DE19543867C2 - Anfas-Schleifanlage für einen Wafer - Google Patents

Anfas-Schleifanlage für einen Wafer

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Description

Die Erfindung befaßt sich mit einer Anfas-Schleifanlage für einen Wafer, insbesondere mit einer Anfas-Schleifanlage zum Anfasen des Umfangs eines aus Silizium hergestellten Wafers und dergleichen, bei dem es sich um ein Material für Halbleiterelemente handelt.
Von einem Material für ein Halbleiterelement, wie einem Silizium-Rohblock, werden dünne Scheiben hiervon in Form von Wafern mit Hilfe einer Schneidmaschine bzw. einer Scheiben­ schneidmaschine abgetrennt. Dann wird der Umfang des so abge­ trennten Wafers mit Hilfe einer Anfas-Schleifmaschine angefast. Eine Ausricht- bzw. Orientierungsabflachung und/oder eine Kerbe ist am Umfang des Wafers zur Positionierung und/oder Erkennung einer Kristallorientierung vorgesehen. Die Ausrichtabflachung und die Kerbe müssen am Umfang ebenfalls angefast werden.
Fig. 6 zeigt einen Wafer 10, welcher eine Ausrichtung- bzw. eine Orientierungsabflachung 12 umfaßt, bei dem mit D der Durchmesser des Wafers und mit L eine Erstreckung des Wafers unter Ein­ beziehung der Orientierungsabflachung 12 bezeichnet ist.
Fig. 7 zeigt einen Wafer 11, welcher eine Kerbe 19 umfaßt, wobei mit D der Durchmesser des Wafers und mit α der Öffnungswinkel der Kerbe, mit δ ein Winkel, welcher eine Position der Kerbe 13 am Umfang des Wafers 11 angibt, und mit M eine eine Erstreckung des Wafers 11 unter Einbeziehung der Kerbe 13 bezeichnet ist (an der Kerbe wird ein Kreis aus Übersichtlichkeitsgründen angenom­ men, um die Erstreckung in Fig. 7 anzugeben, und dieser Kreis wird nicht vom Wafer erfaßt).
Fig. 8 zeigt die Querschnittsgestalt eines angefasten Wafers. In Fig. 8 ist mit T eine Dicke des Wafers, mit Bu und Bl sind beide Erstreckungen eines angefasten Teils, mit Ru und Rl Radien für die Ecken, mit θu und θl Konuswinkel und mit t eine Dicke eines flachen bzw. abgeflachten Teils des Umfangs bezeichnet. Die vorstehend angegebenen Größen D, L, M, Bu . . . sollten jeweils zulässige Werte annehmen.
Zum Anfasen eines Wafers ist es erforderlich, eine Dicke des Wafers zu kennen, um den Wafer und eine Schleifscheibe in einer Vertikalrichtung genau zu positionieren. Auch sollte der Wafer auf dem Wafertisch derart festgelegt werden, daß die Mittelachse des Wafers mit einem Drehmittelpunkt eines Wafertisches überein­ stimmt. In ähnlicher Weise sollte auch die Position und Lage der Orientierungsabflachung 12 oder der Kerbe 13 in genauer Weise bestimmt werden. Die Anfas-Schleifmaschine mißt daher die Dicke des Wafers und positioniert die Mittelachse des Wafers und die Ausrichtungsabflachung 12 oder die Kerbe 13 in genauer Weise.
Zum Anfasen gibt es zwei Arten von Schleifscheiben. Beispiels­ weise einen trapezoidförmige Schleifscheibe 42a, welche in Fig. 9 gezeigt ist, und eine Schleifscheibe 42b, welche in Fig. 10 gezeigt ist. Bei der Schleifscheibe 42a werden der Wafer 10 und die Schleifscheibe 42a relativ in vertikaler Richtung bewegt, und jede Seite des Wafers wird gegen einen konischen Abschnitt der Schleifscheibe 42a einzeln gedrückt. Andererseits hat die Gestalt der Außenseite der Schleifscheibe 42b eine Form in gleicher Weise wie der angefaste Wafer, so daß beide Seiten des Wafers angefast werden können, indem nur der Wafer an die Schleifscheibe 42b gedrückt wird. Die Schleifscheibe nach den Fig. 9 und 10 werden zum Anfasen des Außenumfangs und der Orientierungs­ abflachung 12 eingesetzt. Die Schleifscheibe für die Kerbe hat die gleiche Gestalt wie der Außenumfang sowie der Außenumfang und die Orientierungsabflachung. Üblicherweise werden Schleifscheiben für eine Kantengrobanfasung und eine Kantenfeinanfasung jeweils genommen. Auch ist es möglich, die Grobschleifscheibe und die Feinschleifscheibe in einer Schleifscheibe zu vereinigen.
In dem Sonderdruck aus der Zeitschrift "Industrieanzeiger Essen", Nr. 8 vom 15. Juni 1956, Seiten 58 bis 63, wird unter dem Titel "Die Organisation automatischer Fertigungen" vom 08. Aachener Werkzeugmaschinen-Kolloquium 1956, eine Anlage zur automatischen Fertigung von Kolbenbolzen beschrieben, bei der je nach an dem Kolbenbolzen durchzuführenden Arbeitsgängen eine oder mehrere parallel geschaltete Bearbeitungseinrichtungen vorgesehen werden, um eine optimale Auslastung aller Einzelmaschinen zu erreichen. Die dort als Beispiel beschriebene Organisation der automatischen Fertigung ist auf die Bedürfnisse des jeweiligen Einzelfalles abzustimmen und abzustellen.
In dem Aufsatz "Russia automates nut and bolt production", veröffentlicht in der Zeitschrift "Metalworkung Production" vom 04. Nov. 1995, Seiten 1872 bis 1874 wird eine Fertigungsautomati­ sierung bei der Herstellung von Muttern und Schrauben beschrie­ ben. Insbesondere werden innerhalb der Fertigungsstraße zwei parallel geschaltete Gewinderollmaschinen eingesetzt, um beim Gewinderollen keinen Engpaß in der Anlage entstehen zu lassen.
Der Erfindung hingegen liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anfas-Schleifanlage für Wafer bereit zustellen, welche eine präzise Anfas-Bearbeitung bei möglichst effektiver Durchsatzleistung gestattet.
Nach der Erfindung wird hierzu eine Anfas-Schleifanlage für einen Wafer bereitgestellt, welche im Patentanspruch 1 angegeben ist.
Bei der erfindungsgemäßen Anfas-Schleifanlage ist die Auslegung derart getroffen, daß die Transporteinrichtung den jeweiligen Wafer nach Durchgang durch die Vorbereitungseinrichtung entweder der ersten Anfaseinrichtung oder der zweiten Anfas-Einrichtung zuführen kann, und zwar in Abhängigkeit davon, ob die erste Anfaseinrichtung bereits belegt ist oder nicht. Somit muß man bei dem insgesamt durchzuführenden Fertigungsablauf nicht abwarten, bis die Anfas-Bearbeitungen der ersten Anfaseinrichtung abge­ schlossen ist, sondern bereits während der Durchführung der Anfas-Bearbeitungen der ersten Anfasinrichtung kann die Anfas-Bearbeitung in der zweiten Anfaseinrichtung bereits aufgenommen werden. Ferner berücksichtigt die Auslegung, daß die Arbeiten in der Vorbereitungseinrichtung hinsichtlich der Vermessung und der Positionierung wesentlich schneller als die eigentliche Anfas-Bearbeitung in der jeweiligen Anfaseinrichtung durchgeführt werden können. Hierdurch wird eine beträchtliche Durchsatz­ leistungssteigerung bei der erfindungsgemäßen Anfas-Schleifanlage erzielt. Da jeder in der jeweiligen Anfaseinrichtung zu be­ arbeitende Wafer zuvor in der vorgesehenen Vorbereitungsein­ richtung in vorbestimmter Weise positioniert und ausgerichtet worden ist, wird trotz dieser Steigerung der Durchsatzleistung eine präzise Anfas-Bearbeitung in den jeweiligen Anfaseinrichtun­ gen sichergestellt, da die jeweiligen in den Anfaseinrichtungen zu bearbeitenden Wafer zuverlässig lagegerecht mit der Übergabe zu dem jeweiligen Wafertisch positioniert sind.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Ansprüchen 2 bis 4 wiedergegeben.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend an Hand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnung näher erläutert, in welcher gleiche oder ähnliche Teile mit denselben Bezugszeichen versehen sind. Darin zeigt:
Fig. 1 die Draufsicht auf eine Wafer-Anfasanlage nach der Erfindung,
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung der Transportabfolge eines Wafers bei der Wafer-Anfas­ anlage nach Fig. 1,
Fig. 3 eine Schnittansicht zur Verdeutlichung der Hauptteile der Wafer-Anfasanlage nach Fig. 1,
Fig. 4 ein Zeitdiagramm zur Verdeutlichung der Arbeitszeit für die jeweiligen Teile der Anlage, und
Fig. 5 ein detailliertes Zeitablaufdiagramm für den jeweili­ gen Teil in der Anlage.
Fig. 1 ist eine schematische Draufsicht zur Verdeutlichung der Gesamtanordnung einer erfindungsgemäßen Wafer-Anfasanlage. Fig. 2 ist eine Ansicht zur Verdeutlichung der Transportabfolge eines Wafers. Fig. 3 ist eine Schnittansicht zur Verdeutlichung der Hauptteile der Anfas-Schleifanlage (Schnitt von Fig. 1). Die Anfas-Schleifanlage weist im wesentlichen zwei Zufuhrteile 20, eine Übergabeeinrichtung 80, eine Vorbereitungseinrichtung 30, eine erste Anfaseinrichtung 40, eine zweite Anfaseinrichtung 45, eine Reinigungseinrichtung 50, eine erste Transporteinrichtung 90, eine zweite Transporteinrichtung 100, eine Kontrollein­ richtung 60, eine Zwischenablageeinrichtung 110 und zwei Gehäuseteile 70 auf.
Die erste Anfaseinrichtung 40 ist im Anschluß an die Vorberei­ tungseinrichtung 30 angeordnet, und die zweite Anfaseinrichtung 45 ist im Anschluß an die Anfaseinrichtung 40 vorgesehen. Dabei haben die ersten und zweiten Anfaseinrichtungen 40 und 45 den gleichen Aufbau, das heißt eine Profilschleifscheibe 42 zum Anfasen des Außenumfangs und der Orientierungsabflachung und eine Schleifscheibe 43 zum Anfasen der Kerbe jeweils, wozu die ersten und zweiten Anfaseinrichtungen 40 und 45 vorgesehen sind.
Die erste Transporteinrichtung 90 kann in vertikaler Richtung über einen Wafertisch 40a der ersten Anfaseinrichtung 40 und über einen Wafertisch 45a der zweiten Anfaseinrichtung 45 bewegt werden. Auch kann die erste Transporteinrichtung 90 zwischen dem Wafertisch 40a und dem Wafertisch 45a bewegt werden. Die erste Transporteinrichtung 90 umfaßt zwei Rollen 91 und ein Positio­ nierstück 92. Der Wafer (10, 11) wird horizontal durch einen Arm 81 ergriffen und durch einen Flansch unterhalb der Rollen 91 und des Positionierstücks 92 aufgenommen. Die erste Transport­ einrichtung 90 stützt den Wafer (10, 11) mit den Rollen 91 und dem Positionierstück 92 derart ab, daß die Position des Wafers (10, 11) in korrekter Weise bestimmt ist.
Die zweite Transporteinrichtung 100 kann sich in vertikaler und horizontaler Richtung zwischen der ersten Anfaseinrichtung 40 und der Reinigungseinrichtung 50 und zwischen der zweiten Anfas­ einrichtung 45 und der Reinigungseinrichtung 50 bewegen. Der Wafer 10 (11) wird durch vier Rollen 101 der zweiten Transport­ einrichtung 100 abgestützt. Wie ferner in Fig. 3 gezeigt ist, liegt der obere Grenzwert für die Bewegung der ersten Transport­ einrichtung 90 höher als jener der zweiten Transporteinrichtung 100, woraus resultiert, daß sich die jeweilige erste Transport­ einrichtung 90 und die zweite Transporteinrichtung 100 horizontal ohne jegliche wechselseitige Behinderung bewegen können.
Dann erfolgt eine Erläuterung der Arbeitsweise der Anfas-Schleifanlage mit dem vorbeschriebenen Aufbau.
Eine Mehrzahl von Wafern 10, welche eine Orientierungsabflachung umfassen, oder von Wafern 11, welche eine Kerbe bzw. Einkerbung umfassen, ist noch nicht angefast, und diese Mehrzahl ist in Kassetten 21 aufgenommen. Die Kassetten 21 sind an den Zufuhrtei­ len 20 vorgesehen. Der (erste) Wafer 10 (11) wird mit Hilfe des Arms 81 ergriffen und von der Kassette 21 zu der Vorberei­ tungseinrichtung 30 transportiert. Die Dicke des Wafers 10 (11) wird gemessen, und die Position der Orientierungsabflachung oder der Kerbe des Wafers wird grob in der Vorbereitungseinrichtung 30 bestimmt.
Nach den Arbeiten in der Vorbereitungseinrichtung 30 wird der Wafer 10 (11) nach oben in eine Position oberhalb des Waferti­ sches 40a der ersten Anfaseinrichtung 40 durch Ergreifen mit Hilfe der Übergabeeinrichtung 80 transportiert und anschließend von der ersten Transporteinrichtung 90 aufgenommen. Der Wafer 10 (11) ist durch zwei Rollen 91 und das Positionierstück 92 der ersten Transporteinrichtung 90 abgestützt, so daß die Position der Orientierungsabflachung oder einer Kerbe des Wafers 10 (11) in genauer Weise vorgegeben wird. Dann legt die erste Transport­ einrichtung 90 den Wafer 10 (11) auf den Wafertisch 40a der ersten Anfaseinrichtung 40, und der Wafer 10 (11) wird auf dem Wafertisch 40a mit Hilfe einer Vakuumansaugung oder dergleichen fixiert, so daß der Wafer (10, 11) angefast werden kann.
Die Übergabeeinrichtung 80 kehrt in die Nähe der Zufuhrteile 20 zurück. Die Übergabeeinrichtung 80 ergreift den (zweiten) Wafer 10 (11), welcher als nächster anzufasen ist. Der zweite Wafer 10 (11) wird zu der ersten Transporteinrichtung 90 abgegeben, wie dies voranstehend beschrieben worden ist. Wenn hierbei die erste Anfaseinrichtung 40 den ersten Wafer 10 (11) anfast, trans­ portiert die erste Transporteinrichtung 90 den zweiten Wafer 10 (11) nach oben zu der zweiten Anfaseinrichtung 45. Der zweite Wafer 10 (11) wird in der zweiten Anfaseinrichtung 45 angefast.
Wie vorstehend erwähnt worden ist, werden die Wafer 10 (11) von den Kassetten 21 aufgenommen und zu der ersten Anfaseinrichtung 40 oder der zweiten Anfaseinrichtung 45 transportiert und sie werden dort einzeln angefast.
Nachdem der Wafer 10 (11) in der Anfaseinrichtung 40 oder der Anfaseinrichtung 45 angefast worden ist, wird der Wafer 10 (11) durch die vier Rollen 101 der zweiten Transporteinrichtung 100 abgestützt und von dem Wafertisch 40a oder dem Wafertisch 45a zu der Reinigungseinrichtung 50 zur Ausführung des Reinigungsvor­ ganges transportiert.
Wenn die Reinigung abgeschlossen ist, bewegt sich ein Arm 111 der Zwischenablageeinrichtung 110 in horizontaler Richtung derart, daß der Wafer 10 (11) unterstützt wird, wobei der Arm 111 gering­ fügig angehoben wird. Dann wird der Wafer 10 (11) von einem Tisch 51 der Reinigungseinrichtung 50 zu der Kontrolleinrichtung 60 transportiert.
An der Kontrolleinrichtung 60 werden die Querschnittsgestalt und der Durchmesser usw. des angefasten Wafers 10 (11) untersucht und kontrolliert. Nach der Kontrolle wird der Wafer 10 (11) in der Kassette 71 der Zwischenablageeinrichtung 110 aufgenommen, welche an der Gehäuseeinrichtung 70 vorgesehen ist.
Nachstehend erfolgt eine Erläuterung der Arbeitszeiten der Anfas-Schleifanlage mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau. Fig. 4 ist ein Zeitablaufdiagramm zur Verdeutlichung der Arbeitszeit in jedem Teil der Anlage. Fig. 5 ist ein detailliertes Zeit­ ablaufdiagramm des jeweiligen Teils der Anlage. Da die Betriebs­ zeit der Vorbereitungseinrichtung 30 und der Kontrolleinrichtung 60 jeweils in der Arbeitszeit der Aufnahmeeinrichtung 80 und der Zwischenablageeinrichtung 110 jeweils mit eingeschlossen ist, ist die Arbeitszeit für die Vorbereitungseinrichtung 30 und die Kontrolleinrichtung 60 in den Fig. 4 und 5 nicht erwähnt.
Wenn in Fig. 5 der Arm 81 der Übergabeeinrichtung 80 sich in der Nähe des Zufuhrteils 20 zuerst befindet, nimmt der Arm 81 einen Wafer 10 (11) von der Kassette 21 auf und transportiert diesen zu der Vorbereitungseinrichtung 30. Die Übergabeein­ richtung 80 befindet sich in der Nähe der Vorbereitungsein­ richtung 30, bis die Dicke des Wafers 10 (11) gemessen ist und die Position der Orientierungsabflachung oder der Kerbe grob mit Hilfe der Vorbereitungseinrichtung 30 eingestellt ist. Die Zeit für den vorstehend beschriebenen Vorgang (vom Aufnehmen des Wafers bis zur Beendigung der Voreinstellung) ist mit F angege­ ben.
Wenn die Messung der Dicke und die Einstellung der Position des Wafers 10 (11) abgeschlossen sind, transportiert die Übernahme­ einrichtung 80 den Wafer 10 (11) nach oben zu der ersten Transporteinrichtung 90, welche sich oberhalb des Wafertisches 40a der ersten Anfaseinrichtung 40 befindet, so daß der Wafer 10 (11) an der ersten Transporteinrichtung 90 angeordnet wird. Dann kehrt die Übergabeeinrichtung 80 zu der Nähe des Zufuhrteils 20 zurück. Die für die vorstehend beschriebenen Vorgänge erforderli­ che Zeit ist mit Fa bezeichnet.
Die erste Transporteinrichtung 90 bestimmt die Position des Wafers 10 (11) genau und ordnet diesen auf dem Wafertisch 40a der Anfaseinrichtung 40 an. Die für diesen vorstehend genannten Vorgang erforderliche Zeit ist mit Ha bezeichnet.
Wie vorstehend beschrieben worden ist, kehrt die Übergabeein­ richtung 80 in die Nähe des Zufuhrteils 20 zurück und nimmt den (zweiten) Wafer 10 (11) auf, welcher als nächster anzufasen ist. Der zweite Wafer 10 (11) wird zu der ersten Transporteinrichtung 90 transportiert. Wenn die erste Anfaseinrichtung 40 den ersten Wafer 10 (11) anfast, transportiert die erste Transportein­ richtung 90 den zweiten Wafer 10 (11) nach oben zu der zweiten Anfaseinrichtung 45. Die Zeit zum Transportieren des Wafers 10 (11) von der ersten Anfaseinrichtung 40 zu der zweiten Anfas­ einrichtung 45 ist mit Hb bezeichnet. Natürlich ist die Zeit zum Anordnen des Wafers (10, 11) auf dem Wafertisch 45a (ausgehend von der ersten Transporteinrichtung 90) mit Ha bezeichnet und stimmt mit jener zum Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung 40 überein.
Die zum Anfasen in den ersten und zweiten Anfaseinrichtungen 40 und 45 benötigte Zeit ist mit G bezeichnet.
Wenn das Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung 40 abgeschlossen ist, nimmt die zweite Transporteinrichtung 100 den angefasten Wafer 10 (11) von dem Wafertisch 40a ab und transportiert diesen nach oben zu der Reinigungseinrichtung 50. Die Zeit zum Trans­ portieren des Wafers 10 (11) von dem Wafertisch 40a zu der Reinigungseinrichtung 50 ist mit Hc bezeichnet.
In ähnlicher Weise ist die Zeit zum Transportieren des Wafers 10 (11) von dem Wafertisch 45a zu der Reinigungseinrichtung 50 mit Hd bezeichnet.
Nachdem der angefaste Wafer 10 (11) an dem Tisch 51 der Reini­ gungseinrichtung 50 angeordnet ist, wird der Wafer 10 (11) mit Hilfe der Reinigungseinrichtung 50 gereinigt. Die Zeit zum Anordnen des Wafers 10 (11) auf dem Tisch 51 und zum Reinigen ist mit W bezeichnet.
Wenn die Reinigung abgeschlossen ist, bewegt sich der Arm 111 der Zwischenablageeinrichtung 110 nach oben zu der Reinigungsein­ richtung 50 und nimmt den gereinigten Wafer 10 (11) von der Reinigungseinrichtung 50 auf. Die Zeit für diesen Vorgang ist mit He bezeichnet.
Nach dem Aufnehmen des gereinigten Wafers 10 (11) von der Reinigungseinrichtung 50 in der Zwischenablageeinrichtung 110 transportiert die Zwischenablageeinrichtung 110 den Wafer 10 (11) zu der Kontrolleinrichtung 60 nach oben. Wenn die Kontrolle in der Kontrolleinrichtung 60 abgeschlossen ist, wird der Wafer 10 (11) in der Kassette 71 aufgenommen, welche an dem Gehäuseteil 70 vorgesehen ist. Die für den vorstehend beschriebenen Vorgang (Transportieren, Kontrollieren und Aufnehmen) erforderliche Zeit ist mit E bezeichnet.
In Fig. 4 bezeichnet die Ziffer der jeweiligen Zeitlinie die zu bearbeitenden Wafer (1 ist der erste Wafer, 2 ist der zweite Wafer, usw.).
Wie in Fig. 4 gezeigt ist, wird eine Zeit von F+Fa für den Vorgang benötigt, bei dem die Übernahmeeinrichtung 80 den Wafer 10 (11) von der Kassette 21 aufnimmt, diesen auf der ersten Transporteinrichtung 90 anordnet und wieder zurückkehrt. Man benötigt Ha+G+Hc für den Vorgang, bei dem die erste Transport­ einrichtung 90 den Wafer 10 (11) aufnimmt und die zweite Transporteinrichtung 100 den angefasten Wafer 10 (11) zu der Reinigungseinrichtung 50 nach oben bewegt. Man benötigt W+He für den Vorgang, bei dem die zweite Transporteinrichtung 100 den Wafer 10 (11) in der Reinigungseinrichtung 50 anordnet und die Zwischenablageeinrichtung 110 den Wafer 10 (11) nach der Reinigung aufnimmt. Man benötigt E+He für den Vorgang, bei dem die Zwischenablageeinrichtung 110 den Wafer 10 (11) aufnimmt und ihn in der Kassette 71 anordnet. Natürlich zeigt Fig. 4, daß die Zeit für das Anfasen Ha+Hb+G+Hd bei der Anfaseinrichtung 45 derart gewählt ist, daß diese Zeit im wesentlichen gleich wie die Zeit für das Anfasen bei der Anfaseinrichtung 40 ist. Da ferner die erste Transporteinrichtung 90 und die zweite Transport­ einrichtung 100 nicht viel Zeit für die Bewegung zu der nächsten Position nach der Anordnung des Wafers benötigen, wird diese Zeit hierbei nicht berücksichtigt.
Nach der voranstehenden Beschreibung beläuft sich eine maximale Anzahl von Anfaseinrichtungen in einer Anlage auf eine ganze Zahl N, welche kleiner als die folgenden Werte Na, Nb und Nc ist (N ≦ Na, Nb, Nc).
Na = (Ha + G + Hc)/(F + Fa) (1)
Nb = (Ha + G + Hc)/(W + He) (2)
Nc = (Ha + G + Hc)/(E + He). (3)
Als mittlere Bearbeitungszeit für einen Wafer ergibt sich folgendes:
ST = (Ha + G + Hc)/N. (4)
Offensichtlich ist bei der voranstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsform die Anfaszeit die längste, und sie ist mehr als dreimal so groß aber kleiner als dreimal so groß wie die längste der anderen Bearbeitungszeiten (F+Fa, W+He, und E+He). Wenn die Anfaszeit größer als das Dreifache von (F+Fa, W+He, und E+He) ist, kann die Anzahl der Anfaseinrichtungen auf drei oder mehr vergrößert werden, wobei der Bewegungsweg der ersten Trans­ porteinrichtung 90 und der zweiten Transporteinrichtung 100 in horizontaler Richtung entsprechend vergrößert werden kann.
Wenn in ähnlicher Weise die Reinigungszeit lang ist, so daß N größer als Nb, aber kleiner als Na und Nc (Na<N<Nb, Nc) kann eine weitere Reinigungseinrichtung 50 zusätzlich vorgesehen werden, wobei der Bewegungsweg der zweiten Transporteinrichtung 100 in horizontaler Richtung entsprechend vergrößert werden kann, so daß die mittlere Bearbeitungszeit für einen Wafer sich auf ST beläuft.
Wenn N größer als Na, aber kleiner als Nb und Nc (Na<N<Nb, Nc) ist, da viel Zeit für die Bearbeitung benötigt wird, bei der der Wafer 10 (11) von der Kassette 21 aufgenommen wird, sowie für die Arbeiten in der Vorbereitungseinrichtung 130 können das Zufuhrteil 20 und die Vorbereitungseinrichtung 30 zusätzlich vorgesehen sein, oder die Funktionen der Vorbereitungseinrichtung 30 können auf die Messung der Dicke und der Grobpositionierung des Wafers gesondert aufgeteilt werden. In diesem Fall kann sich ein von dem Zufuhrteil 20 und der Vorbereitungseinrichtung 30 gebildeter Winkel etwa auf 60° belaufen, wenn beispielsweise die Gesamtanzahl der Zufuhrteile 20 und der Vorbereitungseinrichtun­ gen 30 sich auf 4 beläuft. Natürlich ist der Winkel auf etwa 90° bei dieser bevorzugten Ausführungsform eingestellt.
Wenn in ähnlicher Weise N größer als Nc, aber kleiner als Na und Nb (Nc<N<Na, Nb) ist, da die Zeit für das Arbeiten der Kontrolleinrichtung 60 und die Zeit zur Aufnahme des Wafers in der Kassette 71 länger sind, können die Kontrolleinrichtung 60 und das Gehäuseteil 70 zusätzlich vorgesehen sein, oder die Funktionen der Kontrolleinrichtung 60 können aufgeteilt werden. In diesem Fall ist ein von der Kontrolleinrichtung 60 und dem Gehäuseteil 70 gebildeter Winkel beispielsweise etwa 60°, wenn beispielsweise sich eine Gesamtanzahl von Kontrolleinrichtungen 60 und Gehäuseteilen 70 auf 4 beläuft. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform beträgt der Winkel offensichtlich etwa 90°.
Bei der vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsform wird darüber hinaus die Position der Orientierungsabflachung oder der Kerbe des Wafers 10 (11) grob durch die Vorbereitungseinrichtung 30 voreingestellt, und es erfolgt eine genaue Einstellung bevor der Wafer (10, 11) auf dem Wafertisch 40a oder 45a mit Hilfe der ersten Transporteinrichtung 90 angeordnet wird. Die Erfindung ist jedoch hierauf nicht beschränkt. Es ist möglich, die Position des Wafers an der Vorbereitungseinrichtung 30 genau voreinzustellen und den genau positionierten Wafer zu der ersten Transport­ einrichtung 90 direkt zu transportieren.
Bei der vorstehend genannten bevorzugten Ausführungsform wird der Wafer 10 (11) gereinigt und die Form und die Abmessungen usw. werden kontrolliert, nachdem der Wafer (10, 11) angefast worden ist, und dann wird der Wafer in der Kassette 71 aufgenommen. Die Erfindung ist jedoch hierauf nicht beschränkt. Es ist möglich, die Kontrolleinrichtung 60 wegzulassen. Somit wird der Wafer 10 (11) gereinigt und in der Kassette 71 aufgenommen, ohne daß die Form und die Größe, usw. vermessen werden, und der Wafer 10 (11) wird in einem Wasserbehälter oder dergleichen aufgenommen, nachdem das Anfasen abgeschlossen ist, und der Wafer (10, 11) wird aus dem Wasserbehälter zur nachträglichen Kontrolle genommen.

Claims (4)

1. Anfas-Schleifanlage für einen Wafer, welche in Kombination gemäß folgender Abfolge umfaßt:
ein Zufuhrteil (20) mit einer ersten Kassette (21) zur Aufnahme einer Mehrzahl von nicht angefasten Wafern (10, 11);
wenigstens eine Vorbereitungseinrichtung (30) zum Messen einer Dicke des Wafers und zur Bestimmung einer Position des Wafers (10,11);
wenigstens eine erste und zweite parallel angeordnete Anfaseinrichtung (40; 45) zum Anfasen des Außenumfangs des Wafers (10, 11) mit jeweils einem drehbaren Wafertisch (40a; 45a) und jeweils wenigstens einer drehbaren Profilschleif­ scheibe (42, 43) zur Ausführung einer Anfasbearbeitung;
eine Übergabeeinrichtung (80) zum einzelnen Aufnehmen des Wafers (10, 11) von der ersten Kassette (21) und zum Transportieren des Wafers (10, 11) zu der Vorbereitungsein­ richtung (30), sowie zur Aufnahme nach der Vermessung und der Positionsbestimmung in der Vorbereitungseinrichtung (30);
eine erste Transporteinrichtung (90), welche den Wafer (10, 11) von der Übergabeeinrichtung (80) aufnimmt und den Wafer (10, 11) auf dem ersten Wafertisch (40a) der ersten Anfaseinrichtung (40) dann anordnet, wenn die erste Anfas­ einrichtung (40) keinen Wafer anfast, und welche den Wafer (10, 11) nach oben zu der zweiten Anfaseinrichtung (45) transportiert und auf dem zweiten Wafertisch (45a) der zweiten Anfaseinrichtung (45) dann anordnet, wenn die erste Anfaseinrichtung (40) einen Wafer anfast; und
eine Zwischenablageeinrichtung (110) zur Aufnahme des angefasten Wafers (10, 11) von dem ersten Wafertisch (40a) und dem zweiten Wafertisch (45a) und zur Ablage des angefa­ sten Wafers (10, 11) in einer zweiten Kassette (71) zur Aufnahme einer Mehrzahl von angefasten Wafern (10, 11).
2. Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Vorbereitungseinrichtung (30) nur eine grobe Positionsbestimmung des Wafers (10, 11) erfolgt, und daß mittels der ersten Transporteinrichtung 90 die genaue Positionseinstellung des Wafers (10, 11) erfolgt, wenn die erste Transporteinrichtung (90) den Wafer (10, 11) von der Übergabeeinrichtung (80) aufnimmt.
3. Anfas-Schleifanlage für einen Wafer nach Anspruch 1 oder 2, ferner gekennzeichnet durch folgendes:
eine Reinigungseinrichtung (50) zum Reinigen des angefasten Wafers (10, 11);
eine Kontrolleinrichtung (60) zum Kontrollieren des angefasten und gereinigten Wafers (10, 11); und
eine zweite Transporteinrichtung (100) zum Trans­ portieren des Wafers (10, 11) von dem ersten Wafertisch (40a) zu der Reinigungseinrichtung (50), wenn das Anfasen in der ersten Anfaseinrichtung (40) beendet ist, und zum Transportieren des Wafers (10, 11) von dem zweiten Wafer­ tisch (45a) zu der Reinigungseinrichtung (50), wenn das Anfasen in der zweiten Anfaseinrichtung (45) beendet ist;
wobei die Zwischenablageeinrichtung (110) den Wafer (10, 11) von der Reinigungseinrichtung (50) aufnimmt und den Wafer (10, 11) zu der Kontrolleinrichtung (60) transpor­ tiert, nachdem die Reinigung des Wafers (10, 11) in der Reinigungseinrichtung (50) abgeschlossen ist, und die Zwischenlablageeinrichtung (110) den Wafer (10, 11) von der Kontrolleinrichtung (60) aufnimmt und den Wafer (10, 11) in der zweiten Kassette (71) ablegt, nachdem die Kontrolle in der Kontrolleinrichtung (60) abgeschlossen ist.
4. Anfas-Schleifanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß die Profilschleifscheiben (42; 43) der ersten Anfaseinrichtung (40) und der zweiten Anfasein­ richtung (45) jeweils bezüglich ihres Durchmessers derart ausgelegt sind, daß mit der einen Profilschleifscheibe (42) das Anfasen des Außenumfangs und der Orientierungsabflachung und mit der anderen Profilschleifscheibe (43) das Anfasen der Kerbe des Wafers (10, 11) erfolgen kann.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2317585B (en) * 1997-06-11 1999-12-01 Western Atlas Uk Ltd Improvements in and relating to grinding machines
GB2322319B (en) * 1996-06-15 1999-12-01 Unova Uk Ltd Method of grinding disc workpieces
DE69726620T2 (de) * 1996-06-15 2004-10-14 Unova U.K. Ltd., Aylesbury Schleifen von Silizium-Wafer-Werkstücken
JPH11154655A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Komatsu Electron Metals Co Ltd 半導体ウェハの製造方法
US6132289A (en) * 1998-03-31 2000-10-17 Lam Research Corporation Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit
JPH11320363A (ja) 1998-05-18 1999-11-24 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ面取り装置
JP2003077872A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Speedfam Co Ltd 半導体ウェハ研磨装置及び研磨方法
JP4748968B2 (ja) * 2004-10-27 2011-08-17 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法
US7752996B2 (en) * 2006-05-11 2010-07-13 Lam Research Corporation Apparatus for applying a plating solution for electroless deposition
JP5385519B2 (ja) * 2007-08-24 2014-01-08 株式会社東京精密 面取り機能つき洗浄装置
JP5491273B2 (ja) 2010-05-11 2014-05-14 ダイトエレクトロン株式会社 ウェーハの面取り装置
JP2014167996A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2014226767A (ja) * 2013-05-27 2014-12-08 株式会社東京精密 ウェーハ面取り装置及びウェーハ面取り方法
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
CN107598763A (zh) * 2017-10-24 2018-01-19 江门市奥伦德光电有限公司 一种多尺寸兼容的晶圆研磨设备及其研磨方法
CN113334245B (zh) * 2020-02-18 2022-10-18 长鑫存储技术有限公司 一种研磨液供给系统

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3530571A (en) * 1967-12-15 1970-09-29 Cincinnati Milacron Inc Manufacturing system
US3665648A (en) * 1969-12-18 1972-05-30 Yugen Kaisha Yamanaka Seisakus Grinding apparatus
GB1365142A (en) * 1971-10-01 1974-08-29 Werkzeugmasch Heckert Veb Method of and a machine tool installation for handling and ma chining workpieces
JPS59214554A (ja) * 1983-05-17 1984-12-04 Daiichi Seiki Kk ウエハ−の面取り研削装置
JPS60109859U (ja) * 1983-12-28 1985-07-25 株式会社　デイスコ 半導体ウエ−ハ表面研削装置
US4982827A (en) * 1985-04-01 1991-01-08 Globe Products Inc. Workpiece processing system
US4753045A (en) * 1985-10-01 1988-06-28 General Motors Corporation Adjustable double end grinding machine
JPS6299065A (ja) * 1985-10-22 1987-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 球面研削装置
US4638601A (en) * 1985-11-04 1987-01-27 Silicon Technology Corporation Automatic edge grinder
JPH0230464A (ja) * 1988-07-16 1990-01-31 Daiichi Seiki Kk ノッチの研削されたウエハとその研削加工装置
US5117590A (en) * 1988-08-12 1992-06-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of automatically chamfering a wafer and apparatus therefor
JP3027882B2 (ja) * 1992-07-31 2000-04-04 信越半導体株式会社 ウエーハ面取部研磨装置
ATE175916T1 (de) * 1992-10-30 1999-02-15 Bbf Yamate Corp Polierverfahren, hierzu bestimmte vorrichtung und schwabbel-/polierscheibe

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Bücken, Dr.-Ing. C.: Die Organisation automatischer Fertigungen, in: Sonderdruck aus Industrie-Anzeiger, Essen, 47/48 - 15. Juni 1956, S. 58-63 *
Russia automates nut and bolt production, in: Metalworking Production 4. Nov. 1955, S. 1872-1874 *

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Publication number Publication date
GB9523733D0 (en) 1996-01-24
GB2296458A (en) 1996-07-03
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GB2296458B (en) 1998-07-29
US5769695A (en) 1998-06-23
TW366532B (en) 1999-08-11
KR960017051A (ko) 1996-06-17
KR100197091B1 (ko) 1999-06-15
DE19543867A1 (de) 1996-05-30
JP2882458B2 (ja) 1999-04-12

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