FR2705104A1 - Procédé pour augmenter la vitesse de revêtement, procédé pour réduire la densité de poussière dans un espace de décharge de plasma, et chambre à plasma. - Google Patents

Abstract

La présente invention concerne un procédé pour augmenter la vitesse de traitement moyennant une réduction simultanée de la sollicitation de couche par le bombardement ionique dans un procédé CVD avec utilisation d'un plasma. Une densité de poussière (rhos ) répartie de façon prédéfinie le long de la surface à traiter est générée et maintenue dans le plasma. L'invention concerne aussi un procédé pour réduire la densité de poussière dans un espace de décharge de plasma (PL). Ce procédé consiste à générer un champ de forces pour les particules emprisonnées dans le plasma. Elle concerne enfin une chambre à plasma sous vide comportant des moyens pour générer la décharge de plasma, un dispositif porte-pièce et des moyens pour générer un champ de forces en vue de commander la densité des particules de poussière.

Description

Procédé pour auqmenter la vitesse de revêtement, procédé pour réduire la

densité de poussière dans un espace de décharge de plasma, et chambre à plasma La présente invention concerne un procédé pour augmenter la vitesse de traitement, notamment la vitesse de revêtement, moyennant une réduction simultanée de la sollicitation de couche par le bombardement ionique dans un procédé de dépôt chimique sous vide en phase vapeur avec utilisation d'un plasma, et un procédé pour réduire la densité de poussière dans un espace de décharge de plasma contenant un plasma auquel au moins une surface à traiter est exposée de façon sensiblement homogène. L'invention concerne aussi une chambre à plasma sous vide comportant des moyens pour générer une décharge de plasma répartie dans l'espace et un dispositif porte-pièce pour recevoir au moins une pièce et exposer de façon homogène au moins une zone de la surface de la pièce à la décharge de plasma, ainsi qu'une application

des procédés et de la chambre à plasma.

En particulier pour la fabrication de semi-

conducteurs, pour laquelle on met en oeuvre des procédés utilisant un plasma, notamment des procédés de revêtement avec utilisation d'un plasma, parmi lesquels des procédés réactifs tels que des procédés de dépôt chimique avec utilisation d'un plasma, connus sous le sigle PECVD, avec en particulier des plasmas à haute fréquence (1 à 100 MHz), il est indispensable d'empêcher que les surfaces de pièces traitées ne soient contaminées par des particules parasites, notamment par des particules de poussière ou de poudre. La protection pour empêcher de tels dépôts contaminés constitue

un problème essentiel pour les procédés de traitement cités.

Jusqu'ici, on s'est attaqué à ce problème en essayant par tous les moyens de minimiser la formation de poussière ou de poudre pendant ces opérations de traitement. Comme on ne peut pas empêcher cette formation de poussière ou de poudre, les efforts ont visé à éliminer le plus efficacement possible de l'espace de décharge de plasma la poudre ou la poussière une fois formée, c'est-à-dire à tendre vers un état sans poussière et sans poudre. Il est fait référence en la matière

à EP-A-425 419 et EP-A-453 780.

Il est également fait référence à l'état de la technique suivant: EP-A-0 419 930 (suivant JP-A-3 153 885 et US-A-5 102 496), EP-A-0 453 780 (suivant JP-A-5 074 737), EP- A-0 425 419 (suivant CA-A-2 024 637 et JPA-3 147 317), ainsi que EP-A-0 272 140 (suivant US-A-5 000 113, JP-A-63 246 829, US-A-4 872 947, US-A-4 892 753, US-A-4 960 488 et US-A-5 158 644). La présente invention est basée sur le fait que grâce à des particules de poussière ou de poudre dans une décharge de plasma, le couplage d'énergie d'alimentation électrique est sensiblement accru, ce qui augmente la vitesse de traitement, et notamment de revêtement, tout en augmentant en même temps la qualité de couche comme les tensions et la finesse des couches. Toutefois, cela est vrai tant qu'il est exclu que des particules de poussière ou de poudre se

déposent sur la surface traitée.

L'invention s'est fixé pour but d'augmenter la vitesse de traitement et notamment la vitesse de revêtement de procédés de revêtement sous vide avec utilisation d'un plasma, sans réduire pour autant la qualité de la surface traitée, mais en l'augmentant au contraire. Une plage de pression caractéristique se situe entre 10-2 mbar et 10 mbar (1 Pa à 10.102 Pa), et de préférence entre 10-1 mbar et 1 mbar (10 Pa à 102 Pa). Bien que l'action visée se mette en place de façon prévisible, même dans le cas de procédés de traitement réactifs par pulvérisation cathodique, par exemple, le but fixé doit être atteint en particulier pour les procédés de revêtement, et plus spécialement les procédés de revêtement réactifs avec utilisation d'un plasma, de préférence à haute fréquence, appelés procédés PECVD à haute fréquence. Le but fixé est atteint par un procédé du type spécifié en introduction, grâce au fait qu'une densité de poussière répartie de façon prédéfinie sensiblement le long de la surface à traiter est générée et maintenue dans le plasma. Le procédé de l'invention, s'il est spécialement orienté vers les procédés PECVD à haute fréquence, peut être mis en oeuvre fondamentalement avec les procédés à plasma à courant continu ou à courant alternatif, ou avec les procédés mixtes à courant continu et à courant alternatif. Contrairement aux tentatives faites jusqu'à présent pour éliminer le plus complètement possible la poussière ou la poudre de zones de décharge de plasma actives pour le traitement, l'invention prévoit d'une manière appropriée d'emprisonner une formation de poussière dans la décharge de plasma, afin de conserver les avantages mentionnés précédemment en matière de vitesse et de qualité de traitement. On veille néanmoins à ce que la densité de la poussière ou de la poudre présente dans la décharge de plasma reste inférieure à une valeur à laquelle des dépôts de particules commencent à se former au niveau de la surface traitée. La quantité de particules de poussière par unité de volume et/ou la taille de ces particules et, de ce fait, la densité de poussière et sa répartition sont réglées de façon contrôlée, selon l'invention, et ce suivant des proportions ou valeurs prédéfinies qui ont été déterminées comme optimales pour le procédé de traitement en question, de

préférence à la suite d'essais préalables.

Selon un second aspect, la présente invention parvient à contrôler la densité de poussière dans un espace de décharge de plasma grâce à un procédé pour réduire la densité de poussière qui se caractérise en ce qu'on génère, sensiblement parallèlement à la surface et perpendiculairement au-dessus de celle-ci, dans le plasma, un champ de forces pour les particules de poussière sensiblement

emprisonnées dans le plasma.

L'établissement du champ de forces mentionné et sa commande appropriée permettent d'éliminer en quantité voulue la poussière ou la poudre de la zone de l'espace de décharge de plasma active pour le traitement, en l'amenant de façon primaire dans une section d'espace non active pour le traitement, puis d'éliminer de cet espace la poussière ou la

poudre, le cas échéant.

D'une manière préférée, l'augmentation de la vitesse de traitement et notamment de revêtement est obtenue, si on procède comme il a été indiqué précédemment, grâce au fait que la densité est maintenue sensiblement constante dans le temps et/ou répartie de façon homogène. La poudre ou la poussière excédentaire qui risquerait d'entraîner des dépôts de particules est en effet éliminée de la zone de décharge de plasma active pour le traitement grâce à l'établissement du

champ de forces mentionné et à sa commande appropriée.

Selon une autre caractéristique de l'invention, le champ de forces mentionné est de préférence réalisé à l'aide d'un gradient de pression, ce champ de forces pouvant aussi

être généré par voie électrostatique et/ou thermique, c'est-

à-dire grâce à l'utilisation de la thermophorèse.

Selon un mode de réalisation préféré des procédés, le gradient de pression est généré en partie grâce à l'aspiration au niveau d'une zone limitée, sur le côté de la surface. Ce gradient de pression peut être constitué au moins en partie grâce à l'injection latérale d'un gaz, cette injection de gaz se faisant par exemple de façon constante

dans le temps ou de façon pulsée.

D'une manière avantageuse, au moins un gaz réactif est injecté dans le plasma et vers la surface, à l'opposé de celle-ci, suivant une répartition sur une grande surface et de préférence prédéfinie, et une incidence du champ de forces sur l'homogénéité du traitement de la surface est éventuellement compensée par une répartition appropriée de

l'injection.

Selon l'invention, une dépression du champ de forces est prévue dans une zone à densité de poussière locale accrue, comme par exemple dans la zone de bords du dispositif d'électrode. La densité de poussière et/ou sa répartition sont de

préférence commandées ou réglées.

Le but de l'invention est également atteint grâce à une chambre à plasma du type spécifié en introduction, qui se caractérise en ce qu'il est prévu des moyens pour générer un champ de forces perpendiculairement à la zone de surface et au-dessus de celle-ci, dans la décharge de plasma, en vue de commander la densité des particules de poussière dans ladite

décharge de plasma.

Selon l'invention, les moyens pour générer le champ de forces transversal comprennent un dispositif d'aspiration dans une zone périphérique limitée de la zone de surface de la pièce. D'une manière préférée, ces moyens pour générer le champ de forces transversal comprennent un dispositif d'injection de gaz de préférence apte à être commandé, dans une zone périphérique limitée de la zone de surface, relié à une réserve de gaz contenant de préférence un gaz de travail

pour la décharge de plasma et/ou un gaz réactif.

D'une manière avantageuse, il est prévu, en face de la zone de surface située au-dessus de l'espace de décharge de plasma, un dispositif d'injection réparti de façon plane, pour au moins un gaz réactif, et le dispositif d'aspiration est unique ou il est prévu un autre dispositif d'aspiration, par exemple réparti de façon plane en face de la zone de

surface, comme le dispositif d'injection.

Selon une autre caractéristique de l'invention, le dispositif d'injection plan agit comme une électrode de

décharge de plasma.

Selon un mode de réalisation de l'invention, les moyens pour générer la décharge de plasma comprennent deux électrodes espacées dans le réacteur, et la dépression du champ de forces est disposée dans une zone dans laquelle il

règne une densité de particules de poussières accrue.

D'une manière préférée, enfin, il est prévu un dispositif de mesure de densité de poussière dont le signal de sortie agit comme grandeur de réglage mesurée sur un

élément de réglage prévu pour le champ de forces.

L'application des procédés de la présente invention concerne en particulier des procédés réactifs de traitement avec utilisation d'un plasma avec lesquels la formation de

poussière inhérente au procédé est relativement marquée.

Parmi ces procédés, il faut citer en particulier les procédés de revêtement PECVD. L'invention s'applique aussi d'une manière appropriée aux procédés de traitement avec utilisation d'un plasma à haute fréquence, à l'aide d'un

plasma stationnaire ou pulsé au moins temporairement.

Les procédés mentionnés sont par ailleurs appropriés en particulier pour le traitement homogène de pièces sensiblement planes et larges, et donc pour le traitement de pièces avec lesquelles, en raison de leur extension, un contrôle du problème de la poussière à l'aide des procédés connus (qui consistent à éliminer le plus complètement possible la poussière d'espaces de décharge actifs pour le traitement) n'est réalisable que de façon très limitée, et

notamment pour la fabrication d'écrans actifs plats.

L'invention va maintenant être décrite à l'aide de figures. La figure 1 est une coupe transversale schématique d'une chambre à plasma au niveau de laquelle on peut par exemple mettre en oeuvre le procédé de l'invention, les figures 2(a) à 2(c) montrent schématiquement une installation de traitement par plasma qui est formée d'au moins une colonne de chambres à plasma comme celle qui est représentée à titre d'exemple sur la figure 1, et au niveau de laquelle on met en oeuvre un mode d'exécution préféré du procédé de l'invention, la figure 3 est une coupe longitudinale schématique de chambres à plasma de la colonne de la figure 2, dotées de mesures destinées à désaccoupler les espaces de traitement formés dans ces chambres par rapport à un espace de transport selon la figure 2, la figure 4 montre schématiquement une extension de l'installation selon la figure 2, vue de dessus, et, avec la succession des figures 4(a) à 4(e), un cycle de fonctionnement préféré, les figures 5(a) à 5(d) montrent le fonctionnement central préféré de l'installation de la figure 2, dans des chambres à plasma disposées dans au moins une colonne, la figure 6 est une coupe longitudinale schématique d'un mode de réalisation préféré d'un magasin prévu dans la chambre formant sas de l'installation de la chambre 2, la figure 7 montre schématiquement une chambre à plasma telle qu'elle est utilisée de préférence dans l'installation de la figure 2, sous la forme d'un mode de réalisation préféré pour l'exécution du procédé de l'invention, et qui est donc conçue selon l'invention, les figures 8(a) à 8(e) montrent différents modes de réalisation préférés pour contribuer au moins à générer, grâce à l'aspiration de gaz hors de l'espace de décharge de plasma, le champ de forces mis en oeuvre selon l'invention, et les figures 9(a) à 9(g) montrent, à l'aide d'une séquence de fonctionnement, un déroulement du procédé de l'invention, et donc au niveau d'une chambre selon l'invention telle qu'elle est également mise en oeuvre, en colonne, dans l'invention de la figure 2, ce qui garantit que la poussière reste emprisonnée d'une manière appropriée par une décharge de plasma et est éliminée de celle-ci

indépendamment du traitement de pièces en cours.

Dans la présente description, l'expression "chambre

à plasma" désigne une zone formant chambre dans laquelle le vide a été fait et dans laquelle une décharge de plasma indépendante est entretenue, que ce soit une décharge de plasma à courant continu, à courant alternatif ou les deux, en particulier une décharge à haute fréquence qui est entretenue de façon continue ou pulsée au moins

temporairement. Il est fait référence à EP-A-0 221 812 et EP-

A-O 312 447, qui font partie intégrante de la présente invention. D'une manière préférée, la chambre à plasma peut être délimitée au moins partiellement par des parois étanches. D'une manière caractéristique, une pression de 10-2 mbar à 10 mbar (1 Pa à 10.102 Pa) est maintenue dans les chambres à plasma, et de préférence de 10-r mbar à 1 mbar (10

Pa à 102 Pa).

La figure 1 représente schématiquement, à titre d'exemple et comme mode de réalisation préféré, une chambre à plasma 1 vue en coupe longitudinale. Cette chambre à plasma 1 comprend, dans sa zone supérieure, une électrode plane 3 qui est alimentée en courant continu, en courant alternatif ou en un mélange de courant alternatif et de courant continu, courant alternatif désignant aussi et en particulier une haute fréquence, et mélange de courant alternatif et de courant continu désignant une alimentation mixte, notamment une alimentation en courant continu ou à haute fréquence pulsée. Par haute fréquence, on entend une plage de fréquences de 1 à 100 MHz. Dans le mode de réalisation représenté, l'électrode plane 3 comporte des orifices de sortie 5 répartis de façon plane, par lesquels un gaz G contenant au moins une certaine proportion de gaz réactif est amené vers l'espace de décharge de plasma PL. Dans le fond 7 de la chambre à plasma 1 est prévu, dans un mode de réalisation préféré, un mécanisme de levage 9 pourvu d'un entraînement 11 pour déposer le substrat. Ce mécanisme comprend par exemple trois poussoirs 13 qui sont aptes à décrire un mouvement de va-et-vient grâce à l'entraînement 11, qui sont actionnés de façon synchrone à l'aide de cet entraînement 11, comme il est représenté schématiquement, et qui sont rendus étanches par rapport à l'environnement à l'aide de soufflets 15, par exemple. Il est également possible de concevoir les poussoirs 13 de telle sorte qu'ils

aient une action d'auto-étanchéité, abaissés.

Une chambre à plasma, par exemple et de préférence du type représenté, constitue l'élément fondamental de l'installation qui va être décrite dans ce qui suit, qui est non pas forcément mais de préférence une installation pour le revêtement de pièces par dépôt chimique en phase vapeur avec utilisation d'un plasma, ou PECVD, et notamment à plasma

haute fréquence.

La figure 2 représente schématiquement une configuration minimale de l'installation. Celle-ci comprend, comme l'indique le terme de configuration minimale, une colonne 20 de chambres à plasma superposées 1. Celles-ci sont représentées schématiquement sur les figures 2a à 2d et sont construites de préférence comme il a été décrit en référence

à la figure 1.

Les chambres à plasma 1 comportent, sur le côté, des orifices de manoeuvre respectifs 17 qui définissent une colonne d'orifices de manoeuvre et débouchent tous dans une chambre à vide commune 23. Cette chambre à vide 23 située à l'extérieur des chambres à plasma 1 forme une chambre de transport 23T. Elle contient un dispositif de transport 25 qui comprend un certain nombre de supports horizontaux 27 conçus de préférence comme des supports à fourche. Le nombre de supports horizontaux 27 prévus est égal au nombre de chambres à plasma 1 prévues dans la colonne 20. Les supports 27 sont mobiles horizontalement, de préférence de façon synchrone, comme l'indique la flèche H, par exemple grâce au fait qu'ils sont montés conjointement sur un arbre de supports 29 mobile suivant un mouvement de va-et-vient dans le sens horizontal H. Grâce à ce mouvement horizontal d'avance et de recul, des pièces à usiner 31 de préférence planes sont introduites dans les chambres à plasma 1 par les orifices de manoeuvre 17 de celles-ci, ou sorties desdites

chambres, comme il ressort des figures 2(b) à 2(d).

Pour le chargement de toutes les chambres à plasma 1 de la colonne 20, le dispositif de transport 25 est avancé vers la droite, sur la figure 2a, jusqu'à ce qu'il atteigne la position représentée sur la figure 2(b). Puis le mécanisme de levage 9 représenté sur la figure 1 et comportant les poussoirs 13 est soulevé et soulève à son tour les pièces 31 des supports 27 dans toutes les chambres à plasma 1 en même temps. Cela est indiqué sur la figure 2(b) par la flèche V. Après que les pièces 31 ont été soulevées par le mécanisme de levage 9 de la figure 1 comportant les poussoirs 13, et qu'elles ont atteint les positions relatives selon la figure 2(c), le dispositif de transport 25 formé des supports 27 est ramené à l'horizontale dans le sens représenté sur la figure 2(c), et les pièces 31 sont abaissées vers leur position de traitement, selon la figure 2(d), grâce à l'abaissement du dispositif de levage 9 de la figure 1. Il va de soi que le mouvement relatif vertical des pièces 31 qui a été décrit par rapport aux supports 27 peut aussi être réalisé grâce au fait que tous les supports 27 sont abaissés de façon synchrone dans les chambres 1, ou soulevés pour ramener les pièces, et que ces dernières peuvent être déposées pour le traitement sur des supports

fixes prévus dans les chambres à plasma.

La configuration minimale de l'installation de traitement qui, comme il a déjà été décrit, comprend une zone à vide couvrant la colonne de chambres à plasma 20, et une section formant chambre de transport 23T dans laquelle le dispositif de transport 25 est prévu et se déplace, comporte également, selon la figure 2a, une chambre formant sas 30 qui est pourvue d'une première soupape de sas 32 par rapport à la zone formant chambre de transport 23T et d'une seconde soupape de sas 34 par rapport à l'environnement de l'installation, comme il est représenté schématiquement. Dans la chambre formant sas est prévu un magasin 36 pour le stockage provisoire de pièces qui sont encore à traiter et/ou

qui sont déjà traitées.

Pour desservir, en plus de la colonne 20 de chambres à plasma 1, le magasin 36 prévu dans la chambre formant sas , le dispositif de transport 25 est non seulement mobile dans le sens des flèches H, mais il est aussi mobile en rotation autour d'un axe vertical, comme il est représenté en a, afin que les supports 27 puissent aussi être tournés vers

la position de manoeuvre prévue pour la chambre formant sas.

Comme il a été indiqué, les chambres à plasma 1 de la colonne 20 consistent de préférence en chambres de traitement PECVD. Suivant le procédé de traitement à exécuter, les orifices de manoeuvre 17 des chambres à plasma 1 ne sont pas refermés par rapport à la chambre de transport 23 pendant le traitement des pièces, ou on réalise simplement un palier de pression entre l'intérieur des chambres à plasma 1 et la chambre de transport 23., ou encore les chambres à plasma 1 sont fermées de façon étanche au vide pendant le traitement des pièces. Cette dernière possibilité est valable en

particulier pour le traitement PECVD.

La figure 3 représente schématiquement un mode de réalisation destiné à fermer de façon étanche au vide les orifices de manoeuvre 17 mentionnés, pendant le traitement des pièces, ou à les fermer simplement en réalisant un palier de pression par rapport à la chambre de transport 23, . A cet effet est prévu un coulisseau vertical formant jalousie 38 qui est mobile dans le sens + V et qui, enclenché suivant les orifices de manoeuvre 17 prévus sur la colonne 20, présente des orifices de passage 39 qui sont dans l'alignement des orifices 17 des chambres à plasma 1 lorsque le coulisseau formant jalousie est ouvert, selon la figure 3(b). Dans cette position, les supports 27 peuvent desservir les chambres 1 de

la colonne 20.

Sur le coulisseau formant jalousie 38 sont également prévues des plaques d'obturation 41 mobiles horizontalement et pourvues de poussoirs et d'entraînements 43 rendus

étanches par des soufflets.

Pour la fermeture des espaces de traitement dans les chambres 1, le coulisseau formant jalousie 38 est amené verticalement dans la position représentée sur la figure 3(a), après quoi les plaques d'obturation 41 sont avancées vers la droite afin d'obturer de façon étanche au vide les orifices de manoeuvre 17 des chambres à plasma 1 ou de former un palier de pression entre la chambre de transport 23T et

les espaces de traitement prévus dans lesdites chambres 1.

A partir de la configuration minimale représentée sur la figure 2, la figure 4 montre schématiquement une installation étendue, vue de dessus, formée de deux colonnes de chambres à plasma 20a et 20b, d'une zone formant chambre de transport 23T et d'une chambre formant sas 30. A l'aide de la séquence des figures 4(a) à 4(e), un fonctionnement préféré d'une installation de ce type va maintenant être

décrit, notamment pour un procédé de traitement PECVD.

Pendant la phase de fonctionnement selon la figure 4(a), les pièces sont soumises au traitement PECVD dans les deux colonnes de chambres à plasma 20a et 20b et pour cela, comme il a été expliqué en référence à la figure 3, au moins un palier de pression est réalisé entre les espaces de traitement des chambres à plasma 1 et la chambre de transport 23T. La soupape de sas 32 de la figure 2a est ouverte tandis que la soupape de sas 34 est fermée par rapport à l'environnement. Quand l'opération de traitement est terminée, les colonnes 20a, 20b sont déchargées de préférence l'une après l'autre comme il est représenté sur la figure 4(b), à l'aide du dispositif de transport 25 de la figure 2a, et les pièces traitées sont déposées dans le magasin 36 prévu dans la chambre formant sas 30. Comme il sera décrit plus loin, le magasin 36 comporte de préférence un nombre de compartiments égal au nombre de pièces qui peuvent être traitées dans l'ensemble de l'installation, c'est-à-dire que si on prévoit deux colonnes de chambres à plasma selon la figure 4, il y aura autant de compartiments de magasin que de chambres à

plasma 1 en tout dans les deux colonnes.

Selon la figure 4(c), la soupape de sas 32 est maintenant fermée par rapport à la chambre de transport 23T tandis que la soupape de sas 34 est ouverte, et les pièces traitées sont remplacées dans le magasin par les pièces à traiter. Pendant ce temps de transbordement du magasin 36, les chambres à plasma 1 des colonnes sont soumises à une opération d'attaque de nettoyage, de préférence à une opération d'attaque au plasma à haute fréquence. Pour empêcher que le gaz de nettoyage et les produits de réaction de ce gaz et de la couche attaquée n'entrent dans la chambre de transport 23T à partir des chambres à plasma soumises à cette opération d'attaque de nettoyage, un palier de pression est de préférence réalisé, à l'aide du dispositif décrit en référence à la figure 3, entre les chambres à plasma 1 et la chambre de transport 23T, et un gaz neutre comme de l'azote, par exemple, est introduit de telle sorte qu'il se produit une baisse de pression de la chambre de transport 23T vers les chambres à plasma 1. On empêche ainsi que de la poussière de nettoyage n'entre dans la chambre de transport 23T. Les chambres 1 sont quant à elles vidées par pompage pendant

l'opération d'attaque de nettoyage.

Dans l'intervalle, le magasin 36 a été chargé en pièces à traiter. Pendant la phase suivante, celles-ci sont réparties selon la figure 4(d) au niveau des chambres à

plasma nettoyées de la colonne.

En raison de la phase d'attaque de nettoyage, les parois et les surfaces d'électrodes des chambres à plasma 1 ont été relativement fortement chauffées. Cette chaleur est utilisée de préférence, selon la figure 4(e), pour préchauffer les pièces qui viennent d'être chargées dans les chambres à plasma 1. Comme la répartition des pièces selon la phase 4(d) se fait sous vide, le dégagement de chaleur desdits éléments des chambres à plasma 1 chauffés lors de

l'opération d'attaque de nettoyage est relativement faible.

Après que les nouvelles pièces à traiter ont été chargées dans les chambres à plasma 1 et ont été séparées de la chambre de transport 23T au moins par l'intermédiaire d'un palier de pression, selon les modes de réalisation de la figure 3, un gaz thermoconducteur tel que de l'hydrogène ou de l'hélium, par exemple, est introduit dans les chambres à plasma 1 à une pression telle qu'il se produit une conduction thermique notable entre lesdits éléments des chambres

chauffés et les pièces chargées dans les chambres.

Après ce préchauffage des pièces, grâce auquel elles sont dégazées même si elles étaient soumises à l'atmosphère normale avant le début du traitement, lesdites pièces sont soumises à une opération de revêtement selon la phase 4(a),

notamment par PECVD.

Dans un mode de réalisation préféré de l'installation représentée, toutes les chambres à plasma 1 font l'objet d'un pompage séparé, en particulier pour l'opération d'attaque de

nettoyage et pour le dégazage par chauffage des pièces.

Comme il est représenté schématiquement sur la figure , pour les procédés de traitement réactifs, et notamment le procédé PECVD préféré, toutes les chambres à plasma 1 d'au moins une colonne sont alimentées par une alimentation de gaz réactif centrale, selon la figure 5(a), et le dispositif garantit que toutes les chambres 1 de la colonne soient sollicitées de la même manière par le gaz réactif, par exemple grâce au fait que des voies d'écoulement de gaz 51 identiques sont installées entre des chambres de distribution de pression 50 à volume relativement grand et toutes les

chambres 1. Selon la figure 5(b), en raison du fonctionnement synchrone, toutes les

chambres 1 d'au moins une colonne sont soumises à un pompage effectué par un dispositif de pompage central. Pour des raisons de rentabilité, l'alimentation électrique des décharges de plasma entretenues au niveau de toutes les chambres à plasma d'au moins une colonne est assurée de préférence, elle aussi, à partir d'une unité génératrice centrale et, selon la figure 5(c), dans le cas préféré de l'entretien d'un plasma à haute fréquence, a partir d'un générateur à haute fréquence central comportant un réseau d'adaptation central et éventuellement des réseaux compensateurs propres aux chambres, représentés par les inductances propres aux chambres, afin d'équilibrer des conditions de conduction de haute fréquence différentes vers

les chambres.

Si les procédés exécutés dans les chambres à plasma 1 sont surveillés, commandés et régulés, sur l'installation décrite, cela se fait de préférence par l'intermédiaire d'une unité centrale, là encore, qui est éventuellement connectée aux chambres individuelles à la manière d'un système multiplex ou suivant une succession rigide ou variable,

suivant les exigences concernant les chambres des colonnes.

Cela est représenté sur la figure 5(d) en référence à un exemple de surveillance à l'aide d'un appareil de

contrôle d'émission de plasma.

La figure 6 représente schématiquement un mode de réalisation préféré d'un magasin 36 prévu dans la chambre formant magasin 30 de la figure 2a. Le magasin 36 comprend un nombre de tablettes 37 correspondant au moins au nombre de pièces traitées de façon synchrone dans l'installation, et de préférence au double, afin de simplifier le passage des pièces dans le sas. Si, comme on l'a montré à l'aide de la figure 2a, un mouvement relatif est décrit entre les surfaces formant tablettes prévues pour les pièces et les supports 27 grâce au fait que des dispositifs de levage 9 sont prévus au niveau des chambres à plasma, comme ceux qui ont été décrits sur la figure 1, et si les supports n'effectuent donc pas de mouvement de chargement ni de déchargement, verticalement, l'ensemble du magasin 36 est de préférence déplacé verticalement, comme l'indique la double flèche V, afin de prendre les pièces sur les supports 27 ou de les transférer

sur ceux-ci.

Jusqu'ici, on a décrit une configuration d'installation nouvelle ainsi que son fonctionnement, en particulier pour des opérations de revêtement PECVD à haute fréquence. La suite décrit un procédé applicable en particulier en association avec l'installation décrite, avec des mesures correspondantes propres à cette installation, grâce auquel la vitesse et la qualité de revêtement de procédés de revêtement par plasma sont sensiblement améliorées. Le mode opératoire et les caractéristiques de l'installation associées qui vont être décrits conviennent fondamentalement pour des procédés de revêtement par plasma, à courant continu, courant alternatif ou les deux, du type défini en introduction. Mais les modes d'exécution qui suivent sont valables en particulier pour des procédés de revêtement réactifs à plasma haute fréquence tels que les procédés PECVD à haute fréquence. Ils sont également valables, néanmoins, pour des procédés de revêtement ionique à haute fréquence, par exemple. Comme il a été indiqué, haute fréquence désigne de

préférence une plage de fréquences de 1 à 100 MHz.

Même si ce qui suit s'attarde sur des procédés réactifs à plasma haute fréquence, le procédé ne doit pas

être conçu pour être limité à cela.

La figure 7 représente schématiquement une chambre à plasma, par exemple du type décrit précédemment en référence aux figures 1 et 2. Une électrode plane à haute fréquence 60 définit en même temps un dispositif éjecteur de gaz réparti de façon plane et prévu pour au moins un gaz réactif G qui est amené par éjection vers l'espace de décharge de plasma PL. En face de l'électrode à haute fréquence 60 est disposée d'une manière connue une électrode porte-pièce 62. En ce qui concerne les conditions de potentiel de courant continu, il est bien évident que le carter de chambre 63 et/ou l'électrode porte-pièce 62 peuvent être mis d'une manière habituelle au potentiel de référence, par exemple au potentiel de masse. L'homme de l'art connaît toutes les

variantes connues à ce sujet.

Dans le cas du revêtement réactif par plasma réactif de pièces au niveau de l'électrode porte-pièce 62, il se forme dans la décharge de plasma de la poussière dont la densité est désignée par ps. La poussière produite dans la décharge de plasma peut provenir de sources très nombreuses, principalement du procédé de revêtement lui-même, mais aussi de l'usure mécanique pendant le chargement et le déchargement de la chambre, etc. Mais fondamentalement, la densité Ps de la poussière augmente pendant le procédé de revêtement réactif, comme le montre qualitativement, à titre d'exemple, le bas de la figure 7, avec une densité de poussière (a)

augmentant de façon sensiblement continue.

Sans contre-mesures appropriées, cette poussière forme un précipité à partir du plasma, avec le temps, et se dépose dans l'espace de réacteur. Les couches sont ainsi contaminées par des particules de poussière (défaut de couche). En outre, le comportement du réacteur est modifié, ce qui provoque une déviation du procédé. En conséquence, les installations de production actuelles utilisant des procédés souffrant de cette poussière n'atteignent ni l'absence de défauts exigée pour les couches, ni le faible rapport

nettoyage-production (disponibilité de production).

Jusqu'à présent, les efforts visaient à produire le moins de poussière possible et, étant donné que celle-ci ne peut pas être complètement évitée, à l'éliminer le plus complètement possible de l'espace de revêtement. Mais on se

résigne à une perte de qualité de revêtement.

Or on a constaté que la poussière présente dans une décharge de plasma et en particulier dans une décharge à haute fréquence augmentait sensiblement l'alimentation en énergie électrique et notamment en énergie à haute fréquence, et que fondamentalement, la vitesse de revêtement, spécialement dans un procédé réactif, était notablement accrue dans un plasma, notamment un plasma à haute fréquence, "poussiéreux". Avec le procédé cité plus haut, on se résignait donc aussi à une perte en matière de vitesse. Cela n'est vrai, cependant, que dans la mesure o la densité de poussière dans la décharge de plasma ne dépasse pas une valeur limite. Si la densité de poussière dépasse cette valeur limite, il faut s'attendre à ce que les particules de poussière s'agglomèrent en particules de poussière plus grosses et se déposent sur la couche qui est en cours de formation. Il faut empêcher cela au maximum, notamment dans le cas de la fabrication de semi- conducteurs de d'écrans

actifs plats.

En vertu de cette nouvelle conclusion, la poussière formée dans un espace de décharge de plasma, notamment à haute fréquence, comme c'est le cas en particulier pour un procédé de revêtement réactif avec utilisation d'un plasma, n'est pas évacuée, mais sa densité est maintenue à un niveau Pm prédéfini, ou au-dessous de ce niveau. On règle ainsi de façon contrôlée le nombre de particules de poussière par unité de volume et/ou leur grosseur et, de ce fait, la densité et la répartition de la poussière, et ce suivant des proportions qui ont été déterminées comme optimales pour le procédé de traitement en question, à la suite d'essais préalables. Cela est représenté schématiquement sur la figure 7 par la courbe (b). Selon la figure 7, cela est réalisé fondamentalement grâce au fait qu'un courant transversal de particules W. est formé à travers la décharge de plasma de façon commandée, grâce à l'établissement d'un champ de forces transversal, moyennant quoi les particules de poussière excédentaires sortent de la zone de la décharge de plasma active pour le

revêtement et sont finalement éliminées, au besoin.

Selon la figure 7, un mode d'exécution préféré consiste à générer un champ de forces et à produire dans celui-ci un courant de particules transversal grâce à un courant de gaz transversal. Cela est obtenu grâce à la réalisation d'un gradient de pression transversal. Comme il est représenté schématiquement, on fait entrer à cet effet un gaz, latéralement, lequel gaz est aspiré en face de l'orifice d'admission. En plus ou à la place de l'établissement d'un gradient de pression transversal, on peut utiliser des gradients électrostatiques et/ou des gradients thermiques afin de ne pas faire monter l'intensité de la poussière dans

l'espace de décharge de plasma actif pour le revêtement au-

dessus d'une certaine valeur.

Dans le bas de la figure 7, la courbe caractéristique (c) représente qualitativement la manière dont la quantité de

gaz introduite mG est commandée.

Bien qu'il soit tout à fait possible de déterminer, grâce à des essais préalables, le moment à partir duquel le champ de forces doit être produit et sa taille, afin de maîtriser la densité de poussière dans l'espace de décharge dans le but indiqué, il est tout à fait possible, selon un mode d'exécution préféré, de calculer la densité de poussière du moment dans le plasma, par exemple grâce à une mesure de la réflexion ou de l'absorption de la lumière à l'aide d'un détecteur 65 représenté schématiquement sur la figure 7, par exemple, de comparer la valeur trouvée à une valeur de consigne F. et de régler le champ de forces selon les gradients de pression de telle sorte que la densité de poussière se situe à un niveau souhaité. Etant donné que la densité de poussière influence fortement l'impédance de plasma, une telle régulation peut aussi se faire par

l'intermédiaire d'une mesure de cette impédance.

Quand on utilise un courant de gaz transversal, la mise au point se fait de préférence grâce au réglage de la quantité de gaz injectée par unité de temps, comme il est représenté schématiquement par l'unité de réglage 67 sur la

figure 7.

Il est bien évident que le champ de forces qui sert à sortir les particules de poussière excédentaires de la zone de revêtement peut aussi être appliqué de façon intermittente, ce qui veut dire, dans le cas de la figure 7, que le gaz Gs, appelé dans ce qui suit gaz de circulation, qui provoque le courant transversal W, peut être introduit de

façon pulsée.

Comme il a déjà été indiqué, ce procédé a parfaitement fait ses preuves en particulier avec des procédés de revêtement réactifs par plasma à haute fréquence, grâce au fait qu'avec des procédés de ce type, notamment avec des procédés réactifs, une formation de poudre ou de poussière a lieu dans la décharge de plasma de façon inhérente au procédé. Si l'écoulement transversal W est produit à l'aide d'un gaz de circulation G., selon la figure 7, le gaz de circulation utilisé est de préférence un gaz neutre de travail par plasma comme l'argon ou l'hélium, par exemple, ou un gaz qui n'est pas nécessaire pour la constitution de la couche, comme H2. L'utilisation, comme gaz de circulation, d'un gaz participant de façon déterminante à la constitution de la couche peut avoir une influence

négative sur la répartition de la couche.

Il est essentiel de savoir que pendant la durée de la décharge de plasma, la poussière ou la poudre reste emprisonnée dans ladite décharge. En conséquence, si on doit empêcher, au moment o le traitement par plasma ou plus généralement la décharge lumineuse sont arrêtés, que la poussière restée dans la décharge ne se dépose dans la chambre de traitement, on procède de préférence de la manière suivante. - A la place du gaz réactif, on introduit un gaz neutre, de sorte que si le procédé de formation de couche doit être interrompu en temps voulu, cela empêche la poursuite de la constitution de la couche. Grâce au maintien du plasma neutre, la poussière reste prisonnière de la décharge de plasma et est éliminée. Dans le plasma neutre, la

formation de poussière est ainsi considérablement réduite.

- Dans la décharge de plasma de gaz réactif qui est maintenue, ou dans la décharge neutre qui vient d'être mentionnée, le champ de forces transversal est augmenté et dans le cas préféré d'un "courant de gaz de circulation", celui-ci est amplifié grâce à l'augmentation de la quantité de gaz introduite et/ou à l'augmentation de la puissance d'aspiration. L'intensité de plasma peut être réduite de façon continue sans que la décharge cesse. Ainsi, l'action de la décharge de plasma agissant comme un piège pour la poussière est sans cesse réduite, ce qui facilite la sortie des

particules de poussière grâce au champ de forces mentionné.

En réduisant l'intensité de la décharge et en augmentant simultanément le débit de la pompe, latéralement, et/ou la quantité de gaz de circulation introduite, on obtient une déviation maximale des particules de poussière hors de la zone de revêtement située au-dessus de l'électrode

62, selon la figure 7.

Fondamentalement, le champ de forces utilisé selon l'invention peut être soutenu grâce au fait que la décharge de plasma fonctionne de façon pulsée. Cela réduit l'action de piège à poussière du plasma et facilite l'évacuation ciblée de la poussière excédentaire. Cela est valable non seulement pour l'arrêt du procédé de revêtement, mais aussi pendant le

procédé lui-même.

Ce qui est essentiel, c'est que la décharge de plasma soit maintenue jusqu'à ce que la poussière accumulée dans

cette décharge soit éliminée, pour l'arrêt du procédé.

Ce fait établi conduit à un mode de fonctionnement préféré selon lequel une décharge de plasma est entretenue dans la chambre à plasma même lorsque les pièces sont chargées et que les pièces traitées sont déchargées, par

exemple.

Une décharge de plasma qui est inactive pour le procédé de revêtement réactif, et donc dans un gaz neutre à cet égard, peut tout à fait servir aussi, sur la pièce pas encore soumise ou déjà soumise à l'opération de revêtement, ou au niveau de la chambre à plasma, à opérer un nettoyage par attaque, par exemple grâce au fait qu'un plasma d'hydrogène est maintenu. Il est important, alors, que les particules déposées sur le substrat puissent être captées par

la décharge de plasma et évacuées.

Pendant la phase terminale d'un procédé de traitement, par exemple, un plasma de nettoyage H2 peut ainsi être entretenu par exemple pendant le déchargement et le rechargement de la chambre à plasma. Etant donné que lors de l'attaque, la poussière contenue dans la décharge de plasma ne peut que gêner, le champ de forces transversal établi est

réglé de façon maximale.

Grâce à la mise en oeuvre du mode opératoire décrit dans une décharge de plasma à haute fréquence d'un procédé de revêtement réactif destiné à déposer des couches de a-Si sans défauts, sans dépôt de poussière dans le réacteur, la vitesse de revêtement a pu être multipliée par 2,5 et les tensions de couches divisées en même temps par 2,5, étant précisé qu'en raison de l'augmentation de la vitesse de revêtement, la finesse de couche a approximativement doublé, et ce par rapport au revêtement dans la même chambre à plasma, dans laquelle on a essayé, à l'aide de techniques connues comme elles ont été décrites en introduction, de minimiser la densité de poussière, en choisissant un point de travail de procédé à des tensions basses et une puissance faible. Ainsi, dans le cas de l'application de la technique connue mentionnée (minimisation de la formation de poussière), les vitesses de revêtement pour des couches de a-Si sont < 4 A/s, et les tensions de couche > 5.10 dyn/cm2, tandis que selon l'invention, les vitesses de revêtement sont de 10 A/s et les

tensions de couche < 2.109 dyn/cm2.

Comme il a été indiqué, un mode de réalisation préféré du champ de forces transversal consiste à former un courant de gaz transversal à travers la décharge de plasma,

comme le montre la figure 7.

La figure 8 montre plusieurs variantes (a) à (e) destinées à former, côté aspiration, le champ de forces et le

gradient de pression mentionnés.

Selon la figure 8(a), l'aspiration du gaz hors de l'espace de traitement ou de décharge se fait par une fente étroite 69 ménagée dans la paroi de la chambre à plasma 1, qui est mise à un potentiel électrique défini, par exemple au potentiel de masse. La largeur de la fente 69 est calculée pour que le plasma ne puisse pas la traverser, et elle est de préférence de 2 à 4 mm. D'une manière préférée, le courant transversal dont il a été question sur la figure 7 est en outre soutenu de façon déterminante par l'admission de gaz transversale représentée sur la figure 7, et cela se fait aussi, d'une manière préférée, avec les variantes de

réalisation 8(b) à 8(e).

Selon la figure 8(b), on prévoit une fente d'aspiration 71 dans la zone du bord de l'électrode 60, suivant un autre principe préféré. On a constaté que la densité de poussière était maximale à l'endroit o le champ électrique alimentant la décharge de plasma était maximal. On sait que dans le cas des surfaces sollicitées par un potentiel, cet endroit est situé au niveau des bords et des pointes, etc. C'est pourquoi l'invention propose, selon la figure 8(b), de procéder à l'aspiration à l'aide de la fente 71 prévue au niveau de la zone du bord de l'électrode 60, et donc dans une zone dans laquelle il y a une densité de

poussière accrue en raison de l'intensité de champ accrue.

En conséquence, ce procédé est perfectionné selon la figure 8(c), grâce au fait que des fentes d'aspiration 71a et 7lb sont prévues des deux côtés, dans la zone du bord de

l'électrode et de la contre-électrode 62.

Avec une variante de réalisation selon la figure 8(d), la vitesse du gaz transversal augmente vers une zone de décharge de plasma plus étendue, grâce à une fente 73 qui va en rétrécissant de façon continue en forme de cône, ce qui accroît l'efficacité du courant transversal; Selon la figure 8(e), la zone de paroi 75 de la chambre à plasma 1 dans laquelle est ménagée la fente d'aspiration 77 fonctionne à un potentiel flottant. On obtient ainsi que la barrière de potentiel qui doit être franchie par les particules de poussière lors de leur extraction de la décharge soit réduite, car le potentiel de la section de paroi fonctionnant de façon flottante se règle à un potentiel intermédiaire entre les potentiels des

électrodes 60 et 62.

Une autre possibilité, évidente, consiste à prévoir au niveau de la fente d'aspiration un filtre grâce auquel l'ouverture de la fente, et donc la section transversale de pompage, peuvent être agrandies sans que le plasma passe par

la fente.

Il est bien évident, également, que les caractéristiques des aspirations de gaz représentées peuvent

être combinées.

La figure 9 montre, pour revenir par exemple à la configuration d'installation nouvelle à colonne de réacteurs à plasma décrite plus haut, comment se font là aussi le chargement et le déchargement des chambres à plasma 1, d'une manière préférée et compte tenu de ce qui vient d'être décrit. Selon la figure 9(a), la pièce 31 (figure 2a) est déposée sur le mécanisme de levage 9 comportant les coulisseaux 13. Puis, dès qu'un palier de pression s'est formé, un plasma neutre est amorcé dans la chambre à plasma, selon la figure 9(b), une fois qu'au moins un palier de pression a de préférence été réalisé par rapport à la chambre de transport 23T à l'aide des plaques d'obturation 41. Un gaz non réactif comme l'argon ou l'hydrogène est introduit, comme il est représenté. La pièce 31 est également chauffée, entre autre en vue d'être dégazée, comme il a été décrit

précédemment. L'aspiration A a commencé.

La poussière se formant par exemple lors de l'abaissement mécanique de la pièce 31 selon la figure 9(c) est captée dans le plasma neutre maintenu, et aspirée par le courant transversal de gaz neutre en A. Si la pièce est abaissée, selon la figure 9(d), l'admission de gaz réactif est déclenchée, de préférence non seulement à travers l'électrode 62 à haute fréquence formant une douche à gaz, mais aussi à travers l'orifice latéral d'admission de gaz de circulation, comme il est représenté. Pendant l'opération de revêtement qui suit, comme il a été décrit en référence à la figure 7, on ne fait pas disparaître la densité de poussière dans la décharge de plasma, mais on la contrôle de telle

sorte qu'elle ne dépasse pas une valeur prédéfinie.

Quand l'opération de revêtement est terminée, selon la figure 9(e), le courant transversal de gaz réactif ou d'un gaz neutre est augmenté ou bien on passe à une décharge de plasma neutre (non représentée), comme il a été décrit. Ce qui est important, c'est que même pendant le soulèvement de la pièce qui a été soumise à l'opération de revêtement, selon la figure 9(f), une décharge de plasma captant la poussière soit maintenue, que ce soit sous la forme d'une décharge de plasma neutre ou d'une décharge de plasma réactif, si l'opération de revêtement ne doit pas être terminée à un

moment défini.

Selon la figure 9(g), la pièce 31 est ensuite enlevée des chambres à plasma 1, étant précisé que dans cette phase de fonctionnement, comme éventuellement dans celle de la figure 9(a) et notamment de la figure 9(b), une décharge de plasma est de préférence maintenue, comme il est représenté en trait discontinu, non pas une décharge de plasma réactif, mais une décharge de plasma neutre, en particulier une décharge de plasma d'hydrogène, d'une part pour continuer à capter les particules de poussière, et d'autre part en vue de

l'opération d'attaque de nettoyage de la chambre.

Comme il est indiqué sur les figures 9(a) et 9(g), l'hydrogène est alors introduit d'un côté et aspiré de l'autre côté, de sorte que la poussière captée dans le plasma

est évacuée le plus complètement possible pendant ces phases.

En plus de l'aspiration de gaz décrite destinée à produire le courant transversal, d'autres aspirations peuvent être prévues, réparties au niveau de l'électrode 60, par exemple, comme les orifices d'injection de gaz réactif. En étudiant de façon appropriée la répartition de l'aspiration du gaz vers la chambre à plasma et/ou hors de celle-ci, on

peut éventuellement optimiser l'homogénéité de traitement.

L'installation et le procédé décrits conviennent en

particulier pour la fabrication d'écrans actifs plats.

Claims (18)

REVENDICATIONS

1. Procédé pour augmenter la vitesse de traitement, notamment la vitesse de revêtement, moyennant une réduction simultanée de la sollicitation de couche par le bombardement ionique dans un procédé de dépôt chimique sous vide en phase vapeur avec utilisation d'un plasma, caractérisé en ce qu'une densité de poussière (ps) répartie de façon prédéfinie sensiblement le long de la surface à traiter est générée et

maintenue dans le plasma.

2. Procédé pour réduire la densité de poussière dans un espace de décharge de plasma (PL) contenant un plasma auquel au moins une surface à traiter est exposée de façon sensiblement homogène, caractérisé en ce qu'on génère, sensiblement parallèlement à la surface et perpendiculairement au-dessus de celle-ci, dans le plasma, un champ de forces pour les particules de poussière sensiblement

emprisonnées dans le plasma.

3. Procédé selon la revendication 1, avec lequel la densité (Ps) est maintenue sensiblement constante dans le temps et/ou répartie de façon homogène selon la revendication 2.

4. Procédé selon l'une quelconque des

revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que le champ de

forces est au moins en partie et de préférence en grande partie généré à l'aide d'un gradient de pression, et un champ de forces électrostatique et/ou thermique est de préférence

généré en supplément.

5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que le gradient de pression est généré au moins en partie grâce à l'aspiration au niveau d'une zone limitée, sur le

côté de la surface.

6. Procédé selon l'une quelconque des

revendications 4 ou 5, caractérisé en ce que le gradient de

pression est constitué au moins en partie grâce à l'injection latérale d'un gaz (GJ), cette injection de gaz se faisant par

exemple de façon constante dans le temps ou de façon pulsée.

7. Procédé selon l'une quelconque des

revendications 5 ou 6, caractérisé en ce qu'au moins un gaz

réactif (G) est injecté dans le plasma et vers la surface, à l'opposé de celle-ci, suivant une répartition sur une grande surface et de préférence prédéfinie, et une incidence du champ de forces sur l'homogénéité du traitement de la surface est éventuellement compensée par une répartition appropriée

de l'injection.

8. Procédé selon l'une quelconque des

revendications 2 à 7, caractérisé en ce qu'une dépression du

champ de forces est prévue dans une zone à densité de poussière locale accrue, comme par exemple dans la zone de

bords du dispositif d'électrode.

9. Procédé selon l'une quelconque des

revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la densité de

poussière et/ou sa répartition sont commandées ou réglées.

10. Chambre à plasma sous vide (1) comportant des moyens pour générer une décharge de plasma (PL) répartie dans l'espace, et un dispositif porte-pièce pour recevoir au moins une pièce (31) et exposer de façon homogène au moins une zone de la surface de la pièce à la décharge de plasma (PL), caractérisée en ce qu'il est prévu des moyens pour générer un champ de forces perpendiculairement à la zone de surface et au-dessus de celle-ci, dans la décharge de plasma (PL), en vue de commander la densité (Ps) des particules de poussière

dans ladite décharge de plasma (PL).

11. Chambre selon la revendication 10, caractérisée en ce que les moyens pour générer le champ de forces transversal comprennent un dispositif d'aspiration dans une zone périphérique limitée de la zone de surface de la pièce (31).

12. Chambre selon l'une quelconque des

revendications 10 ou 11, caractérisée en ce que les moyens

pour générer le champ de forces transversal comprennent un dispositif d'injection de gaz de préférence apte à être commandé, dans une zone périphérique limitée de la zone de surface, relié à une réserve de gaz contenant de préférence un gaz de travail pour la décharge de plasma (PL) et/ou un

gaz réactif.

13. Chambre selon l'une quelconque des

revendications 11 ou 12, caractérisée en ce qu'il est prévu,

en face de la zone de surface située au-dessus de l'espace de décharge de plasma (PL), un dispositif d'injection réparti de façon plane, pour au moins un gaz réactif (G), et le dispositif d'aspiration est unique ou il est prévu un autre dispositif d'aspiration, par exemple réparti de façon plane en face de la zone de surface, comme le dispositif d'injection.

14. Chambre selon la revendication 13, caractérisée en ce que le dispositif d'injection plan agit comme une

électrode de décharge de plasma.

15. Chambre selon l'une quelconque des

revendications 10 à 14, caractérisée en ce que les moyens

pour générer la décharge de plasma (PL) comprennent deux électrodes espacées dans le réacteur, et en ce que la dépression du champ de forces est disposée dans une zone dans laquelle il règne une densité de particules de poussières accrue.

16. Chambre selon l'une quelconque des

revendications 10 à 15, caractérisée en ce qu'il est prévu un

dispositif de mesure de densité de poussière (65) dont le signal de sortie agit comme grandeur de réglage mesurée sur

un élément de réglage prévu pour le champ de forces.

17. Application du procédé selon l'une quelconque

des revendications 1 à 9 ou de la chambre selon l'une

quelconque des revendications 10 à 16 pour l'attaque réactive

par plasma, le revêtement réactif par pulvérisation cathodique par plasma, le revêtement ionique réactif et en particulier le revêtement PECVD, de préférence à l'aide d'un

plasma stationnaire ou pulsé au moins temporairement.

18. Application selon la revendication 17 pour le traitement homogène de zones de surfaces de pièces sensiblement planes et larges, notamment pour la fabrication

d'écrans actifs plats.