporation Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching
JPH09172001A (ja) * 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 半導体製造装置の温度制御方法および装置
US5741363A (en) * 1996-03-22 1998-04-21 Advanced Technology Materials, Inc. Interiorly partitioned vapor injector for delivery of source reagent vapor mixtures for chemical vapor deposition
US5986874A (en) * 1997-06-03 1999-11-16 Watkins-Johnson Company Electrostatic support assembly having an integral ion focus ring
AT408930B (de) * 1999-01-13 2002-04-25 Thallner Erich Vorrichtung zur chemischen behandlung von wafern
US6118218A (en) * 1999-02-01 2000-09-12 Sigma Technologies International, Inc. Steady-state glow-discharge plasma at atmospheric pressure
US20010035403A1 (en) 2000-05-18 2001-11-01 Albert Wang Method and structure for producing flat wafer chucks
US6838114B2 (en) * 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
US6821347B2 (en) 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US6955725B2 (en) 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6926775B2 (en) * 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US6818249B2 (en) * 2003-03-03 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Reactors, systems with reaction chambers, and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US7335396B2 (en) * 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7235138B2 (en) * 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7344755B2 (en) * 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7422635B2 (en) * 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) * 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) * 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) * 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7647886B2 (en) * 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) * 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7584942B2 (en) 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US20050249873A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Demetrius Sarigiannis Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) * 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US7156470B1 (en) * 2004-06-28 2007-01-02 Wright James P Wheel trim hub cover
US20060165873A1 (en) * 2005-01-25 2006-07-27 Micron Technology, Inc. Plasma detection and associated systems and methods for controlling microfeature workpiece deposition processes
US7988872B2 (en) * 2005-10-11 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Method of operating a capacitively coupled plasma reactor with dual temperature control loops
US8034180B2 (en) * 2005-10-11 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Method of cooling a wafer support at a uniform temperature in a capacitively coupled plasma reactor
US8092638B2 (en) * 2005-10-11 2012-01-10 Applied Materials Inc. Capacitively coupled plasma reactor having a cooled/heated wafer support with uniform temperature distribution
US8157951B2 (en) * 2005-10-11 2012-04-17 Applied Materials, Inc. Capacitively coupled plasma reactor having very agile wafer temperature control
US20070091540A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor using multiple zone feed forward thermal control
US8092606B2 (en) * 2007-12-18 2012-01-10 Asm Genitech Korea Ltd. Deposition apparatus
WO2010008021A1 (fr) * 2008-07-15 2010-01-21 キヤノンアネルバ株式会社 Procédé de traitement par plasma et dispositif de traitement par plasma
JP5257328B2 (ja) * 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US9136155B2 (en) 2011-11-17 2015-09-15 Lam Research Ag Method and device for processing wafer shaped articles
US9269544B2 (en) 2013-02-11 2016-02-23 Colorado State University Research Foundation System and method for treatment of biofilms
DE102014205695B4 (de) * 2014-03-27 2016-01-28 Christof-Herbert Diener Niederdruckplasmaanlage mit sequentieller Steuerung
JP6285305B2 (ja) * 2014-07-22 2018-02-28 住友化学株式会社 半導体製造装置及び半導体の製造方法
CN108227413B (zh) * 2016-12-15 2023-12-08 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种光刻胶去除装置及其清洗方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3326717A (en) * 1962-12-10 1967-06-20 Ibm Circuit fabrication
US3528906A (en) * 1967-06-05 1970-09-15 Texas Instruments Inc Rf sputtering method and system
US3756939A (en) * 1971-10-14 1973-09-04 Materials Research Corp Target mounting device for sequential sputtering
US3857479A (en) * 1972-06-26 1974-12-31 J Brems Prime mover mechanism and transfer system
US3838031A (en) * 1972-09-15 1974-09-24 A Snaper Means and method for depositing recrystallized ferroelectric material
US4192706A (en) * 1975-01-22 1980-03-11 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Gas-etching device
JPS5291650A (en) * 1976-01-29 1977-08-02 Toshiba Corp Continuous gas plasma etching apparatus
JPS5378170A (en) * 1976-12-22 1978-07-11 Toshiba Corp Continuous processor for gas plasma etching
US4252595A (en) * 1976-01-29 1981-02-24 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Etching apparatus using a plasma
DE2730819A1 (de) * 1977-07-07 1979-01-25 Siemens Ag Plasma-aetzverfahren
US4208159A (en) * 1977-07-18 1980-06-17 Tokyo Ohka Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for the treatment of a wafer by plasma reaction
JPS5421175A (en) * 1977-07-18 1979-02-17 Tokyo Ouka Kougiyou Kk Improvement of plasma reaction processor
US4131267A (en) * 1978-06-02 1978-12-26 Disco Kabushiki Kaisha Apparatus for holding workpiece by suction
US4209357A (en) * 1979-05-18 1980-06-24 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
NL8102414A (nl) 1981-12-16
JPS5710238A (en) 1982-01-19
FR2482782A1 (fr) 1981-11-20
GB2075921B (en) 1984-02-08
GB2075921A (en) 1981-11-25
IT8121802A0 (it) 1981-05-19
CA1161966A (fr) 1984-02-07
IT1138342B (it) 1986-09-17
JPH0158653B2 (fr) 1989-12-13
DE3119742A1 (de) 1982-02-18
US4313783A (en) 1982-02-02

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