DE19719503A1 - Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Objektes, insbesondere eines Halbleiterwafers - Google Patents
Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Objektes, insbesondere eines HalbleiterwafersInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polie
ren einer Oberfläche eines Objektes, insbesondere von Halbleiterwafern nach dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Läpp- oder Poliermaschinen, beispielsweise für die Herstellung von Siliziumwafern
sind herkömmlich derart aufgebaut, daß die Werkstücke von sog. Läuferscheiben
aufgenommen werden, die zwischen den Arbeitsscheiben der Läpp- oder Polierma
schine angeordnet und mittels Zahnkränzen oder dergleichen in zykloidische Bewe
gung versetzt werden. Der Einsatz derartiger Vorrichtungen kommt für die Bearbei
tung von fertigen Wafern bei der Halbleiter- oder Chipherstellung selbst nicht in
Frage.
Bekanntlich ist erforderlich, daß nach jeder Beschichtung eines Halbleiterwafers mit
einer Schicht, beispielsweise einer Oxidschicht, einer Wolframschicht oder anderen
Metallschichten eine erneute Bearbeitung vorgenommen werden muß, um die ge
wünschte Planarität herzustellen. Diese Bearbeitung geschieht normalerweise in
Reinstraumtechnik.
Aus DE 1 95 44 328 ist eine Vorrichtung zur Bearbeitung von Wafern in der Halb
leiterindustrie bekannt geworden. Nach diesem Stand der Technik ist ein Gehäuse in
eine erste und eine zweite Kammer unterteilt, wobei in der ersten Kammer ein Po
lierabschnitt und in der zweiten ein Reinigungsabschnitt angeordnet sind. Der Trans
port von dem einen in den anderen Abschnitt erfolgt mit Hilfe einer Transfervor
richtung über eine Öffnung in einer Unterteilungswand. Mithin werden im Gehäuse
unterschiedliche Reinräume geschaffen.
Aus der Firmenschrift "CMP Cluster Tool System Planarization Chemical Mechani
cal Polishing" von Peter Wolters vom März 1996 ist auch bekannt geworden, die
Polier- und Reinigungsstationen gemeinsam in einem Reinstraum anzuordnen und
den Reinstraum von einem Raum zu trennen, von dem aus die Halbleiterwafer in den
Reinstraum hinein und aus diesem heraus gegeben werden mit Hilfe einer geeigneten
Transfervorrichtung. Aus dieser Firmenschrift ist auch bekannt, zwei separate Bear
beitungseinheiten vorzusehen, denen jeweils eine Reinigungseinheit zugeordnet ist,
wobei zwischen den Bearbeitungseinheiten eine Transfereinheit angeordnet ist für
den Transfer zu den Bearbeitungs- und Reinigungseinheiten und von diesen fort.
Eine derartige Anordnung benötigt relativ viel Raum. Der Platzbedarf wird noch
vergrößert, wenn unter bestimmten Beschichtungsbedingungen ein weiteres Polieren
der Wafer in einer zweiten Polierstation erforderlich wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum chemisch-mecha
nischen Polieren einer Oberfläche eines Objektes, insbesondere eines Halbleiterwa
fers für die Halbleiterherstellung, zu schaffen, die bei einem relativ hohen
Produktionsdurchsatz wenig Platz benötigt. Insbesondere soll die Vorrichtung in der
Lage sein, auch bei zusätzlichen Beschichtungen, beispielsweise Kupferbeschich
tungen, ein zweifaches Polieren ohne wesentlich höheren Aufwand zu bewerkstelli
gen.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind zwei Poliereinheiten oder Polierköpfe
mit höhenverstellbarem Vakuumhalter für einen Halbleiterwafer vorgesehen sowie
einem Antriebsmotor zur Drehung des Vakuumhalters und damit des Halbleiterwa
fers. Die Halterung der Halbleiterwafer mit Hilfe von höhenverstellbaren Vakuum
haltern (vacuum chucks) ist an sich bekannt. Erfindungswesentlich ist jedoch, daß
die Poliereinheiten entlang von linearen Führungen verstellbar sind. Hierzu dienen
geeignete Verstellmittel, um die Poliereinheiten entlang den Führungen zu bewegen.
Die Polierscheibe oder der Polierteller steht beiden Poliereinheiten,zur Verfügung,
indem jede Poliereinheit nur auf einer Seite der Führungen mit dem Polierteller dar
unter zusammenwirkt, d. h. jede Poliereinheit ist während des Polierbetriebs einer
"Hälfte" des Poliertellers zugeordnet. Wie an sich bekannt, wird der Polierteller mit
Hilfe eines geeigneten Motors in Drehung versetzt. Es ist in diesem Zusammenhang
auch bekannt, zusätzlich zu den Rotationen von Polierteller und Vakuumhalter eine
oszillierende Bewegung des Vakuumhalters bzw. des Polierkopfes vorzusehen. Sind
gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung zwei Polierteller vorgesehen, die
vom selben Werkstück nacheinander mit dem Polierkopf angefahren werden, liegen
diese in Verfahrrichtung der Polierköpfe in Reihe.
Zusätzlich zu den erwähnten Aggregaten ist mindestens eine Übergabe- und Über
nahmevorrichtung für die Werkstücke an dem dem Polierteller entgegengesetzten
Ende der Führungen angeordnet. Diese Vorrichtung, die auch als Transfervorrich
tung bezeichnet werden kann, ist wiederum an sich bekannt. Ablage- und Aufnah
mevorrichtungen arbeiten mit der Übergabe- und Übernahmevorrichtung zusammen,
von denen jeweils eine auf gegenüberliegenden Seiten der Führungen angeordnet ist.
Die letztere Vorrichtung wird abwechselnd von der Übergabevorrichtung beschickt
bzw. die Übergabevorrichtung entnimmt abwechselnd von dieser einen fertig bear
beiteten Halbleiterwafer. Außerdem dient die Ablage- und Aufnahmevorrichtung im
Fall von Wafern als Zentriervorrichtung, damit die Poliereinheiten die Halbleiterwa
fer zentriert übernehmen. Auch dieses Merkmal ist jedoch an sich bekannt.
Durch die beschriebene Ausbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung werden
zwei parallele Bearbeitungsstränge erhalten, die vollständig unabhängig voneinander
arbeiten können. Die Platzausnutzung ist deshalb besonders günstig, weil bei einem
oder zwei Poliertellern jeweils zwei Poliereinheiten eingesetzt werden können, und
zwar unabhängig voneinander. Es versteht sich, daß die Taktzahl dann besonders
hoch sein kann, wenn die Bearbeitung der Halbleiterwafer an einem Polierteller nicht
gleichzeitig, sondern zeitlich versetzt erfolgt.
Nach einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß auf jeder Seite der Füh
rungen ein weiterer drehend angetriebener Polierteller angeordnet ist mit einem
Durchmesser kleiner als der erste Polierteller und zwischen dem ersten und dem
zweiten bzw. dem dritten Polierteller eine Reinigungsstation angeordnet ist, in der
ein Halbleiterwafer und/oder die Poliereinheit gereinigt werden kann. Eine derartige
Reinigungsstation ist an sich bekannt. Sie dient zum einen dazu, noch an dem
Halbleiterwafer haftendes Poliermittel zu entfernen und zum anderen dazu, - mit an
deren Mitteln - die Poliereinheit zu reinigen, wenn sie ohne Halbleiterwafer in die
Reinigungsstation eingefahren wird. Der zweite bzw. dritte Polierteller dient dazu,
die Reinigung zu komplettieren. Dies geschieht zumeist durch den Einsatz von
entionisiertem Wasser.
Es ist bekannt, die Qualität von Poliertüchern oder dergleichen dadurch aufrechtzu
erhalten, daß mit Hilfe geeigneter Mittel, beispielsweise Bürsten oder dergleichen,
ein Aufrauhen erfolgt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß an den Führungen eine
Abrichtvorrichtung gelagert ist für das Abrichten des Poliertellers während des Po
lierbetriebs. Die Abrichtvorrichtung, beispielsweise eine Bürste, kann radial in bezug
auf den Polierteller ständig hin- und herbewegt werden, um eine gewünschte Auf
rauhung herzustellen.
Wird aus den oben beschriebenen technologischen Gründen ein weiterer Polierteller
erforderlich, beispielsweise bei einer Kupferbeschichtung von Halbleiterwafern, ist
nach einer Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, daß der vierte Polierteller, der
z. B. den gleichen Durchmesser hat wie der erste Polierteller, zwischen dem ersten
Polierteller und der Ablage- und Aufnahmevorrichtung angeordnet ist. Vorzugsweise
befindet sich hierbei die Reinigungsvorrichtung zwischen den Poliertellern, damit die
Werkstücke gereinigt auf den zweiten Polierteller aufgesetzt werden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt die Draufsicht auf eine schematisch dargestellte Anlage zum Bearbeiten
von Halbleiterwafern mit einer Vorrichtung nach der Erfindung;
Fig. 2 zeigt vergrößert die erfindungsgemäße Vorrichtung nach Fig. 1;
Fig. 3 zeigt eine andere Ausführungsform einer Vorrichtung nach der Erfindung.
In Fig. 1 ist ein erster Raum 10 von einem zweiten Raum 12 durch eine Wand 14
getrennt. Im Raum 12, der ein Reinraum niedriger Klasse darstellen kann, beispiels
weise der Klasse 1, steht eine Bedienungsperson 16 an einem Tisch 18, der zur Auf
nahme von Kassetten 20 geeignet ist. Die Kassetten 20 können jeweils Halbleiterwa
fer 25 aufnehmen. Eine derartige Vorrichtung ist an sich bekannt.
Eine Transfereinrichtung 22, die sich im Raum 10 befindet, einem Reinstraum z. B.
der Klasse 100, die z. B. als Roboter ausgeführt ist, ist in der Lage, aus einer Kassette
20 jeweils den Halbleiterwafer zu entnehmen und auf eine weitere Transfervorrich
tung 24 zu übergeben. Der Transferweg befindet sich zwischen beabstandeten Reini
gungsstationen 26, 28, auf deren Funktion weiter unten noch eingegangen wird.
Die Transfervorrichtung 24 dient dazu, Halbleiterwafer in eine allgemein mit 30 be
zeichnete Vorrichtung einzugeben und aus dieser herauszunehmen. Die Vorrichtung
wird anhand von Fig. 2 näher erläutert.
In einem allgemein mit 32 bezeichneten Maschinengestell der Vorrichtung 30 sind
ein erster Polierteller 34 und ein weiterer Polierteller 36 im Abstand voneinander um
eine vertikale Achse drehbar angeordnet. Sie werden von einem geeigneten An
triebsvorrichtung (nicht gezeigt) in Drehung versetzt. Die Teller 34, 36 sind in be
kannter Weise ausgestaltet, weisen insbesondere ein Poliertuch oder dergleichen auf
Ferner ist den Poliertellern 34, 36 eine Vorrichtung zum Aufbringen eines Polierme
diums zugeordnet (nicht gezeigt).
Oberhalb der die Mittelpunkte beider Polierteller 34, 36 verbindenden Achse 38 ist
eine erste lineare Führung angeordnet. Oberhalb der ersten Führung 40 ist eine
zweite Führung 42 angeordnet. Beide erstrecken sich geringfügig über die Mitte des
ersten Poliertellers 34 hinaus (letztere Führung 42 ist in Fig. 2 zum Teil weggebro
chen gezeigt). An der ersten Führung 40 ist eine Poliereinheit 44 in Längsrichtung
geführt. Die Poliereinheit 44 umfaßt eine Vakuumhalterung für einen Wafer (nicht
erkennbar), einen Antriebsmotor für den Halter sowie eine lineare Verstellmöglich
keit, z. B. einen Pneumatikzylinder, zur vertikalen Verstellung des Vakuumhalters auf
den Polierteller 34 zu bzw. von diesem fort. Eine derartige Poliereinheit 44 ist jedoch
an sich bekannt. An der zweiten Führung 42 ist eine Poliereinheit 46 in Längs
richtung der Führung geführt. Die Poliereinheit 46 ist identisch zur Poliereinheit 44
ausgebildet, so daß auf deren Beschreibung verzichtet wird. Mit Hilfe nicht darge
stellter Verstellvorrichtungen können die Poliereinheiten 44, 46 unabhängig vonein
ander von der Position, in der die Poliereinheit 44 gezeigt ist, zu einer Position ver
stellt werden, in der sie sich oberhalb von Aufnahme- und Zentriervorrichtungen 48
bzw. 50 am in Fig. 2 unteren Ende der Vorrichtung 30 beidseitig der Führungen 40,
42 angeordnet sind. Die Vorrichtungen 48, 50 sind wiederum an sich bekannt. Sie
dienen zur Ablage noch nicht bearbeiteter oder fertig bearbeiteter Wafer sowie zur
Zentrierung derselben, damit sie lageorientiert von den Vakuumhaltern der Po
liereinheiten 44, 46 aufgenommen werden können. Durch Pfeile 50, 52 sind Ab
richtmittel angedeutet, die entlang der Führung 40 bewegbar sind zum Abrichten der
Polierteller 34, 36, d. h. zum Konditionieren bzw. Aufrauhen der Poliertücher der
Teller 34, 36. Der Betrieb der Abrichtmittel 50, 52 ist unabhängig von den Polier
vorgängen, so daß er gleichzeitig mit letzteren ablaufen kann.
Zwischen den Poliertellern 34, 36 ist auf jeder Seite der Führungen 40, 42 eine Rei
nigungsstation 54, 56 angeordnet. Zwischen dem zweiten Polierteller 36 und den
Ablage- und Aufnahmevorrichtungen 48, 50 sind kleinere Polierteller 58 bzw. 60
beidseits der Führungen 40, 42 angeordnet. Diese sind ebenfalls von einem nicht ge
zeigten Antriebsmotor drehend angetrieben.
Der Vorrichtung 30 ist ebenfalls eine Bedienungsperson zugeordnet, die mit 62 be
zeichnet ist. Sie kann ein Bedienungspanel 64 bedienen, das verschiedene Freiheits
grade hat, wie durch die Pfeile angezeigt, so daß sie, von der Bedienungsperson 62
ergriffen, in unterschiedliche Positionen gebracht werden kann.
Die Betriebsweise der Vorrichtung bzw. Anlage nach den Fig. 1 und 2 wird nachste
hend näher erläutert.
Im Bereich des Raumes 10 entnimmt die Transfervorrichtung 22 einen Halbleiterwa
fer aus einer Kassette und übergibt ihn auf die Transfervorrichtung 24. Diese legt den
Halbleiterwafer in der Ablage- und Aufnahmevorrichtung 48 oder 50 ab. In dieser
erfolgt in bekannter Weise ein Zentrieren des Halbleiterwafers und Bereitstellen für
eine Poliereinheit. Im vorliegenden Fall sei angenommen, daß ein Halbleiterwafer
auf der Vorrichtung 48 abgelegt und in dieser zentriert wird. Die Poliereinheit 44
fährt zur Vorrichtung 48, und ihr Vakuumhalter erfaßt die Waferscheibe von einer
Seite und transportiert sie zum ersten Polierteller 34 auf der rechten Seite der Füh
rungen 40, 42. Durch Absenken des Wafers auf den Polierteller 34 erfolgt nun in der
bereits beschriebenen Weise die Bearbeitung. Nachdem diese nach einer durch die
Steuervorrichtung (nicht gezeigt) vorgegebenen Zeit beendet ist, hebt die Polierein
heit den Wafer wieder vom Polierteller 34 ab und transportiert den Wafer zur Reini
gungsstation 54. In der Reinigungsstation 54 wird die Unterseite des Wafers von
Resten des Poliermediums befreit, und zwar auf mechanische Weise mit Hilfe von
Bürsten und/oder entionisiertem Wasser. Eine derartige Reinigungsstation ist an sich
bekannt. Aus dieser fährt dann die Poliereinheit 44 den Wafer zum zweiten Polier
teller 36, in dem ein weiterer und endgültiger Poliervorgang erfolgt. Die Reinigung
des Wafers nach dem ersten Poliervorgang ist auch deshalb erforderlich, damit eine
Vermischung des Poliermittels des ersten Poliertellers 34, das noch am Wafer haften
kann, sich mit dem Poliermittel des Poliertellers 36 stattfindet. Ein Poliervorgang für
den Polierteller 36 ist in Fig. 2 für die Poliereinheit 46 gezeigt. Nachdem auch der
zweite Poliervorgang beendet ist, fährt die Poliereinheit 44 den Wafer zu dem
Polierteller 58, der nur vorübergehend mit dem Wafer in Eingriff gebracht wird und
im wesentlichen nur Reinigungsfunktion hat. Anschließend fährt die Poliereinheit 44
den Wafer wieder zur Ablage- und Aufnahmevorrichtung 48 und legt den Wafer dort
ab, damit er von der Transfervorrichtung 24 erfaßt werden kann.
Die Transfervorrichtung 24 erfaßt den fertig bearbeiteten Wafer und legt ihn in der
Reinigungsstation 28 ab, in dem er einzelne Reinigungs- und Trocknungsstufen
durchläuft. Ein derartiges System ist ebenfalls an sich bekannt und soll im einzelnen
nicht beschrieben werden. Der fertig gereinigte und getrocknete Wafer wird dann
von der Transfervorrichtung 22 erfaßt und in eine bereitstehende Kassette 20 auf
dem Tisch 18 eingeschoben.
Nachdem die Poliereinheit 44 den Wafer abgelegt hat, fährt sie in die Reinigungssta
tion 54, in der sie ihrerseits einer Reinigung unterworfen wird, bevor sie erneut zur
Ablage- und Aufnahmevorrichtung 48 fährt, um einen neu geladenen zu bearbeiten
den Wafer aufzunehmen.
Die Vorgänge bezüglich der Poliereinheit 46 sind die gleichen wie zur Poliereinheit
44 beschrieben, wobei für den Takt beider Poliereinheiten ein Zeitversatz vorgesehen
ist, um einen optimalen Durchsatz durch die Vorrichtung 30 zu erhalten in Abstim
mung auf die Beladefrequenz.
Die Ausführungsform nach Fig. 3 unterscheidet sich von der nach den Fig. 1 und 2
dadurch, daß eine Vorrichtung 30a verwendet wird, welche nur den ersten Poliertel
ler 34 aufweist und nicht den zweiten Polierteller 36 nach Fig. 2. Im übrigen sind alle
Vorrichtungen oder Stationen mit denen nach Fig. 2 identisch, so daß gleiche Be
zugszeichen verwendet werden. Auch die Wirkungsweise der Vorrichtung 30a
gleicht der oben beschriebenen mit Ausnahme des zweiten Poliervorganges. Es wird
daher darauf verzichtet, diese im einzelnen noch einmal darzulegen.
Claims (9)
1. Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren von Oberflächen eines Objek
tes, insbesondere von Halbleiterwafern für die Halbleiterherstellung, mit
- - zwei Poliereinheiten (44, 46) mit höhenverstellbaren Vakuumhaltern für je einen Halbleiterwafer, die von einem Antriebsmotor um eine vertikale Achse antreib bar sind,
- - parallelen, annähernd horizontal verlaufenden Führungen (40, 42), entlang denen die Poliereinheiten (44, 46) unabhängig voneinander geführt sind,
- - Antriebsmitteln, von denen die Poliereinheiten (44, 46) entlang den Führungen (40, 42) bewegt werden,
- - mindestens einem unterhalb der Führungen (40, 42) drehend angetriebenen Po lierteller (34, 36), der annähernd symmetrisch beidseits der Längsachsen der Füh rungen (40, 42) angeordnet ist, wodurch die Poliereinheiten (44, 46) in ihrer ent sprechenden Betriebsstellung mit gegenüberliegenden Abschnitten der Poliertel ler (34, 36) zusammenwirken,
- - mindestens einer Übergabe- und Übernahmevorrichtung (24) für die Halbleiter wafer an dem dem Polierteller (34, 36) entgegengesetzten Ende der Führungen (40, 42),
- - zwei auf gegenüberliegenden Seiten der Führringen (40, 42) angeordneten Ab lage- und Aufnahmevorrichtungen (48, 50) für die Halbleiterwafer, zu denen die Poliereinheiten (44, 46) ausrichtbar und die von der Übergabe- und Übernahme vorrichtung (24) erreichbar sind und
- - einer Steuervorrichtung, die den Betrieb der Poliereinheiten und der Übergabe- und Übernahmevorrichtung (24) steuert.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf jeder Seite der
Führungen (40, 42) ein weiterer drehend angetriebener Polierteller (58, 60) angeord
net ist mit einem Durchmesser kleiner als der erste Polierteller (34) und zwischen
dem ersten Polierteller (34) und dem zweiten bzw. dritten Polierteller (58, 60) eine
Reinigungsstation (54, 56) angeordnet ist, in der ein Halbleiterwafer und/oder die Po
liereinheit (44, 46) gereinigt werden kann.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß an den Füh
rungen (40, 42) eine Abrichtvorrichtung (50, 52) geführt ist für das Abrichten des er
sten Poliertellers (34) während des Polierbetriebs.
4. Vorrichtung nach einem der Anspruche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß un
terhalb der Führungen (40, 42) ein weiterer drehend angetriebener Polierteller (36)
von etwa dem gleichen Durchmesser wie der erste Polierteller (34) zwischen dem er
sten Polierteller (34) und der Ablage- und Aufnahmevorrichtung (48, 50) angeordnet
ist derart, daß die Poliereinheiten (44, 46) in ihrer entsprechenden Betriebsstellung
mit gegenüberliegenden Abschnitten des zweiten Poliertellers (36) zusammenwirken.
5. Vorrichtung nach Anspruch 2 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinigungs
stationen (54, 56) zwischen dem ersten und dem vierten Polierteller (34, 36) ange
ordnet sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite und
der dritte Polierteller (58, 60) zwischen dem vierten Polierteller (36) und der Ablage- und
Aufnahmevorrichtung (48, 50) angeordnet sind.
7. Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da
durch gekennzeichnet, daß die Poliereinheiten (44, 46) die Werkstücke zeitlich ver
setzt mit dem ersten bzw. vierten Polierteller (34, 36) in Eingriff bringen.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Abrichtmittel (50,
52) während des Polierbetriebs mit den Poliertellern (34, 36) in Eingriff treten, in
dem sie radial zur Drehachse der Polierteller hin- und herbewegt werden.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Polierein
heiten (44, 46) nach dem Ablegen eines Werkstücks in der Ablage- und Aufnahme
vorrichtung (48, 50) zur zugeordneten Reinigungsstation (54, 56) gefahren werden,
bevor sie aus der Ablage- oder Aufnahmevorrichtung (48, 50) ein neues bereitge
haltenes Werkstück aufnehmen.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE29709755U DE29709755U1 (de) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Objektes, insbesondere eines Halbleiterwafers |
DE19719503A DE19719503C2 (de) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren von Oberflächen von Halbleiterwafern und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung |
US09/072,663 US6050885A (en) | 1997-05-07 | 1998-04-27 | Device for the chemical-mechanical polishing of an object, in particular a semiconductor wafer |
JP13746798A JPH10337659A (ja) | 1997-05-07 | 1998-04-30 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19719503A DE19719503C2 (de) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren von Oberflächen von Halbleiterwafern und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19719503A1 true DE19719503A1 (de) | 1998-11-12 |
DE19719503C2 DE19719503C2 (de) | 2002-05-02 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19719503A Expired - Fee Related DE19719503C2 (de) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren von Oberflächen von Halbleiterwafern und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6050885A (de) |
JP (1) | JPH10337659A (de) |
DE (1) | DE19719503C2 (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19825381A1 (de) * | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Verfahren zur Handhabung von Wafern großen Durchmessers während technologischer Prozesse |
DE10062926A1 (de) * | 2000-10-14 | 2002-05-02 | Diskus Werke Schleiftechnik Gm | Maschine zur einseitigen Oberflächenbearbeitung durch Schleifen, Polieren oder Läppen mindestens eines Werkstücks |
DE10058305A1 (de) * | 2000-11-24 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben |
US6866468B2 (en) | 2002-03-13 | 2005-03-15 | Peter Wolters Cmp-Systeme Gmbh & Co. Kg | Loading and unloading station for a device for the processing of circular flat work-pieces, especially semiconductor wafers |
DE10009656B4 (de) * | 2000-02-24 | 2005-12-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
DE102007037964A1 (de) | 2007-08-11 | 2009-02-12 | Peter Wolters Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Werkstücks, insbesondere eines Halbleiterwafers |
CN114473735A (zh) * | 2022-02-25 | 2022-05-13 | 滨州学院 | 一种异形航空配件打磨装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020058466A1 (en) * | 2000-11-13 | 2002-05-16 | Curran David M. | Method and system for reducing thickness of spin-on glass on semiconductor wafers |
JP3433930B2 (ja) | 2001-02-16 | 2003-08-04 | 株式会社東京精密 | ウェーハの平面加工装置及びその平面加工方法 |
DE10228441B4 (de) | 2001-07-11 | 2005-09-08 | Peter Wolters Werkzeugmaschinen Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Beladen einer Doppelseiten-Poliermaschine mit Halbleiterscheiben |
US6780083B2 (en) | 2002-04-19 | 2004-08-24 | Peter Wolters Cmp-Systeme Gmbh & Co. Kg | Apparatus and method for the chemical mechanical polishing of the surface of circular flat workpieces, in particular semi-conductor wafers |
US6875076B2 (en) | 2002-06-17 | 2005-04-05 | Accretech Usa, Inc. | Polishing machine and method |
CN100333875C (zh) * | 2002-10-11 | 2007-08-29 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 导光板的加工方法 |
EP1626840A4 (de) * | 2003-04-21 | 2008-09-03 | Inopla Inc | Vorrichtung und verfahren zum polieren von halbleiterwafern unter verwendung einer oder mehrerer polieroberflächen |
KR100899973B1 (ko) * | 2006-06-14 | 2009-05-28 | 이노플라 아엔씨 | 반도체 웨이퍼 연마 장치 |
US7559825B2 (en) * | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
DE102007022392A1 (de) * | 2007-05-10 | 2009-05-20 | HÖPP, Hardy | Poliermaschine |
US9255214B2 (en) | 2009-11-13 | 2016-02-09 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising inorganic particles and polymer particles |
TWI521028B (zh) | 2010-10-05 | 2016-02-11 | 巴斯夫歐洲公司 | 包含特定異聚酸之化學機械研磨組成物 |
JP6001961B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2016-10-05 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN104369061B (zh) * | 2014-09-19 | 2016-11-02 | 张家港市和恒精工机械有限公司 | 一种去毛刺机刷轮机构 |
CN107900796B (zh) * | 2017-11-28 | 2023-09-22 | 新余华澳科技有限公司 | 全自动抛光机及抛光方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19544328A1 (de) * | 1994-11-29 | 1996-05-30 | Ebara Corp | Poliervorrichtung |
EP0761387A1 (de) * | 1995-08-21 | 1997-03-12 | Ebara Corporation | Poliergerät |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3027882B2 (ja) * | 1992-07-31 | 2000-04-04 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ面取部研磨装置 |
JP2655975B2 (ja) * | 1992-09-18 | 1997-09-24 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
US5827110A (en) * | 1994-12-28 | 1998-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing facility |
KR100390293B1 (ko) * | 1993-09-21 | 2003-09-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 폴리싱장치 |
US5562524A (en) * | 1994-05-04 | 1996-10-08 | Gill, Jr.; Gerald L. | Polishing apparatus |
US5695601A (en) * | 1995-12-27 | 1997-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for planarizing a semiconductor body by CMP method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the method |
US5885134A (en) * | 1996-04-18 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
-
1997
- 1997-05-07 DE DE19719503A patent/DE19719503C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-27 US US09/072,663 patent/US6050885A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-30 JP JP13746798A patent/JPH10337659A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19544328A1 (de) * | 1994-11-29 | 1996-05-30 | Ebara Corp | Poliervorrichtung |
EP0761387A1 (de) * | 1995-08-21 | 1997-03-12 | Ebara Corporation | Poliergerät |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Wolters, P.: CMP Cluster Tool System Planarization Chemical Mechanical Polishing", Firmenschrift vom März 1996 * |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19825381A1 (de) * | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Verfahren zur Handhabung von Wafern großen Durchmessers während technologischer Prozesse |
DE19825381B4 (de) * | 1998-05-28 | 2004-10-28 | Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder) GmbH | Verfahren zur Handhabung von Wafern großen Durchmessers während eines Temperprozesses |
DE10009656B4 (de) * | 2000-02-24 | 2005-12-08 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
DE10062926A1 (de) * | 2000-10-14 | 2002-05-02 | Diskus Werke Schleiftechnik Gm | Maschine zur einseitigen Oberflächenbearbeitung durch Schleifen, Polieren oder Läppen mindestens eines Werkstücks |
DE10058305A1 (de) * | 2000-11-24 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben |
US6530826B2 (en) | 2000-11-24 | 2003-03-11 | WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FüR HALBLEITERMATERIALIEN AG | Process for the surface polishing of silicon wafers |
US6866468B2 (en) | 2002-03-13 | 2005-03-15 | Peter Wolters Cmp-Systeme Gmbh & Co. Kg | Loading and unloading station for a device for the processing of circular flat work-pieces, especially semiconductor wafers |
DE102007037964A1 (de) | 2007-08-11 | 2009-02-12 | Peter Wolters Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren einer Oberfläche eines Werkstücks, insbesondere eines Halbleiterwafers |
CN114473735A (zh) * | 2022-02-25 | 2022-05-13 | 滨州学院 | 一种异形航空配件打磨装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19719503C2 (de) | 2002-05-02 |
US6050885A (en) | 2000-04-18 |
JPH10337659A (ja) | 1998-12-22 |
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