JPH03228350A - 半導体ウェハーの切削方法 - Google Patents

半導体ウェハーの切削方法

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Publication number
JPH03228350A
JPH03228350A JP2023665A JP2366590A JPH03228350A JP H03228350 A JPH03228350 A JP H03228350A JP 2023665 A JP2023665 A JP 2023665A JP 2366590 A JP2366590 A JP 2366590A JP H03228350 A JPH03228350 A JP H03228350A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
adhesive sheet
semiconductor
cutting
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023665A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Takahashi
聡 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH03228350A publication Critical patent/JPH03228350A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハーの切削方法に関し、特に半導体
ウェハーを回転式切削刃により切削する方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体ウェハーの切削方法は、第4図(
a)に示す様に、半導体ウェハー5を回路生成面3と相
対する面が密着する様に粘着シート4に1枚だけ貼り付
け、この後半導体ウェハー5の回路生成面3の切削線2
を切削刃1により粘着シート4の一部迄切り込み、次で
、第4図(b)に示す様に、分離された半導体素子6を
突き上げ棒7で突き上げ、半導体素子容器に搭載するの
が一般的となっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の切削方法では、1枚の粘着シートに対し
、1枚の半導体ウェハーを接着している為、作業者によ
るシート貼り付は工数が増大し、シートの使用量が多く
なる為、コストアップにつながる欠点がある。
また、切削装置に於いては、切削前のウェハー収納部か
ら切削部までのウェハー搬送時間と、切削後、切削部か
ら切削後のウェハー収納時間が切削時間に比べ長い為、
作業時間が長くなるという欠点がある。
更に素子搭載時に於いては、素子搭載面の裏面からシー
トを押し上げるので、半導体素子と素子とが接触するこ
とにより、われやかけ8等が生じ品質を低下させるとい
う欠点もある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体ウェハーの切削方法は、粘着シートの上
下面に半導体ウェハーを接着させ、回転式切削刃にて粘
着シートの一方の面の半導体ウェハーの切削線を粘着シ
ートに達するまで削切し、次で粘着シートの他方の面の
半導体ウェハーの切削線を粘着シートに達するまで削切
し、各半導体ウェハーを固片素子とするものである。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a>、(b)は本発明の第1の実施例を説明す
るための半導体ウェハーと粘着シートの断面図である。
まず、第1図(a)に示すように、2枚の半導体ウェハ
ー5A、5Bを粘着シート4の上下面に接着させる。そ
の際粘着シート4と半導体ウェハー5A、5Bの接触面
は2枚共に、回路生成面3と逆の面で接着させる。次に
半導体ウェハー5Aの切削線2を切削刃により、粘着シ
ート4の表面の一部まで切り込み半導体素子6を分離す
る。
次に第1図(b)に示す様に、切削された半導体ウェハ
ー5Aに相対する切削されていない半導体ウェハー5B
の切削線2を切削刃1により、再度粘着シート4の表面
の一部まで切り込んで半導体素子6を分離する。
この第1の実施例では、切削前のウェハー収納部から切
削部までのウェハー搬送時間と、切削後、切削部から切
削後のウェハー収納時間が従来のウェハー搬送時間に比
べ50%以上短かくなる為、量産適用に置いて、非常に
効果がある。
第2図(a)、(b)は本発明の第2の実施例を説明す
るための半導体ウェハーと粘着シートの断面図である。
まず、第2図(a)に示すように、2枚の半導体ウェハ
ー5A、5Bを粘着シート4の上下面に接着する。その
際、粘着性シート4と半導体ウェハーの接触面は、1枚
が回路生成面3に、もう1枚は回路生成面3とは相対す
る面で接着されている。半導体ウェハー5Aの切削線2
を切削刃1により、粘着シート4の表面の一部迄切り込
む。
その後、第2図(b)に示す様に、切削されていない、
半導体ウェハー5Bの回路生成面3と同位置にある切削
線2を回路生成面3の裏面から切削刃1により、再度粘
着シート4の表面の一部迄切り込んで半導体素子6を分
離する。
この第2の実施例では第1の実施例の効果の他に、半導
体素子6を一部コレットにより、半導体容器に搭載し、
その後もう1枚の半導体ウェハーはシート貼り付は面が
半導体ウェハーの回路生成面である為、半導体素子6を
容器に搭載する時に於いてシートの上から突き上げ棒で
搭載することが出来、コレットが不要となる為に、半導
体素子の搭載位置ずれ等が生じることもなくなり、搭載
位置精度を大幅に向上させることが出来る。
第3図(a)、(b)は本発明第3の実施例を説明する
ための半導体ウェハーと粘着シートの断面図である。
まず第3図(a)に示すように、2枚の半導体ウェハー
5A、5Bを粘着シート4の上下面に接着する。その際
粘着シート4と半導体ウェハー5A、5Bの接触面は回
路生成面3とする。次で半導体ウェハー5Aの回路生成
面3と同位置にある切削線2を、回路生成面3の裏面か
ら切削刃1により、粘着シート4の表面の一部迄切り込
む。
その後、第3図(b)に示す様に、切削されていない半
導体ウェハー5Bの回路生成面3と同位置にある切削線
2を回路生成面3の裏面から切削刃1により再度粘着シ
ート4表面の一部迄切り込んで半導体素子6を分離する
この第3の実施例では、第1.第2の実施例の効果の他
に、複数の半導体ウェハーの回路生成面が粘着テープと
接着しているので、半導体素子6を容器に搭載する時に
於いて、回路生成面とは相対する面をコレットにより拾
い上げて搭載できる為、回路生成面に汚れ、ごみ等が付
着しないばかりか、われやかけ等が生じない為、品質が
向上する効果がある。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は、1枚の粘着シートの上下面
に半導体ウェハーを接着している為、作業者によるシー
ト貼り付は工数を削減出来、更にシート使用量が従来の
1/2に削減出来る為、大幅なコストダウンと品質向上
を計ることが出来る利点がある。一方切削装置に於いて
は、切削前のウェハー収納部から切削部までのウェハー
搬送時間と、切削後の切削部から切削後のウェハー収納
部までの時間が、従来のウェハー搬送時間に比べ50%
以上短かくなる為、量産時の生産効率化に効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は本発明の第1〜第3の実施例を説明す
るための半導体ウェハーと粘着シートの断面図、第4図
は従来例を説明するための半導体ウェハーと粘着シート
の断面図である。 1・・・切削刃、2・・・切削線、3・・・回路生成面
、4・・・粘着シート、5.5A、5B・・・半導体ウ
ェハー 6・・・半導体素子、7・・・突き上げ棒、8
・・・かけ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 粘着シートの上下面に半導体ウェハーを接着させ、回転
    式切削刃にて粘着シートの一方の面の半導体ウェハーの
    切削線を粘着シートに達するまで削切し、次で粘着シー
    トの他方の面の半導体ウェハーの切削線を粘着シートに
    達するまで削切し、各半導体ウェハーを固片素子とする
    ことを特徴とする半導体ウェハーの切削方法。
JP2023665A 1990-02-02 1990-02-02 半導体ウェハーの切削方法 Pending JPH03228350A (ja)

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JP2023665A JPH03228350A (ja) 1990-02-02 1990-02-02 半導体ウェハーの切削方法

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JPH03228350A true JPH03228350A (ja) 1991-10-09

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ID=12116792

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023665A Pending JPH03228350A (ja) 1990-02-02 1990-02-02 半導体ウェハーの切削方法

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JP (1) JPH03228350A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5622900A (en) * 1993-03-03 1997-04-22 Texas Instruments Incorporated Wafer-like processing after sawing DMDs

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5622900A (en) * 1993-03-03 1997-04-22 Texas Instruments Incorporated Wafer-like processing after sawing DMDs

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