FR2546359A1 - Appareil de traitement de tranches semi-conductrices par reaction dans un plasma - Google Patents

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Abstract

L'INVENTION CONCERNE LES APPAREILS DE TRAITEMENT DES TRANCHES SEMI-CONDUCTRICES. ELLE SE RAPPORTE A UN APPAREIL DANS LEQUEL UN MAGASIN 19 TRANSMET DES TRANCHES SEMI-CONDUCTRICES 21 A UN TRANSPORTEUR 23 PUIS A UN DISPOSITIF DE CHARGEMENT 13 QUI FORME UN SAS ET QUI CONTIENT DES BRAS QUI DEPLACENT UNE SERIE DE TRANCHES DEVANT LES FACES 18 MUNIES D'ELECTRODES 24 D'UN CHASSIS TOURNANT. CE CHASSIS EST PLACE DANS UNE CHAMBRE 12 DE REACTION. APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES.

Description

La présente invention concerne de façon générale le traitement des semi-
conducteurs et plus précisément un appareil de réaction à plasma gazeux destiné au traitement des tranches semi-conductrices et comprenant des mécanismes de chargement automatique des tranches dans une chambre
réactionnelle, et de déchargement de tranches.
Les dispositifs à semi-conducteur sont habituel-
lement fabriqués dans des tranches de forme générale circu-
laire de 10 cm de diamètre environ, traitées à la fois par attaque chimique et dépôt de matériaux au cours de procédés mettant en oeuvre des plasmas à sec Dans ces procédés, des tranches sont introduites dans une chambre sous vide qui est alors mise à pression convenable par des compositions gazeuses convenables afin que le traitement soit réalisé dans un plasma produit à l'intérieur de la chambre par application d'un champ à haute fréquence Ce traitement est réalisé évidemment avec un certain nombre
de configurations géométriques différentes Certaines as-
surent le traitement de nombreuses tranches et d'autres mettent en oeuvre des chambres qui ne traitent qu'une seule tranche à la fois En général, un débit élevé est une caractéristique souhaitable de tout appareil, de même que des caractéristiques de chargement et de déchargement
automatiques qui permettent un traitement continu ou semi-
continu.
Le brevet des Etats-Unis d'Amérique N O 4 298 443 représente une configuration avantageuse de chambre Dans l'appareil, la chambre réactionnelle comporte une structure centrale d'électrode à plusieurs facettes, habituellement
un hexagone, dans laquelle l'électrode centrale est un cylin-
dre de section hexagonaledont chaque face est constituée par une face plate étendue, chaque face ayant sur elle
plusieurs électrodes planes en forme de disque sur les-
quelles les tranches semi-conductrices sont disposées au cours du traitement L'appareil est mis en oeuvre par chargement manuel des tranches sur chaque face d'électrode,
la structure cylinrique hexagonale étant orientée vertica-
lement, puis par abaissement de la paroi externe de la chambre au-dessus de cette électrode, par mise sous vide de la chambre puis par introduction dans celle-ci d'un
gaz destiné au traitement L'opération est alors une opéra-
tion discontinue, et elle ne correspond aucunement à un
chargement et à un déchargement automatiques.
L'invention concerne de façon générale un appareil de chargement automatique de tranches semi-conductrices dans une chambre réactionnelle à plasma et de déchargement des plaquettes, la chambre ayant une structure à électrode centrale à plusieurs facettes, dans laquelle chaque face de la structure à électrode porte un certain nombre de tranches disposées sur des électrodes planes en forme
de disque On peut considérer de façon générale que l'appa-
reil a trois éléments essentiels: la chambre de réaction qui contient l'électrode centrale à facettes, un mécanisme de transport des tranches individuelles de récipients
de stockage à l'appareil réactionnel en vue de leur trai-
tement, destiné à éloigner les tranches de l'appareil N en les transportant soit vers un dispositif de stockage soit vers une opération ultérieure de traitement, et un mécanisme de chargement-déchargement destiné à recevoir les tranches de l'appareil de transport et à les charger automatiquement sur les électrodes en forme de disque placées dans la chambre réactionnelle avant le traitement, et à retirer les tranches des électrodes après le traitement
puis à les ramener vers le mécanisme de transport.
La chambre réactionnelle peut être mise sous vide avant d'être remplie du gaz réactionnel et le mécanisme de chargement-déchargement est logé dans un sas sous vide relié à la chambre de réaction par une vanne à obturateur divisé Le mécanisme de transport fonctionne dans des
conditions atmosphériques ambiantes.
L'appareil de chargement est séparé de façon étanche de la chambre de réaction par la vanne à obturateur divisé et peut venir à la pression atmosphérique ambiante afin que les tranches puissent être transférées du mécanisme
de transport à l'appareil de chargement et inversement.
Les tranches sont transférées du mécanisme de transport.
au mécanisme de chargement et inversement par l'intermédiaire d'un orifice de chargement qui est ensuite fermé de manière étanche, et le boîtier contenant le mécanisme de chargement et de déchargement est évacué avant ouverture de la vanne à obturateur divisé en vue du chargement et du déchargement réels de la chambre de réaction La structure à électrode, par exemple hexagonale, ayant plusieurs facettes, peut tourner autour de son axe, et l'appareil peut fonctionner soit par chargement de tranches sur toutes les faces de la structure d'électrode, puis par traitement pendant tout le temps de traitement avant déchargement, soit par chargement d'une face et, dans le cas d'une structure hexagonale, un sixième du temps de traitement peut s'écouler avant rotation de la structure et chargement de la face suivante. La chambre du réacteur à plasma a une structure d'électrode placée au centre, formée par une série de faces allongées longitudinalement, chacune des faces étant disposées de manière que, en coupe, la structue d'électrode ait une forme polygonale régulière, les faces se prolongeant en direction horizontale, chaque face ayant à sa surface
plusieurs électrodes ayant la forme de disquesplans, des-
tinées à porter les tranches semi-conductrices qui doivent subir la réaction dans un plasma pendant le fonctionnement, chacune des faces étant recouverte d'un plateau de forme
générale plate et ayant des ouvertures circulaires corres-
pondant aux positions des disques d'électrodes, chacun des plateaux étant articulé afin qu'il puisse pivoter d'une première position dans laquelle il est proche de la face d'électrode, parallèle à ellè et près d'elle, à une seconde position qui est décalée angulairement par
rapport à la première.
Un mécanisme de chargement est placé de façon générale au-dessous de la chambre de réaction et comprend
plusieurs bras verticaux de support ayant chacun une configu-
ration telle qu'il peut porter une tranche semi-conductrice, chaque bras étant tel que la surface réactive de la tranche semi-conductrice n'est pas touchée par une partie quelconque du bras vertical, le nombre de bras verticaux étant au moins égal au nombre de disques d'électrode d'une face
de la structure d'électrode du réacteur.
L'appareil comporte un dispositif destiné à assurer le déplacement des bras d'une position qui se trouve au-dessous de la chambre de réaction à une position qui se trouve à l'intérieur de cette chambre si bien que
chaque bras est alors très près d'une électrode correspon-
dante en forme de disque, le bras étant ensuite retiré de la position proche du disque à une position se trouvant sous la chambre de réaction-; un dispositif assure la synchronisation du déplacement du mécanisme de chargement de manière que les bras se rapprochent de leur position juxtaposée au disque d'électrode et s'en éloignent uniquement lorsque les plateaux se trouvent dans leur seconde position
décalée angulairement.
L'appareil peut en outre comprendre plusieurs
organes élastiques montés à la périphérie de chaque ouver-
ture circulaire formée dans les éléments de plateaux, les organes élastiques étant réalisés de manière que, lorsque l'élément de plateau est dans sa première position, les organes élastiques serrent une tranche semi-conductrice sur l'électrode en forme de disque et, lorsque le plateau est dans sa seconde position, les organes élastiques ne
serrent pas les tranches contre les électrodes.
Le plateau a de préférence une troisième position dans laquelle il est décalé angulairement par rapport à la première d'une quantité inférieure au déplacement angulaire de la seconde position, et les faces d'électrodes comportent au moins deux organes élastiques supplémentaires montés sur elles de manière que, lorsque le plateau est
-dans sa troisième position, les organes élastiques supplé-
mentaires puissent maintenir une tranche semi-conductrice en position sur l'électrode en forme de disque et, lorsque le plateau est dans sa seconde position, les éléments
élastiques supplémentaires libèrent la tranche de sa posi-
tion sur l'électrode Le dispositif de commande manoeuvre un bras vertical de manière que le plateau se déplace vers sa seconde position, et les bras sont ensuite déplacés verticalement très près des électrodes correspondantes de manière que chaque tranche portée par chaque bras soit positionnée sur une électrode correspondante en forme de disque, en position concentrique de façon générale, et que le plateau soit ensuite déplacé vers sa troisième position si bien que les organes élastiques supplémentaires montés sur la face d'électrode retiennent la tranche portée par le bras vertical correspondant sur l'électrode, le dispositif de commande fonctionnant pendant que le plateau est dans sa troisième position de manière qu'un dispositif de déplacement alternatif retire les bras de l'intérieur de la chambre de réaction vers une position qui se trouve au-dessous de cette chambre, le plateau se déplaçant vers sa première position après que les bras verticaux se sont retirés jusqu'à une position qui se trouve au-dessous
de la face d'électrode.
En outre, le dispositif de commande manoeuvre les
bras verticaux et les plateaux pendant un cycle de déchar-
gement suivant une séquence telle que le plateau se déplace de sa première à sa troisième position, puis les bras
verticaux se déplacent en translation en position d'accepta-
tion des tranches semi-conductrices provenant d'une élec-
trode correspondante en forme de disque, le plateau étant alors déplacé vers sa seconde position afin que les tranches soient séparées des électrodes, les bras verticaux étant alors déplacés au-dessous de la chambre de réaction et
en dehors de celle-ci.
Le mécanisme de chargement peut comporter deux éléments en forme de lame montés dans le boîtier placé sous la chambre de réaction, un dispositif destiné à assurer un déplacement vertical alternatif des lames, les bras verticaux constituantun premier groupe en nombre égal au nombre d'électrodes en forme de disque de chaque face de la structure d'électrode, et un second groupe en nombre égal au premier groupe, le premier groupe étant monté sur une première des lames et le second groupe sur une seconde lame, et un dispositif destiné à provoquer un pivotement des lames de manière que, dans une première position, le premier groupe de bras verticaux soit disposé d'une manière telle que, après le déplacement en translation, il soit très proche des électrodes en forme de disques et que, dans une seconde position, le second groupe de bras verticaux soit disposé de manière que, après déplacement en translation vers le haut, il soit proche des électrodes, le dispositif de commande fonctionnant de manière qu'un groupe de bras verticaux porte des tranches provenant
du mécanisme de transport en position sur l'électrode lors-
que les lames sont dans une position et l'autre groupe de bras verticaux porte des tranches provenant des électrodes
lorsque les lames sont dans leur seconde position.
Les bras verticaux de support peuvent comprendre chacun une barre de support et une pince élastique, disposés de manière qu'une tranche semiconductrice soit maintenue contre la barre, la pince ayant un bout en forme de came tel que, lorsque le bras vient très près des électrodes
en forme de disque, ce bout soit déplacé derrière l'élec-
trode, la pince s'écartant alors de la tranche et libérant celle-ci si bien qu'elle n'est retenue sur la barre ou tige de
support que par gravité.
Le mécanisme de chargement peut comprendre un boîtier ayant un passage entre lui et la chambre de réaction, et un dispositif destiné à former un joint hermétique entre le bottier et la chambre de réaction lorsque les bras sont en position au-dessous de la chambre et en dehors de celle-ci, le boîtier ayant une seconde ouverture destinée
au passage destranches semi-conductices provenant du mécanis-
me de transport uniquement lorsque le passage de la chambre de réaction est fermé, et un dispositif destiné à constituer
une fermeture hermétique de l'ouverture.
Le mécanisme de transport comprend avantageusement un ensemble transporteur destiné à déplacer la tranche semi-conductrice d'une cassette à des positions individuelles distantes, près de la seconde ouverture, un dispositif destiné à ouvrir la fermeture hermétique, et un dispositif de support de tranches destiné à soulever les tranches du transporteur, et à les faire passer par la seconde ouverture jusqu'à une position adjacente au mécanisme de chargement si bien que ce dernier, dans sa position déplacée vers le haut en translation, peut transférer les tranches du
support aux bras verticaux.
Les supports peuvent être des mandrins sous vide
de forme générale rectangulaire montés sur des bras pivo-
tants, et l'appareil comprend un dispositif destiné à transmettre une dépression aux mandrins afin que les tranches soient retenues sur les mandrins lorsque les supports déplacent les tranches du mécanisme de transport aux bras verticaux du mécanisme de chargement, la dépression étant supprimée lorsque les bras verticaux sont venus au contact
des tranches.
Dans une variante, les bras de support sont formés chacun d'une barre de support et d'un dispositif à cliquet destiné à maintenir une tranche semiconductrice
contre la barre, comprenant un dispositif mobile vertica-
lement, sur lequel est monté le dispositif à cliquet si bien que, lorsque le bras se déplace et vient très près des électrodes en forme de disque, le dispositif à cliquet s'abaisse depuis la tranche semi-conductrice, libérant celle-ci si bien qu'elle n'est retenue sur la barre de support que par gravité En outre, le dispositif mobile verticalement comprend de préférence un support mobile du cliquet, monté élastiquement sur le bras vertical-de support, et un dispositif de guidage du support mobile de. cliquet, le dispositif de guidage étant destiné à guider ce support de manière que le dispositif à cliquet se déplace transversalement en s'éloignant de la tranche ainsi que vers le bas à partir de la tranche lorsque le bras se déplace et vient très près des électrodes en forme de
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disque En outre, le dispositif à cliquet peut avoir une surface destinée à être au contact de l'électrode en forme de disque afvin que le cliquet s'abaisse sous la tranche lorsque le bras vient très près de l'électrode * L'appareil peut en outre comprendre une bague d'un matériau isolant délimitant des ouvertures circulaires dans les plateaux, les organes élastiques étant montés
dans la bague sur des éléments de support, et la bague déli-
mitant des trous dans lesquels les éléments de support
peuvent coulisser.
Dans une variante, les organes élastiques supplé-
mentaires comprennent des dispositifs à bloc et des dispo-
sitifs à patte montés sur les dispositifs à bloc, la face d'électrode en forme de disque délimitant une cavité pour le logement étroit et élastique du dispositif à bloc, et un dispositif de liaison du dispositif à bloc au plateau de manière que celui-ci déplace le dispositif à bloc d'une position dans laquelle la patte est au contact de la tranche semiconductrice à une position dans laquelle la patte n'est pas au contact de la tranche lorsque le plateau s'écarte de la troisième position vers la seconde Un dispositifde rappel repousse la patte montée sur le bloc afin qu'elle soit au contact de la tranche, le bloc formant un trou par lequel passe le dispositif de liaison afin qu'il vienne au contact du bloc, le plateau délimitant une partie qui ferme le trou lorsque le plateau est dans
sa première position.
D'autres caractéristiques et avantages de l'inven-
tion ressortiront mieux de la description qui va suivre,
faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est une perspective représentant de façon générale un appareil de réaction à plasma gazeux réalisé selon l'invention; la figure 2 est une perspective d'un mécanisme de transport faisant partie de l'appareil de traitement réalisé selon l'invention; la figure 3 est une coupe suivant la ligne 3-3 de
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la figure 1, représentant une partie d'un appareil de traitement selon l'invention; la figure 4 est une perspective représentant l'arrière, avec des parties arrachées, d'un mécanisme de chargement qui fait partie de l'appareil réalisé selon l'invention; la figure 4 aest une perspective partielle d'un support de tranches, ayant la même orientation que sur la figure 4 la figure 5 est une élévation avec des parties arrachées d'un mécanisme de chargement du type représenté sur la figure 1; la figure 6 est une élévation de l'arrière du mécanisme de chargement de la figure 1, avec des parties arrachées; la figure 7 est une élévation latérale du mécanisme de chargement;
la figure 8 est une coupe d'une structure hexa-
gonaled'électrode, suivant la ligne 8-8 de la figure 1 la figure 9 est une perspective avec des parties arrachées représentant la structure d'électrode hexagonale de la figure 1 pendant des étapes intermédiaires d'une opération de chargement; la figure 10 est une coupe suivant la ligne 10-10 de la figure 8; la figure il est une coupe suivant la ligne 11-11 de la figure 8; la figure 12 est une coupe suivant la ligne 12-12 de la figure 8;
la figure 13 est une coupe de l'ensemble à élec-
trode hexagonale suivant la ligne 13-13 de la figure 8 la figure 14 est une coupe détaillée suivant la ligne 14-14 de la figure 9, représentant le plateau dans sa position articulée intermédiaire; la figure 15 est analogue à la figure 14 mais
représente le plateau sans sa position de pivotement com-
plet;
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la figure 16 est une coupe suivant la ligne 16-16 de la figure 8; la figure 17 est une coupe (analogue à la figure 8) d'une structure d'électrode hexagonale selon un second mode de réalisation de l'invention; la figure 18 est une élévation d'une palette de support de tranche d'un second mode de réalisation de l'invention; la figure 19 est une coupe de la palette de la figure 18 portant une tranche, commençant à venir au contact d'un support d'électrode de la structure d'électrode hexagonale de la figure 17; la figure 20 est analogue à la figure 19, mais la tranche est venue complètement au contact du support d'électrode et la palette a commencé à se séparer de la tranche; 1 la figure 21 est une élévation détaillée d'un plateau fermé de l'électrode hexagonale de la figure 17,
le plateau étant partiellement arraché afin que les élec-
trodes et leur structure de support apparaissent; la figure 22 est une coupe du plateau, de-la
tranche et de la structure d'électrode de la figure 21 sui-
vant la ligne 22-22 la.figure 23 est une coupe analogue à la figure 22, représentant le plateau dans sa position intermédiaire; la figure 24 est une coupe suivant la ligne 24-24 de la figure 21 représentant le plateau dans sa position d'ouverture maximale; la figure 25 est une coupe suivant la ligne 25-25 de l'électrode de la figure 21, représentant un plongeur à bille repoussé par un ressort et logé dans l'une des électrodes; la figure 26 est une coupe suivant la ligne 26-26 de la figure 21, représentant la patte intermédiaire de maintien de l'ensemble hexagonal; et la figure 27 est une coupe du mécanisme d'ouverture du plateau de l'ensemble à électrodes, suivant la ligne
27-27 de la figure 17.
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La figure 1 représente en perspective un appareil de traitement de semiconducteurs Il comporte un appareil de transport portant la référence générale 11, un appareil de chargement portant la référence générale 13 et une chambre de réaction à plasma portant la référence générale 12 Le but de cet appareil est d'assurer un traitement automatique de tranches semi-conductrices dans la chambre de réaction à plasma Les tranches qui sont représentées par la référence 21 sur la figure 1, sont normalisées dans l'industrie et sont des tranches circulaires de 10 cm de diamètre environ, ayant une surface qui doit être traitée par attaque chimique ou par dépôt et qui constitue la surface sensible Chaque tranche a une face principale plate permettant l'orientation Dans l'industrie du traitement des semi-conducteurs, il existe actuellement une cassette normalisée qui contient vingt-quatre de ces tranches Lors de la mise en oeuvre de l'appareil selon l'invention, une cassette est placée en position 19 de distribution et les tranches sont transmises une à une le long d'un appareil transporteur à courroie comprenant deux brins parallèles 23 et 48 qui portent les tranches d'abord à un poste 52 a d'orientation à plat des tranches Lorsque
les tranches ont été alignées avec leur côté plat en.
position particulière, elles sont transportées plus loin jus-
qu'à ce qu'un arrangement parallèle de quatre tranches, comme représenté sur la figure 1, soit placé au-dessus de quatre supports individuels de transport représentés plus clairement sur les figures 2 et 3 Les-tranches individuelles sont alors en position de transfert au mécanisme 13 de chargement par ouverture du dispositif 15 de fermeture hermétique qui
recouvre l'ouverture de chargement 51.
La chambre de réaction à plasma est formée d'un boîtier hermétique 16 entourant une électrode hexagonale 18 qui porte, sur chacune de ses faces, une série d'électrodes 24 en forme de disque La structure de l'électrode hexagonale est entraînée en rotation par un mécanisme moteur commandé par un système de commande, tous deux étant compris dans le
boîtier 14 Lors-du fonctionnement, la structure des élec-
trodes peut être entraînée en rotation de manière que,
suivant toute séquence voulue, chacune des faces de l'hexa-
gone vienne prendre des positions convenablement alignées en vue du chargement Le brevet des Etats-Unis d'Amérique n O 4 298 443 donne des détails sur un tel appareil ayant une électrode hexagonale La chambre 12 de réaction est reliée au mécanisme de chargement 13 par une vanne 22 à
obturateur divisé.
Pendant la partie de chargement du cycle, le rôle-du méca-
nisme 13 de chargement est de transférer les tranches 21 des éléments respectifs 30 de support à des éléments de transfert placés dans le mécanisme de chargement Lorsque
le transfert des éléments de support a été terminé, l'ou-
verture 51 de chargement est refermée de façon étanche par la porte 15, et le bottier du mécanisme 13 est mis sous vide, le vanne 22 étant fermée Lorsque le mécanisme 13 et la chambre 12 ont été tous deux évacués, la vanne 22 est ouverte et le mécanisme de chargement est manoeuvré afin qu'il transfère les tranches semi-conductrices du
mécanisme de chargement en position sur les électrodes 24.
Dans le cycle de déchargement, l'opération est inverse et les semiconducteurs qui ont subi le traitement sont ramenés sur les éléments 30 de support, sur le mécanisme de transport, puis sont placés sur le transporteur à courroie qui lés entraîne vers une cassette 27 de sortie ou vers un poste tampon 25 qui peut être utilisé par exemple pour la conservation des tranches jusqu'à ce que l'élément 28
d'enlèvement de réserve photographique soit vide.
On considère maintenant l'appareil de transport.
Cet appareil de transport 11 est représenté plus clairement sur les figures 1, 2 et 3 Comme indiqué précédemment, son rôle est de transporter les tranches semi-conductrices de la cassette 19 de distribution afin qu'elles soient
en position de transfert direct dans le mécanisme de char-
gement L'appareil de transport a aussi pour rôle d'accepter les tranches traitées provenant du mécanisme de chargement X 54 d 359 et de les transporter vers une cassette de stockage de
sortie ou vers un dispositif d'enlèvement de réserve photo-
graphique ou assurant une autre étape de traitement, comme indiqué de façon générale sur la figure 1 Les cassettes de stockage sont normalisées dans l'industrie et on ne les décrit pas plus en détail L'appareil fondamental de transport est représenté comme comprenant des courroies de caoutchouc, avec un seul brin externe 23 passant sur une série de poulies 40 Une série de courroies plus courtes 48 de caoutchouc est parallèle au brin externe 23 et forme une voie segmentée, les ouvertures 49 a séparant les segments 48 laissant de la place pour le passage des bras 30 de support qui peuvent remonter en tournant vers la position indiquée sur la figure 3 Les courroies 23 et 48 sont entraînées par un moteur pas à pas suivant une séquence programmée de manière que les tranches, lorsqu'elles sont retirées du distributeur 19, soient transportées à chaque poste voulue en fonction d'une commande programmée (non représentée) Après enlèvement de la cassette 19, le premier poste auquel s'arrête chaque tranche est le dispositif 52 a d'orientation à plaque Après que chaque tranche a été alignée avec sa partie plate en position particulière, elle est déplacée le long du transporteur au-dessus d'un élément convenable 30 de support Ainsi, la première tranche de chaque groupe de quatre provenant de la cassette 19 est amenée par le transporteur dans la position qui se trouve au-dessus de l'élément de support a, alors que la suivante est mise en position au-dessus du support 30 b, la suivante au- dessus du support 30 c et
la quatrième au-dessus du support 30 d.
Les éléments de support comporte un socle de forme générale rectangulaire 31 soudé ou fixé d'une autre manière à des bras tubulaires perpendiculaires 32 qui sont montés sur un arbre rotatif 36 L'arbre 36 est entraîné en rotation par un petit moteur continu (non représenté) suivant les ordres d'une commande programmée de manière que le bras 30 de support soit déplacé de sa position normale ou de repos comme indiqué en traits mixtes sur la figure 3 à l'une de deux positions de transfert, indiquées sur la figure 3 de façon générale dans lesquelles le mandrin 31 sous vide est destiné à transférer les tranches vers le mécanisme de chargement et à partir de celui-ci Dans leur position de repos, les bras 32 de support sont en butée dans la position représentée en traits mixtes sur la figure 3 et, dans la position de transfert, les bras sont mécaniquement en butée dans l'une de deux positions dont l'une correspond à la position de tansfert obtenue lorsqu'une lame du mécanisme de chargement est déplacée
en translation afin qu'elle assure le transfert des pla-
quettes et l'autre correspondant aux positions de transfert
lorsque l'autre lame du mécanisme assure le transfert.
Ces dernières butées peuvent être représentées par exemple par une vis fixe 35, représentant la butée de la position de transfert correspondant à la rotation maximale à partir de la position de repos, alors qu'une butée réglable 37 commandée par un vérin pneumatique est utilisée pour la position de transfert comprise entre la position maximaleet la position de repos.
Lorsque toutes les plaquettes 21 sont placées sur les bras respectifs de support dans leur position normale, le vide est formé par l'intermédiaire du tube 32 de manière que le mandrin 31 reçoive une dépression transmise par un petit trou central L'arbre 33 tourne alors de manière que les mandrins 31 soulèvent les tranches 21 au-dessus des courroies de transport Les tranches sont alors maintenues par les mandrins 31, et le mouvement des bras 30 se poursuit jusqu'à ce que les mandrins se trouvent dans l'une des deux positions indiquées pour
le transfert des tranches.
Avant la rotation des bras 30, un vérin hydraulique ou pneumatique 49 à commande électrique est manoeuvré afin qu'il ouvre le couvercle 15 d'un sas de chargement
et permette ainsi le passage des bras 30 par le sas 51.
Un mécanisme de verrouillage destiné à maintenir le couvercle en position fermée hermétiquement comporte un bras de verrouillage commandé par un moteur rotatif 17 de manière que, lorsque le couvercle 15 doit être ouvert, le bras de verrouillage s'écarte par rotation et, après fermeture, le bras tourne en sens opposé afin que le joint
formé soit hermétique.
On vient de décrire le fonctionnement du mécanisme de transport pendant le cycle de-chargement Pendant le cycle de déchargement, lorsque le mécanisme a retiré les tranches déjà traitées de l'ensemble 18 et lorsque les tranches sont en position de transfert vers l'appareil de transport, l'organe programmé de commande ouvre le couvercle 15 de l'ouverture 51 du sas et provoque la rotation des bras 30 en position proche du trajet des tranchesa à l'intérieur du mécanisme de chargement Le mécanisme exact qui assure le transfert du mécanisme de chargement à la tranche et le fonctionnement de ce mécanisme sont décrits ultérieurement dans la suite du présent mémoire Lorsque les bras 30 de support sont en position-de réception des tranches, une dépression est à nouveau transmise aux mandrins de manière que les tranches puissent être transférées vers les bras de support et les mandrins 31 retiennent les tranches alors que les bras tournent en revenant vers la position normale ou de repos; lorsque les tranches
sont mises au contact des courroies de caoutchouc de l'appa-
reil transporteur, la dépression est supprimée Les courroies de transporteur transmettent alors les tranches traitées au poste 28 d'enlèvement de la réserve photographique ou à la cassette 25, lorsque le poste 28 est occupé, ou elles peuvent être transmises directement à la cassette réceptrice 27. On considère maintenant l'ensemble formant le mécanisme de chargement Son rôle est derecevoir les tranches 21 de l'appareil de transport et de les charger sur les électrodes individuelles 24 en forme de disque faisant partie de la structure hexagonale 18 Comme la chambre 12 fonctionne à pression très basse et nécessite un réglage précis de la pureté des gaz, il est avantageux, du point du vue du rendement, de conserver l 'atmosphère dans la chambre 12 soit en dépression soit à une faible pression de gaz Ainsi, lorsque le mécanisme 13 de chargement est ouvert à l'aide de la vanne 22 à obturateur divisé, afin que les tranches soient introduites dans la chambre de réaction ou retirées de celle-ci, il est souhaitable que le mécanisme de chargement soit maintenu sous vide D'autre part, lorsque les tranches sont transférées du mécanisme de transport au mécanisme de chargement par l'ouverture
de chargement 51, le mécanisme de chargement doit obliga-
toirement être exposé à la pression ambiante Ainsi, le mécanisme de chargement est logé dans un bottier hermétique 13 ayant une ouverture de chargement 51 donnant accès à l'atmosphère extérieure, l'orifice 51 de chargement ayant, comme indiqué précédemment, un couvercle 15 qui peut être ouvert afin qu'il permette le transfert des tranches par cette ouverture ou qui peut être fermé afin qu'il forme un joint hermétique Lorsque l'ouverture 51 est ouverte, la vanne 22 qui fo;me un joint hermétique entre le bottier 13 et la chambre 12, est fermée afin que l'intérieur de la chambre 12 soit séparée de l'atmosphère externe Après le chargement ou déchargement, entre l'appareil de transport et le mécanisme de chargement, le couvercle 51 est fermé et forme un joint hermétique, et l'intérieur du bottier 13 peut alors être évacué, avant ouverture de la vanne 22
et transport des tranches vers la chambre 12 de réaction.
Les détails du mécanismes de chargement apparais-
sent le plus clairement sur les figures 4, 4 a, 5, 6 et 7 Le mécanisme comprend un châssis 104 articulé en des points 81 de pivotement dans la chambre, le châssis pouvant pivoter alternativement sous la commande d'un vérin 109 qui déplace un bras 111 sur un arbre excentrique 112 Un élément 113 de butée constituant une limite physique assure le maintien du châssis en deux positions seulement, l'une dans laquelle il a pivoté vers l'avant, vers le mécanisme de transport, et l'une dans laquelle il a basculé à distance
R 46359
de ce mécanisme de transport Le châssis ou cadre 104
porte deux lames 80 et 82 destinées à se déplacer vertica-
lement en translation Chaque lame se déplace sur deux rails 105 formés sur la partie interne du châssis 104, des roues 78 portées par les lames étant au contact des rails afin que le mouvement vertical soit guidé Chaque lame 80 et 82 peut se déplacer verticalement sur le châssis par l'intermédiaire de bandes individuelles 74 et 75 d'acier inoxydable fixées au châssis et passant autour de cabestans 70 et 72 et sur des arbrés 69 a Chaque arbre est entra né en rotation par un moteur respectif 57, 57 a qui, lorsqu'il tourne dans un sens, provoque le soulèvement de la lame correspondante et, lorsqu'il tourne dans l'autre
sens, permet la descente de la lame respective.
Chacune des lames 80 et 82 porte une série de quatre palettes ou bras verticaux de support 52, décalés latéralement afin qu'elles correspondent à 1 'espacement des électrodes 24 formées sur la structure hexagonale 18 Les palettes comprennent un élément de base 52 formé d'un
matériau convenable tel que le "Teflon" Un élément métal-
lique plat 56 formant ressort dépasse verticalement de chaque organe 52 de base et est revêtu d'un capuchon 58 de retenue Les palettes 52 sont montées dans des fentes
constituées par des découpes formées dans la lame correspon-
dante et sont supportées par les ressorts 65, permettant un petit déplacement vertical élastique de la palette par rapport à la lame de support correspondante Le capuchon 58 et la base 52 de la palette ont des cavités si bien qu'une tranche semi-conductrice peut être supportée sur le rebord de la base 52 et contre le rebord du capuchon 58 (comme représenté plus précisément sur la figure 14), si bien que seul le bord externe de la tranche touche
le bras de support lorsqu'une tranche est placée sur lui.
Ceci empêche la contamination ou la détérioration de la
surface sensible des tranches 21.
Dans son déplacement vertical, chaque lame a trois positions verticales, une position inférieure, une position intermédiaire dans laquelle les bras de support sont alignés de façon générale sur l'ouverture 51, et une position supérieure dans laquelle les palettes 52 sont placées près des électrodes 24 La position de la lame, pour chacune de ces positions, est déterminée par une série de capteurs
optiques 100, 101 et 102 formés chacun d'une diode photo-
émissive et d'un capteur de lumière disposés de manière que, lorsque la patte 103 fixée à chaque lame passe au niveau du capteur, un signal soit transmis vers l'organe de commande programmé Ainsi, suivant la séquence suivie par la commande programmée, les moteurs 57 et 57 a sont arrêtés afin que la lame prenne une position verticale
convenable en butée.
Chacun des bras de support 52 a aussi deux pinces élastiques 61 recouvertes d'un élément 62 de came, les pinces étant directement montées sur la lame respective par un bloc 63 Un axe 66 monté dans le bloc passe par une ouverture 67 en forme de fente de la base de la palette 52 et limite le déplacement de la palette 52 par rapport à la fente formée dans la lame Les pinces élastiques 61 maintiennent les tranches 21 en position sur les bras 52 alors que les bras se déplacent entre le mécanisme
de transport et la structure d'électrode.
Comme les deux lames 80 et 82 sont incorporées à un mécanisme de basculement, la séquence peut être telle que, après l'ouverture de la vanne 22 à obturateur divisé et pendant que le boîtier 13 du mécanisme de chargement reste sous vide, les tranches peuvent être chargées sur une face de la structure hexagonale 18 et déchargées de cette face puis, après rotation de la structure d'électrode, la seconde lame peut charger des tranches sur une seconde
face de l'électrode ou les décharger de cette face.
On considère maintenant la structure d'électrode dont les détails de construction sont représentés sur les figures 8 à 13 La structure d'électrodecomporte un châssis ou cadre 18 de section hexagonale et, sur chaque face de l'hexagone, une série d'électrodes 24 en forme de disque, constituées d'un métal très conducteur tel que
l'aluminium Chaque face-est couverte par un plateau rectan-
gulaire 29 qui peut être formé d'un métal et qui est revêtu d'une surface isolante Le plateau 29 est raccordé à la structure principale 18 par un élément 19 a de charnière, permettant au plateau 29 de pivoter de sa position dans laquelle il est parallèle au contact de la face de la structure d'électrode à deux positions qui en sont décalées angulairement Ce mouvement est assuré par un levier coudé 150, commandé par un arrangement à pignon et crémaillère, monté à l'extérieur du châssis et ne tournant donc pas avec celui-ci Le levier coudé 150 est au contact d'une patte 128 formée au bord de chaque plateau 29 lorsque la face correspondante est alignée sur le bras du levier coudé 150 Une série de ressorts 132 a est disposée de manière que le plateau 29 soit repoussé en position de contact intime avec la structure 18 d'électrode et la force exercée par le bras du levier coudé dépassé cette résistance élastique lors du déplacement du plateau vers les positions décalées angulairement Chaque plateau 29 a une série d'ouvertures circulaires qui correspondent à la position de l'électrode en forme de disque et chaque ouverture porte une série de quatre organes élastiques qui peuvent être formés d'un matériau convenable tel qu'un polyarylate thermoplastique, "Ardel" de Union Carbide Corp Comme représenté plus clairement sur la figure 11, les éléments 120 sont fixés au plateau par des éléments élastiques qui leur donnent suffisamment d'élasticité pour qu'ils retiennent le disque constituant la tranche 21 en position sur la face 24 d'électrode lorsque le plateau
29 est en position de fermeture.
Une paire supplémentaire de pattes élastiques 122 est fixée à chacune des faces de l'hexagone par des ressorts à lames 132 Lorsque le plateau 29 est en position partiellement ouverte, ces éléments 122 retiennent une
tranche 21 en position sur la face de l'électrode 24.
D'autre part, lorsque le plateau 29 pivote vers sa position externe, le bras 130 qui lui est fixé repousse les pattes 122 et les chasse vers l'extérieur de la face de l'électrode 24 si bien qu'une tranche semiconductrice 21 qui est
retenue sur les pattes est libérée.
La figure 16 représente en détail le mécanisme qui assure le pivotement des plateaux Un levier coudé-150 est articulé sur un pivot 154 et, lorsque la crémaillère 157 est entraînée en avant par le pignon 158, le point de pivotement avance et le galet 151 repousse le levier coudé qui doit tourner vers la position indiquée en traits interrompus sur la figure 16 Lorsque le galet 159 placé à l'extrémité du levier coudé 150 vient au contact de la patte 128, il déplace le bord inférieur du plateau 29 vers l'extérieur L'organe de commande programmé commande
alors l'entraînement du pignon 158 de manière que la crémail-
lère soit entraînée vers une première position décalée dans laquelle le plateau 29 a-pivoté à distance de la face de la structure 18 d'électrode suffisamment loin pour que le bras 52 de support de palette puisse passer entre la face et le plateau 29 et il peut alors être entraîné vers une position plus à l'extérieur dans laquelle le
bras 130 est au contact des pattes élastiques 122.
L'ensemble de la structure hexagonale est porté par un palier et peut être entraîné en rotation par un dispositif 130 a de manière qu'une face choisie de l'hexagone ait une position dans laquelle ses électrodes en forme de disque soient alignées verticalement au-dessus de la
vanne 22 à obturateur divisé.
On considère maintenant la vanne à obturateur divisé 22 qui est plus clairement représentée sur les figures 3, 14 et 15 Les éléments d'étanchéité de la vanne comprennent un bloc supérieur 143 et un bloc inférieur articulé 142 Ce dernier a une série de galets 144 de roulement permettant son déplacement libre le long de la plaque inférieure 140 de la vanne et simultanément assurant le contact roulant contre la plaque d'étanchéité 143, lors du déplacement L'élément inférieur 142 est porté par l'extrémité de la tige 146 d'entraînement qui dépasse d'un vérin pneumatique 150 a qui est commandé par l'organe programmé de commande Ainsi, lors de la course d'avance du vérin, l'élément 142 qui a les galets est déplacé devant l'ouverture 148 de la vanne de la chambre de réaction jusqu'à ce qu'il fasse pivoter vers le haut
la plaque 143 d'étanchéité La configuration du bloc infé-
rieur 142 est telle que celui-ci exerce une pression verti-
cale ascendante sur le bloc 143, la garniture 145 portée
par ce bloc assurant alors l'étanchéité au niveau de l'ouver-
ture 148 Dans la course de retour, le bloc 143 s'abaisse en direction sensiblement verticale et pivote en s'écartant de l'ouverture 148, ouvrant ainsi le passage et permettant
aux bras 52 de support de se déplacer.
On considère maintenant le fonctionnement du mécanisme de chargement Audébut du cycle de chargement, lorsque le couvercle 15 de l'ouverture 51 de chargement est ouvert, les deux lames 80 et 82 ont leur position la plus basse lorsque la vanne 22 est fermée Les bras 30 de support tournent alors en passant dans l'ouverture 51, les tranches 21 étant portées sur ces bras étant donné la dépression créée dans les mandrins 31, la partie plate
des tranches étant orientée horizontalement, du côté infé-
rieur Comme indiqué précédemment, suivant la position du châssis 104, l'une ou l'autre lame 80, 82 est soulevée si bien que le bord en retrait du bloc 52 de la palette est au contact du plat de la tranche 21 alors que les bouts 62 de came passent derrière les mandrins 31 La position intermédiaire d'arrêt des lames est telle que la tranche est alors portée par la palette, le bord périphérique supérieur de la tranche reposant sur le bord du capuchon 58 du bras de support Lorsque le vide a été supprimé, la lame est alors retiréevers le bas, vers sa position la plus basse, et elle permet aux bouts 62 de came de glisser de leur position derrière les mandrins 31 et de venir au contact de la face arrière (non sensible) de chacune des tranches A ce moment, les supports 30 sont retirés par l'ouverture 51 et ramenés dans leur position originale ou de repos Le vérin 49 est alors commandé afin qu'il ferme le couvercle 15 sur l'ouverture 51, en position d'étanchéité Une dépression est alors créée dans le boîtier 13 du mécanisme de chargement et, lorsqu'un temps suffisant s'est écoulé pour que le vide voulu soit atteint, la vanne 22 est ouverte Le plateau 29 qui est dans un plan vertical aligné sur la lame portant les tranches 21 pivote alors vers l'extérieur, vers sa position la plus éloignée, et la lame portant les tranches 21 est déplacée vers le haut, vers sa position la plus haute, dans laquelle les tranches 21 portées par les bras 52 sont adjacentes aux électrodes correspondantes en forme de disque et concentriques de façon générale à celles-ci Les bouts 62 de came des bras 52 passent derrière les faces d'électrodes pendant cette remontée si bien que les tranches 21 sont maintenues en position uniquement parce qu'elles reposent sur le bras
de support très près des électrodes 24.
Lorsque la lame a atteint cette position supé-
rieure, le plateau 29 revient en pivotant en position intermédiaire, permettant aux pattes élastiques 122 de venir au contact du bord externe des tranches 21 en les serrant contre les électrodes correspondantes 24 A ce moment, la lame portant les bras de support est ramenée en translation vers le bas, vers sa position la plus basse et, lorsque les bras ont dépassé le bord inférieur du plateau 29, celui-ci est ramené en position de fermeture dans laquelle les éléments élastiques supplémentaires 122 facilitent alors le maintien des tranches 21 sur les électrodes 24 La vanne 22 est fermée de manière étanche et la chambre 16 de réaction peut être remplie de gaz, le
procédé étant alors mis en oeuvre de manière classique.
Les deux lames peuvent être utilisées pendant une seule partie du cycle lorsque le bottier 13 du mécanisme de chargement est sous vide afin que le fonctionnement soit plus efficace Dans un tel arrangement, deux des faces de l'hexagone peuvent être munies de tranches pour
chacune des mises sous vide La séquence, dans cette opéra-
tion, comprend le transfert initial des tranches des supports
aux bras de support de la manière décrite précédemment.
Cependant, lorsque les tranches sont montées sur les bras de support 52 et lorsque les supports 30 sont retirés vers leur position normale ou de repos, le couvercle 15 de l'ouverture 51 n'est pas fermé Un jeu supplémentaire de quatre tranches est transporté sur chacun des bras de support et la lame qui porte les tranches 21 est retirée vers sa position basse, le châssis 104 tournant afin que l'autre lame vienne en position de réception de tranches Les supports 30 qui portent un second jeu de tranches 21, tournent vers le haut afin qu'ils soient alignés sur les bras de support de la seconde lame, lorsque celle-ci est soulevée, et la seconde lame est alors soulevée afin qu'elle reçoive le second jeu de tranches 21, de la manière déjà décrite pour la disposition du premier jeu de quatre tranches sur la première lame La seconde lame n'est pas déplacée vers sa position la plus basse,
et le couvercle 15 est alors fermé sur l'ouverture 51.
Le boîtier 13 du mécanisme de chargement est alors mis sous vide, les deux lames portant chacune un jeu de quatre tranches semi-conductrices et la vanne 22
est ouverte après la mise sous vide.
La lame portant le second jeu de tranches 21 qui vient juste d'être transmis par l'ensemble de transport est alors soulevée verticalement vers sa position la plus haute, le plateau 29 pivotant vers l'extérieur afin que ce jeu de tranches puisse être placé sur les électrodes correspondantes, de la manière décrite précédemment Après le transfert et après que cette lame a été retirée dans le boatier 13, la vanne n'est pas fermée, mais la structure hexagonale 18 tourne afin qu'une nouvelle face de l'hexagone soit alignée sur la vanne Le châssis 104 portant les lames 80 et 82 pivote alors de manière que l'autre lame, dont les bras de support portent l'autre jeu de tranches 21, vienne dans l'alignement de la vanne et, après soulèvement vertical de cette lame, le second jeu de tranches peut être transféré à la seconde face de l'hexagone, comme décrit pour le premier jeu Après ce transfert, la seconde lame
est retirée dans le boîtier 13 et la vanne est refermée.
La chambre du-réacteur hexagonal peut alors fonctionner soit par mise en oeuvre du procédé seulement lorsque toutes les faces d'électrodes ont été chargées, le traitement durant alors pendant la totalité de l'opération de traitement par le plasma, ou, lorsqu'une seule face est chargée à chaque cycle, un sixième du traitement peut être réalisé seulement avant que le mécanisme de chargement-déchargement soit manoeuvré Dans une autre variante de l'appareil décrit, deux faces de la structure d'électrode sont chargées d'un seul coup, et le traitement dure pendant le tiers du temps total de traitement avant manoeuvre du mécanisme de chargement Comme le but recherché est un traitement continu ou semi-continu, il est préférable que les tranches semi-conductrices dont le traitement est terminé soient retirées pendant un cycle de déchargement alors qu'un nouveau jeu de tranches non traitées est transféré à cette face sans nécessiter un cycle supplémentaire de mise sous vide du bottier du mécanisme de chargement Une manière permettant cette opération comprend le retrait d'une lame qui porte les tranches déjà traitées d'une face hexagonale alors que l'autre lame porte de nouvelles tranches non
traitées et les place sur cette même face.
Bien qu'on ne décrive pas plus précisément la commande programmée de l'appareil qui exécute les différentes séquences décrites, il faut noter qu'il existe un certain nombre d'organes convenables programmés Lorsqu'une séquence fixe est voulue, l'organe peut comprendre une série de commutateursélectrique commande par des cames, destinés à manoeuvrer- les différents pistons et moteurs, dans un ordre convenable comme décrit précédemment Des programmes plus souples peuvent être exécutés à l'aide d'un ordinateur
programmé par un logiciel convenable et destiné à trans-
mettre des signaux électriques de manoeuvre des moteurs électriques et vérins convenables Evidemment, les vérins hydrauliques ou pneumatiques peuvent être commandés par
des électrovannes, en fonction de ces signaux électriques.
Comme indiqué précédemment, l'organe de commande préféré est un ordinateur numérique programmé Dans un exemple de réalisation, l'ordinateur a une alimentation et un fond de panier BAL 11 ME, un panneau comprenant un ordinateur numérique PDP 11/23, un panneau comprenant une mémoire MSV 11 L, trois panneaux à entrées-sorties parallèles DLV 11 J, et une interface série de ligne DLV 11 J destinée à un terminal à tube à rayons cathodiques, tous ces éléments étant fabriqués par Digital Equipment Corporation, Maynard, Massachusetts, et un terminal à tube à rayons cathodiques "Visuall OO" fabriqué par Visual Technology, Inc, Tewksbury, Massachusetts Le programme est écrit en langage Pascal, dans un exemple Dans d'autres modes de réalisation, d'autres configurations d'ordinateur peuvent être utilisées, avec des programmes différents, pour la commande du fonctionnement
de l'appareil décrit.
Les figures 17 à 27 représentent des caractéris-
tiques d'un second mode de réalisation d'appareil selon l'invention Dans celui-ci, les éléments du mécanisme 13 de chargement et de l'ensemble 18 comprenant l'électrode hexagonale ont été modifiés afin que les cavités ou creux de la chambre de réaction 12 soient éliminés ou réduits au minimum Ces cavités et creux peuvent accumuler dans certains cas, du plasma gazeux et peuvent provoquer la formation d'arc pendant le fonctionnement de la chambre
avec une quantité élevée d'énergie.
La figure 17 est analogue à la figure 8 et repré-
sente l'ensemble 18 comprenant les électrodes Dans la
description et sur les dessins, les références utilisées
* pour le second mode de réalisation sont les mêmes que celles des éléments du premier mode de réalisation Ainsi, la figure 17 représente une structure d'électrode comprenant un châssis rotatif 18 de forme hexagonale et ayant une série d'électrodes 24 en forme de disque sur chaque face de l'hexagone, et un plateau rectangulaire 29 articulé sur chaque face de l'hexagone Le plateau 29 peut pivoter entre une première position parallèle à chaque face, au contact de celle-ci, et deux autres positions décalées angulairement par rapport à la première (et décalées angu-
lairement l'une par rapport à l'autre).
Comme indiqué dans la description du premier
mode de réalisation, le mouvement du plateau 29 entre ces positions s'effectue en même temps que le déplacement
des palettes 52 montées sur ds lames 80, 82 mobiles verti-
calement du mécanisme de chargement afin que les tranches
soient prisds sur les palettes 52 et relâchées sur celles-ci.
Les figures 18 et 19 représentent une palette 52, selon ce second mode de réalisation, montée sur l'une des lames 80 mobiles verticalement La palette 52 a un tronçon inférieur principal 160 ayant une gorge courbe 162 à gradins destinée à supporter la partie inférieure d'une tranche 21, et une partie supérieure 164 de retenue contre laquelle la partie supérieure d'une tranche 21 peut être en appui La partie supérieure 164 est raccordée au tronçon inférieur 160 par un élément métallique plat 166 formant ressort Le tronçon inférieur 160 est fixé à un bloc 168
de raccordement qui est lui-même vissé sur la lame 80.
La palette 52, dans ce second mode de réalisation et comme représenté sur les figures 1 8 et 19, comporte un
cliquet 170 qui peut venir en retrait en direction verti-
cale Ce cliquet 170, constitué d'un polymère "Delrin" vendu par Union Carbide Corp, a une face avant courbe 172 destinée à être au contact de la tranche 21 et à la maintenir en place pendant que la palette 52 la transmet
à la chambre 12 ou hors de celle-ci (voir figures 19 et 20).
Le cliquet 170 est fixé au-dessus d'une tige 174 d'acier inoxydable dont la partie inférieure peut coulisser dans un trou formé dans une équerre 176 formée à la lame 80 Deux guides 178 de came formés de "Delrin" sont placés de part et d'autre de la tige 174 entre le cliquet 170 et l'équerre 176 Les guides 178 délimitent des fentes 180 de came dans lesquelles passe un axe transversal 182 porté par la tige 174 Un ressort hélicoïdal 184 entoure
la tige 174 et est placé entre l'axe 182 et l'équerre 176.
Les fentes 180 formées dans les guides 178 sont disposées de manière que le cliquet 170 soit repoussé vers le bas, malgré la force de rappel du ressort 184, l'axe 182 qui se déplace dans les fentes 180 provoquant un déplacement
transversal du cliquet 170 afin qu'il s'écarte de la posi-
tion de contact avec une tranche 21, tout en descendant simultanément Le cliquet 170 est chassé vers le bas lorsque sa surface supérieure 186 rencontre un objet pendant la remontée de la lame 80 Ce phénomène se produit lorsque la palette 52 s'élève sur la lame 80 (ou-la lame 82) afin de venir au contact d'une tranche 21 portée par un mandrin aspirant 31, lorsque la face supérieure 186 du cliquet vient au contact de la partie inférieure du mandrin 31 (voir figures 2 et 3) Ce phénomène se produit aussi pendant
le transfert de la tranche 21 de la palette 52 aux élec-
trodes 24, dans la chambre 12 de réaction à plasma.
Le transfert d'une tranche 21 lde la palette 52
aux électrodes 24 est représenté sur les figures 19 et 20.
La figure 19 représente une tranche 21, transportée par la palette 52 dans la vanne 22, dans le sens de la flèche, au début de son contact avec une électrode 24 Le cliquet 170 qui a appliqué la tranche 21 contre la partie supérieure 164 de la palette et la gorge 162, vient au contact de la partie inférieure de l'électrode 24 Lorsque la lame continue à remonterdans le sens de la flèche, le cliquet se déplace en s'écartant de la plaquette 21 en direction
transversale et vers le bas (voir figure 20).
Comme le cliquet 170 de ce second mode de réalisa-
tion se déplace vers le bas à partir de la tranche 21, il n'est pas nécessaire qu'une cavité soit délimitée derrière la face de l'électrode 24 comme dans le premier mode de réalisation (voir figures 14 et 15) dans lequel une cavité est nécessaire pour le passage des pinces 62 de la palette
52 du premier mode de réalisation.
Comme l'indique la figure 20, le plateau pivotant 29 de l'ensemble 18 d'électrode est encore dans sa position
externe prise pendant qu'une tranche 21 est amenée à l'en-
semble 18 Comme dans le premier mode de réalisation, -5 l'opération suivante est un déplacement du plateau 29
en position intermédiaire dans laquelle deux pattes inter-
médiaires 190 de maintien sont au contact de la tranche 21 et la repoussent contre là face d'une électrode 24 pendant que la palette 52 vient en retrait Le plateau 29 se déplace alors d'après les déplacements programmés de l'appareil, jusqu'en position de fermeture totale dans laquelle quatre pattes supplémentaires, les pattes 192, appuient la tranche
21 contre la face de l'électrode.
Dans le second modes de réalisation, coame indiqué sur les figures 17 et 21, les quatre pattes 192 de contact total sont logées dans une bague 194 formée d'Ardel" et non directement dans le plateau 29 Chaque bague i 94 est logée dans une gorge entourant chaque ouverture du plateau 29 si bien que la disposition générale des pattes 192 par rapport au reste de l'ensemble 18 est la même
que dans le premier mode de réalisation.
Comme l'indique la figure 22, les pattes 192 sont fixées aux extrémités de vis 196 à épaulement formées d'l"Ardel", repoussées élastiquement dans des cavités 198 formées dans la bague 194 Les cavités 198 sont petites et ouvertes vers un côté de la bague 194 qui est en appui contre la structure d'électrode pendant le fonctionnement de la chambre de réaction Les vis 196 passent dans des trous 200 formés à la partie inférieure des cavités 198
afin qu'elles se vissent dans les pattes 192.
Comme l'indiquent les figures 21 à 24, le second mode de réalisation a une disposition et une configuration
différente de la structure qui supporte les pattes intermé-
diaires 190 La figure 21 représente ces pattes 190 dans un organe 202 de montage placé à l'intérieur de l'ensemble 18 à électrode La figure 22 représente l'arrangement des pattes intermédiaires 190, et ces pattes elles-mêmes,
en vue de dessous La figure 23 est analogue mais repré-
sente le plateau 29 écarté vers sa position intermédiaire.
La figure 24 représente encore l'arrangement des pattes, mais à 90 par rapport aux figures 22 et 23, le plateau 29 étant aussi écarté vers sa position d'ouverture maximale. La figure 24 représente plus clairement l'arrangement à rappel par des ressorts de l'ensemble comprenant les
pattes intermédiaires.
Comme l'indiquent les figures 21 à 24, les pattes intermédiaires 190 ont des prolongements latéraux dépassant
d'un bloc 204 logé dans le dispositif 202 de montage.
Le bloc 204 est maintenu élastiquement dans le dispositif 202 par des vis 206 portant des ressorts, si bien que les pattes 190 sont repoussées vers l'ensemble 18 Le bloc 204 a un alésage axial 208 ayant une partie supérieure
rétrécie 210 et une partie inférieure 212.
Une bielle 214, ayant une rotule 216, 218 à chaque extrémité, assure la liaison entre le plateau 29 et le bloc intermédiaire 204 La bille 216 d'une première extrémité de la tige 214 se loge dans le plateau 29 La bille 218 de l'autre extrémité est mobile dans la partie inférieure 212 de l'alésagedu bloc, la tige 214 passant
dans la partie supérieure 210 de cet alésage.
Lorsque le plateau 29 est en position de fermeture complète, la bille 218 de l'extrémité de la tige 214 se trouve à la partie la plus profonde de l'alésage 212 (voir figure 22) Lorsque le plateau 29 se déplace vers sa position intermédiaire (figure 23), la bille 218 remonte dans la partie 212 d'alésage vers un siège 220, lorsque la tige 214 remonte dans l'alésage 208 Dans ces conditions, les pattes intermédiaires 190 maintiennent encore élastiquement la tranche 21 contre la face d'une électrode 24 Lorsque
le plateau 29 se déplace vers sa position externe d'ouver-
ture (voir figure 24), la rotule 218 vient au contact du siège 220 du bloc 204 et tire celui-ci, y compris les pattes 190, vers le haut et vers l'extérieur du dispositif
202 de montage en écartant les pattes 190 de la tranche 21.
Dans une opération de chargement de plaquette, les opérations sont inverses Ainsi, le plateau 29 est ouvert compètement, pendant qu'une tranche 21 est placée sur la face de l'électrode 24, et aucune des pattes 192 et 190 n'est au contact de la tranche 21 Lorsque le plateau 29 se déplace vers sa position intermédiaire (figure 23), les pattes intermédiaires 190 viennent au contact de la tranche 21 La palette 52 qui fait remonter la tranche 21 est alors ramenée en retrait et le plateau 29 se déplace vers sa position de fermeture complète Les pattes 192 viennent alors au contact de la tranche 21, les pattes
continuant à être au contact de cette tranche 21.
La figure 25 représente une bille 222 repoussée par un ressort et faisantpartie d'un plongeur vissé dans un trou taraudé 224 de la face d'une électrode 24, à peu près sous les positions des pattes intermédiaires 192 La bille 226 du plongeur 222 est repoussée élastiquement contre une tranche 21 placée sur la face de l'électrode afin que cette tranche 21 soit écartée de cette face lorsque les pattes intermédiaires 192 sont sépârées Les billes 226 améliorent le serrage des tranches 21 lorsque les pattes intermédiaires 192 viennent au contact de la tranche 21 car les billes 226 repoussent les tranches 21 de l'autre côté. La figure 27 représente en-détail le mécanisme du second mode de réalisation utilisé pour le pivotement des plateaux 29 Comme dans le premier mode de réalisation,
le mécanisme comporte une crémaillère 157 et un pignon 158.
La crémaillère 157 a une partie avant 229 formant tige poussoir sur laquelle est montée, à l'extrémité externe 229, une petite roue 230 Le mécanisme est logé dans un capot 232 formant un espace sombre qui a une partie de paroi avant-234 La tige poussoir 228 peut être entraînée par le pignon 158 (sous la commande de l'organe programmé de commande) par l'intermédiaire d'un trou 236 formé dans
la paroi avant 234, le passage s'effectuant sans jeu.
Lorsque le plateau 29 est fermé, la tige 228 vient
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en retrait si bien que l'extrémité 229 de cette tige se trouve au niveau de la surface externe 238, la surface
n'ayant pratiquement pas de cavités.
Lorsque le plateau 29 doit être ouvert, la tige poussoir 228 est chassée hors du capot 232 afin qu'elle vienne au contact d'une patte 240 du plateau montée à
l'extérieur du plateau 29 et la pousse, en dépassant d'en-
viron 2,5 cm de l'extrémité de l'ensemble 18 La patte 240 se trouve alors directement au-dessus de l'endroit auquel la tige 228 sort du capot-232 si bien qu'aucune fente ne doit être usinée à l'extrémité de l'ensemble 18 comme
dans le premier mode de réalisation.
Lorsque la tige poussoir 228 vient au contact de la patte 240 et la repousse (par l'intermédiaire de la roue 230 placée à l'extrémité de la tige 228), elle provoque un basculement du plateau 29 vers ses positions d'ouverture intermédiaire et finale Lorsque le plateau 29 doit être fermé, la tige poussoir 228 est ramenée dans le capot 232, et le plateau 29 revient vers sa position
de fermeture.
L'utilisation du matériau "Ardel" pour la réalisa-
tion des différents du système, sous forme d'un revêtement ou de la masse de la matière utilisée, par exemple dans
la bague 194, a pour rôle de réduire au minimum la possibi-
lité de formation d'un arc lorsque la-réaction est mise en oeuvre Dans le cas d'une attaque chimique d'un oxyde, le matériau "Ardel" est utilisé de façon générale pour le revêtement des électrodes, et les autres parties exposées
qui sont à un potentiel à haute fréquence pendant l'opéra-
tion Lors de l'attaque chimique d'aluminium, le matériau "Ardel" peut n'être utilisé que sur des éléments tels que les pattes Lorsqu'un revêtement isolant est nécessaire, on peut utiliser de l'alumine L'anneau 194, totalement composé d'"Ardel" dans le mode de réalisation représenté, peut être remplacé par une bague métallique portant un revêtement ou une garniture d'"Ardel", lorsque l'appareil
fonctionne de façon satisfaisante avec une telle substitution.

Claims (14)

REVENDICATIONS
1 Appareil de réaction à plasma gazeux destiné au traitement de tranches semi-conductrices,-caractérisé en ce qu'il comprend: une chambre ( 12) de réacteur à plasma, ayant une structure centrale ( 18) d'électrode formée d'une série de faces longitudinales, chaque face étant disposée de manière que, en coupe, la structure d'électrode ait une forme polygonale régulière, les faces se prolongeant en direction horizontale, chacune des faces ayant, à sa surface,
plusieurs électrodes planes ( 24) en forme de disque des-
tinées à porter les tranches semi-conductrices qui doivent subir une réaction avec un plasma pendant une opération, chacune des facesétant recouverte d'un plateau ( 29) de forme générale plate,-ayant des ouvertures circulaires correspondant aux positions des disques d'électrode, chacun des plateaux étant articulé afin qu'il puisse pivoter d'une première position juxtaposée à la face d'électode, parallèlement à celle-ci et près de celle-ci, à une seconde position décalée angulairement par rapport à la première, un mécanisme de chargement ( 13) disposé de façon
générale sous la chambre de réaction, ce mécanisme compre-
nant plusieurs bras verticaux de support ( 52) qui ont chacun une configuration telle qu'ils peuvent porter une tranche semi-conductrice ( 21) et réalisésde manière que la surface réactive de la tranche ne soit pas touchée par une partie quelconque du bras vertical, le nombre de bras verticaux ( 52) étant au moins égal au nombre de disques d'électrode ( 24) d'une seule face de la structure d'électrode, un dispositif ( 57, 57 a) destiné à assurer le déplacement des bras ( 52) afin que ceux-ci soient déplacés d'une position qui se trouve sous la chambre du réacteur à une position à l'intérieur de cette chambre si bien que chaque bras est alors juxtaposé à proximité d'une
électrode correspondante ( 24) en forme de disque, le dispo-
sitif étant destiné à retirer ensuite le bras de cette position juxtaposée jusqu'à une position qui se trouve au-dessous de la chambre de réaction, et une commande de la synchronisation des mouvements du mécanisme de chargement de manière que les bras ( 52) soient juxtaposés étroitement auxdites électrodes ( 24) ou soient écartés de celles-ci uniquement lorsque les plateaux se trouvent dans leur seconde position décalée angulairement.
2 Appareil selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs organes élastiques ( 120) montés à la périphérie de chaque ouverture circulaire des plateaux ( 29), ls organes élastiques étant réalisés de manière que, lorsque le plateau est dans sa première position, ils serrent une tranche semi-conductrice contre l'électrode en forme de disque et, lorsque le plateau est dans sa seconde position, les organes élastiques ne serrent pas les tranches semi- conductrices contre les électrodes.
3 Appareil selon la revendication 1, caracté-
risé en ce que le plateau ( 29) a une troisième position dans laquelle il est décalé angulairement par rapport
à la première position d'une quantité inférieure au dépla-
cement angulaire de la seconde position, et en ce que le plateau a plusieurs éléments élastiques ( 120) répartis à la périphérie de chaque ouverture circulaire, les éléments élastiques étant formés de manière que, lorsque le plateau est dans sa première position, ils puissent maintenir
une tranche semi-conductrice ( 21) contre l'électrode corres-
pondante ( 24) en forme de disque et, lorsque le plateau est dans sa troisième position, ils soient séparés de la tranche, les faces d'électrodes comprenant au moins deux organes élastiques supplémentaires ( 122) montés de manière que, lorsque le plateau est dans sa troisième position, ces organes supplémentaires ( 122) puissent maintenir une tranche semi-conductrice en position sur l'électrode ( 24) et, lorsque le plateau ( 29) est dans seconde position, les éléments élastiques supplémentaires libèrent la plaquette de sa position sur l'électrode en forme de disque, la commande assurant la manoeuvre du bras vertical ( 52) de manière que le plateau ( 29) soit-déplacé vers sa seconde
position et que les bras soient ensuite déplacés vertica-
lement en position de juxtaposition par rapport à l'une
des électrodes en forme de disque, chaque tranche semi-con-
ductrice ( 21) portée par chaque bras étant disposée alors
sur une électrode correspondante ( 24) en position concen-
trique, et le plateau ( 29) est ensuite déplacé vers la troisième position si bien que les organes élastiques ( 120) montéssur la face d'électrode retiennent la tranche portée par le bras vertical correspondant sur l 'électrode en forme de disque, la commande agissant pendant que le plateau est dans sa troisième position en provoquant le retrait des bras de l'intérieur de la chambre de réaction ( 12) par le dispositif de déplacement en translation jusqu'à une position qui se trouve sous la chambre, le plateau ( 29) se déplaçant alors vers la première position après que les bras verticaux ( 52) ont été retirés jusqu'à une
position inférieure à la face d'électrode.
4 Appareil de réaction à plasma gazeux destiné au traitement de tranches semi-conductrices, caractérisé en ce qu'il comprend: une chambre ( 12) de réacteur à plasma ayant une structure centrale d'électrode ( 18) formée d'une série de faces longitudinales, chaque face étant disposée de manière que, en coupe, la structure d'électrode ait une forme polygonale régulière, les faces se prolongeant en direction horizontale, chacune des faces ayant, à sa surface, plusieurs électrodes planes ( 24) en forme de disque destinées à porter les tranches semi-conductrices ( 21) qui doivent subir la réaction dans un plasma pendant une opération, chacune des faces étant recouverte d'un plateau ( 29) de forme générale plate, ayant des ouvertures circulaires correspondant aux positions des disques d'électrodes, chacun des plateaux étant articulé afin qu'il puisse
pivoter d'une première position dans laquelle il est paral-
lèle à la face d'électrode et juxtaposé très près de celle-
ci, à une seconde position décalée angulairement par rapport à la première, un mécanisme de chargement ( 13) disposé de façon générale audessous de la chambre de réaction et à l'exté- rieur de celle-ci, ce mécanisme comprenant plusieurs bras verticaux de support ( 52) ayant chacun une configuration telle qu'il peut supporter une tranche semiconductrice ( 21), chaque bras étant réalisé de manière que la surface réactive de la tranche ne soit pas touchée par une partie quelconque du bras vertical, le nombre de bras verticaux étant au moins égal au nombre de disques d'électrodes d'une seule face de la structure d'électrode du réacteur, un dispositif destiné à assurer le déplacement des bras ( 52) d'une position qui se trouve au-dessous de la chambre de réaction ( 12) à une position qui se trouve à l'intérieur de cette chambre si bien que chaque bras
est alors étroitement juxtaposé à une électrode correspon-
dante en forme de disque, le bras étant ensuite retiré depuis c ette position juxtaposée jusqu'à une position qui se trouve en dehors de la chambre et au-dessous de celle-ci, un mécanisme de transport destiné à transmettre
les tranches semi-conductrices ( 21) au mécanisme de char-
gement ( 13) lorsque les bras ( 52) sont vides et sont placés au-dessous de la chambre et à l'extérieur de celle-ci, et destiné à transporter les tranches traitées à distance du mécanisme de chargement ( 13) lorsque les bras sont placés au-dessous et à l'extérieur de la chambre de réaction après le traitement, et une commande de la synchronisation des mouvements du mécanisme de chargement de manière que les bras ( 52) soient déplacés vers leurspositionsde juxtaposition étroite aux électrodes ( 24) et soient éloignés de ces positions uniquement lorsque les plateaux ( 29) sont dans leur seconde
position décalés angulairement.
Appareil selon la revendication 4, caractérisé en ce que le mécanisme de chargement comporte un bottier ( 13) ayant un passage disposé entre lui et la chambre de réaction ( 12), et un dispositif ( 22) destiné à former un joint hermétique entre le bottier et la chambre de réaction lorsque les bras sont en dessous de cette chambre et à l'extérieur de celle-ci, le boîtier ( 13) ayant une seconde ouverture ( 51) destinée au passage des tranches semi-conductrices ( 21) provenant du mécanisme de transport uniquement lorsque le passage avec la chambre de réaction est bouché, et un dispositif ( 15) destiné à fermer la
seconde ouverture de façon hermétique.
6 Appareil selon la revendication 4, caractérisé en ce que les plateaux ( 29) ont une troisième position dans laquelle ils sont décalés angulairement par rapport
à la première position, d'une quantité inférieure au déca-
lage angulaire de la seconde position et dans lequel chaque plateau ( 29) a plusieurs éléments élastiques ( 120) répartis à la périphérie de chacune des ouvertures circulaires, les éléments élastiques ( 120) étant réalisés de manière que, lorsque le plateau est dans la première position, ils puissent maintenir une tranche semi-conductrice ( 21) contre une électrode correpondante et, lorsque le plateau est dans la troisième position, les éléments élastiques soient séparés de la tranche semi- conductrice, -25 les faces d'électrodes comprenant au moins deux organes élastiques supplémentaires ( 122) montés sur elles de manière que, lorsque le plateau ( 29) est dans sa troisième position, les organes- élastiques supplémentaires puissent retenir en position une tranche semi- conductrice ( 21) sur l'électrode et, lorsque le plateau est dans sa seconde position, des éléments élastiques supplémentaires libèrent la tranche semi-conductrice de sa position sur l'électrode en forme de disque, la commande assurant la manoeuvre de bras verticaux ( 52) au cours d'un cycle de chargement d'une manière telle que, après que le plateau ( 29) a été déplacé dans la seconde position, les bras ( 52) sont déplacés verticalement en position juxtaposée à une électrode correspondante en forme de disque si bien qu'une tranche semi-conductrice qui peut être portée par chaque bras est placée sur une électrode correspondante en position générale concentrique à celle-ci, puis le plateau est déplacé vers la troisième position si bien que les organes élastiques montés sur la face d'électrode retiennent la tranche semi- conductrice portée par le bras vertical correspondant sur l'électrode en forme de disque, et la commande ayant un fonctionnement tel que, pendant que le plateau ( 29) est dans sa troisième position, elle commande le retrait des bras ( 52) de l'intérieur de la chambre ( 12) de réaction jusqu'à à une position qui se trouve au-dessous de cette chambre et en dehors de celle-ci, sous l'action du dispositif de déplacement en translation, et elle provoque le déplacement du plateau vers la première position après que les bras verticaux se sont retirés dans une position qui se trouve au-dessous
de la face de l'électrode.
7 Appareil selon l'une des revendications 3 et
6, caractérisé en ce que la commande assure le déplacement des bras verticaux ( 52) et des plateaux ( 29) pendant un cycle de déchargement dans une séquence telle que le plateau se déplace de la première à la troisième position, puis les bras verticaux se déplacent afin qu'ils prennent une position dans laquelle ils peuvent recevoir les tranches semi-conductrices ( 21) d'une électrode correspondante en forme de disque, et le plateau ( 29) est ensuite déplacé dans la seconde position afin qu'il libère les tranches semi-conductrices des électrodes en forme de disque, et les bras verticaux ( 52) sont déplacés vers une position qui se trouve au-dessous de la chambre de réaction et
en dehors de celle-ci.
8 Appareil selon l'une quelconque des revendica-
tions 1, 3 et 4, caractérisé en ce que le mécanisme de chargement ( 13) comporte deux lames ( 80, 82) montées dans le boîtier placé sous la chambre de réaction ( 12), un dispositif ( 57, 57 a) destiné à assurer le déplacement en translation verticalement des lames, et les bras verticaux ( 52) comportent un premier groupe de bras, en nombre égal au nombre d'électrodes en forme de disque de chaque face de la structure d'électrode et un second groupe en nombre égal au premier groupe, le premier groupe étant monté sur une première lame et le second groupe sur la seconde lame, et un dispositif destiné à provoquer le pivotement de la lame de manière que, dans une première position de pivotement, le premier groupe de bras verticaux occupe une position telle que, après déplacement en translation vers le haut, il soit étroitement juxtaposé aux électrodes
en forme de disque et, dans une seconde position de pivo-
tement, le seconde groupe de bras verticaux ait une position telle que, après déplacement en translation, il soit mis en position étroitement juxtaposée aux électrodes en forme de disque, la commande fonctionnant de manière qu'un premier groupe de bras verticaux porte les tranches semiconductrices du mécanisme de transport en position sur l'électrode en forme de disque lorsque les lames sont dans une première position de pivotement et l'autre groupe de bras verticaux transporte les tranches semi-conductrices à partir des électrodes en forme de disque, lorsque les lames sont
dans la seconde position de pivotement.
9 Appareil selon l'une des revendications 1
et 4, caractérisé en ce que les bras verticaux de support
( 52) ont chacun une tige et une pince élastique ( 61) dis-
posées de manière qu'une tranche semi-conductrice ( 21) soit maintenue contre la tige, la pince élastique ( 61) ayant un bout de came ( 62) dont la forme est telle que, lorsque le bras vient en position étroitement juxtaposée par rapport aux électrodes de disque, le bout de came ( 62) se déplace derrière l'électrode en forme de disque
et écarte la pince élastique de la tranche, libérant celle-
ci si bien qu'elle est retenue sur la tige de support
uniquement par gravité.
Appareil selon la revendication 5, caractérisé en ce que le mécanisme de transport comporte un ensemble transporteur destiné à déplacer la tranche semi-conductrice ( 21) d'une cassette ( 19) à des positions individuelles
espacées adjacentsà la seconde ouverture ( 51), un dispo-
sitif destiné à ouvrir la fermeture hermétique de la seconde ouverture, et des dispositifs ( 32) de support de tranche destinésà soulever les tranches au-dessus du transporteur puis à les faire passer par la seconde ouverture ( 51) jusqu'à une position adjacente au mécanisme de chargement, si bien que ce dernier, dans son déplacement alternatif vers le haut, peut transmettre les tranches des supports
aux bras verticaux.
11 Appareil selon la revendication 10, caracté-
risé en ce que les bras ( 52) comportent une tige de support et une pince élastique ( 61) destinée à maintenir un tranche semi-conductrice ( 21) contre la tige, la pince élastique ( 61) ayant un bout de came ( 62) de forme telle que, lorsque le bras prend une position étroitement juxtaposée aux électrodes en forme de disque, le bout de came ( 62) se déplacer derrière l'électrode en forme de disque, écartant la pince élastique de la tranche et libérant la tranche si bien que celle-ci n'est retenue sur la tige de support que par gravité, et les bouts de came ( 62) sont repoussés derrière les supports lorsque les bras de support sont adjacents aux supports afin que les tranches puissent
être transportées vers la tige de support.
12 Appareil selon la revendication 10, caracté-
risé en ce que les supports sont des mandrins ( 30) à aspira-
tion de forme générale rectangulaire, montés sur des bras basculants ( 32) , et un dispositif est destiné à transmettre une dépression au mandrin afin que les tranches soient retenues sur les mandrins lorsque les supports déplacent les tranches du mécanisme de transport aux bras verticaux du mécanisme de chargement, la dépression étant supprimée
lorsque les bras verticaux sont venus au contact des tranches.
13 Appareil selon l'une quelconque des revendica-
tions 1, 4 et 8, caractérisé en ce que les bras verticaux
2546359.
de support ( 52) ont chacun une tige de support et un cliquet ( 170) destiné à maintenir une tranche semi-conductrice
contre la tige, comprenant un dispositif mobile vertica-
lement sur lequel est monté le cliquet, si bien que, lorsque le bras ( 52) vient en position étroitement juxtaposée aux électrodes ( 24), le cliquet ( 170) est abaissé par rapport à la tranche semi-conductrice, celle-ci étant ainsi libérée si bien qu'elle n'est retenue sur la tige de support que
par gravité.
14 Appareil selon la revendication 13, caractérisé en ce que le dispositif mobile verticalement comprend un support mobile de cliquet, monté élastiquement sur le bras vertical de support ( 52), et un dispositif de guidage ( 178) destiné à guider le support mobile de cliquet, le dispositif de guidage étant destiné à guider ce support de manière que le cliquet se déplace transversalement
en s'écartant de la tranche semi-conductrice et en descen-
dant par rapport à celle-ci lorsque le bras se déplace en venant en position étroitement juxtaposée aux électrodes
en forme de disque.
Appareil selon la revendication 13, caractérisé en ce que le cliquet ( 170) a une surface destinée à être au contact de l'électrode ( 24) afin que le cliquet descende par rapport à la tranche semi-conductrice ( 21) lorsque
le bras vient en position étroitement juxtaposée à l'élec-
trode en forme de disque.
16 Appareil selon la revendication 3, caractérisé
en ce que les organes élastiques supplémentaires ( 122) com-
portent un bloc et une patte montée sur le bloc, la face d'électrode délimitant une cavité pour le logement élastique étroit du bloc, et un dispositif de liaison ( 214) reliant le bloc au plateau ( 29) de manière que le plateau déplace le bloc d'une position dans laquelle la patte est au contact de la tranche semi-conductrice à une position dans laquelle la patte n'est pas au contact de la tranche lorsque le plateau se déplace de la troisième à la seconde position
du plateau.
17 Appareil selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un dispositif de rappel destiné à repousser la patte montée sur le bloc vers sa position de contact contre une tranche semi-conductrice ( 21), le bloc délimitant un alésage destiné au passage du dispositif de liaison ( 214) afin qu'il soit au contact du bloc, le plateau ( 29) formant une partie fermant l'alésage
lorsque le plateau est dans sa première position.
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