JPS60146673A - チヤツク - Google Patents
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- JPS60146673A JPS60146673A JP59000048A JP4884A JPS60146673A JP S60146673 A JPS60146673 A JP S60146673A JP 59000048 A JP59000048 A JP 59000048A JP 4884 A JP4884 A JP 4884A JP S60146673 A JPS60146673 A JP S60146673A
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- Japan
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- wafer
- suction
- degree
- adsorption
- Prior art date
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/068—Table-like supports for panels, sheets or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、平板状の被加工物、例えば半導体回路パター
ンが形成される不定形なウェハーの真空吸着を行うチャ
ックに関する。
ンが形成される不定形なウェハーの真空吸着を行うチャ
ックに関する。
従来この種のウェハーチャック本体は吸着部を有する同
心円状の複数の吸着溝が形成され、谷溝はウェハーチャ
ック本体内で共通管路に連結されていた。第１図（ａ）
は従来例の吸着部側より見た場合のウェハーチャック本
体の平面図であり、■はウェハーチャック本体、２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄは吸着溝であり、ウェハーチャック本
体内で共通管路に連結され、真空計４および不図示の真
空ポンプに接続されている。’４１図（ｂ）は上述従来
例の断面図で、ウェハーが吸着溝の吸着部を全て覆う場
合、ウェハーチャックはウェハーに対し十分な保持力と
平面矯正能力を発揮する。しかしウエノ・−が吸着溝の
吸着部を覆いきれない場合、一部分の真空のもれで全体
の真空度を下げてしまい、ウェハーチャックのウェハー
チャック本体はウェハーに対し十分な保持力と平面矯正
能力を発揮できなくなってしまう。
心円状の複数の吸着溝が形成され、谷溝はウェハーチャ
ック本体内で共通管路に連結されていた。第１図（ａ）
は従来例の吸着部側より見た場合のウェハーチャック本
体の平面図であり、■はウェハーチャック本体、２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄは吸着溝であり、ウェハーチャック本
体内で共通管路に連結され、真空計４および不図示の真
空ポンプに接続されている。’４１図（ｂ）は上述従来
例の断面図で、ウェハーが吸着溝の吸着部を全て覆う場
合、ウェハーチャックはウェハーに対し十分な保持力と
平面矯正能力を発揮する。しかしウエノ・−が吸着溝の
吸着部を覆いきれない場合、一部分の真空のもれで全体
の真空度を下げてしまい、ウェハーチャックのウェハー
チャック本体はウェハーに対し十分な保持力と平面矯正
能力を発揮できなくなってしまう。
又、ウェハーがウェハーチャック本体１上の正確な位置
に載せられてなくウェハーの位置がわずかにズした場合
やウェハーチャック本体１とウエバーどの間にゴミ等が
入った場合、真空もれで上述のことが起るが、吸着溝２
３〜２ｄのいずれかの吸着溝の吸着部はわずかに開放さ
れるだけなので、吸着溝２ａ〜２ｄから真空ポンプ迄連
通している管路の真空度の変化はわずかであった。その
ため、管路に真空計４を取り付けても、その検知１−の
変化はわずかであり、真空ポンプの負荷の変動による真
空度の変化やウェハーがフラットでない為の真空度のバ
ラツキ等を考慮に入れるとその検知量の変化は誤差範囲
内にあり事実上検知できなかった。
に載せられてなくウェハーの位置がわずかにズした場合
やウェハーチャック本体１とウエバーどの間にゴミ等が
入った場合、真空もれで上述のことが起るが、吸着溝２
３〜２ｄのいずれかの吸着溝の吸着部はわずかに開放さ
れるだけなので、吸着溝２ａ〜２ｄから真空ポンプ迄連
通している管路の真空度の変化はわずかであった。その
ため、管路に真空計４を取り付けても、その検知１−の
変化はわずかであり、真空ポンプの負荷の変動による真
空度の変化やウェハーがフラットでない為の真空度のバ
ラツキ等を考慮に入れるとその検知量の変化は誤差範囲
内にあり事実上検知できなかった。
又、吸着溝２ａ〜２ｄを独立して個々の真空ポンプで排
気するウェハーチャックも提案されているが、この場合
、吸着溝の真空度に関係なく真空ポンプを作動させてい
るので省エネ上問題があった。
気するウェハーチャックも提案されているが、この場合
、吸着溝の真空度に関係なく真空ポンプを作動させてい
るので省エネ上問題があった。
本発明は」―記の点に鑑み、上記欠点を解消するために
なされたもので、チャック本体に設けられ、被加工物を
真空吸着する複数の吸着領域を有し、前記吸着領域の真
空度を独立に調整する手段を備えたチャックに於て、前
記各吸着領域の真空度を独立に検知する手段を設けるこ
とにより被加工物の有無あるいはゴミの介在、被加工物
の位置ズレ等の検知も可能なチャックを提供することを
目的とする。又、本発明の他の目的は上記チャックに於
て、真空もれにより真空吸着力のないもしくはそれが弱
い吸着部による被加工物の真空吸着を停止して省エネが
可能なチャックを提供することである。
なされたもので、チャック本体に設けられ、被加工物を
真空吸着する複数の吸着領域を有し、前記吸着領域の真
空度を独立に調整する手段を備えたチャックに於て、前
記各吸着領域の真空度を独立に検知する手段を設けるこ
とにより被加工物の有無あるいはゴミの介在、被加工物
の位置ズレ等の検知も可能なチャックを提供することを
目的とする。又、本発明の他の目的は上記チャックに於
て、真空もれにより真空吸着力のないもしくはそれが弱
い吸着部による被加工物の真空吸着を停止して省エネが
可能なチャックを提供することである。
以下、本発明に係るチャックの一実施例を図面に従って
説明する。
説明する。
第２図乃至第４図は本発明の一実施例にして、第２図（
ａｌはウェハーチャック本体の上複図、第２図（ｂ）は
ウェハーチャックの断面を示した説明図、第８図は第２
図（ｂ）の演算制御回路のブロック図、第４図はフロー
チャートである。
ａｌはウェハーチャック本体の上複図、第２図（ｂ）は
ウェハーチャックの断面を示した説明図、第８図は第２
図（ｂ）の演算制御回路のブロック図、第４図はフロー
チャートである。
第２図に於て、５はウェハーチャック本体で、内側から
同心円状の吸着溝６ ａ 、 Ｇ ｌ） 、 Ｕ ｃ
、 ６ｄを有している。又、これらの各吸着溝６ａ〜６
ｄは夫々の管路７ａ〜７ｄと夫々の電磁弁９ａ〜９ｄと
を介して不図示の夫々の真空ポンプに連通している。］
０は演算制御回路で、電磁弁９ａ〜９ｄとウェハーチャ
ック本体５との間の管路７ａ〜７ｄに設けられた真空計
８ａ〜８ｄの真空度の電気信号を入力し、又、その電気
信号の大小により電磁弁９３〜９ｄの開閉や不図示の真
空ポンプの作動を制御するためのものである。
同心円状の吸着溝６ ａ 、 Ｇ ｌ） 、 Ｕ ｃ
、 ６ｄを有している。又、これらの各吸着溝６ａ〜６
ｄは夫々の管路７ａ〜７ｄと夫々の電磁弁９ａ〜９ｄと
を介して不図示の夫々の真空ポンプに連通している。］
０は演算制御回路で、電磁弁９ａ〜９ｄとウェハーチャ
ック本体５との間の管路７ａ〜７ｄに設けられた真空計
８ａ〜８ｄの真空度の電気信号を入力し、又、その電気
信号の大小により電磁弁９３〜９ｄの開閉や不図示の真
空ポンプの作動を制御するためのものである。
第８図に於て、１］は真空計８ａ〜８ｄのいずれかを選
択するだめのアナログマルチプレクサ、１２は真空馴８
ａ〜８ｄの内選択された真空計からのアナログ（Ｒ号を
デジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器（以
下、の変換器という。λ１３は真空度の基県レベル値を
格納しているメモリー、１４はアナログマルチプレクサ
１１をスイッチングするだめのラッチ回路、１５は電磁
弁９３〜９（１川の電源、１６は電磁弁９ａ〜９ｄに電
源１５を各状態に応じて接続するためのスイッチング回
路、］７はスイッチング回路１６を制御するためのラッ
チ回路、１８は中央処理装置で、第４図に示したフロー
チャートに従って動作し、ラッチ回路１４．１７に制御
信号を与えたり、真空計８ａ〜８ｄのいずれかの信号を
入力してメモリー１８から読込んだ恭準レベルと比較し
たり等するものである。
択するだめのアナログマルチプレクサ、１２は真空馴８
ａ〜８ｄの内選択された真空計からのアナログ（Ｒ号を
デジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器（以
下、の変換器という。λ１３は真空度の基県レベル値を
格納しているメモリー、１４はアナログマルチプレクサ
１１をスイッチングするだめのラッチ回路、１５は電磁
弁９３〜９（１川の電源、１６は電磁弁９ａ〜９ｄに電
源１５を各状態に応じて接続するためのスイッチング回
路、］７はスイッチング回路１６を制御するためのラッ
チ回路、１８は中央処理装置で、第４図に示したフロー
チャートに従って動作し、ラッチ回路１４．１７に制御
信号を与えたり、真空計８ａ〜８ｄのいずれかの信号を
入力してメモリー１８から読込んだ恭準レベルと比較し
たり等するものである。
第４図のフローチャートを第２図の構成のウェハーチャ
ックに対応させるために、ｎ ＝ ４とし、ａ ＋ ｂ
＋ Ｃ＋ ｄばＮ ＝ １．２．３．４に対応してい
る。
ックに対応させるために、ｎ ＝ ４とし、ａ ＋ ｂ
＋ Ｃ＋ ｄばＮ ＝ １．２．３．４に対応してい
る。
たとえばマルチプレクサ切絡Ｎ設定でＮ＝４の場合、第
８図のアナログマルチプレクサ１１は、真空計８ｄをめ
変換器１２に接続するように切替え、電磁弁Ｎ（但し、
Ｎ＝４の場合）は電磁弁９ｄを示す。
８図のアナログマルチプレクサ１１は、真空計８ｄをめ
変換器１２に接続するように切替え、電磁弁Ｎ（但し、
Ｎ＝４の場合）は電磁弁９ｄを示す。
以下、第２図乃至第４図を参照して本発明の動作説明を
する。第２図の一点鎖線で示した如くウェハーＷがウェ
ハーチャック本体５」二に載せられた状態で、全ての電
磁弁９ａ〜９ｄを通電するように中央処理装置１８はラ
ッチ回路１７に制御信号を与え、スイッチング回路１６
のスイッチを全てオンにして電源１５を電磁弁９ａ〜９
ｄに接続し、管路７ａ〜７ｄを全て開路状態とする（ｓ
ｌ）これと前後して各真空ポンプは作動し真空吸引を行
ないウェハーチャック本体５の各吸着部を真空状態にす
る。所定時間後、中央処理装置１８はラッチ回路１４を
介してアナログマルチプレクサＮの設定、即ち、ここで
はＮ＝１の設定を行なう（Ｓ２）、即ち、真空計８ａの
みがアナログマルチプレクサ１１により選択されて、真
空計８ａからの真空度の信号をＡ／Ｄ変換器１２での変
換する（Ｓ８）。中央処理装置１８はメモＩＪ−１８か
ら読み込んだ真空度の基準レベルと真空計Ｎ、即ち、こ
こではＮ＝１であるので真空計８３からのＮ勺変換した
真空度の信号とを比較し、その真空度が基準レベル以上
かどうかの判断を行なう（Ｓ４）。
する。第２図の一点鎖線で示した如くウェハーＷがウェ
ハーチャック本体５」二に載せられた状態で、全ての電
磁弁９ａ〜９ｄを通電するように中央処理装置１８はラ
ッチ回路１７に制御信号を与え、スイッチング回路１６
のスイッチを全てオンにして電源１５を電磁弁９ａ〜９
ｄに接続し、管路７ａ〜７ｄを全て開路状態とする（ｓ
ｌ）これと前後して各真空ポンプは作動し真空吸引を行
ないウェハーチャック本体５の各吸着部を真空状態にす
る。所定時間後、中央処理装置１８はラッチ回路１４を
介してアナログマルチプレクサＮの設定、即ち、ここで
はＮ＝１の設定を行なう（Ｓ２）、即ち、真空計８ａの
みがアナログマルチプレクサ１１により選択されて、真
空計８ａからの真空度の信号をＡ／Ｄ変換器１２での変
換する（Ｓ８）。中央処理装置１８はメモＩＪ−１８か
ら読み込んだ真空度の基準レベルと真空計Ｎ、即ち、こ
こではＮ＝１であるので真空計８３からのＮ勺変換した
真空度の信号とを比較し、その真空度が基準レベル以上
かどうかの判断を行なう（Ｓ４）。
ここで、その真空度が基準レベル以上ならば、ウェハー
Ｗが吸着溝６ａの吸着部を全て覆っており、程良い真空
度が保たれ、ウェハーＷは吸着溝６ａにより吸着されて
いる。従って、この場合、そのま〜不図示の真空ポンプ
による吸着溝６ａの排気な続行し、吸着溝６ａによるウ
ェハーＷの吸着を続行する。
Ｗが吸着溝６ａの吸着部を全て覆っており、程良い真空
度が保たれ、ウェハーＷは吸着溝６ａにより吸着されて
いる。従って、この場合、そのま〜不図示の真空ポンプ
による吸着溝６ａの排気な続行し、吸着溝６ａによるウ
ェハーＷの吸着を続行する。
もし、その真空度が基準レベルより下ならば、吸着溝６
ａの吸着部とウェハーＷとの間に隙間があり、真空もれ
しているため真空度が基準レベル以上に上らないわけで
、この場合、これ以上不図示の真空ポンプで排気しても
真空度が上らず、吸着溝６ａはウェハーＷに対し十分な
保持力と平面矯正能力とを有せず無駄であるので次のよ
うにしてウェハーＷの吸着溝６ａによる真空吸着を停止
する。
ａの吸着部とウェハーＷとの間に隙間があり、真空もれ
しているため真空度が基準レベル以上に上らないわけで
、この場合、これ以上不図示の真空ポンプで排気しても
真空度が上らず、吸着溝６ａはウェハーＷに対し十分な
保持力と平面矯正能力とを有せず無駄であるので次のよ
うにしてウェハーＷの吸着溝６ａによる真空吸着を停止
する。
電磁弁Ｎ、ここではＮ＝］の場合、即ち、電磁弁９ａを
非通電状態にするよう中央処理装置■８ハラツチ回路１
７に制御信号を送る。このラッチ回路１７のラッチ信号
により室隙１５と電磁弁１）ａとの接続を断つようにス
イッチング回路１６は動作する。電磁弁９ａがオフすれ
ば管路７ａは閉路状態となるので不図示の真空ポンプに
よる真空吸引は停止され、ウェハーＷと吸着溝６ａとの
隙間から空気が入り込み最早吸着溝６３はウェハー １
Ｗを吸着しなくなる。
非通電状態にするよう中央処理装置■８ハラツチ回路１
７に制御信号を送る。このラッチ回路１７のラッチ信号
により室隙１５と電磁弁１）ａとの接続を断つようにス
イッチング回路１６は動作する。電磁弁９ａがオフすれ
ば管路７ａは閉路状態となるので不図示の真空ポンプに
よる真空吸引は停止され、ウェハーＷと吸着溝６ａとの
隙間から空気が入り込み最早吸着溝６３はウェハー １
Ｗを吸着しなくなる。
次に、中央処理装置１８はＮの値を１つ増しくＳ６）、
この新たなＮの値と最大値ｎとを比較して判断する（Ｓ
７）。
この新たなＮの値と最大値ｎとを比較して判断する（Ｓ
７）。
ここではＮ＝１だったのでＮ＝２とし、ｎ ＝ ４であ
るのでＮ）ｎでないので上述のＮ＝１の時の動作と同様
なＮ＝２の時のループを動作ステップＳ２から繰返す。
るのでＮ）ｎでないので上述のＮ＝１の時の動作と同様
なＮ＝２の時のループを動作ステップＳ２から繰返す。
このようにして、Ｎ＝１から順次Ｎ ＝ ２．３．４迄
繰返して実行し、管路７ａ〜７ｄの夫々の真空状態、即
ち、ウニ／％−Ｗの吸着溝６ａ〜６ｄの吸着面に刻する
夫々の密封状態に応じて、夫々の電磁弁９ａ〜９１は開
閉され、管路８ａ〜８ｄは夫々開路状態あるいは閉路状
態のし・ずれかとなる。このようにして後、動作ステッ
プＳ７でＮ ＝＝ ５となり、Ｎ （−５’ ） ＞
ｎ （−４）となった時には本実施例のウニノー−チャ
ックによるウェハーＷの真空吸着制御を全て−通り終え
たので、中央処理装置１８はその制御を終了する。
繰返して実行し、管路７ａ〜７ｄの夫々の真空状態、即
ち、ウニ／％−Ｗの吸着溝６ａ〜６ｄの吸着面に刻する
夫々の密封状態に応じて、夫々の電磁弁９ａ〜９１は開
閉され、管路８ａ〜８ｄは夫々開路状態あるいは閉路状
態のし・ずれかとなる。このようにして後、動作ステッ
プＳ７でＮ ＝＝ ５となり、Ｎ （−５’ ） ＞
ｎ （−４）となった時には本実施例のウニノー−チャ
ックによるウェハーＷの真空吸着制御を全て−通り終え
たので、中央処理装置１８はその制御を終了する。
ウェハーＷのウェハーチャックによる真空吸着が長びく
時には第４図に示したフローを一定時間々隔毎に繰返し
て行なえばよい。
時には第４図に示したフローを一定時間々隔毎に繰返し
て行なえばよい。
なお、ウェハーをウェハ−チャック本体５にのせない場
合、ウェハーは吸着溝６８〜６ｄの夫々の吸着部を覆っ
ていないので、溝６ａ〜６ｄや管路７ａ〜７ｄの真空度
が基準レベル以上とならないので電磁弁９ａ〜９ｄは全
てオフとなり、管路７ａ〜７ｄは閉路状態となっている
。又、ウェハーチャック本体５とのせたウェハーＷとの
間にゴミがあり、ウェハーＷと吸着溝６８〜６ｄの夫々
の吸着面との間の隙間が大きい時、不図示の真空ポンプ
による排気を停止して、吸着溝、Ｓ６ ａ〜６ｄによる
ウェハーＷに対する吸着を停止するために上述のように
管路７ａ〜７ｄを閉路状態とする。
合、ウェハーは吸着溝６８〜６ｄの夫々の吸着部を覆っ
ていないので、溝６ａ〜６ｄや管路７ａ〜７ｄの真空度
が基準レベル以上とならないので電磁弁９ａ〜９ｄは全
てオフとなり、管路７ａ〜７ｄは閉路状態となっている
。又、ウェハーチャック本体５とのせたウェハーＷとの
間にゴミがあり、ウェハーＷと吸着溝６８〜６ｄの夫々
の吸着面との間の隙間が大きい時、不図示の真空ポンプ
による排気を停止して、吸着溝、Ｓ６ ａ〜６ｄによる
ウェハーＷに対する吸着を停止するために上述のように
管路７ａ〜７ｄを閉路状態とする。
又、ウェハーＷの大きさが、吸着溝６ｂより太き（吸着
溝６Ｃより小さい時の真空吸着は基準レベル以上の真空
度に達した内側の吸着’７９７６ ａ 、 ６ｂのいず
れかで行なうことになる。
溝６Ｃより小さい時の真空吸着は基準レベル以上の真空
度に達した内側の吸着’７９７６ ａ 、 ６ｂのいず
れかで行なうことになる。
なお、上記各実施例に於て、電磁弁を閉じた後はこの電
磁弁と関係のある真空ポンプの動作を中央処理装置１８
の制御により停止してよい。
磁弁と関係のある真空ポンプの動作を中央処理装置１８
の制御により停止してよい。
このようにして、一連の制御動作が終ｒした時点で通電
状態にある電磁弁が残つ′Ｃいれば、ウエバーはウェハ
ーチャックにより完全に吸着されたことになる。もし、
通電状態にある電磁弁がない場合、ウェハーがウェハー
チャック本体上に存在しないか、ウェハーとウェハーチ
ャック本体間に大きなゴミ等があることになるので、中
央処理装置は再度ウェハーをウェハーチャック本体上に
のせる動作命令を出すか、警報を出す等の処理を行なう
。
状態にある電磁弁が残つ′Ｃいれば、ウエバーはウェハ
ーチャックにより完全に吸着されたことになる。もし、
通電状態にある電磁弁がない場合、ウェハーがウェハー
チャック本体上に存在しないか、ウェハーとウェハーチ
ャック本体間に大きなゴミ等があることになるので、中
央処理装置は再度ウェハーをウェハーチャック本体上に
のせる動作命令を出すか、警報を出す等の処理を行なう
。
本発明はこの他にも、真空計８ａ〜８ｄの真空度を測定
し、基準レベルに達せず一番真空度の低い管路のみを電
磁弁のオフにより閉路状態とし、これを繰り返して制御
動作を行なってもよい。このフローは第５図に動作ステ
ップＳＬｌ〜Ｓ２２として示しである。
し、基準レベルに達せず一番真空度の低い管路のみを電
磁弁のオフにより閉路状態とし、これを繰り返して制御
動作を行なってもよい。このフローは第５図に動作ステ
ップＳＬｌ〜Ｓ２２として示しである。
上記実施例では各真空計を用いたが、ダイヤフラムとス
イッチとを組合わせた各真空スイッチを各真空計の代り
に用いても実現可能である。
イッチとを組合わせた各真空スイッチを各真空計の代り
に用いても実現可能である。
この場合、真空スイッチのスイッチングする真空度のレ
ベルを基準レベルにあわせておき、中央処理装置がこの
真空スイッチのオン・オフ信号な入力することにより吸
着溝の真空度が基準レベルに達したかどうかを判断し電
磁弁の制御や真空ポンプの制御を行なってもよい。
ベルを基準レベルにあわせておき、中央処理装置がこの
真空スイッチのオン・オフ信号な入力することにより吸
着溝の真空度が基準レベルに達したかどうかを判断し電
磁弁の制御や真空ポンプの制御を行なってもよい。
本発明はこの他にも吸着溝の吸着部の代りに吸着溝に固
着等されて支持されている多孔性制料を設けてもよい。
着等されて支持されている多孔性制料を設けてもよい。
第６図はウェハーチャック本体の他の実施例を示す上視
図で、オリエンテーションフラット形状に合わせて配列
された内側からの大群２０ａ、２０ｂ 、２０ｃ 、２
０ｄが設けられており、大群２０ａ 、２０ｂ 、２０
ｃ 、２０ｄの個々の穴は群内で夫々共通の管路に連通
している。他の構成は第２＝ 図（ｂ）や第８図に示したものと同じである。尚、これ
までの説明は集積回路パターン転写焼付過程で、フォト
レジストを塗布したシリコン・ウェハーを吸着する場合
を想定しているが、他の加」二り程でシリコン・ウェハ
ーを固定する装置にも適用できる。また更にシリコン以
外のウェハー状被加工物の保持にも都合が良い。
図で、オリエンテーションフラット形状に合わせて配列
された内側からの大群２０ａ、２０ｂ 、２０ｃ 、２
０ｄが設けられており、大群２０ａ 、２０ｂ 、２０
ｃ 、２０ｄの個々の穴は群内で夫々共通の管路に連通
している。他の構成は第２＝ 図（ｂ）や第８図に示したものと同じである。尚、これ
までの説明は集積回路パターン転写焼付過程で、フォト
レジストを塗布したシリコン・ウェハーを吸着する場合
を想定しているが、他の加」二り程でシリコン・ウェハ
ーを固定する装置にも適用できる。また更にシリコン以
外のウェハー状被加工物の保持にも都合が良い。
以上、本発明について詳述したように本発明はウェハー
等の被加工物の吸着力を一定値以上にできる。又、ウェ
ハー等の被加工物の有無、ゴミの検知及びウェハー等の
被加工物の位置ずれが検知できる。更に、真空ポンプ等
を不作動にすることにより省エネが図れる等の効果を有
するものである。
等の被加工物の吸着力を一定値以上にできる。又、ウェ
ハー等の被加工物の有無、ゴミの検知及びウェハー等の
被加工物の位置ずれが検知できる。更に、真空ポンプ等
を不作動にすることにより省エネが図れる等の効果を有
するものである。
ｆＡ ｌ 図（ａ）は従来のウェハーチャック本体の上
視図、第１図（ｂｌは従来のウニノλ−チャックの断面
図。 第２図（ａ）は本発明の一実施例のウニノー−チャック
本体の上視図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡ −Ａ
’線に沿って切断したウニノ・−チャック本体を含む本
発明の一実施例のウェハーチャックの断面を示す説明図
、第３図は第２図の演算制御回路の具体的ブロック図、
第４図は本発明の一実施例のフローチャート１．第５図
は本発明の他の一実施例のフローチャート、第６図は本
発明の他の一実施例のウェハーチャック本体の上視図で
ある。 ５はウェハーチャック本体、６ａ〜６ｄは吸着溝、７ａ
〜７ｄは管路、８ａ〜８ｄは真空計、９ａ〜９ｄは電磁
弁、１０は演算制御回路、１１はアナログマルチプレク
サ、１４．１７はラッチ回路、１５は電源、１６はスイ
ッチング回路、１８は中央処理装置である。 特許出願人 キャノン株式会社 （ａ） 第 １ 図 （ａ） 第２図 第３図 第４図 第５図 第６Ｉ７Ｉ
視図、第１図（ｂｌは従来のウニノλ−チャックの断面
図。 第２図（ａ）は本発明の一実施例のウニノー−チャック
本体の上視図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡ −Ａ
’線に沿って切断したウニノ・−チャック本体を含む本
発明の一実施例のウェハーチャックの断面を示す説明図
、第３図は第２図の演算制御回路の具体的ブロック図、
第４図は本発明の一実施例のフローチャート１．第５図
は本発明の他の一実施例のフローチャート、第６図は本
発明の他の一実施例のウェハーチャック本体の上視図で
ある。 ５はウェハーチャック本体、６ａ〜６ｄは吸着溝、７ａ
〜７ｄは管路、８ａ〜８ｄは真空計、９ａ〜９ｄは電磁
弁、１０は演算制御回路、１１はアナログマルチプレク
サ、１４．１７はラッチ回路、１５は電源、１６はスイ
ッチング回路、１８は中央処理装置である。 特許出願人 キャノン株式会社 （ａ） 第 １ 図 （ａ） 第２図 第３図 第４図 第５図 第６Ｉ７Ｉ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１１ チャック本体に設けられた被加工物を真空吸着
するための複数の吸着領域と、前記吸着領域の真空度を
独立に調整する手段を備えたチャン′ りに於て、前記
各吸着領域の真空度を独立に検知する手段を設けたこと
を特徴とするチャック。 （２） 前記真空度を検知する手段からの検知信号が基
準レベルに達しているかと・うンかを順次判断し、前記
検知信号が基準レベルに達していない時、対応する吸着
領域による被加工物の吸着を不作動にする手段を前記吸
着領域の真空度を独立に調整する手段が備えた特許請求
の範囲第１項記載のチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000048A JPS60146673A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000048A JPS60146673A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | チヤツク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60146673A true JPS60146673A (ja) | 1985-08-02 |
Family
ID=11463383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59000048A Pending JPS60146673A (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | チヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60146673A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62191814A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Hitachi Ltd | スライド標本載置装置 |
| JPS6385331A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-15 | Shimadzu Corp | 真空吸着装置 |
| SG99413A1 (en) * | 2001-12-04 | 2003-10-27 | Lintec Corp | Suction holding device |
| US20180323094A1 (en) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chuck stage particle detection device |
-
1984
- 1984-01-05 JP JP59000048A patent/JPS60146673A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62191814A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Hitachi Ltd | スライド標本載置装置 |
| JPS6385331A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-15 | Shimadzu Corp | 真空吸着装置 |
| SG99413A1 (en) * | 2001-12-04 | 2003-10-27 | Lintec Corp | Suction holding device |
| US20180323094A1 (en) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chuck stage particle detection device |
| US10825703B2 (en) * | 2017-05-02 | 2020-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chuck stage particle detection device |
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