JPS63303060A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS63303060A JPS63303060A JP13624687A JP13624687A JPS63303060A JP S63303060 A JPS63303060 A JP S63303060A JP 13624687 A JP13624687 A JP 13624687A JP 13624687 A JP13624687 A JP 13624687A JP S63303060 A JPS63303060 A JP S63303060A
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- JP
- Japan
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- chamber
- chambers
- sputtering
- vacuum
- wafer
- Prior art date
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- Granted
Links
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 32
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 30
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
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- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は真空処理装置に関し、特に多層スパッタ、反応
性スパッタ、バイアススパッタ、スパッタエッチ、ＤＣ
スパッタ、ＲＦスパッタ等の組合せ、あるいはエツチン
グ＋スパッタに使用可能な装置に係わる。
性スパッタ、バイアススパッタ、スパッタエッチ、ＤＣ
スパッタ、ＲＦスパッタ等の組合せ、あるいはエツチン
グ＋スパッタに使用可能な装置に係わる。
（従来の技術）
従来、例えば多層（３層）のスパッタを行うスパッタリ
ング装置としては、第２図に示すものが知られている。
ング装置としては、第２図に示すものが知られている。
図中の１は、チャンバーである。このチャンバー１の１
１１１２にはウェハ２を搬送するための入口３が設けら
れ、かつ中央にはウェハを立てかける回転可能なキャリ
ア４が設けられている。また、前記チャンバー１の内側
壁には、ウェハ２に各スパッタ層を形成するためのタゲ
ット５ａ、５ｂ。
１１１２にはウェハ２を搬送するための入口３が設けら
れ、かつ中央にはウェハを立てかける回転可能なキャリ
ア４が設けられている。また、前記チャンバー１の内側
壁には、ウェハ２に各スパッタ層を形成するためのタゲ
ット５ａ、５ｂ。
５Ｃが設けられ、各ターゲット５ａ〜５Ｃには夫々カバ
ー６が設けられている。これらのカバー６は、ターゲッ
ト５ａ〜５Ｃからの粒子が別のターゲット５ａ〜５Ｃに
付着するのを防ぐためのものである。
ー６が設けられている。これらのカバー６は、ターゲッ
ト５ａ〜５Ｃからの粒子が別のターゲット５ａ〜５Ｃに
付着するのを防ぐためのものである。
しかしながら、従来技術によれば、外部から直接チャン
バー１内にウェハ２を搬送するため、ウェハ２が表面に
ゴミなどの不純物や、水分等を付着した状態でチャンバ
ー１内に搬送される。また、キャリア４を回動する際、
ゴミなどの不純物が発生し、これがそのままウェハ２に
付着し易い。従って、ウェハ２の素子特性に悪影響をも
たらし、歩留りの低下を招く。
バー１内にウェハ２を搬送するため、ウェハ２が表面に
ゴミなどの不純物や、水分等を付着した状態でチャンバ
ー１内に搬送される。また、キャリア４を回動する際、
ゴミなどの不純物が発生し、これがそのままウェハ２に
付着し易い。従って、ウェハ２の素子特性に悪影響をも
たらし、歩留りの低下を招く。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ウェハ搬送
時にウェハにゴミなどの不純物や水分等が付着すること
を抑制し、もって素子特性を向上し得る歩留りの高い真
空処理装置を提供することを目的とする。
時にウェハにゴミなどの不純物や水分等が付着すること
を抑制し、もって素子特性を向上し得る歩留りの高い真
空処理装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、ロード室と真空処理室間に密閉性を有するゲ
ートバルブを介して中間室を設けるとともに、中間室内
の真空度を真空処理室内のそれよりも高く維持すること
を特徴とする。
ートバルブを介して中間室を設けるとともに、中間室内
の真空度を真空処理室内のそれよりも高く維持すること
を特徴とする。
具体的には、本発明は、ウェハをセットしたカセットを
載置するローダ室と、真空処理室と、前記ローダ室及び
真空処理室間に密閉性を有するゲートを介して設けられ
、かつ前記真空処理室に比べて真空度の高い中間室と、
この中間室を高真空にする手段とを具備することを要旨
とする。
載置するローダ室と、真空処理室と、前記ローダ室及び
真空処理室間に密閉性を有するゲートを介して設けられ
、かつ前記真空処理室に比べて真空度の高い中間室と、
この中間室を高真空にする手段とを具備することを要旨
とする。
（作用）
本発明においては、中ｌＩｖ内の真空度がロード室や真
空処理室内のそれよりも高く設定されるため、ロード室
から搬送されるウェハ表面にゴミや水分等が付着してい
たりあるいは搬送時にゴミが発生しても、ゲートバルブ
を開いてウェハをロード室から高真空処理室へ搬送しよ
うとしたとき、それらの不純物等が中間室へ排出され、
特性の優れたウェハを得ることができる。
空処理室内のそれよりも高く設定されるため、ロード室
から搬送されるウェハ表面にゴミや水分等が付着してい
たりあるいは搬送時にゴミが発生しても、ゲートバルブ
を開いてウェハをロード室から高真空処理室へ搬送しよ
うとしたとき、それらの不純物等が中間室へ排出され、
特性の優れたウェハを得ることができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
図中の１１は、スパッタリング装置である。この装置！
１１には、ロード室１２、第１〜第４のスパッタ室（真
空処理室）１３．１４，１５，１６、及びアンローダ室
１７が設けられている。また、前記ロード室１２とスパ
ッタ室１３〜１６間には中間室１８．１９．２０が設け
られ、かつロード室１２．アンローダ室１７とスパッタ
室１３゜１６間には中間室２１が設けられている。
１１には、ロード室１２、第１〜第４のスパッタ室（真
空処理室）１３．１４，１５，１６、及びアンローダ室
１７が設けられている。また、前記ロード室１２とスパ
ッタ室１３〜１６間には中間室１８．１９．２０が設け
られ、かつロード室１２．アンローダ室１７とスパッタ
室１３゜１６間には中間室２１が設けられている。
前記ローダ室１２はウェハをセットしたカセットを載置
する部屋であり、第１のスパッタ室１３側にはゲートバ
ルブ２２ａが設けられている。また、前記第１のスパッ
タ室１３にはゲートバルブ２２ｂ、２２ｃ、第２のスパ
ッタ室１４にはゲートバルブ２２ｃｊ、２２ｅ、第３の
スパッタ室１５にはゲートバルブ２２ｆ、２２Ｑ１第４
のスパッタ室１６にはゲートバルブ２２ｈ、２２ｉ、ア
ンローダ室１７にはゲートバルブ２２Ｊが設けられてい
る。
する部屋であり、第１のスパッタ室１３側にはゲートバ
ルブ２２ａが設けられている。また、前記第１のスパッ
タ室１３にはゲートバルブ２２ｂ、２２ｃ、第２のスパ
ッタ室１４にはゲートバルブ２２ｃｊ、２２ｅ、第３の
スパッタ室１５にはゲートバルブ２２ｆ、２２Ｑ１第４
のスパッタ室１６にはゲートバルブ２２ｈ、２２ｉ、ア
ンローダ室１７にはゲートバルブ２２Ｊが設けられてい
る。
前記中間室１８〜２０は上部で互いに連結され、ポンプ
（図示せず〉の作動により排気口２３から各中間室内が
高真空にされるようになっている。
（図示せず〉の作動により排気口２３から各中間室内が
高真空にされるようになっている。
また、同様にして中間室２１にも排気口２４が取付けら
れている。なお、作動時中間室１８〜２１内の真空度は
スパッタ室１３〜１６及びアンローダ室１７内のそれよ
りも高く設定されている。゛こうした構造のスパッタリ
ング装置において、ロード室１２にセットされたウェハ
は、ゲートバルブ２２ａ、２２ｂを開いた状態で中間室
２１を経て第１のスパッタ室１３へ移動する。この際、
中間室２１内の真空度はロード室１２内のそれよりも高
く設定されているため、ウェハに付着した不純物や水分
等は中間室２１に排出される。つづいて、ウェハはゲー
トバルブ２２ｃ、２２ｄを開いた状態で第１のスパッタ
室１３から第２のスパッタ室１４へ移動する。以後、ウ
ェハは第２のスパッタ室１４から中間室１９．第３のス
パッタ室１５、中間室２０．第４のスパッタ室１６．中
間室２１を経てアンローダ室１７へ搬送される。
れている。なお、作動時中間室１８〜２１内の真空度は
スパッタ室１３〜１６及びアンローダ室１７内のそれよ
りも高く設定されている。゛こうした構造のスパッタリ
ング装置において、ロード室１２にセットされたウェハ
は、ゲートバルブ２２ａ、２２ｂを開いた状態で中間室
２１を経て第１のスパッタ室１３へ移動する。この際、
中間室２１内の真空度はロード室１２内のそれよりも高
く設定されているため、ウェハに付着した不純物や水分
等は中間室２１に排出される。つづいて、ウェハはゲー
トバルブ２２ｃ、２２ｄを開いた状態で第１のスパッタ
室１３から第２のスパッタ室１４へ移動する。以後、ウ
ェハは第２のスパッタ室１４から中間室１９．第３のス
パッタ室１５、中間室２０．第４のスパッタ室１６．中
間室２１を経てアンローダ室１７へ搬送される。
しかして、本発明に係るスパッタリングｉｌｌによれば
、ロード室１２と第１のスパッタ室１３間に中間室２１
を設け、かつポンプ（図示せず）に連結した排気口２４
よって前記中間室２１内の真空度を前記スパッタ室１３
内のそれよりも高く維持した構造となっているため、ロ
ード室１２から搬送されるウェハ表面にゴミや水分等が
付着していたりあるいは搬送時にゴミが発生しても、ゲ
−トバルブ２２ａ、２２ｂを開いてウェハをロード室か
ら高真空処理室へ搬送しようとしたとき、それらの不純
物等が中間室２１へ排出され、特性の優れたウェハを得
ることができる。従って、歩留りを向上できる。
、ロード室１２と第１のスパッタ室１３間に中間室２１
を設け、かつポンプ（図示せず）に連結した排気口２４
よって前記中間室２１内の真空度を前記スパッタ室１３
内のそれよりも高く維持した構造となっているため、ロ
ード室１２から搬送されるウェハ表面にゴミや水分等が
付着していたりあるいは搬送時にゴミが発生しても、ゲ
−トバルブ２２ａ、２２ｂを開いてウェハをロード室か
ら高真空処理室へ搬送しようとしたとき、それらの不純
物等が中間室２１へ排出され、特性の優れたウェハを得
ることができる。従って、歩留りを向上できる。
なお、上記実施例では多層スパッタの場合について述べ
たが、これに限定されず、反応性スパッタ、バイアスス
パッタなどの組合せ、あるいはエツチングとスパッタの
組合せ等も可能である。
たが、これに限定されず、反応性スパッタ、バイアスス
パッタなどの組合せ、あるいはエツチングとスパッタの
組合せ等も可能である。
また、上記実施例ではスパッタ室４つある場合について
述べたが、これに限定されるものでは勿論ない。
述べたが、これに限定されるものでは勿論ない。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、ウェハ搬送時にウェ
ハにゴミなどの不純物や水分等が付着することを抑Ｉｌ
ｊシ、もって素子特性を向上し得る歩留りの高い真空処
理ｉｉｌを提供できる。
ハにゴミなどの不純物や水分等が付着することを抑Ｉｌ
ｊシ、もって素子特性を向上し得る歩留りの高い真空処
理ｉｉｌを提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係るスパッタリング装置の
説明図、第２図は従来のスパッタリング装置の説明図で
ある。 １２・・・ロード室、１３〜１６・・・スパッタ室、１
７・・・アンローダ室、１８〜２１・・・中間室、２２
ａ〜２２Ｊ・・・ゲートバルブ、２３．２４・・・排気
口。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
説明図、第２図は従来のスパッタリング装置の説明図で
ある。 １２・・・ロード室、１３〜１６・・・スパッタ室、１
７・・・アンローダ室、１８〜２１・・・中間室、２２
ａ〜２２Ｊ・・・ゲートバルブ、２３．２４・・・排気
口。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）ウェハをセットしたカセットを載置するローダ室
と、真空処理室と、前記ローダ室及び真空処理室間に密
閉性を有するゲートを介して設けられ、かつ前記真空処
理室に比べて真空度の高い中間室と、この中間室を高真
空にする手段とを具備することを特徴とする真空処理装
置。 - （２）真空処理室がスパッタ室であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13624687A JPS63303060A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13624687A JPS63303060A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303060A true JPS63303060A (ja) | 1988-12-09 |
| JPH0138872B2 JPH0138872B2 (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=15170703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13624687A Granted JPS63303060A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303060A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376212A (en) * | 1992-02-18 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Reduced-pressure processing apparatus |
| US6533534B2 (en) * | 1993-05-03 | 2003-03-18 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Method for improving the rate of a plasma enhanced vacuum treatment |
| WO2003043060A2 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | Fsi International, Inc. | Reduced footprint tool for automated processing of substrates |
| EP1686615A1 (en) * | 1995-05-10 | 2006-08-02 | Tegal Corporation | Integrated semiconductor wafer processing system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5763677A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treating device |
| JPS59208074A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | 枚葉式膜形成装置 |
-
1987
- 1987-05-30 JP JP13624687A patent/JPS63303060A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5763677A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treating device |
| JPS59208074A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | 枚葉式膜形成装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5376212A (en) * | 1992-02-18 | 1994-12-27 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Reduced-pressure processing apparatus |
| US6533534B2 (en) * | 1993-05-03 | 2003-03-18 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Method for improving the rate of a plasma enhanced vacuum treatment |
| EP1686615A1 (en) * | 1995-05-10 | 2006-08-02 | Tegal Corporation | Integrated semiconductor wafer processing system |
| WO2003043060A2 (en) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | Fsi International, Inc. | Reduced footprint tool for automated processing of substrates |
| WO2003043060A3 (en) * | 2001-11-13 | 2003-11-27 | Fsi Int Inc | Reduced footprint tool for automated processing of substrates |
| US6979165B2 (en) | 2001-11-13 | 2005-12-27 | Fsi International, Inc. | Reduced footprint tool for automated processing of microelectronic substrates |
| US7134827B2 (en) | 2001-11-13 | 2006-11-14 | Fsi International, Inc. | Reduced footprint tool for automated processing of microelectronic substrates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0138872B2 (ja) | 1989-08-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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