JP4514722B2 - フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4514722B2
JP4514722B2 JP2006042135A JP2006042135A JP4514722B2 JP 4514722 B2 JP4514722 B2 JP 4514722B2 JP 2006042135 A JP2006042135 A JP 2006042135A JP 2006042135 A JP2006042135 A JP 2006042135A JP 4514722 B2 JP4514722 B2 JP 4514722B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
wafer
substrate
processed
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006042135A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007221034A (ja
Inventor
嘉昭 新城
祐三 下別府
和雄 手代木
和浩 吉本
Original Assignee
富士通セミコンダクター株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士通セミコンダクター株式会社 filed Critical 富士通セミコンダクター株式会社
Priority to JP2006042135A priority Critical patent/JP4514722B2/ja
Publication of JP2007221034A publication Critical patent/JP2007221034A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4514722B2 publication Critical patent/JP4514722B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/04Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the partial melting of at least one layer
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/14Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation
    • B29C65/16Laser beams
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/14Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation
    • B29C65/16Laser beams
    • B29C65/1629Laser beams characterised by the way of heating the interface
    • B29C65/1654Laser beams characterised by the way of heating the interface scanning at least one of the parts to be joined
    • B29C65/1658Laser beams characterised by the way of heating the interface scanning at least one of the parts to be joined scanning once, e.g. contour laser welding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/78Means for handling the parts to be joined, e.g. for making containers or hollow articles, e.g. means for handling sheets, plates, web-like materials, tubular articles, hollow articles or elements to be joined therewith; Means for discharging the joined articles from the joining apparatus
    • B29C65/7858Means for handling the parts to be joined, e.g. for making containers or hollow articles, e.g. means for handling sheets, plates, web-like materials, tubular articles, hollow articles or elements to be joined therewith; Means for discharging the joined articles from the joining apparatus characterised by the feeding movement of the parts to be joined
    • B29C65/7888Means for handling of moving sheets or webs
    • B29C65/7891Means for handling of moving sheets or webs of discontinuously moving sheets or webs
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/01General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
    • B29C66/05Particular design of joint configurations
    • B29C66/10Particular design of joint configurations particular design of the joint cross-sections
    • B29C66/11Joint cross-sections comprising a single joint-segment, i.e. one of the parts to be joined comprising a single joint-segment in the joint cross-section
    • B29C66/112Single lapped joints
    • B29C66/1122Single lap to lap joints, i.e. overlap joints
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/01General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
    • B29C66/05Particular design of joint configurations
    • B29C66/20Particular design of joint configurations particular design of the joint lines, e.g. of the weld lines
    • B29C66/22Particular design of joint configurations particular design of the joint lines, e.g. of the weld lines said joint lines being in the form of recurring patterns
    • B29C66/225Particular design of joint configurations particular design of the joint lines, e.g. of the weld lines said joint lines being in the form of recurring patterns being castellated, e.g. in the form of a square wave or of a rectangular wave
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/01General aspects dealing with the joint area or with the area to be joined
    • B29C66/05Particular design of joint configurations
    • B29C66/20Particular design of joint configurations particular design of the joint lines, e.g. of the weld lines
    • B29C66/23Particular design of joint configurations particular design of the joint lines, e.g. of the weld lines said joint lines being multiple and parallel or being in the form of tessellations
    • B29C66/232Particular design of joint configurations particular design of the joint lines, e.g. of the weld lines said joint lines being multiple and parallel or being in the form of tessellations said joint lines being multiple and parallel, i.e. the joint being formed by several parallel joint lines
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/40General aspects of joining substantially flat articles, e.g. plates, sheets or web-like materials; Making flat seams in tubular or hollow articles; Joining single elements to substantially flat surfaces
    • B29C66/41Joining substantially flat articles ; Making flat seams in tubular or hollow articles
    • B29C66/45Joining of substantially the whole surface of the articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/70General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material
    • B29C66/72General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the structure of the material of the parts to be joined
    • B29C66/723General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the structure of the material of the parts to be joined being multi-layered
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/70General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material
    • B29C66/73General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the intensive physical properties of the material of the parts to be joined, by the optical properties of the material of the parts to be joined, by the extensive physical properties of the parts to be joined, by the state of the material of the parts to be joined or by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset
    • B29C66/739General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the intensive physical properties of the material of the parts to be joined, by the optical properties of the material of the parts to be joined, by the extensive physical properties of the parts to be joined, by the state of the material of the parts to be joined or by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset characterised by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset
    • B29C66/7392General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the intensive physical properties of the material of the parts to be joined, by the optical properties of the material of the parts to be joined, by the extensive physical properties of the parts to be joined, by the state of the material of the parts to be joined or by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset characterised by the material of the parts to be joined being a thermoplastic or a thermoset characterised by the material of at least one of the parts being a thermoplastic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/70General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material
    • B29C66/74Joining plastics material to non-plastics material
    • B29C66/744Joining plastics material to non-plastics material to elements other than metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/80General aspects of machine operations or constructions and parts thereof
    • B29C66/81General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps
    • B29C66/812General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps characterised by the composition, by the structure, by the intensive physical properties or by the optical properties of the material constituting the pressing elements, e.g. constituting the welding jaws or clamps
    • B29C66/8126General aspects of the pressing elements, i.e. the elements applying pressure on the parts to be joined in the area to be joined, e.g. the welding jaws or clamps characterised by the composition, by the structure, by the intensive physical properties or by the optical properties of the material constituting the pressing elements, e.g. constituting the welding jaws or clamps characterised by the intensive physical properties or by the optical properties of the material constituting the pressing elements, e.g. constituting the welding jaws or clamps
    • B29C66/81266Optical properties, e.g. transparency, reflectivity
    • B29C66/81267Transparent to electromagnetic radiation, e.g. to visible light
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/80General aspects of machine operations or constructions and parts thereof
    • B29C66/82Pressure application arrangements, e.g. transmission or actuating mechanisms for joining tools or clamps
    • B29C66/824Actuating mechanisms
    • B29C66/8242Pneumatic or hydraulic drives
    • B29C66/82423Pneumatic or hydraulic drives using vacuum
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/80General aspects of machine operations or constructions and parts thereof
    • B29C66/82Pressure application arrangements, e.g. transmission or actuating mechanisms for joining tools or clamps
    • B29C66/826Pressure application arrangements, e.g. transmission or actuating mechanisms for joining tools or clamps without using a separate pressure application tool, e.g. the own weight of the parts to be joined
    • B29C66/8266Pressure application arrangements, e.g. transmission or actuating mechanisms for joining tools or clamps without using a separate pressure application tool, e.g. the own weight of the parts to be joined using fluid pressure directly acting on the parts to be joined
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/80General aspects of machine operations or constructions and parts thereof
    • B29C66/83General aspects of machine operations or constructions and parts thereof characterised by the movement of the joining or pressing tools
    • B29C66/832Reciprocating joining or pressing tools
    • B29C66/8322Joining or pressing tools reciprocating along one axis
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/80General aspects of machine operations or constructions and parts thereof
    • B29C66/83General aspects of machine operations or constructions and parts thereof characterised by the movement of the joining or pressing tools
    • B29C66/836Moving relative to and tangentially to the parts to be joined, e.g. transversely to the displacement of the parts to be joined, e.g. using a X-Y table
    • B29C66/8362Rollers, cylinders or drums moving relative to and tangentially to the parts to be joined
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/743Apparatus for manufacturing layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C63/00Lining or sheathing, i.e. applying preformed layers or sheathings of plastics; Apparatus therefor
    • B29C63/0056Provisional sheathings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/02Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure
    • B29C65/14Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor by heating, with or without pressure using wave energy, i.e. electromagnetic radiation, or particle radiation
    • B29C65/16Laser beams
    • B29C65/1629Laser beams characterised by the way of heating the interface
    • B29C65/1635Laser beams characterised by the way of heating the interface at least passing through one of the parts to be joined, i.e. laser transmission welding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/70General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material
    • B29C66/71General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the composition of the plastics material of the parts to be joined
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/10Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the pressing technique, e.g. using action of vacuum or fluid pressure
    • B32B2037/1072Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the pressing technique, e.g. using action of vacuum or fluid pressure using a fluid jet
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0843Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using laser
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/14Semiconductor wafers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0004Cutting, tearing or severing, e.g. bursting; Cutter details
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing

Description

本発明は、フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板(ウェハ)へのダイボンドフィルムの貼り付けに用いられるフィルム貼り付け方法およびフィルム貼り付け装置、並びにダイボンドフィルムの貼り付け工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
半導体集積回路(IC:Integrated Circuit)の製造に於いては、通常、所定のウェハプロセスを経た半導体基板(ウェハ)に対し、まず、その表面(半導体素子形成面)に対して表面保護テープを被覆した後、当該ウェハの裏面(背面)に対し研削(バックグラインド処理)を行って、当該ウェハの厚さを薄くする工程が執られる。
前記バックグラインド処理後、ウェハ表面から保護テープを剥離し、また当該ウェハの裏面にはダイシングテープを貼り付ける。かかる状態に於いて、ウェハの表面側から当該ウェハに対して個片化処理を施し、複数個の半導体素子(チップ)を形成する。
そして、個片化されたチップを前記ダイシングテープから分離して、半導体素子収容容器の所定箇所にダイボンディング処理を行う。
従来、前記ダイボンディング工程にあっては、リードフレーム等の支持基板へのチップの接着方法として、まず支持基板表面に接着剤を塗布し、当該接着剤を用いてチップを固着する方法が広く用いられてきた。
しかしながら、近年、バックグラインド処理後のウェハの裏面に、半導体素子固着用接着性フィルム(ダイボンドフィルム)を貼り付け、しかる後、当該ウェハを個片化するという方法も用いられるようになってきている。
このような方法によれば、個片化されたチップを、当該チップの裏面に貼り付けた薄く且つ厚さの均一なダイボンドフィルムを介して支持基板に固着することができるため、チップを所定位置に正確に固着することができ、また厚さ(高さ)をより薄く(低く)することが可能になる。
当該ダイボンドフィルムとしては、常温で粘着性を有するもの、或いは加熱されることによって粘着性を発現する熱可塑性のものが存在する。このうち、熱可塑性のダイボンドフィルムは、製造過程での取扱いが容易である等の利点がある。
ウェハに対して熱可塑性ダイボンドフィルムを貼り付ける、従来の方法を図20に示す。
ウェハ101の裏面に、熱可塑性のダイボンドフィルム100を貼り付ける場合、当該ウェハ101のダイボンドフィルム100の貼り付け面(裏面)とは反対側の面、即ち表面(半導体素子形成面)側からヒータ102により加熱し、かかる状態に於いて、ダイボンドフィルム100をゴム製のローラ103によってウェハの裏面(貼り付け面)に押し付けて、貼り付ける方法が執られている。
熱可塑性ダイボンドフィルムを貼り付ける他の方法としては、ウェハ全面を加熱せず、貼り付け箇所のみを部分的に加熱しながらダイボンドフィルムを貼り付けていく方法も提案されている。
例えば、加熱機構を備えたローラを用いてウェハにダイボンドフィルムを貼り付けていく方法、或いは内部に加熱・冷却機構を備えたテーブルを用い、そのテーブルにウェハを載置し、ウェハ側にダイボンドフィルムを押し付けるローラのポジションに応じて部分的にテーブルの加熱・冷却を制御する方法が提案されている(特許文献1参照)。
近年、半導体装置の更なる小型化・薄型化の要求に伴い、ウェハの更なる薄型化が必要とされ、ウェハの厚みを100μm以下にする必要性も増している。
ウェハは、前述の如く、デバイス形成後のバックグラインドによって薄く加工されるのが一般的である。しかしながら、薄くなったウェハは、当然その強度が弱まり、割れ易くなってしまう。
これに対し、例えば、薄化されたウェハを中央部に細孔が設けられた保護基板上に載置し、当該保護基板の細孔を介してウェハを吸引固定しつつ、バックグラインド処理、或いは搬送などを行うことにより、当該ウェハの破損を回避する試みもなされている(特許文献2参照)。
特開2004−186240号公報 特開2004−153193号公報
従来一般的に用いられているダイボンドフィルムの貼り付け方法、即ち半導体基板(ウェハ)の主面に表面保護テープを貼り付けた後、当該ウェハの裏面のバックグラインド処理を行い、しかる後全面加熱しながら当該ウェハの裏面にダイボンドフィルムを貼り付ける方法を適用すると、前記表面保護テープには比較的大きな熱膨張或いは熱収縮が発生する。
この為、厚さ100μm以下程度に薄化されたウェハにあっては、表面保護テープのこのような熱変形に耐えることができず、割れを生じてしまうという問題を生じていた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、表面保護テープに熱変形を生ずることなく、従ってウェハに破損を生ずることなく、当該ウェハの裏面にダイボンドフィルム等のフィルム体を貼り付けることができる、フィルム貼り付け方法、およびかかる貼り付け方法を実施するフィルム貼り付け装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、ダイボンドフィルム等のフィルム体の貼り付け時に、ウェハの破損を回避することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明では上記課題を解決するために、被処理基板上にフィルム体を配置し、前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射して前記フィルム体を選択的に溶融し、溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して、前記フィルム体を前記被処理基板に貼り付けることを特徴とするフィルム貼り付け方法が提供される。
このようなフィルム貼り付け方法によれば、ウェハ等の被処理基板上に配置されたフィルム体に選択的にレーザ光を照射して溶融し、溶融状態のフィルム体部分を被処理基板に押圧して、そのフィルム体を被処理基板に貼り付ける。被処理基板をヒータ等で全面加熱することなく、レーザ光を用いてその照射部分のフィルム体を被処理基板に押圧して貼り付けるため、ウェハが薄くその強度が低下している場合であっても、熱に起因したウェハの破損が回避されるようになる。
また、本発明では、被処理基板上に配置されたフィルム体を被処理基板に対し押圧する手段と、前記被処理基板に押圧された前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射する手段と、前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段と、を有することを特徴とするフィルム貼り付け装置が提供される。
このようなフィルム貼り付け装置によれば、被処理基板に押圧されたフィルム体に選択的にレーザ光を照射し、照射されたフィルム体を被処理基板に押圧して貼り付けるため、ウェハが薄くその強度が低下している場合であっても、熱に起因したウェハの破損が回避されるようになる。
また、本発明では、半導体基板の一方の主面に複数個の半導体素子を形成する工程と、前記一方の主面に表面保護テープを被着する工程と、前記半導体基板を他方の主面より研削してその厚さを減ずる工程と、前記半導体基板の他方の主面にダイボンディングフィルムを被着する工程と、前記半導体基板の一方の主面から前記表面保護テープを除去する工程と、前記半導体基板を切断・分離して前記半導体素子を個片化する工程と、を有し、前記半導体基板の他方の主面に前記ダイボンディングフィルムを被着する際、前記半導体基板上に配置された前記ダイボンディングフィルムに対してレーザ光を選択的に照射・加熱して、被加熱部を前記半導体基板に貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
このような半導体装置の製造方法によれば、半導体基板にダイボンディングフィルムを被着する際、半導体基板上に配置されたそのダイボンディングフィルムに対してレーザ光を選択的に照射・加熱して、その被加熱部を半導体基板に貼り付ける。これにより、ウェハが薄くその強度が低下している場合であっても、熱に起因したウェハの破損が回避されるようになり、半導体装置製造の歩留まり向上が図られるようになる。
本発明によれば、薄化された半導体基板(ウェハ)の一方の主面に対して、加熱しつつフィルムを貼り付ける際に、予め当該ウェハの他方の主面に被着されている表面保護テープの熱変形の影響を与えることなく、当該ウェハに対してフィルムを貼り付けることができる。
従って、薄化されたウェハに割れ・破損等を生ずることなく、半導体装置の製造歩留まりを向上させることが可能となる。
以下、本発明の実施の形態を、被処理基板として半導体基板(ウェハ)を用いてウェハへのダイボンドフィルムの貼り付けを例に、図面を参照して詳細に説明する。
第1の実施の形態について説明する。
当該第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程フローを図1に示す。同図1は、被処理半導体基板(ウェハ)への半導体素子形成以後の製造フローを示している。
また、前記図1に示す各製造工程を示す模式図を図2乃至図7に示す。図2は表面保護テープ貼り付け工程を示し、図3はバックグラインド工程を示す。また図4はダイボンドフィルム貼り付け工程を示し、図5は表面保護テープ剥離工程およびダイシングテープ貼り付け工程を示す。
更に、図6はダイシング工程を示し、図7はダイボンディング工程を示す。
半導体素子の形成に必要とされるウェハプロセス(所謂前工程)を経て、ウェハ1の表面(一方の主面)に複数個の半導体素子(デバイス)を形成した後、図2に示すように、当該ウェハ1の表面(デバイス形成面)に、オレフィン系あるいはPET(Poly Ethylene Terephthalate)からなる表面保護テープ2を、ローラ3を用いて貼り付ける(図1:ステップS1)。
表面保護テープ2は帯状を有し、貼り付けられた当該表面保護テープ2はウェハ1の外形に沿って切断され、帯状部から分離される。
次いで、当該ウェハ1の背面研削(バックグラインド)処理を行う(図1:ステップS2)。
バックグラインド処理は、図3に示すように、ウェハ1をその裏面を上にして回転テーブル4上にセットし、当該回転テーブル4を回転させながら、回転する砥石5により、ウェハ1の裏面を研削する。
次いで、図4に示すように、被処理ウェハ1の裏面にダイボンドフィルム6を貼り付ける(図1:ステップS3)。ダイボンドフィルム6は、ポリイミド系樹脂或いはエポキシ系樹脂からなり、例えば約15μm程の厚さが選択される。
本実施の形態にあっては、当該ダイボンドフィルム6の貼り付け工程に於いて、ウェハ1の裏面に対してダイボンドフィルム6を押圧する手段としてローラを用いると共に、加熱手段(熱源)としてレーザ光7を用いる。
即ち、帯状のダイボンドフィルム6は、ウェハ1の裏面上に配置された状態に於いて、互いに平行して離間され且つ回転可能なフィルムセットローラ9aおよびフィルム貼り付けローラ9bにより、ウェハ1の裏面に押圧される。
当該フィルムセットローラ9aおよびフィルム貼り付けローラ9bは、それぞれその表面がゴムなどにより構成されて弾性を有し、且つ当該弾性体部分はダイボンドフィルムの幅に対応する寸法を有する。
一方、レーザ光7は、レンズ系を含むレーザ光学系8により、ウェハ1表面に於ける照射形状が長方形となるように調整され、前記フィルムセットローラ9aとフィルム貼り付けローラ9bとの間に於いて、これらのローラと平行となる状態をもってウェハ1上に照射される。
フィルムセットローラ9aにより、ウェハ1に押圧されたダイボンドフィルム6は、レーザ光7が照射されることにより溶融し、その被照射・溶融部分が後続のフィルム貼り付けローラ9bによりウェハ1の裏面に押圧されて、当該ウェハ1の裏面に貼り付けられる。
このように、ウェハ1に対するダイボンドフィルム6の貼り付けの際、加熱手段としてレーザ光7を用いることにより、ダイボンドフィルム6に対し局所的・選択的に熱エネルギーを与えて、当該ダイボンドフィルム6を局所的・選択的に溶融させることができる。
従って、従来法の如く、ヒータ等によりウェハ全面に対して加熱を行う場合に比して、ウェハの温度上昇を招来せず、もって前記表面保護テープ2に於ける熱膨張或いは熱収縮など熱変形の発生を回避することができる。
貼り付けられたダイボンドフィルム6は、ウェハ1の外形に沿って切断され、帯状部から分離される。
ウェハ1の裏面にダイボンドフィルム6の貼り付け後、図5に示すように、ウェハ1の表面から表面保護テープ2を剥離すると共に、当該ウェハ1の裏面側をテープフレーム10上のダイシングテープ11上に貼り付ける(図1:ステップS4)。
尚、図5に於いて、ダイシングテープ11は接着性を有し、ウェハ1をその裏面に貼られたダイボンドフィルムと共に固定する。
また、12は表面保護テープ2を剥離する為のリムーブテープである。当該リムーブテープ12をローラ(図示せず)などにより表面保護テープ2上に貼り付けた後、当該リムーブテープ12を引くことにより、ウェハ1表面から表面保護テープ2を剥離する。
次いで、図6に示すように、ダイシングブレード13を用いて、ウェハ1のダイシング処理を行い、ウェハ1に形成されている複数個の半導体素子部を個片化する(図1:ステップS5)。
しかる後、図7に示すように、個片化された半導体素子のうち、良品である半導体素子14をチャック15によりピックアップし、リードフレーム等の支持基板16のアイランド部16A上に移送する。
尚、半導体素子のピックアップの際、前記ダイシングテープ11は、加熱或いは紫外線の照射によりその接着力が低下される。
当該支持基板16のアイランド部16Aに於いて、半導体素子14裏面のダイボンドフィルム6を溶融、加圧・硬化させ、当該半導体素子14をアイランド部16Aに固着する(図1:ステップS6)。
このようにして、デバイス形成後、ダイボンディングまでの工程が行われる。
ここで、前記ステップS3で述べた、レーザ光7を用いたダイボンドフィルム6の貼り付け方法について、より詳細に説明する。
当該第1の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を図8に示す。
前述の如く、半導体素子(デバイス)の形成面に表面保護テープ2が貼り付けられ、且つバックグラインド処理がなされたウェハ1の裏面に、ダイボンドフィルム6が貼り付けられる。
ダイボンドフィルム6は、平行にセットされたフィルムセットローラ9aおよびフィルム貼り付けローラ9bにより、少なくともそれらの間の領域が、ウェハ1の裏面に押し付けられる。
そして、フィルムセットローラ9aおよびフィルム貼り付けローラ9bの間の領域に位置するダイボンドフィルム6に対して、レンズ8aを介して所定の照射形状、例えば長方形に調整されたレーザ光7が照射される。
ウェハ1に対してフィルムセットローラ9aおよびフィルム貼り付けローラ9bを回転移動させながら、その移動に合わせてレーザ光7を移動させる。
本発明の実施の形態に於ける、レーザスキャン方法の一例を図9に示す。
ウェハ1の裏面上に位置するダイボンドフィルム6に対して長方形のレーザを照射する場合には、その照射形状の幅(長手方向の幅、当該レーザ光7の移動方向とは直行する方向の長さ)を、ウェハ1の直径の1.1倍程度にすることが望ましい。
同図に矢印Sで示すように、前記のような照射形状のレーザ光7を、ウェハ1の一方のエッジから中心方向に向かって且つ他方のエッジまで移動(スキャン)することにより、当該レーザ光7をウェハ1の全面に照射する。
前記図8に示すフィルムセットローラ9aおよびフィルム貼り付けローラ9bは、このようなレーザ光7のスキャンに於いて、当該レーザ光7の移動方向の前および後にあって、当該レーザ光7の移動に対応して一体的に移動する。
このように照射形状が略長方形とされたレーザ光7は、例えば図10に示すレーザ光学系によって実現可能である。図10にあっては、当該レーザ光学系の要所におけるレーザ断面形状(A〜D)も併せて示す。
同図に示すレーザ光学系20は、レーザ光発振器21、円筒面平凹レンズ22、線状マスク23および円筒面平凸レンズ24を具備している。
当該レーザ光学系20にあっては、レーザ光発振器21から円形断面(A)を有して照射されるレーザ光7を、円筒面平凹レンズ22によって楕円形断面(B)に変形し、次いで線状マスク23によって長方形状断面(C)とする。更に円筒面平凸レンズ24によって、より幅の狭い長方形断面(D)とする。
そして、当該幅狭の長方形段面(D)を有するレーザ光7を、被処理ウェハ1上に位置するダイボンドフィルム6に対して照射する。
ウェハ1に上に位置するダイボンドフィルム6にレーザ光7を照射する際の条件は、ダイボンドフィルム6の材質、ウェハ1の厚さ、表面保護テープ2の材質等に基づき選択されるが、例えば、波長100nm〜1000nmのレーザ光を、出力0.1W〜100W、スキャンスピード0.1mm/s〜500mm/sの条件をもって照射することができる。
この時、前記表面保護テープ2の熱膨張或いは熱収縮等を抑制しつつ、ダイボンドフィルム6を溶融させることができる条件を選択する。
ダイボンドフィルム6の貼り付けの際には、レーザ光学系20を用い、前記図8に示すように、レーザ光7のスキャン方向に対応させてフィルムセットローラ9aを先行して移動させ、当該フィルムセットローラ9aおよびレーザ光7に追随するように、フィルム貼り付けローラ9bを移動させる。
即ち、フィルムセットローラ9aとフィルム貼り付けローラ9bでダイボンドフィルム6をウェハ1に押圧しつつ、フィルムセットローラ9aの直後の領域にのみレーザ光7を照射し、ダイボンドフィルム6の被照射部を溶融させ、当該レーザ光7の直後を移動するフィルム貼り付けローラ9bにより当該溶融部分をウェハ1に押圧して貼り付ける。
これをウェハ1の全面について行うことにより、ウェハ1の他の表面に貼られた表面保護テープ2に於ける熱膨張或いは熱収縮などの熱変形の発生を回避しつつ、当該ウェハ1にダイボンドフィルム6を均一に、且つ効率良く貼り付けることが可能となる。
ウェハ1上にダイボンドフィルム6の貼り付け処理を行う際に適用するフィルム貼り付け装置の構成を、図11に示す。
同図に示される様に、当該フィルム貼り付け装置30は、バックグラインド処理がなされダイボンドフィルム6が貼り付けられる前の被処理ウェハ1が収納される第1のウェハケース31、並びにダイボンドフィルム6が貼り付けられたウェハ1が収納される第2のウェハケース32を具備する。
又、当該フィルム貼り付け装置30は、被処理ウェハ1のセンタリング(中心出し)が行われるウェハセンタリング装置33、当該ウェハ1に対してのダイボンドフィルム6の貼り付け処理が行われるフィルム貼り付けテーブル34を具備している。
又、当該フィルム貼り付け装置30は、前記第1のウェハケース31に収納されている被処理ウェハ1をウェハセンタリング装置33に搬送し、またウェハセンタリング装置33に載置されている被処理ウェハ1をフィルム貼り付けテーブル34に搬送し、更にダイボンドフィルム6が貼り付けられてフィルム貼り付けテーブル34上に置かれているウェハ1を第2のウェハケース32に搬送して収納する為のウェハ搬送ロボット35を具備している。
更に、当該フィルム貼り付け装置30は、フィルム貼り付けテーブル34近傍に、レーザ発振器36にそれぞれ光ファイバ37a,37bを介して接続されたフィルム貼り付け用レーザ照射装置38およびフィルムカット用レーザ照射装置39を具備する。
当該フィルム貼り付け用レーザ照射装置38は、レーザ発振器36とレンズを用いて構成されたレーザ光学系を備え、フィルム貼り付けテーブル34上の所定の領域に対し所定の照射形状を有してスキャンすることができる。一方、フィルムカット用レーザ照射装置39は、フィルム貼り付けテーブル34上に於いて、ウェハ1に貼り付けられたダイボンドフィルム6を、当該ウェハ1の外形に沿って切断して帯状部から分離する。
フィルム送出ローラ40aから送出され、フィルム巻き取りローラ40bへと送られる帯状ダイボンドフィルム6に対しては、当該ダイボンドフィルム6上をフィルム巻き取りローラ40b側からフィルム送出ローラ40aへ移動可能とされたフィルムセットローラ9a、フィルム貼り付けローラ9b、および最もフィルム巻き取りローラ40b側にあるフィルム固定ローラ41とによって、一定のテンションが付加されている。
そして、フィルム貼り付けテーブル34上に、被処理ウェハ1が載置されたときには、フィルムセットローラ9aおよびフィルム貼り付けローラ9bが移動して、当該ウェハ1上にダイボンドフィルム6を押圧する。この時、フィルム貼り付け用レーザ照射装置38も並行して移動する。
このような構成を有するフィルム貼り付け装置30を用いたダイボンドフィルム6の貼り付け処理方法を、図11および図12〜図16を参照して説明する。
図12〜図16はフィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図である。
なお、フィルム貼り付け装置30は、ダイボンドフィルム6の貼り付け前、即ち前記図11に示す状態にあるものとし、便宜上、この状態をフィルム貼り付け装置30の初期状態とする。
当該フィルム貼り付け装置30を用いて、ウェハの裏面にダイボンドフィルム6を貼り付ける場合、前記図11に示すように、ウェハ搬送ロボット35が、第1のウェハケース31に収納されているウェハ1を、当該第1のウェハケース31から取り出し、ウェハセンタリング装置33へと搬送する。
当該ウェハ1の第一の主面(表面)には、これより前の工程に於いて表面保護テープが貼り付けられている。また、当該ウェハ1は、第1のウェハケース31にその裏面を上に収納されている。
ウェハ搬送ロボット35は、かかる状態のウェハ1を取り出し、その裏面を上とした状態のまま搬送する。
ウェハセンタリング装置33では、搬送されてきたウェハ1のセンタリング(中心出し)処理が行われる。かかるセンタリング処理を行うことにより、後の工程に於いて当該ウェハ1とこれに貼り付けられるテープ材の幅方向の中心とを一致させることが可能とされる。これにより、貼り付けられたテープ材をウェハ1の外形に沿って切断する際、当該ウェハ1の外形と一致する高精度の切断を可能とする。
次いで、ウェハ搬送ロボット35は、ウェハセンタリング装置33に於いてセンタリング処理がなされたウェハ1を、フィルム貼り付けテーブル34上に載置された際にその裏面が上になるように、当該フィルム貼り付けテーブル34上へ搬送する。かかる状態を、図12に示す。
その後、ウェハ搬送ロボット35は、図13に示すように、再び第1のウェハケース31の位置まで戻り、次に処理すべきウェハ1の搬送準備に入る。
一方、前記フィルム貼り付けテーブル34にあっては、図14に示すように、被処理ウェハ1の裏面へのダイボンドフィルム6の貼り付け処理が行われる。
当該ダイボンドフィルム6は、ウェハ1の最大径(直径)よりも大なる幅を有している。
そして、当該ウェハ1の中心と、ダイボンドフィルム6の幅方向の中心とを一致させて、両者は貼り付けられる。
かかるダイボンドフィルム6の貼り付け時には、フィルムセットローラ9aがフィルム送出ローラ40aの側に移動し、これに追随してフィルム貼り付け用レーザ照射装置38およびフィルム貼り付けローラ9bが移動する。
これにより、ダイボンドフィルム6は、移動するフィルムセットローラ9aによってウェハ1に押圧されながら、その後ろを移動するフィルム貼り付け用レーザ照射装置38に於けるレーザ光7が照射されてその被照射部分が溶融され、更にその後を移動するフィルム貼り付けローラ9bにより押圧されてウェハ1に貼り付けられていく。
当該ダイボンドフィルム6のウェハ1への貼り付け処理の間、図14に示される様に、前記ウェハ搬送ロボット35は、第1のウェハケース31から次に処理すべきウェハ1を取り出し、ウェハセンタリング装置33へ搬送し、当該ウェハセンタリング装置33は、搬送されてきたウェハ1のセンタリングを行う。
当該ウェハセンタリング装置33の稼働中、前記ウェハ搬送ロボット35は、ダイボンドフィルム6貼り付け後、フィルム貼り付けテーブル34上にあるウェハ1を搬送するため、フィルム貼り付けテーブル34の近傍で待機する。
ウェハ1の全面にダイボンドフィルム6の貼り付けが行われると、フィルム貼り付けローラ9bおよびフィルム貼り付け用レーザ照射装置38は、図15に示すように、フィルム固定ローラ41の側へと退避・移動する。
かかる状態に於いて、フィルムカット用レーザ照射装置39から、ダイボンドフィルム6の貼り付け後のウェハ1の外形に沿ってレーザ光42が照射され、当該ダイボンドフィルム6はウェハ1の外形に沿って切断されて、ウェハ1の裏面に貼り付けられたダイボンドフィルムは帯状部から分離される。
次いで、フィルムカット用レーザ照射装置39を初期状態の位置まで退避させた後、ウェハ搬送ロボット35が、フィルム貼り付けテーブル34上のウェハ1即ちその裏面にダイボンドフィルム6が貼り付けられたウェハ1を、第2のウェハケース32へ搬送する。
そして、フィルムセットローラ9aがフィルム固定ローラ41の側へ移動して初期状態の位置に戻り、ダイボンドフィルム6がフィルム送出ローラ40aからフィルム巻き取りローラ40bへ巻き取られると、フィルム貼り付け装置30は、前記図12に示した状態となり、ウェハセンタリング装置33に於いてセンタリング処理がなされている次のウェハ1の搬送処理が可能になる。
以降、このような処理を、処理すべきウェハ1の枚数に対応して繰り返し行う。
この様に、第1の実施の形態にあっては、ダイボンドフィルム6をフィルムセットローラ9aおよびフィルム貼り付けローラ9bによってウェハ1に押圧し、フィルムセットローラ9aおよびフィルム貼り付けローラ9bの間の領域にレーザ光7を照射する。
そして、フィルムセットローラ9aの移動と共にレーザ光7を移動させ、更にこれらに追随するようにフィルム貼り付けローラ9bを移動させることにより、レーザ光7が照射されたダイボンドフィルム6の溶融部分を当該フィルム貼り付けローラ9bによってウェハ1に押圧して、ダイボンドフィルム6をウェハ1に貼り付けていく。
これにより、ウェハ1をヒータ等で全面加熱したときのような表面保護テープ2の熱膨張或いは熱収縮等の発生を回避して、ウェハ1にダイボンドフィルム6を均一に貼り付けることが可能になる。
次に、第2の実施の形態について説明する。
当該第2の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を図17に示す。
なお、図17にあっては、前記図8に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は省略する。
本実施の形態に於けるダイボンドフィルム6の貼り付け方法にあっては、ダイボンドフィルム6のレーザ光被照射部分に対するウェハ1上への押圧を、当該ダイボンドフィルム6のレーザ光被照射部分に対してガスを吹き付けることにより行う。
即ちレーザ光7は、所定のレンズ8aを介して所定の照射形状に調整されてダイボンドフィルム6上に照射されるが、当該レンズ8aは、レーザ光7の照射形状に応じた開口部50aを備えるノズル50に保持されている。
本実施の態様にあっては、当該ノズル50にガス導入孔51を配設し、当該ガス導入孔51からガスを圧入して、ノズル50の先端部からダイボンドフィルム6のレーザ光被照射部分に吹き付ける。
これにより、表面保護テープ2が貼り付けられたバックグラインド後のウェハ1裏面へのダイボンドフィルム6の貼り付けの際、ダイボンドフィルム6がレーザ光7のスキャン方向へ移動するフィルムセットローラ9aによってウェハ1の裏面に押し付けられ、その直後の領域に対してレーザ光7が照射されると共に、その照射部分にノズル50からガス(窒素ガス、或いは窒素と酸素との混合物ガス)が噴出される。
すなわち、ダイボンドフィルム6は、レーザ光7の照射によって溶融されながら、ノズル50から吹き付けられるガスによってウェハ1の裏面に押圧され、当該ウェハ1の裏面に貼り付けられる。
このようなダイボンドフィルム6の貼り付け方法を用いても、前記第1の実施の形態同様、表面保護テープ2の熱膨張等の発生を回避して、ウェハ1裏面にダイボンドフィルム6を均一に貼り付けることが可能になる。
なお、この第2の実施の形態に於けるレーザ光照射/押圧方法は、前記第1の実施の形態で述べたフィルム貼り付け装置30に於けるレーザ光7のスキャン方法およびレーザ光学系20に適用することができる。
即ち、前記第1の実施の形態に於けるフィルム貼り付け装置30の、フィルムセットローラ9a、フィルム貼り付けローラ9b、およびフィルム貼り付け用レーザ照射装置38を用いたダイボンドフィルム6の貼り付け機構を、図17に示した第2の実施の形態を利用したものに変更し、フィルム貼り付け装置を構成することが可能である。
この時、ダイボンドフィルム6のウェハ1裏面への貼り付け部以外の部分(ウェハ1の取り出し、搬送、収納等)については、上記のフィルム貼り付け装置30と同様の処理を行うことが可能である。
尚、本第2の実施の形態にあっては、レーザ光7の照射部分にノズル50からガスを吹き付けるため、レーザ光7の照射条件を設定する際には、ダイボンドフィルム6の材質等のほか、ガスの吹き付けによるダイボンドフィルム6の温度低下を考慮して条件を設定する必要がある。
次に、第3の実施の形態について説明する。
当該第3の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を図18に示す。
なお、図18では、前記図8に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は省略する。
本実施の形態に於けるダイボンドフィルム6の貼り付け方法にあっては、ダイボンドフィルム6のレーザ光被照射部分に対するウェハ1上への押圧を、ガラス板などの光透過性平板を用いて行う。
即ち、図18に示されるように、その上面に表面保護テープ2が貼り付けられた被処理ウェハ1は、当該表面保護テープ2側を下にして容器60に収容され、当該被処理ウェハ1の裏面にダイボンドフィルム6が載置された状態とされる。
かかる状態に於いて、容器60上に、アクリロニトリルブタジエンゴム(NBR)等からなるパッキン61を介してガラス板62が載置される。
尚、容器60は、パッキン61を介してガラス板62が載置された状態に於いて、その内部を減圧或いは復圧するための排気/導入ライン60aを具備する。
そして、当該容器60の深さは、前記パッキン61を介してガラス板62により封止した状態に於いて、排気/導入ライン60aを介しての吸引によってガラス板62が吸引された際、当該ガラス板62によってダイボンドフィルム6がウェハ1に対して押圧される深さに設定される。
しかる後、排気/導入ライン60aを通して容器60内を減圧・排気して、容器60内部を低圧雰囲気とする。かかる減圧処理により、ガラス板62が容器60側に吸引され、これによりダイボンドフィルム6がウェハ1の裏面に押圧される。
この状態に於いて、レンズ8aを介して所定の形状とされたレーザ光7を、当該ガラス板62を透過させてダイボンドフィルム6に照射する。これにより、ダイボンドフィルム6の被照射部分が加熱溶融され、且つこの時ガラス板62により押圧されていることにより、当該ダイボンドフィルム6はウェハ1の裏面に貼り付けられる。
この時、前記第1の実施の形態に於けるスキャン方法およびレーザ光学系20を用い、照射形状が長方形とされたレーザ光7を、ウェハ1の一端からその中心を通過して他方の端部までにスキャンさせる。
かかる手段によるウェハ1の裏面へのダイボンドフィルム6の貼り付け後、前記排気/導入ライン60aを通しての排気を停止し、容器60内部に所定のガス圧を復圧し、しかる後ガラス板62を外してダイボンドフィルム6が貼り付けられたウェハ1を取り出す。
引き続き処理を行う場合には、次に処理すべきウェハ1を容器60内に収容し、同様の手順でダイボンドフィルム6の貼り付けを行う。
このようなダイボンドフィルム6の貼り付け方法を用いても、前記第1の実施の形態同様、表面保護テープ2の熱膨張等の発生を回避して、ウェハ1の裏面にダイボンドフィルム6を均一に貼り付けることが可能である。
次に、第4の実施の形態について説明する。
前記第1乃至第3の実施の形態にあっては、レーザ光7のウェハ1上での照射形状を、細くかつウェハ1の直径よりも長い長方形として移動(スキャン)することにより、最終的にウェハ1の全面に照射する場合について述べたが、当該レーザ光7の照射形状および/或いはスキャン方法は、これに限定されるものではない。
本実施の形態は、当該レーザ光の移動(スキャン)方法の変形例を示すものであり、図19は当該レーザスキャン方法の変形例を示す。
本実施の形態4にあっては、レーザ光はその照射形状が円形あるいは矩形のスポット形状とされ、図19に矢印S2で示すように、並行して往復する形態、或いはジグザグ状の形態をもってダイボンディングフィルム上をスキャンされる。
このようなスポット状のレーザ光7Sのスキャン法によっても、最終的にはレーザ光7Sをウェハ1上のダイボンディングフィルム全面に照射することが可能である。
このようにレーザ光7Sの照射形状をスポット状として照射した場合には、前記第1乃至第3の実施の態様の如く細長い長方形を有する照射形状を適用した場合に比して、レーザ光7Sの照射面積をより小とすることができる。従って、表面保護テープ2の熱膨張等を、いっそう効果的に回避することができる。
このようなスポット状のレーザ光7Sのスキャン方法は、前記第1乃至第3の実施の形態に示したダイボンドフィルム6の貼り付けにそのまま適用することも可能であるが、必要に応じてフィルムセットローラ9aの移動方法等について変更を加えた上で適用することも可能である。
このようなスポット状レーザ光7Sをスキャンする方法を採用する場合にも、その照射条件をダイボンドフィルム6の材質等に応じて適当に設定することが可能である。
尚、このようにスポット状レーザ光7Sの照射の際にも、少なくともその進行方向に沿って当該レーザ光の前後にガス(窒素ガス、或いは窒素と酸素との混合物ガス)を噴出する。すなわち、ダイボンドフィルム6は、吹き付けられるガスによってウェハ1の裏面に押圧されつつ、レーザ光7Sの照射によって溶融されて、当該ウェハ1の裏面に貼り付けられる。
当該ガスは、前記第2の実施の形態と同様に、レーザ光放射ノズル部の外周にその設けられるガス排出部、又は当該レーザ光放射ノズル部から分離して設けられたガス排出部から、或いはウェハ1の裏面全体への噴出などにより、被処理ウェハ1方向に噴出される。吹き付けられるガスによってダイボンドフィルム6の溶融部はウェハ1の裏面に押圧され、当該ウェハ1の裏面に貼り付けられる。
以上説明したように、本発明の実施の形態にあっては、熱可塑性のダイボンドフィルム6の貼り付けにレーザ光7を適用し、当該レーザ光7を照射してダイボンドフィルム6を選択的に溶融し、それをウェハ1に押し付けることによって貼り付ける。
これにより、ウェハ1が薄く加工されてその強度が低下しているような場合であっても、ダイボンドフィルム6を貼り付ける際のウェハ1の破損を回避することが可能となり、半導体装置を歩留まり良く製造することが可能になる。
尚、以上の説明では、ウェハ1へのダイボンドフィルム6の貼り付けを例にして述べたが、ダイボンドフィルム6に限らず、種々のフィルムの貼り付けにも同様に適用可能である。また、ウェハ1に限らず、種々の基板へのフィルムの貼り付けにも同様に適用可能である。
(付記1) 被処理基板上にフィルム体を配置し、前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射して前記フィルム体を選択的に溶融し、溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して、前記フィルム体を前記被処理基板に貼り付けることを特徴とするフィルム貼り付け方法。
(付記2) 一方の主面が第1のフィルム体により被覆された被処理基板の他方の主面に第2のフィルム体を配置し、前記第2のフィルム体に選択的にレーザ光を照射して前記第2フィルム体を選択的に溶融し、溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して、前記第2のフィルム体を前記被処理基板に貼り付けることを特徴とするフィルム貼り付け方法。
(付記3) 前記被処理基板が半導体基板であることを特徴とする付記1または2記載のフィルム貼り付け方法。
(付記4) 前記被処理基板の一方の主面に被覆される前記第1のフィルム体が、表面保護フィルムであることを特徴とする付記2記載のフィルム貼り付け方法。
(付記5) 前記被処理基板の他方の主面に貼り付けられる前記第2のフィルム体が、ダイボンディングフィルムであることを特徴とする付記2記載のフィルム貼り付け方法。
(付記6) 前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して前記被処理基板に貼り付ける際に、前記溶融状態にあるフィルム体部分にガスを吹き付けながら行うことを特徴とする付記1または2記載のフィルム貼り付け方法。
(付記7) 前記レーザ光を照射する際には、
前記レーザ光を前記被処理基板上でスキャンしながら照射していくことを特徴とする付記1または2記載のフィルム貼り付け方法。
(付記8) 前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧する際には、
ローラを用いて前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧することを特徴とする付記1または2記載のフィルム貼り付け方法。
(付記9) 前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧する際には、
ガラス板を用いて前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧することを特徴とする付記1または2記載のフィルム貼り付け方法。
(付記10) 被処理基板上に配置されたフィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段と、
前記被処理基板に押圧された前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射する手段と、
前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段と、
を有することを特徴とするフィルム貼り付け装置。
(付記11) 前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段は、前記フィルム体の前記レーザ光の照射部分にガスを吹き付ける手段であることを特徴とする付記10記載のフィルム貼り付け装置。
(付記12) 前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段は、前記フィルム体の前記レーザ光の照射部分をローラで押圧する手段であることを特徴とする付記10記載のフィルム貼り付け装置。
(付記13) 前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段は、前記フィルム体の前記レーザ光の照射部分をガラス板で押圧する手段であることを特徴とする付記10記載のフィルム貼り付け装置。
(付記14) 半導体基板の一方の主面に複数個の半導体素子を形成する工程と、
前記一方の主面に表面保護テープを被着する工程と、
前記半導体基板を他方の主面より研削してその厚さを減ずる工程と、
前記半導体基板の他方の主面にダイボンディングフィルムを被着する工程と、
前記半導体基板の一方の主面から前記表面保護テープを除去する工程と、
前記半導体基板を切断・分離して前記半導体素子を個片化する工程と、
を有し、
前記半導体基板の他方の主面に前記ダイボンディングフィルムを被着する際、前記半導体基板上に配置された前記ダイボンディングフィルムに対してレーザ光を選択的に照射・加熱して、被加熱部を前記半導体基板に貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記15) 前記レーザ光の照射領域の少なくとも前後に於いて、前記ボンディングフィルムを前記半導体基板に押圧しつつ、前記レーザ光を照射することを特徴とする付記14記載の半導体装置の製造方法。
(付記16) 前記半導体基板上に配置された前記ダイボンディングフィルムに対して前記レーザ光を選択的に照射・加熱する際には、
前記レーザ光を前記半導体基板上でスキャンしながら照射していくことを特徴とする付記14記載の半導体装置の製造方法。
(付記17) 前記被加熱部を前記半導体基板に貼り付ける際には、
ローラを用いて前記被加熱部を前記半導体基板に押圧し、前記被加熱部を前記半導体基板に貼り付けることを特徴とする付記14記載の半導体装置の製造方法。
(付記18) 前記被加熱部を前記半導体基板に貼り付ける際には、
ガラス板を用いて前記被加熱部を前記半導体基板に押圧し、前記被加熱部を前記半導体基板に貼り付けることを特徴とする付記14記載の半導体装置の製造方法。
第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程フローを示す図である。 表面保護テープ貼り付け工程を示す図である。 バックグラインド工程を示す図である。 ダイボンドフィルム貼り付け工程を示す図である。 表面保護テープ剥離工程およびダイシングテープ貼り付け工程を示す図である。 ダイシング工程を示す図である。 ダイボンディング工程を示す図である。 第1の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を示す図である。 レーザスキャン方法の一例を示す図である。 レーザ光学系の一例を示す図である。 フィルム貼り付け装置の構成を示す図である。 フィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図(その1)である。 フィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図(その2)である。 フィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図(その3)である。 フィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図(その4)である。 フィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図(その5)である。 第2の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を示す図である。 第3の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を示す図である。 レーザスキャン方法の変形例を示す図である。 従来の熱可塑性のダイボンドフィルムの貼り付け方法を示す図である。
符号の説明
1 ウェハ
2 表面保護テープ
3 ローラ
4 テーブル
5 砥石
6 ダイボンドフィルム
7,7S,42 レーザ光
8,20 レーザ光学系
8a レンズ
9a フィルムセットローラ
9b フィルム貼り付けローラ
10 テープフレーム
11 ダイシングテープ
12 リムーブテープ
13 ダイシングブレード
14 半導体素子
15 チャック
16 支持基板
16A アイランド部
21,36 レーザ発振器
22 円筒面平凹レンズ
23 線状マスク
24 円筒面平凸レンズ
30 フィルム貼り付け装置
31 第1のウェハケース
32 第2のウェハケース
33 ウェハセンタリング装置
34 フィルム貼り付けテーブル
35 ウェハ搬送ロボット
37a,37b 光ファイバ
38 フィルム貼り付け用レーザ照射装置
39 フィルムカット用レーザ照射装置
40a フィルム送出ローラ
40b フィルム巻き取りローラ
41 フィルム固定ローラ
50 ノズル
50a 開口部
51 ガス導入孔
60 容器
60a 排気/導入ライン
61 パッキン
62 ガラス板

Claims (10)

  1. 被処理基板上にフィルム体を配置し、前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射して前記フィルム体を選択的に溶融し、溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して、前記フィルム体を前記被処理基板に貼り付けることを特徴とするフィルム貼り付け方法。
  2. 一方の主面が第1のフィルム体により被覆された被処理基板の他方の主面に第2のフィルム体を配置し、前記第2のフィルム体に選択的にレーザ光を照射して前記第2のフィルム体を選択的に溶融し、溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して、前記第2のフィルム体を前記被処理基板に貼り付けることを特徴とするフィルム貼り付け方法。
  3. 前記被処理基板が半導体基板であることを特徴とする請求項1または2記載のフィルム貼り付け方法。
  4. 前記被処理基板の一方の主面に被覆される前記第1のフィルム体が、表面保護フィルムであることを特徴とする請求項2記載のフィルム貼り付け方法。
  5. 前記被処理基板の他方の主面に貼り付けられる前記第2のフィルム体が、ダイボンディングフィルムであることを特徴とする請求項2記載のフィルム貼り付け方法。
  6. 前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して前記被処理基板に貼り付ける際に、前記溶融状態にあるフィルム体部分にガスを吹き付けながら行うことを特徴とする請求項1または2記載のフィルム貼り付け方法。
  7. 被処理基板上に配置されたフィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段と、
    前記被処理基板に押圧された前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射する手段と、
    前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段と、
    を有することを特徴とするフィルム貼り付け装置。
  8. 前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段は、前記フィルム体の前記レーザ光の照射部分にガスを吹き付ける手段であることを特徴とする請求項7記載のフィルム貼り付け装置。
  9. 半導体基板の一方の主面に複数個の半導体素子を形成する工程と、
    前記一方の主面に表面保護テープを被着する工程と、
    前記半導体基板を他方の主面より研削してその厚さを減ずる工程と、
    前記半導体基板の他方の主面にダイボンディングフィルムを被着する工程と、
    前記半導体基板の一方の主面から前記表面保護テープを除去する工程と、
    前記半導体基板を切断・分離して前記半導体素子を個片化する工程と、
    を有し、
    前記半導体基板の他方の主面に前記ダイボンディングフィルムを被着する際、前記半導体基板上に配置された前記ダイボンディングフィルムに対してレーザ光を選択的に照射・加熱して、被加熱部を前記半導体基板に貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 前記レーザ光の照射領域の少なくとも前後に於いて、前記ボンディングフィルムを前記半導体基板に押圧しつつ、前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
JP2006042135A 2006-02-20 2006-02-20 フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4514722B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006042135A JP4514722B2 (ja) 2006-02-20 2006-02-20 フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006042135A JP4514722B2 (ja) 2006-02-20 2006-02-20 フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法
TW95120596A TWI307129B (en) 2006-02-20 2006-06-09 Film bonding method, film bonding apparatus, and semiconductor device manufacturing method
KR1020060058544A KR100786158B1 (ko) 2006-02-20 2006-06-28 필름 접착 방법, 필름 접착 장치 및 반도체 장치의 제조방법
US11/475,998 US8016973B2 (en) 2006-02-20 2006-06-28 Film bonding method, film bonding apparatus, and semiconductor device manufacturing method
CN2006101000269A CN101026101B (zh) 2006-02-20 2006-06-28 膜接合方法、膜接合装置以及半导体器件制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007221034A JP2007221034A (ja) 2007-08-30
JP4514722B2 true JP4514722B2 (ja) 2010-07-28

Family

ID=38428547

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006042135A Expired - Fee Related JP4514722B2 (ja) 2006-02-20 2006-02-20 フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8016973B2 (ja)
JP (1) JP4514722B2 (ja)
KR (1) KR100786158B1 (ja)
CN (1) CN101026101B (ja)
TW (1) TWI307129B (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010077597A2 (en) * 2008-12-08 2010-07-08 Fujifilm Dimatix, Inc. Wafer taping
DE102009017659A1 (de) * 2009-04-16 2010-10-28 Schott Ag Verfahren zur leitenden Verbindung eines Bauelementes auf einem transprenten Substrat
JP5457088B2 (ja) * 2009-06-25 2014-04-02 株式会社日立パワーソリューションズ ダイシングテープ用の真空貼付機
JP5497534B2 (ja) * 2010-05-21 2014-05-21 株式会社ディスコ テープ貼着装置
CN103168352B (zh) * 2010-08-20 2015-12-02 第一太阳能有限公司 胶带设置器
CN102319956B (zh) 2011-08-16 2015-04-22 北京博晖创新光电技术股份有限公司 膜动聚合物微流控芯片的基板与隔膜焊接方法
FR3013739B1 (fr) * 2013-11-28 2016-01-01 Valeo Vision Procede et dispositif de revetement de piece automobile
CN104096978B (zh) * 2014-06-26 2015-11-25 长春光华微电子设备工程中心有限公司 不锈钢芯片激光切割加工与贴膜装置
EP3098060A1 (en) * 2015-05-29 2016-11-30 Henkel AG & Co. KGaA Process and device for producing a laminate
KR20180135440A (ko) * 2016-01-27 2018-12-20 코닝 인코포레이티드 기판을 실온 결합시키기 위한 방법 및 장치
US10438922B2 (en) * 2016-06-06 2019-10-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for mounting components in semiconductor fabrication process
KR20210052592A (ko) 2016-10-26 2021-05-10 닛토덴코 가부시키가이샤 필름 적층체의 제조 방법
CN106935534B (zh) * 2017-04-28 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 封装装置及显示面板封装方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05206180A (ja) * 1990-04-27 1993-08-13 Internatl Business Mach Corp <Ibm> サーマル・ジョイント及びその製造方法及び電子アセンブリ
JPH0995649A (ja) * 1995-09-30 1997-04-08 Toppan Moore Co Ltd 感熱接着シートおよび接着活性方法
JPH0995657A (ja) * 1995-09-30 1997-04-08 Toppan Moore Co Ltd レーザ光吸収感熱接着剤および接着活性方法
JP2001303016A (ja) * 2000-04-25 2001-10-31 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物及びそれを用いた接着フィルム、接着方法
JP2002226822A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Three M Innovative Properties Co 光線活性化型接着フィルムを用いた基材接着方法
JP2003133395A (ja) * 2001-10-19 2003-05-09 Fujitsu Ltd 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2003181931A (ja) * 2001-12-21 2003-07-03 Yasuo Kurosaki 熱可塑性透明樹脂部材のレーザー接合方法
JP2003338467A (ja) * 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
JP2004050513A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Fine Device:Kk 樹脂フィルム間の接合方法
JP2004153193A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの処理方法
JP2004186240A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Fujitsu Ltd フィルム貼り付け装置及び方法、及び半導体装置の製造方法
JP2005123653A (ja) * 2005-01-20 2005-05-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd テープ貼付・剥離装置及びテープ貼付システム
JP2005216948A (ja) * 2004-01-27 2005-08-11 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および製造装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3769129A (en) * 1968-03-29 1973-10-30 Steel Corp Method of making an embossed composite sheet
JPH0450419B2 (ja) * 1984-07-09 1992-08-14 Nippon Oil Co Ltd
US4933042A (en) * 1986-09-26 1990-06-12 General Electric Company Method for packaging integrated circuit chips employing a polymer film overlay layer
US5316604A (en) * 1990-12-04 1994-05-31 Hexcel Corporation Process for the preparation of thermoplastic sandwich structures
DE19504967C2 (de) * 1995-02-15 2002-01-24 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Verbindung eines flexiblen Substrats mit einem Chip
KR970060401A (ko) * 1996-01-09 1997-08-12 김광호 반도체 웨이퍼 절단장치
US5746854A (en) * 1996-07-22 1998-05-05 Guardian Fiberglass, Inc. Method of making mineral fiber insulation batt impregnated with coextruded polymer layering system
US5847356A (en) * 1996-08-30 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Laser welded inkjet printhead assembly utilizing a combination laser and fiber optic push connect system
DE19751487A1 (de) * 1997-11-20 1999-06-02 Pac Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Verbindung von Anschlußflächen zweier Substrate
DK174275B1 (da) * 1998-01-29 2002-11-04 Thermoform As Fremgangsmåde til fremstilling af et plastvindue, samt et med fremgangsmåden fremstillet vindue
ES2200460T3 (es) * 1999-12-23 2004-03-01 Leister Process Technologies Procedimiento y dispositivo para el calentamiento de por lo menos dos elementos mediante rayos laser con elevada densidad de energia.
US6486433B2 (en) * 2001-01-11 2002-11-26 Branson Ultrasonics Corporation Transparent pressure bladder
KR100549796B1 (ko) * 2003-11-03 2006-02-08 주식회사 젯텍 레이저를 이용한 이방전도성필름 본딩 장치 및 방법

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05206180A (ja) * 1990-04-27 1993-08-13 Internatl Business Mach Corp <Ibm> サーマル・ジョイント及びその製造方法及び電子アセンブリ
JPH0995649A (ja) * 1995-09-30 1997-04-08 Toppan Moore Co Ltd 感熱接着シートおよび接着活性方法
JPH0995657A (ja) * 1995-09-30 1997-04-08 Toppan Moore Co Ltd レーザ光吸収感熱接着剤および接着活性方法
JP2001303016A (ja) * 2000-04-25 2001-10-31 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物及びそれを用いた接着フィルム、接着方法
JP2002226822A (ja) * 2001-01-30 2002-08-14 Three M Innovative Properties Co 光線活性化型接着フィルムを用いた基材接着方法
JP2003133395A (ja) * 2001-10-19 2003-05-09 Fujitsu Ltd 半導体基板用治具及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2003181931A (ja) * 2001-12-21 2003-07-03 Yasuo Kurosaki 熱可塑性透明樹脂部材のレーザー接合方法
JP2003338467A (ja) * 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
JP2004050513A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Fine Device:Kk 樹脂フィルム間の接合方法
JP2004153193A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの処理方法
JP2004186240A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Fujitsu Ltd フィルム貼り付け装置及び方法、及び半導体装置の製造方法
JP2005216948A (ja) * 2004-01-27 2005-08-11 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および製造装置
JP2005123653A (ja) * 2005-01-20 2005-05-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd テープ貼付・剥離装置及びテープ貼付システム

Also Published As

Publication number Publication date
CN101026101A (zh) 2007-08-29
KR20070083156A (ko) 2007-08-23
CN101026101B (zh) 2010-05-12
US20070196588A1 (en) 2007-08-23
KR100786158B1 (ko) 2007-12-21
US8016973B2 (en) 2011-09-13
TWI307129B (en) 2009-03-01
JP2007221034A (ja) 2007-08-30
TW200733259A (en) 2007-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4514722B2 (ja) フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法
US7666760B2 (en) Method of dividing wafer
JP4777761B2 (ja) ウエーハの分割方法
JP4505789B2 (ja) チップ製造方法
JP2007134510A (ja) ウェーハマウンタ装置
JP2005260154A (ja) チップ製造方法
JP2006245209A (ja) 半導体チップの製造方法
KR20200099980A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2020136405A (ja) ウェーハの加工方法
JP2020136404A (ja) ウェーハの加工方法
JP2020115503A (ja) ウェーハの加工方法
JP2020115504A (ja) ウェーハの加工方法
KR20200099979A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2020136408A (ja) ウェーハの加工方法
KR20200052832A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR20210055593A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2020136407A (ja) ウェーハの加工方法
KR20200043282A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR20200089603A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2020136406A (ja) ウェーハの加工方法
JP2020136371A (ja) ウェーハの加工方法
JP2020115506A (ja) ウェーハの加工方法
JP2020136372A (ja) ウェーハの加工方法
JP2020115507A (ja) ウェーハの加工方法
JP2020115510A (ja) ウェーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20080729

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081105

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100430

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100511

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100511

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4514722

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140521

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees