KR100582056B1 - 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법 - Google Patents

박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100582056B1
KR100582056B1 KR1020040051957A KR20040051957A KR100582056B1 KR 100582056 B1 KR100582056 B1 KR 100582056B1 KR 1020040051957 A KR1020040051957 A KR 1020040051957A KR 20040051957 A KR20040051957 A KR 20040051957A KR 100582056 B1 KR100582056 B1 KR 100582056B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin chip
chip
pin
thin
release
Prior art date
Application number
KR1020040051957A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060003158A (ko
Inventor
김군우
김희석
전종근
신화수
이정웅
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040051957A priority Critical patent/KR100582056B1/ko
Priority to US11/153,750 priority patent/US20060003491A1/en
Publication of KR20060003158A publication Critical patent/KR20060003158A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100582056B1 publication Critical patent/KR100582056B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape

Abstract

본 발명은 박형 칩 분리 장치에 관한 것으로, 1차로 탄성을 갖는 이형핀으로 자외선 테이프에서 박형 칩을 분리한 이후에, 2차로 박형 칩 크기에 대응되는 상부면을 갖는 이형판을 박형 칩의 하부면에 밀착시켜 박형 칩의 휨을 보상하는 박형 칩 분리 장치를 제공한다.
따라서 탄성을 갖는 이형핀이 자외선 테이프에서 박형 칩을 분리할 때 완충 작용을 하기 때문에, 이형핀이 박형 칩에 작용하는 기계적인 충격을 최소화할 수 있다. 그리고 이형핀으로 박형 칩을 분리한 이후에 칩 이송기와 이형핀으로 지지되는 박형 칩의 하부면으로 이형판이 상승하여 박형 칩을 사이에 두고 칩 이송기와 이형판이 밀착되면서 박형 칩의 하부면을 진공 흡착하기 때문에, 이형핀에 의해 분리된 박형 칩의 휨을 보상할 수 있다. 또한 이형판을 박형 칩의 하부면에 밀착시킴으로써, 이형핀 주위에 집중되는 기계적인 스트레스를 박형 칩 하부면 전체로 분산하는 효과도 있다. 이런 이유로 80㎛ 이하의 두께를 갖는 박형의 웨이퍼에 대한 칩 분리 및 접착 공정의 작업성을 확보할 수 있다.
박형 칩, 분리, 이형, 다이 접착, 휨

Description

박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법{Apparatus for ejecting thin chip and method for ejecting thin chip using the same}
도 1은 칩 접착 공정을 진행하기 위해서 종래의 칩 분리 장치로 자외선 테이프에서 박형 칩을 분리하는 상태를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박형 칩 분리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 3-3선 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 이형핀을 보여주는 부분 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 박형 칩 분리 장치를 이용하여 자외선 테이프에서 박형 칩을 분리하는 단계를 보여주는 도면들로서,
도 5는 웨이퍼가 웨이퍼 테이블로 이송된 상태를 보여주는 평면도이고,
도 6은 진공 홀더로 분리할 박형 칩 아래의 자외선 테이프를 흡착하는 상태를 보여주는 단면도이고,
도 7은 이형핀으로 자외선 테이프에서 박형 칩을 분리하는 단계를 보여주는 단면도이고,
도 8은 이형판이 상승하여 분리된 박형 칩의 하부면에 밀착되는 단계를 보여주는 단면도이고,
도 9는 칩 이송기에 의해 분리된 박형 칩을 이송하는 단계를 보여주는 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
20 : 웨이퍼 21 : 웨이퍼 링
22 : 박형 칩 23 : 자외선 테이프
50 : 박형 칩 분리 장치 51 : 진공 홀더
52 : 듀얼 이형부 53 : 이형핀
54 : 핀 고정판 55 : 진공 노즐
57 : 이형판 58 : 진공 흡착 구멍
59 : 핀 설치 구멍 60 : 칩 이송기
70 : 웨이퍼 테이블
본 발명은 웨이퍼에서 박형 칩을 분리하는 박형 칩 분리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼에서 박형 칩을 분리하는 과정에서 박형 칩에 작용하는 기계적인 충격을 최소화하고 휨을 보상하여 자외선 테이프에서 박형 칩을 분리할 수 있는 박형 칩 분리 장치에 관한 것이다.
일반적인 반도체 웨이퍼는 평면이기 때문에, 한 평면내에 반도체 칩의 집적도를 향상시키는 데 한계가 있고, 집적도를 향상시키는 데도 많은 설비투자가 필요한 실정이다. 따라서, 최근 반도체 패키지의 고집적화를 위하여 많은 업체들 및 학계에서 고밀도 3차원 칩, 3차원 패키지의 적층 방법을 연구하고 있다. 즉, 반도 체 웨이퍼를 개별 반도체 칩으로 절단한 이후에 집적도를 높이는 방법을 연구하고 있다.
여기서 복수개의 단위 패키지를 3차원으로 적층하여 제조된 3차원 적층 패키지는 고집적화를 이룰 수 있는 반면에, 두께가 두꺼워 반도체 제품의 경박단소화에 대한 대응성이 떨어지는 문제점을 안고 있다. 반면에, 복수개의 반도체 칩을 3차원으로 적층하여 제조된 3차원 적층 칩 패키지는 고집적화를 이룰 수 있는 동시에 반도체 제품의 경박단소화에 대한 대응성도 뛰어나다.
적층 칩 패키지에서 패키지의 두께를 줄이면서 보다 많은 반도체 칩을 적층하기 위해서는 두께가 얇은 박형의 반도체 칩(이하, '박형 칩'이라 한다)이 요구된다. 하지만 박형 칩의 두께가 얇아질수록 취급하는 과정에서 박형 칩에 기계적인 충격이 가해져 금이 가거나 깨지는 불량이 발생하고 있는 실정이다. 이와 같은 불량은 패키지 제조 공정 중 칩 접착 공정을 진행할 때 주로 발생된다.
칩 접착 공정은 크게 웨이퍼에서 박형 칩을 분리하는 공정과, 분리된 박형 칩을 배선기판에 접착하는 공정으로 나눌 수 있다.
박형 칩(22)을 종래기술에 따른 칩 분리 장치(10)로 자외선 테이프(23)에서 분리하는 방법은, 도 1에 도시된 바와 같이, 이형핀(13)을 이용하여 자외선 테이프(23)에서 칩 접착 공정을 진행할 박형 칩(22)을 분리한다. 즉, 자외선 테이프(23)의 배면 아래에 설치된 진공 홀더(11; vacuum holder)가 자외선 테이프(23)를 진공 흡착한 상태에서, 진공 홀더(11)에 설치된 이형핀(13)이 상승하면서 박형 칩(22)을 밀어 자외선 테이프(23)에서 분리하게 된다.
한편 전기적 특성 검사(electrical die sorting; EDS)가 완료된 웨이퍼(20)에 대한 절단 공정 전에, 웨이퍼(20) 상의 박형 칩(22)의 이탈을 방지하기 위해 웨이퍼(20) 뒷면에 접착 테이프를 부착하는 공정을 진행하게 되는데, 접착 테이프로 자외선 테이프(23)가 많이 사용되고 있다. 자외선 테이프(23)가 부착된 웨이퍼(20)를 각각의 개별 박형 칩(22)으로 분리시키기 위해서 웨이퍼(20)의 스크라이브 라인(scribe line)을 따라서 절단하게 된다. 그리고 칩 접착 장치의 웨이퍼 테이블로 투입하기 전에 자외선 테이프(23)에 자외선을 조사(照射)하여 자외선 테이프(23)와 박형 칩(22) 사이의 접착력을 떨어뜨리는 공정을 진행한다. 따라서 이형핀(13)에 의해 자외선 테이프(23)에 부착된 박형 칩(22)이 분리된다. 경우에 따라서 자외선 테이프의 상부면에 칩 접착용 접착층을 형성하여 박형 칩과 함께 접착층을 분리할 수 있다. 이 경우 자외선 테이프에 자외선을 조사하게 되면, 접착층과 자외선 테이프 사이에서 박리가 이루어진다.
그런데 자외선 테이프(23)의 접착력이 자외선 조사를 하더라도 소정의 접착력은 그대로 유지하고 있다. 물론 두께가 두꺼운 반도체 칩의 경우는 문제가 되지 않지만 두께가 80㎛ 이하인 박형 칩(22)의 경우에는 문제가 달라진다. 즉, 자외선 테이프(23)와 접착력을 유지하고 있는 박형 칩(22)을 이형핀(13)으로 분리하는 과정에서 이형핀(13)이 박형 칩(22)에 가하는 기계적인 충격에 의해 박형 칩(22)이 자외선 테이프(23)에서 분리되는 과정에서 금이가거나 깨지는 불량이 발생될 수 있다. 즉, 이형핀들(13)은 핀 고정판(14)에 고정 설치되며, 핀 고정판(14)의 상승에 의해 박형 칩(22)을 위로 밀어주는 방식으로 자외선 테이프(23)에서 분리하게 되는 데, 이형핀(13)과 박형 칩(22) 사이에는 별도의 완충 수단 없이 이형핀(13)이 직접 박형 칩(22)에 기계적인 충격을 작용하게 된다. 아울러 이형핀(13)으로 박형 칩(22)을 밀어줄 때 박형 칩(22) 상부에 칩 이송기(30)가 밀착된 상태를 유지하기 때문에, 이형핀(13)이 접촉하는 박형 칩(22)의 하부면 부분에 기계적인 스트레스가 집중된다. 따라서 박형 칩(22)이 자외선 테이프(23)에서 분리되는 과정에서 금이가거나 깨지는 불량이 발생될 수 있다.
그리고 박형 칩(22)은 두께가 얇기 때문에, 박형 칩(22)과 자외선 테이프(23)에 존재하는 접착력으로 인해, 박형 칩(22)이 자외선 테이프(23)에서 분리되면서 휨(warpage)이 발생된다. 이와 같이 휨이 발생된 박형 칩(22)을 배선기판에 그대로 접착할 경우, 배선기판에 접착된 박형 칩의 위치 정렬이 제대로 이루어지지 않아 결국 이후에 진행된 와이어 본딩 공정에서 불량이 발생될 수 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위해서, 등록실용신안공보 제194288호, 등록특허공보 제142152호, 등록특허공보 제206911호에 이형핀에 탄성을 제공하여 박형 칩 분리시 박형 칩에 작용하는 기계적인 스트레스를 완화하는 칩 분리 장치가 개시되어 있다.
물론 탄성을 갖는 이형핀을 사용함으로써 박형 칩 분리시 박형 칩에 작용하는 기계적인 스트레스는 어느 정도 완화할 수 있지만, 자외선 테이프에서 박형 칩이 분리될 때 자외선 테이프와 박형 칩 사이의 접착력으로 인해 발생되는 박형 칩의 휨 현상을 해소할 수 없었다.
특히 박형 칩의 두께가 얇아질수록 전술된 불량의 발생빈도는 증가할 것이 다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼에서 박형 칩을 분리하는 과정에서 박형 칩에 작용하는 기계적인 충격을 최소화하고 휨을 보상하여 자외선 테이프에서 박형 칩을 분리할 수 있는 박형 칩 분리 장치를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 박형 칩 분리 장치로서, 웨이퍼에서 분리할 박형 칩 주위의 자외선 테이프를 진공 흡착하는 진공 홀더와; 상기 진공 홀더의 중심 부분에 설치되며, 상기 박형 칩 보다는 작은 면적을 가지며, 소정의 높이로 상하 이동이 가능한 이형판과; 상기 이형판 아래에 설치되며 소정의 높이로 상하 이동이 가능한 핀 고정판과; 상기 이형판을 관통하여 하단이 핀 고정판에 설치되며, 탄성을 갖는 다수개의 이형핀;을 포함하며,
칩 이송기가 상기 박형 칩의 상부면에 밀착된 상태에서, 상기 핀 고정판의 상승에 의해 상기 이형핀이 상기 박형 칩의 하부면에 탄성적으로 접촉하여 상기 박형 칩을 자외선 테이프에서 분리한 다음, 상기 이형판이 상승하여 분리된 상기 박형 칩의 하부면에 밀착되어 상기 박형 칩의 휨을 보상하는 것을 특징으로 하는 박형 칩 분리 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 이형판에는 이형핀이 균일하게 내설될 수 있는 핀 설치 구멍이 형성되어 있다.
본 발명에 따른 이형판에는 핀 설치 구멍들의 외측에 다수개의 진공 흡착 구 멍이 형성되어 있다. 특히 이형판의 진공 흡착 구멍은 핀 설치 구멍 외측의 공간에 균일하게 형성하는 것이 바람직하다.
그리고 본 발명에 따른 이형핀은, 하단이 핀 고정판에 고정되며 소정의 내부 공간을 가지며 위쪽이 개방된 핀 홀더와, 핀 홀더 내에 삽입되어 구속된 탄성체와, 일부가 핀 홀더 내의 탄성체에 의해 탄성적으로 구속되며 상단부가 핀 홀더 밖으로 돌출되어 탄성체의 탄성력에 의해 상하로 이동하는 핀을 포함한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박형 칩 분리 장치(50)를 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2의 3-3선 단면도이다. 그리고 도 4는 본 발명에 따른 이형핀(53)을 보여주는 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 박형 칩 분리 장치(50)는 웨이퍼에서 분리할 박형 칩 주위의 자외선 테이프를 진공 흡착하는 진공 홀더(51)와, 진공 홀더(51)의 중심 부분에 설치되어 박형 칩을 자외선 테이프에서 분리하는 듀얼 이형부(52)를 포함한다. 듀얼 이형부(52)는 이형판(57), 핀 고정판(54) 그리고 이형핀(53)을 포함한다.
듀얼 이형부(52)에 대해서 구체적으로 설명하면, 이형판(57)은 이형핀(53)에 의해 분리된 박형 칩의 하부면에 밀착되어 칩 이송기와 함께 박형 칩의 휨을 보상하는 수단으로서, 진공 홀더(51)의 중심 부분에 설치되며, 박형 칩 보다는 작은 면적을 가지며, 소정의 높이로 상하 이동이 가능하다. 이형판(57)에는 이형핀(53)이 설치될 수 있는 다수개의 핀 설치 구멍(59)이 균일하게 형성되며, 핀 설치 구멍(59)의 주변에 진공 흡착 구멍(58)이 균일하게 형성되어 있다. 도면부호 55는 진공 흡착 구멍(58)에 진공을 걸어주는 진공 노즐을 나타낸다. 이때 진공 노즐(55)은 상하로 이동하는 핀 고정판(54)과 간섭되지 않도록 설치되며, 이형판(57)의 상하 이동시 함께 이동을 할 수 있도록 유연성을 갖고 있다.
이형핀(53)은 이형판의 핀 설치 구멍(59)에 각기 설치되며, 자외선 테이프에 부착된 박형 칩에 탄성적으로 접촉되면서 상부로 밀어 자외선 테이프에서 박형 칩을 분리한다. 이형핀(53)은 핀 홀더(53a)와, 핀 홀더(53a)에 내설되는 탄성체(53b) 및 핀(53c)을 포함한다. 핀(53c)의 상단은 핀 홀더(53b) 밖으로 돌출되며, 탄성체(53b)에 의해 소정의 탄성력을 갖는다. 즉, 핀 홀더(53a)는 하단이 핀 고정판(54)에 고정되며, 탄성체(53b)와 핀(53c)의 일부분이 내설될 수 있도록 소정의 내부 공간(53d)이 형성되어 있다. 탄성체(53b)는 핀 홀더(53a) 내에 삽입되어 구속되며 스프링이 주로 사용된다. 그리고 핀(53c)은 일부가 핀 홀더(53a) 내에 탄성체(53b)에 의해 탄성적으로 구속되며, 상단부가 핀 홀더(53a)밖으로 돌출되어 탄성체(53c)의 탄성력에 의해 상하로 이동이 가능하다. 즉, 이형핀(53)의 핀(53c)은 핀 홀더(53a)의 내부 공간(53d)으로 탄성적으로 삽입되거나 돌출되기 때문에, 자외선 테이프에서 박형 칩을 분리할 때 박형 칩에 작용하는 기계적인 스트레스를 최소화하면서 분리할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 박형 칩 분리 장치(50)를 이용하여 자외선 테이프(23)에서 박형 칩(22)을 분리하는 단계를 도 5 내지 도 9를 참조로 하여 구 체적으로 설명하겠다.
본 발명의 실시예에 따른 박형 칩(22)을 자외선 테이프(23)에서 분리하는 단계는, 도 5에 도시된 바와 같이, 개별 박형 칩(22)으로 분리된 웨이퍼(20)를 웨이퍼 테이블(70)에 제공하는 단계로부터 출발한다. 이때 웨이퍼(20)는 자외선 테이프(23)에 의하여 웨이퍼 링(21; wafer ring)에 부착되어 공급되며, 웨이퍼 절단 공정이 완료된 웨이퍼이다. 물론 자외선 테이프(23)에 자외선 조사 공정을 진행하여 자외선 테이프(23)와 웨이퍼(20) 사이의 접착력은 떨어진 상태이다. 웨이퍼(20)의 두께는 80㎛ 이하이다.
그리고 웨이퍼(20)는 웨이퍼 테이블(70)의 중심 부분에 형성된 빈 공간(72)에 노출되며, 빈 공간(72) 내부에는 자외선 테이프(23)에서 개별 박형 칩(22)을 분리하는 박형 칩 분리 장치(50)가 설치되어 있다.
다음으로 도 6에 도시된 바와 같이, 칩 접착 공정을 진행할 박형 칩(22)을 진공 홀더(51)로 흡착하는 단계가 진행된다. 즉, 진공 홀더(51)는 자외선 테이프(23) 아래에서 칩 접착 공정을 진행할 박형 칩(22) 아래로 이동하여 분리할 박형 칩(22)을 포함한 주위의 자외선 테이프(23) 부분을 진공 흡착한다. 칩 이송기(60)는 분리할 박형 칩(22)의 상부면에 밀착된다. 그리고 이형판(57)은 진공 노즐(55)을 통하여 진공 흡착 구멍(58)으로 진공을 걸어 분리할 박형 칩(22) 아래의 자외선 테이프(23)를 진공 흡착한다.
여기서 칩 이송기(60)를 분리할 박형 칩(22)의 상부면에 밀착시키는 이유는, 박형 칩(22)을 자외선 테이프(23)에서 분리하는 과정에서 박형 칩(22)의 위치가 틀 어지거나 자외선 테이프(23)에서 분리된 박형 칩(22)이 이형핀(53)에서 이탈하여 이웃하는 박형 칩 위로 떨어지는 불량을 방지하기 위해서이다.
다음으로 도 7에 도시된 바와 같이, 이형핀(53)이 상승하여 박형 칩(22) 아래의 자외선 테이프(23)를 밀어 자외선 테이프(23)에서 박형 칩(22)을 분리한다. 즉, 이형핀(53)은 이형핀(53)이 설치된 핀 고정판(54)의 상승에 의해 일괄적으로 상승하여 박형 칩(22)을 자외선 테이프(23)에서 분리한다.
이때 이형핀(53)은 탄성을 갖기 때문에, 박형 칩(22) 분리시 박형 칩(22)에 작용하는 기계적인 스트레스를 최소화하면서 자외선 테이프(23)에서 박형 칩(22)을 분리할 수 있다. 즉, 이형핀의 핀(도 4의 53c)이 박형 칩(22) 아래의 자외선 테이프(23)에 밀착된 상태에서 핀 고정판(54)이 상승하게 되면, 핀(도 4의 53c)이 핀 홀더(도 4의 53a) 안으로 소정의 길이만큼 수축되면서 박형 칩(22)에 작용하는 기계적인 스트레스를 완화하면서 박형 칩(22)을 위로 밀어주게 된다. 이때 박형 칩(22)의 상부면에 칩 이송기(60)가 밀착되어 있기 때문에, 탄성을 갖는 이형핀(53)에 의해 분리된 박형 칩(22)의 위치가 틀어지는 것을 방지할 수 있다. 그리고 칩 이송기(60) 또한 이형핀(53)이 상승하는 높이만큼 올라간다.
종래기술에서도 밝힌 바와 같이, 이형핀(53)이 탄성적으로 박형 칩(22)을 분리하더라도 자외선 테이프(23)에서 박형 칩(22)이 분리될 때 자외선 테이프(23)와 박형 칩(22) 사이의 접착력으로 인해 발생되는 박형 칩(22)의 휨 현상은 그대로 발생된다.
따라서 본 발명의 실시예에서는 박형 칩(22)의 휨을 보상하기 위해서, 도 8 에 도시된 바와 같이, 이형판(57)을 분리된 박형 칩(22)의 하부면에 밀착시키는 단계가 진행된다. 휨이 발생된 박형 칩(22)을 상부면에서는 칩 이송기(60)가, 하부면에서는 이형판(57)이 서로 맞물리면서 소정의 압력으로 박형 칩(22)을 가압하면서 진공 흡착하기 때문에, 박형 칩(22)의 휨을 보상할 수 있다. 즉, 휨이 발생된 박형 칩(22)을 평평하게 한다. 아울러 이형판(57)을 박형 칩(22)의 하부면에 밀착함으로써, 이형핀(53) 주위에 집중되는 기계적인 스트레스를 박형 칩(22) 하부면 전체로 분산하는 효과도 있다.
다음으로 도 9에 도시된 바와 같이, 이형핀(53)과 이형판(57)에 의해 자외선 테이프(23)에서 분리된 박형 칩(22)은 칩 이송기(60)에 의해 리드 프레임과 같은 배선기판으로 이송되어 칩 접착 공정이 진행된다. 이때, 칩 이송기(60)는 박형 칩(22)을 진공 흡착하면 진공 노즐(55)을 통한 진공이 차단된다. 그리고 칩 이송기(60)에 의한 박형 칩(22)의 이송이 이루어지는 동안, 이형핀(53)과 이형판(57)은 아래로 내려가 원래의 위치로 돌아간다.
그리고 전술된 바와 같은 공정을 반복하여 박형 칩 분리 공정을 포함하여 칩 접착 공정이 차례로 진행된다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예에 따른 박형 칩 분리 장치 는 80㎛ 이하의 두께를 갖는 박형 칩에 적용된 예를 개시하였지만, 80㎛ 이상의 두꺼운 박형 칩의 분리에도 사용이 가능하다.
따라서 본 발명의 구조를 따르면 이형핀으로 자외선 테이프에서 박형 칩을 분리할 때 탄성을 갖는 이형핀이 완충 작용을 하기 때문에, 이형핀이 박형 칩에 작용하는 기계적인 충격을 최소화할 수 있다.
그리고 이형핀으로 박형 칩을 분리한 이후에 칩 이송기와 이형핀으로 지지되는 박형 칩의 하부면으로 이형판이 상승하여 박형 칩을 사이에 두고 칩 이송기와 이형판이 밀착되면서 박형 칩의 하부면을 진공 흡착하기 때문에, 이형핀에 의해 분리된 박형 칩의 휨을 보상할 수 있다. 또한 이형판을 박형 칩의 하부면에 밀착시킴으로써, 이형핀 주위에 집중되는 기계적인 스트레스를 박형 칩 하부면 전체로 분산하는 효과도 있다.
이런 이유로 80㎛ 이하의 두께를 갖는 박형의 웨이퍼에 대한 칩 분리 및 접착 공정의 작업성을 확보할 수 있다.

Claims (8)

  1. 박형 칩 분리 장치로서,
    웨이퍼에서 분리할 박형 칩 주위의 자외선 테이프를 진공 흡착하는 진공 홀더와;
    상기 진공 홀더의 중심 부분에 설치되며, 상기 박형 칩 보다는 작은 면적을 가지며, 소정의 높이로 상하 이동이 가능한 이형판과;
    상기 이형판 아래에 설치되며 소정의 높이로 상하 이동이 가능한 핀 고정판과;
    상기 이형판을 관통하여 하단이 핀 고정판에 설치되며, 탄성을 갖는 다수개의 이형핀;을 포함하며,
    칩 이송기가 상기 박형 칩의 상부면에 밀착된 상태에서, 상기 핀 고정판의 상승에 의해 상기 이형핀이 상기 박형 칩의 하부면에 탄성적으로 접촉하여 상기 박형 칩을 자외선 테이프에서 분리한 다음, 상기 이형판이 상승하여 분리된 상기 박형 칩의 하부면에 밀착되어 상기 박형 칩을 중심으로 상기 칩 이송기와 상기 이형판이 맞물리면서 상기 박형 칩의 휨을 보상하는 것을 특징으로 하는 박형 칩 분리 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 이형판에는 상기 이형핀이 균일하게 내설될 수 있는 핀 설치 구멍이 형성된 것을 특징으로 하는 박형 칩 분리 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 이형판에는 상기 핀 설치 구멍들의 외측에 다수개의 진공 흡착 구멍이 형성된 것을 특징으로 하는 박형 칩 분리 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 이형판의 진공 흡착 구멍은 상기 핀 설치 구멍 외측의 공간에 균일하게 형성된 것을 특징으로 하는 박형 칩 분리 장치.
  5. 제 1항 내지 4항의 어느 한 항에 있어서, 상기 이형핀은,
    하단이 상기 핀 고정판에 고정되며, 소정의 내부 공간을 가지며 위쪽이 개방된 핀 홀더와;
    상기 핀 홀더 내에 삽입되어 구속된 탄성체와;
    일부가 상기 핀 홀더 내의 상기 탄성체에 의해 탄성적으로 구속되며, 상단부가 상기 핀 홀더 밖으로 돌출되어 상기 탄성체의 탄성력에 의해 상하로 이동하는 핀;을 포함하는 것을 특징으로 하는 박형 칩 분리 장치.
  6. 제 1항에 따른 박형 칩 분리 장치를 이용한 박형 칩 분리 방법으로,
    (a) 개별 박형 칩으로 분리된 웨이퍼가 부착된 자외선 테이프를 웨이퍼 테이블로 제공하는 단계와;
    (b) 분리할 박형 칩 아래의 상기 자외선 테이프를 상기 진공 홀더로 진공 흡착하는 단계와;
    (c) 상기 이형핀이 상승하여 상기 박형 칩 아래의 자외선 테이프를 탄성적으로 밀어 상기 자외선 테이프에서 상기 박형 칩을 분리하는 단계와;
    (d) 상기 이형판을 상기 박형 칩의 하부면에 밀착시키는 단계와;
    (e) 상기 이형핀과 상기 이형판에 의해 상기 자외선 테이프에서 분리된 상기 박형 칩을 상기 칩 이송기가 진공 흡착하여 배선기판으로 이송하는 단계;를 포함하며,
    상기 박형 칩이 분리되는 동안 상기 칩 이송기는 상기 박형 칩의 상부면에 밀착되어 있는 것을 특징으로 하는 박형 칩 분리 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 상기 칩 이송기는 분리할 박형 칩의 상부면에 밀착되는 것을 특징으로 하는 박형 칩 분리 방법.
  8. 제 6항 또는 7항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 상기 박형 칩을 중심으로 상기 칩 이송기와 상기 이형판이 맞물리면서 상기 박형 칩의 휨을 보상하는 것을 특징으로 하는 박형 칩 분리 방법.
KR1020040051957A 2004-07-05 2004-07-05 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법 KR100582056B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040051957A KR100582056B1 (ko) 2004-07-05 2004-07-05 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법
US11/153,750 US20060003491A1 (en) 2004-07-05 2005-06-14 Apparatus for ejecting relatively thin IC chip from semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040051957A KR100582056B1 (ko) 2004-07-05 2004-07-05 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060003158A KR20060003158A (ko) 2006-01-10
KR100582056B1 true KR100582056B1 (ko) 2006-05-23

Family

ID=35514513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040051957A KR100582056B1 (ko) 2004-07-05 2004-07-05 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20060003491A1 (ko)
KR (1) KR100582056B1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100688587B1 (ko) * 2006-02-23 2007-03-02 삼성전자주식회사 반도체 칩 분리 장치 및 반도체 칩의 분리 방법
JP5057321B2 (ja) 2006-03-14 2012-10-24 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置の製造方法
KR100931297B1 (ko) * 2007-12-21 2009-12-11 세크론 주식회사 반도체 칩 분리 장치
KR101104342B1 (ko) * 2009-03-27 2012-01-16 서우테크놀로지 주식회사 웨이퍼 칩 이젝트 장치
KR101704124B1 (ko) * 2014-10-24 2017-02-07 세메스 주식회사 반도체 패키지 핸들링 장치 및 이를 이용하여 반도체 패키지들의 위치 정보를 획득하는 방법
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
KR101879029B1 (ko) * 2016-01-22 2018-07-16 양진석 선택적 전사방식에 의한 칩 이송장치 및 이송방법
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
CN110462813A (zh) * 2017-02-07 2019-11-15 罗茵尼公司 用于堆叠半导体器件的装置和方法
US10410905B1 (en) * 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
JP7184006B2 (ja) * 2019-10-01 2022-12-06 三菱電機株式会社 半導体チップのピックアップ治具、半導体チップのピックアップ装置およびピックアップ治具の調節方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3720309A (en) * 1971-12-07 1973-03-13 Teledyne Inc Method and apparatus for sorting semiconductor dice
US5827394A (en) * 1996-07-15 1998-10-27 Vanguard International Semiconductor Corporation Step and repeat exposure method for loosening integrated circuit dice from a radiation sensitive adhesive tape backing
KR100278137B1 (ko) * 1997-09-04 2001-01-15 가나이 쓰도무 반도체소자의 탑재방법 및 그 시스템, 반도체소자 분리장치 및ic카드의 제조방법
JP3865184B2 (ja) * 1999-04-22 2007-01-10 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP2001345368A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Fujitsu Ltd 半導体チップ剥離・搬送方法及び装置
JP3976541B2 (ja) * 2001-10-23 2007-09-19 富士通株式会社 半導体チップの剥離方法及び装置
US20050274457A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Asm Assembly Automation Ltd. Peeling device for chip detachment
US7238258B2 (en) * 2005-04-22 2007-07-03 Stats Chippac Ltd. System for peeling semiconductor chips from tape

Also Published As

Publication number Publication date
US20060003491A1 (en) 2006-01-05
KR20060003158A (ko) 2006-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100582056B1 (ko) 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법
US7294531B2 (en) Wafer level chip stack method
KR101135903B1 (ko) 박형 다이 분리 및 픽업 장치
CN100377296C (zh) 用于晶片分离的剥离装置
US7793408B2 (en) Apparatus for transferring semiconductor chip
KR100517075B1 (ko) 반도체 소자 제조 방법
CN107808857B (zh) 芯片封装结构及其制造方法
KR20010085725A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
TW201540149A (zh) 用於分離晶片的設備和方法
KR20190032180A (ko) 반도체 제조 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 콜릿
US20080012592A1 (en) Device and method for testing semiconductor packages
WO2020196225A1 (ja) チップ転写板ならびに半導体チップ積層方法および半導体装置の製造方法
KR20110107989A (ko) 적층 반도체 패키지 형성방법
JP2008103390A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100744147B1 (ko) 반도체 칩 픽업 조립체 및 반도체 칩의 부착 방법
KR100817068B1 (ko) 박형의 반도체 칩 픽업 장치 및 방법
US7592236B2 (en) Method for applying a structure of joining material to the back surfaces of semiconductor chips
KR20170059227A (ko) 반도체패키지 스퍼터링 프레임
KR20050111946A (ko) 박형 칩 분리 방법
KR20090085262A (ko) 역피라미드 방식의 반도체 칩 접착 장비 및 그 작동방법
KR101640525B1 (ko) 픽 앤 플레이스먼트 장치
KR101046381B1 (ko) 다이 픽업 장치 및 이를 이용한 반도체 칩 분리 방법
JP2013219245A (ja) 半導体装置の製造方法
CN102832158B (zh) 半导体器件的制造装置和半导体器件的制造方法
JP2006237504A (ja) 半導体チップ剥離装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee