JPS6269635A - 半導体ウエ−ハの支持治具 - Google Patents
半導体ウエ−ハの支持治具Info
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- JPS6269635A JPS6269635A JP60210574A JP21057485A JPS6269635A JP S6269635 A JPS6269635 A JP S6269635A JP 60210574 A JP60210574 A JP 60210574A JP 21057485 A JP21057485 A JP 21057485A JP S6269635 A JPS6269635 A JP S6269635A
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- dicing
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- adhesive
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェーハのダイシングおよびチップマウ
ントを行なう際に使用される半導体ウェーハの支持治具
に関する。
ントを行なう際に使用される半導体ウェーハの支持治具
に関する。
ウェーハブＤセスによって素子が形成された半導体つ■
−ハを各半導体チップ毎に分離するためにダイシングが
行なわれる。ダイシングのうち最も通常に行イ【われる
のはダイヤモンドブレードを用いたものであり、このダ
イシングにおいては、ダイシング部における半導体ウェ
ーハの残し吊を１００μ〜２００μとするハーフカット
と、残し間を０〜４０μとするフルカットとが従来から
行なわれている。
−ハを各半導体チップ毎に分離するためにダイシングが
行なわれる。ダイシングのうち最も通常に行イ【われる
のはダイヤモンドブレードを用いたものであり、このダ
イシングにおいては、ダイシング部における半導体ウェ
ーハの残し吊を１００μ〜２００μとするハーフカット
と、残し間を０〜４０μとするフルカットとが従来から
行なわれている。
ハーフカットはダイシングの後にローラをかけて各半導
体チップ毎に割った後に、各チップをチップトレイに並
べ、次にリードフレ−ムにマウントするＴ稈を必要とす
る。従って、半導体チップをチップトレイに並べるのに
手間がかがるど共に、半導体ウェーハを強制的に割るた
め、半導体つ１−ハのシリコン基板からシリコン屑が飛
散して半導体チップ上に付着したり、あるいは半導体ウ
ェーハに傷が付くため、信頼性が十分でない。
体チップ毎に割った後に、各チップをチップトレイに並
べ、次にリードフレ−ムにマウントするＴ稈を必要とす
る。従って、半導体チップをチップトレイに並べるのに
手間がかがるど共に、半導体ウェーハを強制的に割るた
め、半導体つ１−ハのシリコン基板からシリコン屑が飛
散して半導体チップ上に付着したり、あるいは半導体ウ
ェーハに傷が付くため、信頼性が十分でない。
第４図は半導体ウェーハのフルｈツ１〜を行なった状態
の断面図である。半導体ウェーハ１０は金属製のフラン
１−リング１１の下面に張設された接着テープ１２上に
接着され、この状態でダイシングが行なわれて半導体チ
ップ毎のダイシング溝１３が形成されている。このＪ、
う／ｉフルカッｌ−の後は、半導体つ１−ハの裏側から
軽く力を加λで半導体チップｆｔ＃に割るため、萌ｊ本
（）ｔこ、１；うなハーフカットに伴う問題は牛じイ１
い。この分割の後はテープ１２を引き伸ばし、下面から
個々の半導体チップを突子げながらバキューノ、で吸着
して移送し、リードフレームのベッドにマウントする。
の断面図である。半導体ウェーハ１０は金属製のフラン
１−リング１１の下面に張設された接着テープ１２上に
接着され、この状態でダイシングが行なわれて半導体チ
ップ毎のダイシング溝１３が形成されている。このＪ、
う／ｉフルカッｌ−の後は、半導体つ１−ハの裏側から
軽く力を加λで半導体チップｆｔ＃に割るため、萌ｊ本
（）ｔこ、１；うなハーフカットに伴う問題は牛じイ１
い。この分割の後はテープ１２を引き伸ばし、下面から
個々の半導体チップを突子げながらバキューノ、で吸着
して移送し、リードフレームのベッドにマウントする。
しかしながらこの方法ではテープの引き伸ばしによって
半導体チップの整列が乱れるため、マウント■稈では位
置検出器を用いて半導体チップの位置を確認しながらマ
ウンｌ−ＦＪる必要が生じている。また、半導体つＪ−
ハは大口径化するに−）れて、フラットリングが重くな
るため、搬送が困難になるとノξに高価格となり、また
、テープの引伸ばし機構、位置検出器をマウント装置に
装着さける必要があり、マウン１−装買が人望、複雑化
するという問題がある。特にフラジ１〜リングが車いた
めに洗浄、乾燥を行なったときにヂャッ４−ングが困難
になり、はずれた場合にはつＴ−ハのみならず装置の破
壊を招くことがある。
半導体チップの整列が乱れるため、マウント■稈では位
置検出器を用いて半導体チップの位置を確認しながらマ
ウンｌ−ＦＪる必要が生じている。また、半導体つＪ−
ハは大口径化するに−）れて、フラットリングが重くな
るため、搬送が困難になるとノξに高価格となり、また
、テープの引伸ばし機構、位置検出器をマウント装置に
装着さける必要があり、マウン１−装買が人望、複雑化
するという問題がある。特にフラジ１〜リングが車いた
めに洗浄、乾燥を行なったときにヂャッ４−ングが困難
になり、はずれた場合にはつＴ−ハのみならず装置の破
壊を招くことがある。
さらに、つ■−へのロット識別等のためにフラットリン
グに品番、ロット番号を書く必要があるが、その管即が
従来は煩雑な作業どなっている。
グに品番、ロット番号を書く必要があるが、その管即が
従来は煩雑な作業どなっている。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、搬送系の
軽量化、装置の小型化を可能とした半導体ウェーハの支
持治具を提供することを目的としている。
軽量化、装置の小型化を可能とした半導体ウェーハの支
持治具を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体ウェーハ
の支持治具は、半導体ウェーハを支持する基板上に、熱
又は光によって硬化させた糊剤からなる中間層を積層し
、この中間層上に中間層と異なる条件で接着力が低下す
る糊剤からなる接着層を積層している。この治具を用い
ると、半導体ウェーハをこの接着層で接着し、半導体ウ
ェーハのダイシングの際には中間層までのフルカットを
行ない、半導体チップのマウント時には接着層の接着力
を低下させて半導体チップの取り出しを容易にすること
ができる。
の支持治具は、半導体ウェーハを支持する基板上に、熱
又は光によって硬化させた糊剤からなる中間層を積層し
、この中間層上に中間層と異なる条件で接着力が低下す
る糊剤からなる接着層を積層している。この治具を用い
ると、半導体ウェーハをこの接着層で接着し、半導体ウ
ェーハのダイシングの際には中間層までのフルカットを
行ない、半導体チップのマウント時には接着層の接着力
を低下させて半導体チップの取り出しを容易にすること
ができる。
ｊス下本発明に係る半導体つ■−ハのアセンブリ用治具
の一実施例を添付図面を参照して只体的に説明する。
の一実施例を添付図面を参照して只体的に説明する。
第１図は本発明にかかるウェーハの支持治具の一実施例
の断面図、第２図はこのつ■−ハの支持治具上に半導体
ウェーハを接着さけた様子を示す断面図である。
の断面図、第２図はこのつ■−ハの支持治具上に半導体
ウェーハを接着さけた様子を示す断面図である。
このウェーハ支持用治具は、基板１上に中間層２が積層
され、この中間層２−トに接着層３がＩｌｉ”ｊされて
構成される。基板１は中間層２、接着層３を介して半導
体ウェーハ４を支持するものであり、プラスチック、ガ
ラス、金属等の硬賀拐が使用され、厚さ０．５〜５間稈
麿肉厚に形成される。なお、後述するように中間層２や
接着層が光照射により硬化するものである場合は基板１
は透光性材料であることが必要であり、透明プラスチッ
クやガラスが使用される。中間層２は熱又は光の照射等
で硬化する糊剤からなっている。この中間層２は半導体
ウェーハのフルカットを特徴とする特許に使用されるも
のであり、ダイシング装量のブレード（図示せず）がこ
の中間層２まで達したどきにブレードに粘着しないよう
前もって硬化される。
され、この中間層２−トに接着層３がＩｌｉ”ｊされて
構成される。基板１は中間層２、接着層３を介して半導
体ウェーハ４を支持するものであり、プラスチック、ガ
ラス、金属等の硬賀拐が使用され、厚さ０．５〜５間稈
麿肉厚に形成される。なお、後述するように中間層２や
接着層が光照射により硬化するものである場合は基板１
は透光性材料であることが必要であり、透明プラスチッ
クやガラスが使用される。中間層２は熱又は光の照射等
で硬化する糊剤からなっている。この中間層２は半導体
ウェーハのフルカットを特徴とする特許に使用されるも
のであり、ダイシング装量のブレード（図示せず）がこ
の中間層２まで達したどきにブレードに粘着しないよう
前もって硬化される。
この硬化は熱又は紫外線等の光の照射で行なわれる。中
間層２の積層に際しては糊剤を基板１」−にスプレーあ
るいは回転塗布等の適宜の手段で行なわれ、層の厚さは
ダイシング時にブレードが基板１に達しないように１０
〜７０μの範囲で適宜調整される。
間層２の積層に際しては糊剤を基板１」−にスプレーあ
るいは回転塗布等の適宜の手段で行なわれ、層の厚さは
ダイシング時にブレードが基板１に達しないように１０
〜７０μの範囲で適宜調整される。
接着層３はこのような中間層２」−に積層され、第２図
のＪ：うに、半導体ウェーハ４が貼着されて半導体ウェ
ーハ４を支持するものである。この接着層３は中間層２
と異なる条件で接着力が低下する糊剤が使用される。寸
なわら、例えば中間層２が熱照射で硬化する材質であれ
ば、接着層３は紫外線等の光線の照射で接着力がｆｌｔ
下する糊剤が選択され、中間層２が紫外線照射で硬化す
る材質であれば、接着層３は熱照射あるいはｘｔａ照射
等で接着力が低下する糊剤が選択される。又、中間層２
が特定波長の紫外線照射で硬化する場合には、他の波長
の紫外線照射で硬化して接着力が低下する糊剤が使用さ
れ、この方法が操作性の点からは好ましい。このＪ−う
に紫外線照射にＪ：り硬化する糊剤としては自己架橋可
能な官能基を何するものが使用され、例えばアクリル酸
、メタクリル酸く不飽和カルボン酸）を共重合成分とし
て含むポリアクリル樹脂にグリシジルメタクリレ−１〜
を付加させたｂの、グリシジルメタクリレ−１・を共重
合成分どしたポリアクリル樹脂に不飽和カルボン酸を付
加さｉＦ：たノ）の、末端−ＮＧＯ基をもつポリウレタ
ンオリゴマーにＯＬＩ Ｍを右するアクリルポリマーを
反応さ「た不飽和ポリウレタン等が知られている。
のＪ：うに、半導体ウェーハ４が貼着されて半導体ウェ
ーハ４を支持するものである。この接着層３は中間層２
と異なる条件で接着力が低下する糊剤が使用される。寸
なわら、例えば中間層２が熱照射で硬化する材質であれ
ば、接着層３は紫外線等の光線の照射で接着力がｆｌｔ
下する糊剤が選択され、中間層２が紫外線照射で硬化す
る材質であれば、接着層３は熱照射あるいはｘｔａ照射
等で接着力が低下する糊剤が選択される。又、中間層２
が特定波長の紫外線照射で硬化する場合には、他の波長
の紫外線照射で硬化して接着力が低下する糊剤が使用さ
れ、この方法が操作性の点からは好ましい。このＪ−う
に紫外線照射にＪ：り硬化する糊剤としては自己架橋可
能な官能基を何するものが使用され、例えばアクリル酸
、メタクリル酸く不飽和カルボン酸）を共重合成分とし
て含むポリアクリル樹脂にグリシジルメタクリレ−１〜
を付加させたｂの、グリシジルメタクリレ−１・を共重
合成分どしたポリアクリル樹脂に不飽和カルボン酸を付
加さｉＦ：たノ）の、末端−ＮＧＯ基をもつポリウレタ
ンオリゴマーにＯＬＩ Ｍを右するアクリルポリマーを
反応さ「た不飽和ポリウレタン等が知られている。
接着層２はそれ自体の接着力がｊ′導体ウェーハ４を固
定し、ダイシングの際に半導体つ１“−ハがずれないよ
うに支持するが、ダイシング終了後の７ウント詩には接
着力低下処理が施されて半導体チップの取り出しを容易
にする。従って、この接着層２はできるだ４ｔ Ｍ＜形
成するのが好ｌ；シク、例えば０．２〜１０ ｔｔの範
囲で適宜、選択される。
定し、ダイシングの際に半導体つ１“−ハがずれないよ
うに支持するが、ダイシング終了後の７ウント詩には接
着力低下処理が施されて半導体チップの取り出しを容易
にする。従って、この接着層２はできるだ４ｔ Ｍ＜形
成するのが好ｌ；シク、例えば０．２〜１０ ｔｔの範
囲で適宜、選択される。
なお、この接着層３および中間層２は、いずれもす１〜
リウ１１、カリウム、塩素、鉄、銅等の半導体に対し有
害な不純物を含まないへ純痕の糊剤が使用される。
リウ１１、カリウム、塩素、鉄、銅等の半導体に対し有
害な不純物を含まないへ純痕の糊剤が使用される。
次に以上のような支持治具の使用について説明する。基
板１上に中間層２を形成して硬化させた後にその−を二
に接着層３を形成し、半導体ウェーハ４を接着層３上に
貼着する。そして、ダイシング装置に取り付け、ダイシ
ングを行なう。ダイシングは第３図のようにブレードに
よるダイシング溝５が中間層２にまで達するように行な
う。従って、半導体ウェーハは完全なフルカットがなさ
れる。
板１上に中間層２を形成して硬化させた後にその−を二
に接着層３を形成し、半導体ウェーハ４を接着層３上に
貼着する。そして、ダイシング装置に取り付け、ダイシ
ングを行なう。ダイシングは第３図のようにブレードに
よるダイシング溝５が中間層２にまで達するように行な
う。従って、半導体ウェーハは完全なフルカットがなさ
れる。
このダイシングの後、各半導体チップをリードフレーム
にマウントするために半導体ウェーハはアセンブリ用治
具に支持されたままマウント装置に移送され、次いで、
前述したような紫外線等による接着層３の接着力低下処
理を施す。これにより、半導体チップの剥離が容易とな
り、半導体チップの吸着を僅かな吸引力で行なうことが
できる。なお、この接着力低下処理は接着層全体に施し
てもよく、半導体チップを取り出づ際に個々の半導体チ
ップ毎に施してもよい。このマウン１へ終了後は、アセ
ンブリ用治具を洗浄して接着層３、中間層２を除去し、
基板１を再使用４ろ。ここで、基板１下面には半導体チ
ップの識別記号を付して、取り出す半導体チップの判別
を行なうようにしてもＪ：い。
にマウントするために半導体ウェーハはアセンブリ用治
具に支持されたままマウント装置に移送され、次いで、
前述したような紫外線等による接着層３の接着力低下処
理を施す。これにより、半導体チップの剥離が容易とな
り、半導体チップの吸着を僅かな吸引力で行なうことが
できる。なお、この接着力低下処理は接着層全体に施し
てもよく、半導体チップを取り出づ際に個々の半導体チ
ップ毎に施してもよい。このマウン１へ終了後は、アセ
ンブリ用治具を洗浄して接着層３、中間層２を除去し、
基板１を再使用４ろ。ここで、基板１下面には半導体チ
ップの識別記号を付して、取り出す半導体チップの判別
を行なうようにしてもＪ：い。
また、基板を安価なプラスチックで形成した場合には使
い捨てが可能となり、半導体ウェーハのロット管理等が
容易となる。
い捨てが可能となり、半導体ウェーハのロット管理等が
容易となる。
以−にのとおり本発明によれば、基板上に中間層と接着
層とを積層して半導体ウェーハのフルカットを行なうよ
うにしたので、小部の大きなフラットリングが不要とな
り、搬送系の軽量化が可能となる。又、半導体ウェーハ
を支持してダイシングからマウントまで使用され、位置
検出器やテープ引き伸ばし機構が不要となるからマウン
ト装置等が簡略化され、さらには、小ざな力で半導体チ
ップを取り出すことができ、吸＠機構も簡易ｔＴものと
することができる。
層とを積層して半導体ウェーハのフルカットを行なうよ
うにしたので、小部の大きなフラットリングが不要とな
り、搬送系の軽量化が可能となる。又、半導体ウェーハ
を支持してダイシングからマウントまで使用され、位置
検出器やテープ引き伸ばし機構が不要となるからマウン
ト装置等が簡略化され、さらには、小ざな力で半導体チ
ップを取り出すことができ、吸＠機構も簡易ｔＴものと
することができる。
第１図は本発明に係る半導体ウェーハの支持治具の一実
施例の断面図、第２図は半導体ウェーハを貼着した状態
の断面図、第３図はダイシング後の断面図、第４図は従
来例の断面図である。 １・・・基板、２・・・中間層、３・・・接着層、４．
１０・・・半導体ウェーハ。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第１図 第２図 第３図
施例の断面図、第２図は半導体ウェーハを貼着した状態
の断面図、第３図はダイシング後の断面図、第４図は従
来例の断面図である。 １・・・基板、２・・・中間層、３・・・接着層、４．
１０・・・半導体ウェーハ。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェーハを支持するための基板と、この基板
上に積層され熱又は光によつて硬化された糊剤からなる
中間層と、この中間層上に積層され中間層とは異なる条
件で接着力が低下する糊剤からなると共に上面に載置さ
れる半導体ウェーハを接着する接着層とからなることを
特徴とする半導体ウェーハの支持治具。 ２、中間層と接着層とが異なる波長の紫外線で硬化する
糊剤を用いたものである特許請求の範囲１項記載の半導
体ウェーハの支持治具。 ３、基板が透光性材料で形成されている特許請求の範囲
第１項記載の半導体ウェーハの支持治具。 ４、透光性材料がガラスまたはプラスチックである特許
請求の範囲第３項記載の半導体ウェーハの支持治具。 ５、中間層の厚さが１０〜７０μである特許請求の範囲
第１項又は第２項記載の半導体ウェーハの支持治具。 ６、接着層の厚さが０．２〜１０μである特許請求の範
囲１項又は第２項記載の半導体ウェーハの支持治具。 ７、基板に半導体チップの識別記号が付されている特許
請求の範囲第１項又は第３項記載の半導体ウェーハの支
持治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210574A JPS6269635A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体ウエ−ハの支持治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210574A JPS6269635A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体ウエ−ハの支持治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269635A true JPS6269635A (ja) | 1987-03-30 |
Family
ID=16591567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210574A Pending JPS6269635A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 半導体ウエ−ハの支持治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6269635A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0398593U (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-14 | ||
| EP0550014A2 (en) * | 1991-12-30 | 1993-07-07 | Nitto Denko Corporation | Dicing-die bonding film |
| EP0614102A2 (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuit fabrication |
| JP2002075920A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの加工方法 |
| JP2006258546A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Denso Corp | 半導体センサの製造方法 |
| JP2007088292A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | 板状部材の切断方法 |
| JP2015185830A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社巴川製紙所 | ワイヤーソーダイシング法用の仮固定用接着部材、およびワイヤーソーダイシング法 |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60210574A patent/JPS6269635A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0398593U (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-14 | ||
| EP0550014A2 (en) * | 1991-12-30 | 1993-07-07 | Nitto Denko Corporation | Dicing-die bonding film |
| US5476565A (en) * | 1991-12-30 | 1995-12-19 | Nitto Denko Corporation | Dicing-die bonding film |
| EP0614102A2 (en) * | 1993-03-03 | 1994-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuit fabrication |
| EP0614102A3 (en) * | 1993-03-03 | 1994-11-30 | Texas Instruments Inc | Integrated circuit fabrication improvements. |
| US5622900A (en) * | 1993-03-03 | 1997-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Wafer-like processing after sawing DMDs |
| JP2002075920A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの加工方法 |
| JP2006258546A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Denso Corp | 半導体センサの製造方法 |
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| JP2015185830A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 株式会社巴川製紙所 | ワイヤーソーダイシング法用の仮固定用接着部材、およびワイヤーソーダイシング法 |
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