JP2018206936A - 基板処理システム、基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の搬送時やチップのピックアップ時のチッピングを抑制するための熱収縮を不要としながらも、チッピングを抑制して品質の良いＤＡＦ付きのチップを製造できる、基板処理システムの提供。【解決手段】ダイシングされた基板の保護テープで保護されている第１主表面とは反対側の第２主表面を加工することにより、前記基板を薄板化する薄板化部と、前記薄板化部によって薄板化された前記基板の前記第２主表面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を付着するＤＡＦ付着部と、前記ＤＡＦと付着された前記基板を構成する複数のチップ同士の間隔を広げるエキスパンド部と、前記エキスパンド部によって前記チップ同士の前記間隔が広げられた前記基板を、前記ＤＡＦおよび粘着テープを介してフレームに装着するマウント部とを有する、基板処理システム。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理システム、基板処理方法に関する。

近年、半導体装置の小型化や軽量化の要求に応えるため、半導体ウエハなどの基板の第１主表面に素子、回路、端子などを形成した後、基板の第１主表面とは反対側の第２主表面を研削して、基板を薄板化することが行われている。基板の薄板化の際に、基板の第１主表面は、保護テープで保護される。

また、半導体装置の高集積化が進められており、チップの積層化が進められている。チップは、一般的に、半導体ウエハの薄板化後に、半導体ウエハをダイシングして得られる。チップ同士の接着、チップと基材との接着には、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）と呼ばれるダイボンディング用の接着シートが用いられる。

特許文献１では、薄板化された半導体ウエハの第２主表面にＤＡＦとエキスパンドシートとを順に配設し、半導体ウエハの第１主表面から保護テープを除去した後、半導体ウエハの第１主表面にＶ溝を形成する。その後、エキスパンドシートを放射状に拡張することにより、半導体ウエハおよびＤＡＦをＶ溝に沿って分割する。これにより、ＤＡＦとチップとで構成される半導体装置が製造される。

エキスパンドシートは、環状フレームの開口部を覆うように環状フレームに装着され、環状フレームの開口部においてＤＡＦを介して半導体ウエハと貼合される。エキスパンドシートを拡張する装置は、環状フレームを保持する環状のフレーム保持部材と、環状のフレーム保持部材の内側に配設される拡張ドラムとを有する。拡張ドラムの外径は、環状フレームの内径より小さい。拡張ドラムの内径は、環状フレームに装着されたエキスパンドシートにＤＡＦを介して貼着される半導体ウエハの外径より大きい。拡張ドラムに対しフレーム保持部材を下降させることにより、環状フレームに装着されたエキスパンドシートを放射状に拡張し、半導体ウエハおよびＤＡＦをＶ溝に沿って分割する。

特開２０１１−９１２４０号公報

エキスパンドシートは、拡張によって伸びて弛む。エキスパンドシートの弛みは、基板の搬送時やチップのピックアップ時などに、チップ同士が接触してチッピングが生じる原因になりうる。

そこで、エキスパンドシートの弛みを取り除くため、エキスパンドシートを加熱して熱収縮させることが考えられる。エキスパンドシートの加熱は、環状フレームの内周と基板の外周との間のリング状の領域において行われる。

しかしながら、エキスパンドシートの熱収縮ムラによって、基板の中心が環状フレームの開口部の中心からずれる問題があった。また、エキスパンドシートの材料が、熱収縮材料に限定される問題があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の搬送時やチップのピックアップ時のチッピングを抑制するための熱収縮を不要としながらも、チッピングを抑制して品質の良いＤＡＦ付きのチップを製造できる、基板処理システムの提供を主な目的とする。

上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
ダイシングされた基板の保護テープで保護されている第１主表面とは反対側の第２主表面を加工することにより、前記基板を薄板化する薄板化部と、
前記薄板化部によって薄板化された前記基板の前記第２主表面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を付着するＤＡＦ付着部と、
前記ＤＡＦと付着された前記基板を構成する複数のチップ同士の間隔を広げるエキスパンド部と、
前記エキスパンド部によって前記チップ同士の前記間隔が広げられた前記基板を、前記ＤＡＦおよび粘着テープを介してフレームに装着するマウント部とを有する、基板処理システムが提供される。

本発明の一態様によれば、基板の搬送時やチップのピックアップ時のチッピングを抑制するための熱収縮を不要としながらも、チッピングを抑制して品質の良いＤＡＦ付きのチップを製造できる、基板処理システムが提供される。

図１は、第１実施形態による基板処理システムを示す平面図である。 図２は、第１実施形態による基板処理システムによる処理前の基板を示す斜視図である。 図３は、第１実施形態による基板処理システムによる処理後の基板を示す斜視図である。 図４は、第１実施形態によるダイシング部を示す図である。 図５は、第１実施形態による薄板化部の粗研削部を示す図である。 図６は、第１実施形態によるＤＡＦ付着部を示す図である。 図７は、第１実施形態の変形例によるＤＡＦ付着部を示す図である。 図８は、第１実施形態によるＤＡＦ分割加工部を示す図である。 図９は、第１実施形態によるエキスパンド部を示す図である。 図１０は、第１実施形態による紫外線照射部を示す図である。 図１１は、第１実施形態によるマウント部を示す図である。 図１２は、第１実施形態の第１変形例によるマウント部を示す図である。 図１３は、第１実施形態の第２変形例によるマウント部を示す図である。 図１４は、第１実施形態による保護テープ切断部を示す図である。 図１５は、第１実施形態による保護テープ剥離部を示す図である。 図１６は、第１実施形態による基板処理方法のフローチャートである。 図１７は、第２実施形態による基板処理システムを示す平面図である。 図１８は、第２実施形態によるダイシング部を示す図である。 図１９は、第２実施形態による薄板化部の粗研削部を示す図である。 図２０は、第２実施形態によるＤＡＦ付着部を示す図である。 図２１は、第２実施形態によるＤＡＦ分割加工部を示す図である。 図２２は、第２実施形態による保護テープ薄化部を示す図である。 図２３は、第２実施形態によるエキスパンド部を示す図である。 図２４は、第２実施形態による基板処理方法のフローチャートである。 図２５は、第３実施形態による基板処理システムを示す平面図である。 図２６は、第３実施形態による紫外線照射部を示す図である。 図２７は、第３実施形態による保護テープ切断部を示す図である。 図２８は、第３実施形態によるＤＡＦ付着部を示す図である。 図２９は、第３実施形態による保護テープ剥離部を示す図である。 図３０は、第３実施形態によるエキスパンド部を示す図である。 図３１は、第３実施形態によるＤＡＦ切断部を示す図である。 図３２は、第３実施形態によるマウント部を示す図である。 図３３は、第３実施形態による基板処理方法のフローチャートである。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。以下の説明において、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は互いに垂直な方向であり、Ｘ方向およびＹ方向は水平方向、Ｚ方向は鉛直方向である。鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向とも呼ぶ。

［第１実施形態］
＜基板処理システム＞
図１は、第１実施形態による基板処理システムを示す平面図である。基板処理システム１は、基板１０のダイシング、基板１０の薄板化、基板１０へのＤＡＦの付着、チップ同士の間隔の拡大、基板１０のマウントなどを行う。基板処理システム１は、搬入出ステーション２０と、処理ステーション３０と、制御装置９０とを備える。

搬入出ステーション２０には、外部からキャリアＣが搬入出される。キャリアＣは、複数枚の基板１０をＺ方向に間隔をおいて収容する。搬入出ステーション２０は、載置台２１と、搬送領域２５とを備える。

載置台２１は、複数の載置板２２を備える。複数の載置板２２はＹ方向に一列に配列される。各載置板２２にはキャリアＣが載置される。一の載置板２２上のキャリアＣは処理前の基板１０を収容し、他の一の載置板２２上のキャリアＣは処理後の基板１０を収容してよい。

尚、載置板２２の個数は、図示のものに限定されない。また、載置板２２には、キャリアＣ以外に、不具合が生じた基板１０を回収するためのキャリア等が載置されてもよい。

搬送領域２５は、載置台２１とＸ方向に隣接して配置される。搬送領域２５には、Ｙ方向に延在する搬送路２６と、搬送路２６に沿って移動可能な搬送装置２７とが設けられる。搬送装置２７は、Ｙ方向だけではなく、Ｘ方向、Ｚ方向およびθ方向に移動可能とされてよい。搬送装置２７は、載置板２２に載置されたキャリアＣと、処理ステーション３０のトランジション部３５との間で、基板１０の搬送を行う。

処理ステーション３０は、搬送領域３１と、トランジション部３５と、後述の各種の処理部とを備える。尚、処理部の配置や個数は、図１に示す配置や個数に限定されず、任意に選択可能である。また、複数の処理部は、任意の単位で、分散または統合して配置してもよい。

搬送領域３１は、トランジション部３５を基準として、搬送領域２５とはＸ方向反対側に設けられる。トランジション部３５や各種の処理部は、搬送領域３１に離接して設けられ、搬送領域３１を囲むように設けられる。

搬送領域３１には、Ｘ方向に延在する搬送路３２と、搬送路３２に沿って移動可能な搬送装置３３とが設けられる。搬送装置３３は、Ｘ方向だけではなく、Ｙ方向、Ｚ方向およびθ方向に移動可能とされてよい。搬送装置３３は、搬送領域３１に隣接する処理部同士の間で基板１０を搬送する。後述の第２実施形態および第３実施形態において同様である。

制御装置９０は、例えばコンピュータで構成され、図１に示すようにＣＰＵ（Central Processing Unit）９１と、メモリなどの記憶媒体９２と、入力インターフェース９３と、出力インターフェース９４とを有する。制御装置９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、各種の制御を行う。また、制御装置９０は、入力インターフェース９３で外部からの信号を受信し、出力インターフェース９４で外部に信号を送信する。

制御装置９０のプログラムは、情報記憶媒体に記憶され、情報記憶媒体からインストールされる。情報記憶媒体としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどが挙げられる。尚、プログラムは、インターネットを介してサーバからダウンロードされ、インストールされてもよい。

＜基板処理システムによる処理前の基板＞
図２は、第１実施形態による基板処理システムによる処理前の基板を示す斜視図である。基板１０は、例えば半導体基板、サファイア基板などである。基板１０の第１主表面１１（図４等参照）は格子状に形成された複数のストリートで区画され、区画される領域には予め素子、回路、端子などが形成される。

基板１０の第１主表面１１には、バックグラインドテープ（以下、「ＢＧテープ」とも呼ぶ）４１が貼合される。ＢＧテープ４１は、基板１０の第１主表面１１を保護して、第１主表面１１に予め形成された素子、回路、端子などを保護する。

ＢＧテープ４１は、シート基材と、シート基材の表面に塗布された粘着剤とで構成される。その粘着剤は、紫外線を照射すると硬化して、粘着力を低下するものであってよい。粘着力の低下後に、剥離操作によって簡単にＢＧテープ４１を基板１０から剥離できる。

ＢＧテープ４１は、リング状のＢＧフレーム４９の開口部を覆うようにＢＧフレーム４９に装着され、ＢＧフレーム４９の開口部において基板１０と貼合される。これにより、ＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送でき、基板１０のハンドリング性を向上できる。

尚、基板１０は、本実施形態ではＢＧテープ４１を介してＢＧフレーム４９に装着された状態で基板処理システム１に供給されるが、基板処理システム１の内部においてＢＧテープ４１を介してＢＧフレーム４９に装着されてもよい。つまり、基板処理システム１は、ＢＧテープ４１を介してＢＧフレーム４９に基板１０を装着する処理部を有してもよい。

＜基板処理システムによる処理後の基板＞
図３は、第１実施形態による基板処理システムによる処理後の基板を示す斜視図である。基板１０は、ダイシング、薄板化、ＤＡＦ１５の付着、チップ１３の間隔の拡大などの処理を施されたうえで、ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着される。

ＤＡＦ１５は、ダイボンディング用の接着シートである。ＤＡＦ１５は、積層されるチップ同士の接着、チップと基材との接着などに用いられる。ＤＡＦ１５は、導電性、絶縁性のいずれでもよい。

粘着テープ５１は、シート基材と、シート基材の表面に塗布された粘着剤とで構成される。粘着テープ５１は、リング状のフレーム５９の開口部を覆うようにフレーム５９に装着され、フレーム５９の開口部において基板１０と貼合される。これにより、フレーム５９を保持して基板１０を搬送でき、基板１０のハンドリング性を向上できる。

尚、詳しくは後述するが、基板１０は、粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着される代わりに、粘着テープ５１を介してＢＧフレーム４９に装着されてもよい。

以下、処理ステーション３０に配設される、ダイシング部１００、薄板化部２００、ＤＡＦ付着部３００、ＤＡＦ分割加工部４００、エキスパンド部５１０、紫外線照射部５２０、マウント部５３０、保護テープ切断部６１０、および保護テープ剥離部６２０についてこの順で説明する。

＜ダイシング部＞
図４は、第１実施形態によるダイシング部を示す図である。ダイシング部１００は、基板１０のダイシングを行う。ここで、基板１０のダイシングとは、基板１０を複数のチップ１３に分割するための加工を意味し、基板１０を分割すること、基板１０に分割の起点を形成することを含む。ダイシング部１００は、例えば、基板保持部１１０と、基板加工部１２０と、移動機構部１３０とを有する。

基板保持部１１０は、ＢＧテープ４１を介して基板１０を保持する。基板１０は水平に保持されてよい。例えば、基板１０のＢＧテープ４１で保護されている第１主表面１１が下面とされ、基板１０の第２主表面１２が上面とされる。

基板加工部１２０は、例えば基板保持部１１０で保持されている基板１０のダイシングを行う。基板加工部１２０は、例えばレーザ発振器１２１と、レーザ発振器１２１からのレーザ光線を基板１０に照射する光学系１２２とを有する。光学系１２２は、レーザ発振器１２１からのレーザ光線を基板１０に向けて集光する集光レンズなどで構成される。

移動機構部１３０は、基板保持部１１０と基板加工部１２０とを相対的に移動させる。移動機構部１３０は、例えば基板保持部１１０をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向およびθ方向に移動させるＸＹＺθステージ等で構成される。

制御装置９０は、基板加工部１２０および移動機構部１３０を制御して、基板１０を複数のチップ１３に区画するストリートに沿って基板１０のダイシングを行う。図４に示すように基板１０の内部に破断の起点となる変質層を形成してもよいし、基板１０のレーザ照射面（例えば図４では上面）にレーザ加工溝を形成してもよい。レーザ加工溝は、基板１０を板厚方向に貫通してもよいし貫通しなくてもよい。

基板１０の内部に変質層を形成する場合、基板１０に対し透過性を有するレーザ光線が用いられる。一方、基板１０のレーザ照射面にレーザ加工溝を形成する場合、基板１０に対し吸収性を有するレーザ光線が用いられる。

尚、基板加工部１２０は、本実施形態ではレーザ光線を基板１０に照射するレーザ発振器を有するが、基板１０を切削する切削ブレードを有してもよいし、基板１０の表面にスクライブ溝を形成するスクラバーを有してもよい。

尚、ダイシング部１００は、本実施形態では基板処理システム１の処理ステーション３０に配設されるが、基板処理システム１の外部に設けられてもよい。この場合、基板１０は、ダイシングされたうえで、外部から搬入出ステーション２０に搬入される。

＜薄板化部＞
薄板化部２００（図１参照）は、ダイシングされた基板１０のＢＧテープ４１で保護されている第１主表面１１とは反対側の第２主表面１２を加工することにより、基板１０を薄板化する。ダイシング部１００で分割の起点を形成する場合、薄板化の過程で基板１０に加工応力が作用することにより、分割の起点から板厚方向にクラックが進展し、基板１０が複数のチップ１３に分割される。薄板化部２００は、例えば図１に示すように、回転テーブル２０１と、基板吸着部としてのチャックテーブル２０２と、粗研削部２１０と、仕上げ研削部２２０と、ダメージ層除去部２３０とを有する。

回転テーブル２０１は、回転テーブル２０１の中心線を中心に回転させられる。回転テーブル２０１の回転中心線の周りには、複数（例えば図１では４つ）のチャックテーブル２０２が等間隔で配設される。

複数のチャックテーブル２０２は、回転テーブル２０１と共に、回転テーブル２０１の中心線を中心に回転する。回転テーブル２０１の中心線は、鉛直とされる。回転テーブル２０１が回転する度に、粗研削部２１０、仕上げ研削部２２０およびダメージ層除去部２３０と向かい合うチャックテーブル２０２が変更される。

図５は、第１実施形態による薄板化部の粗研削部を示す図である。粗研削部２１０は、基板１０の粗研削を行う。粗研削部２１０は、例えば図５に示すように、回転砥石２１１を有する。回転砥石２１１は、その中心線を中心に回転させられる共に下降され、チャックテーブル２０２で保持されている基板１０の上面（つまり第２主表面１２）を加工する。

チャックテーブル２０２は、ＢＧテープ４１を介して基板１０を吸着する。基板１０は水平に保持されてよい。例えば、基板１０のＢＧテープ４１で保護されている第１主表面１１が下面とされ、基板１０の第２主表面１２が上面とされる。

チャックテーブル２０２の吸着面（例えば図５では上面）に対し垂直な方向から見たとき、ＢＧフレーム４９の外周はチャックテーブル２０２の吸着面よりも外側に配置される。チャックテーブル２０２の吸着面は、当該吸着面よりも大きいＢＧフレーム４９に装着されたＢＧテープ４１で覆われる。これにより、チャックテーブル２０２の吸着面への研削屑などの異物の付着を抑制でき、異物を洗い流す洗浄の手間を削減でき、基板１０を交換する時の手間を削減できる。

仕上げ研削部２２０は、基板１０の仕上げ研削を行う。仕上げ研削部２２０の構成は、粗研削部２１０の構成とほぼ同様である。但し、仕上げ研削部２２０の回転砥石の砥粒の平均粒径は、粗研削部２１０の回転砥石の砥粒の平均粒径よりも小さい。

ダメージ層除去部２３０は、粗研削や仕上げ研削などの研削によって基板１０の第２主表面１２に形成されたダメージ層を除去する。例えば、ダメージ層除去部２３０は、基板１０に対して処理液を供給してウェットエッチング処理を行い、ダメージ層を除去する。尚、ダメージ層の除去方法は特に限定されない。

尚、薄板化部２００は、基板１０の研磨を行う研磨部を有してもよい。研磨部の構成は、粗研削部２１０の構成とほぼ同様である。基板１０の研磨としては、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などが挙げられる。また、薄板化部２００は、不純物を捕獲するゲッタリングサイト（例えば結晶欠陥や歪み）を形成するゲッタリング部を有してもよい。チャックテーブル２０２の数は、図１では４つであるが、加工の種類の数に応じて適宜変更される。また、一の加工部（例えばダメージ層除去部２３０）が、複数種類の加工（例えばダメージ層除去とゲッタリングサイト形成）を行ってもよい。

＜ＤＡＦ付着部＞
図６は、第１実施形態によるＤＡＦ付着部を示す図である。ＤＡＦ付着部３００は、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５を付着する。例えば、ＤＡＦ付着部３００は、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５の材料を含むＤＡＦ用塗布液を塗布するＤＡＦ塗布部３１０を有する。ＤＡＦ塗布部３１０は、例えばＤＡＦ用塗布液を吐出するノズルなどで構成される。

ＤＡＦ付着部３００は、ＤＡＦ塗布部３１０の他に、ＢＧテープ４１を介して基板１０を保持する基板保持部３１１を有する。基板１０は水平に保持されてよい。例えば基板１０のＢＧテープ４１で保護されている第１主表面１１が下面とされ、基板１０の第２主表面１２が上面とされる。

ＤＡＦ塗布部３１０は、基板保持部３１１に対して相対的に移動させられ、基板保持部３１１で保持されている基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ用塗布液を塗布する。その塗布方法は、特に限定されないが、例えばスピンコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法などが挙げられる。

ＤＡＦ用塗布液は、例えば、アクリルやエポキシなどの樹脂と、樹脂を溶かす溶媒とを含み、ボトルに収容される。そのボトルとＤＡＦ塗布部３１０とを接続する配管の途中には、流量調整弁や流量計などが設けられる。

ＤＡＦ用塗布液は、基板１０の第２主表面１２に塗布され、液膜を形成する。その液膜を乾燥することにより、ＤＡＦ１５が形成される。ＤＡＦ用塗布液を用いる場合、その液膜の膜厚を変更することで、ＤＡＦ１５の膜厚を変更できる。また、ＤＡＦ用塗布液のボトルを交換することで、ＤＡＦ１５の材料を簡単に変更できる。

図７は、第１実施形態の変形例によるＤＡＦ付着部を示す図である。図７に示すＤＡＦ付着部３００は、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、予めフィルム状に成形されたＤＡＦ１５を貼合させるＤＡＦ貼合部３２０を有する。ＤＡＦ１５が予めフィルム状に成形されるため、基板１０の周囲にＤＡＦ１５が飛散することを防止できる。ＤＡＦ貼合部３２０は、ラミネート用ローラ３２１などで構成される。

フィルム状のＤＡＦ１５は、芯に巻き取られた状態で供給され、芯から引き出して使用される。ＤＡＦ１５は、張力によってラミネート用ローラ３２１に抱き付きながらラミネート用ローラ３２１と基板１０との間を通過し、基板１０に積層される。この間、基板保持部３２２は、ＢＧテープ４１を介して基板１０を平坦に保持する。

＜ＤＡＦ分割加工部＞
図８は、第１実施形態によるＤＡＦ分割加工部を示す図である。ＤＡＦ分割加工部４００は、チップ１３同士の境界線に沿って、ＤＡＦ１５の分割加工を行う。ここで、ＤＡＦ１５の分割加工とは、ＤＡＦ１５を分割するための加工を意味し、ＤＡＦ１５を分割すること、ＤＡＦ１５に分割の起点を形成することを含む。ＤＡＦ分割加工部４００は、例えば、基板保持部４１０と、ＤＡＦ加工部４２０と、移動機構部４３０とを有する。

基板保持部４１０は、ＢＧテープ４１を介して基板１０を保持する。基板１０は水平に保持されてよい。例えば、基板１０のＢＧテープ４１で保護されている第１主表面１１が下面とされ、基板１０のＤＡＦ１５と付着された第２主表面１２が上面とされる。

ＤＡＦ加工部４２０は、基板保持部４１０で保持されている基板１０と付着されたＤＡＦ１５の分割加工を行う。ＤＡＦ加工部４２０は、例えばレーザ発振器４２１と、レーザ発振器４２１からのレーザ光線をＤＡＦ１５に照射する光学系４２２とを有する。光学系４２２は、レーザ発振器４２１からのレーザ光線をＤＡＦ１５に向けて集光する集光レンズなどで構成される。

移動機構部４３０は、基板保持部４１０とＤＡＦ加工部４２０とを相対的に移動させる。移動機構部４３０は、例えば基板保持部４１０をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向およびθ方向に移動させるＸＹＺθステージ等で構成される。

制御装置９０は、ＤＡＦ加工部４２０および移動機構部４３０を制御して、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５の分割加工を行う。ＤＡＦ１５の内部に破断の起点となる変質層を形成してもよいし、ＤＡＦ１５のレーザ照射面（例えば図８では上面）にレーザ加工溝を形成してもよい。レーザ加工溝は、ＤＡＦ１５を膜厚方向に貫通してもよいし貫通しなくてもよい。

ＤＡＦ１５の内部に変質層を形成する場合、ＤＡＦ１５に対し透過性を有するレーザ光線が用いられる。一方、ＤＡＦ１５のレーザ照射面にレーザ加工溝を形成する場合、ＤＡＦ１５に対し吸収性を有するレーザ光線が用いられる。

尚、ＤＡＦ加工部４２０は、本実施形態ではＤＡＦ１５にレーザ光線を照射するレーザ発振器を有するが、ＤＡＦ１５を切削する切削ブレードを有してもよいし、ＤＡＦ１５の表面にスクライブ溝を形成するスクラバーを有してもよい。

＜エキスパンド部＞
図９は、第１実施形態によるエキスパンド部を示す図である。エキスパンド部５１０は、ＤＡＦ１５と付着された基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げる。チップ１３同士の間隔を広げることにより、搬送時やピックアップ時のチッピングを抑制できる。

尚、基板１０は、ＤＡＦ付着部３００から、ＤＡＦ分割加工部４００を経ずに、エキスパンド部５１０に搬送されてもよい。エキスパンド部５１０は、チップ１３同士の間隔を広げることにより、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５を引き裂くことができる。この場合、ＤＡＦ分割加工部４００は、不要である。

本実施形態では、エキスパンド部５１０がチップ１３同士の間隔を広げる前に、ＤＡＦ分割加工部４００がチップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５の分割加工を行う。これにより、引き裂き性の低いＤＡＦ１５が使用可能となるので、ＤＡＦ１５の樹脂の種類の選択肢が広がる。

エキスパンド部５１０は、例えば、基板１０と貼合されたＢＧテープ４１を放射状に延伸することにより、チップ１３同士の間隔を広げる保護テープ延伸部５１１を有する。保護テープ延伸部５１１は、例えば、保護テープ用フレーム保持部５１２と、保護テープ押圧部５１３と、保護テープ押圧駆動部５１４とを有する。

保護テープ用フレーム保持部５１２は、ＢＧフレーム４９を保持する。ＢＧフレーム４９は水平に保持されてよい。ＢＧフレーム４９と、ＢＧフレーム４９の内側に配置された基板１０との間には、リング状の隙間が形成されている。

保護テープ押圧部５１３は、ＢＧフレーム４９の内周と基板１０の外周との間において、ＢＧフレーム４９および基板１０と貼合されたＢＧテープ４１を押圧する。保護テープ押圧部５１３は、例えば円筒状に形成される。

保護テープ押圧駆動部５１４は、保護テープ用フレーム保持部５１２と保護テープ押圧部５１３とを相対的に移動させる。その移動方向は、基板１０の主表面（例えば第１主表面１１）に対し垂直とされ、例えば鉛直方向とされる。保護テープ押圧駆動部５１４は、シリンダなどで構成される。

制御装置９０は、保護テープ押圧駆動部５１４を制御して、ＢＧテープ４１を押圧してＢＧテープ４１を放射状に延伸する。これにより、チップ１３同士の間隔を広げることができ、チップ１３同士の間に隙間を形成することができる。

＜紫外線照射部＞
図１０は、第１実施形態による紫外線照射部を示す図である。紫外線照射部５２０は、ＢＧテープ４１に紫外線を照射する。ＢＧテープ４１の粘着剤を紫外線の照射によって硬化でき、ＢＧテープ４１の粘着力を低下できる。粘着力の低下後に、剥離操作によって簡単にＢＧテープ４１を基板１０から剥離できる。

紫外線照射部５２０としては、ＵＶランプなどが用いられる。紫外線照射部５２０による紫外線の照射は、ＢＧテープ４１の粘着力が高い場合に行われ、ＢＧテープ４１の剥離操作の前に行われる。

紫外線照射部５２０は、ＢＧテープ４１を基準として基板１０とは反対側に設けられてよい。紫外線の照射によるＤＡＦ１５の劣化を抑制できる。紫外線照射部５２０は、例えば保護テープ押圧部５１３の内部に設けられる。

紫外線照射部５２０は、ＢＧテープ４１の延伸後に、ＢＧテープ４１に紫外線を照射してよい。ＢＧテープ４１の延伸時にはＢＧテープ４１に基板１０が強固に粘着しているため、ＢＧテープ４１の延伸によってチップ１３同士の間隔を確実に広げることができる。

＜マウント部＞
図１１は、第１実施形態によるマウント部を示す図である。マウント部５３０は、エキスパンド部５１０によってチップ１３同士の間隔が広げられた基板１０を、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着する。フレーム５９は、ＢＧフレーム４９とは別に用意されるものである。

マウント部５３０は、例えばフレーム５９を保持するフレーム保持部５３１と、フレーム保持部５３１で保持されているフレーム５９に対し粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着する貼合部５３２とを有する。フレーム保持部５３１は、フレーム５９の粘着テープ５１を装着する面（例えば図１１では上面）と、ＤＡＦ１５の粘着テープ５１を装着する面（例えば図１１では上面）とを同一平面上に配置させる。貼合部５３２は、例えばラミネート用ローラで構成される。

フィルム状の粘着テープ５１は、芯に巻き取られた状態で供給され、芯から引き出して使用される。粘着テープ５１は、張力によってラミネート用ローラに抱き付きながらラミネート用ローラとＤＡＦ１５との間を通過し、ＤＡＦ１５に積層される。また、粘着テープ５１は、張力によってラミネート用ローラに抱き付きながらラミネート用ローラとフレーム５９との間を通過し、フレーム５９に積層される。マウント部５３０は、図１１に示すように、粘着テープ５１を、フレーム５９の一端側から他端側に向けて順次、フレーム５９およびＤＡＦ１５と貼合させる。

図１２は、第１実施形態の第１変形例によるマウント部を示す図である。図１２において、実線は粘着テープ５１をＤＡＦ１５に貼合する前の状態を示し、二点鎖線は粘着テープ５１をＤＡＦ１５に貼合した後の状態を示す。

上記第１実施形態のマウント部５３０は、粘着テープ５１を、フレーム５９の一端側から他端側に向けて順次、フレーム５９およびＤＡＦ１５と貼合させる。これに対し、本変形例のマウント部５３０は、フレーム５９に予め装着された粘着テープ５１を、ＤＡＦ１５と平行に貼合させる。以下、相違点について主に説明する。

図１２に示すマウント部５３０は、フレーム５９を保持するフレーム保持部５３３と、フレーム保持部５３３で保持されているフレーム５９に対し粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着する貼合部５３４とを有する。フレーム保持部５３３は、粘着テープ５１を介してフレーム５９を保持する。フレーム保持部５３３は、フレーム５９とＢＧフレーム４９とを平行に保持する。貼合部５３４は、平行に保持されたフレーム５９とＢＧフレーム４９とを接離させるものであり、例えばシリンダなどで構成される。

粘着テープ５１は、予めフレーム５９に装着される。フレーム５９は、粘着テープ５１の外周部を保持する。フレーム５９とＢＧフレーム４９とは、平行に保持されながら、接近させる。これにより、粘着テープ５１とＤＡＦ１５とが、平行に貼合される。尚、貼合部５３４は、フレーム５９とＢＧフレーム４９を接近させるため、フレーム５９およびＢＧフレーム４９のどちらを移動させてもよく、両方を移動させてもよい。

図１３は、第１実施形態の第２変形例によるマウント部を示す図である。上記第１実施形態のマウント部５３０およびその第１変形例のマウント部５３０は、ＢＧフレーム４９とは別に用意されるフレーム５９に、粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着する。これに対し、本変形例のマウント部５３０は、ＢＧフレーム４９に、粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着する。粘着テープ５１とＢＧテープ４１とは、ＢＧフレーム４９を挟んで配される。

図１３に示すマウント部５３０は、例えばＢＧフレーム４９を保持するフレーム保持部５３５と、フレーム保持部５３５で保持されているＢＧフレーム４９に対し粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着する貼合部５３６とを有する。フレーム保持部５３５は、ＢＧフレーム４９の粘着テープ５１を装着する面（例えば図１３では上面）と、ＤＡＦ１５の粘着テープ５１を装着する面（例えば図１３では上面）とを同一平面上に配置させる。貼合部５３６は、例えばラミネート用ローラで構成される。

フィルム状の粘着テープ５１は、芯に巻き取られた状態で供給され、芯から引き出して使用される。粘着テープ５１は、張力によってラミネート用ローラに抱き付きながらラミネート用ローラとＤＡＦ１５との間を通過し、ＤＡＦ１５に積層される。また、粘着テープ５１は、張力によってラミネート用ローラに抱き付きながらラミネート用ローラとＢＧフレーム４９との間を通過し、ＢＧフレーム４９に積層される。マウント部５３０は、図１３に示すように、粘着テープ５１を、ＢＧフレーム４９の一端側から他端側に向けて順次、ＢＧフレーム４９およびＤＡＦ１５と貼合させる。

＜保護テープ切断部＞
図１４は、第１実施形態による保護テープ切断部を示す図である。保護テープ切断部６１０は、ＢＧフレーム４９およびＢＧフレーム４９の内側に配置される基板１０の両方と貼合された延伸後のＢＧテープ４１を、ＢＧフレーム４９の内周と基板１０の外周との間で切断する。ＢＧテープ４１は、ＢＧフレーム４９と貼合された部分と、基板１０と貼合された部分とに分離される。これにより、基板１０と貼合されたＢＧテープ４１の、ＢＧフレーム４９による拘束が解除される。そのため、詳しくは後述するが、図１５に示すように、基板１０と貼合されたＢＧテープ４１を、基板１０の一端から他端に向けて順次変形させながら、基板１０から剥離できる。

保護テープ切断部６１０は、例えば、ＢＧテープ４１を介してＢＧフレーム４９を保持する保護テープ用フレーム保持部６１１と、粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を保持する基板保持部６１２と、ＢＧテープ４１を切断する切断加工部６１３とを有する。切断加工部６１３としては、図１４ではＢＧテープ４１を切削する切削ブレードが用いられるが、ＢＧテープ４１にレーザ光線を照射するレーザ発振器が用いられてもよい。

保護テープ切断部６１０によるＢＧテープ４１の切断は、ＢＧテープ４１をＢＧフレーム４９に装着した場合に行われる。この場合、搬送装置２７および搬送装置３３は、ＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送でき、基板１０のハンドリング性を向上できる。

＜保護テープ剥離部＞
図１５は、第１実施形態による保護テープ剥離部を示す図である。保護テープ剥離部は、保護テープ延伸部５１１によって延伸したＢＧテープ４１を、マウント部５３０によって粘着テープ５１と貼合された基板１０から剥離する。延伸によって弛んだＢＧテープ４１を除去できる。保護テープ剥離部６２０は、例えば剥離用ローラ６２１などで構成される。

ＢＧテープ４１は、張力によって剥離用ローラ６２１に抱き付きながら剥離用ローラ６２１と基板１０との間を通過し、基板１０から剥離される。この間、基板保持部６２２は、粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を平坦に保持する。基板１０から剥離されたＢＧテープ４１は、不図示の巻取芯に巻き取られる。

保護テープ剥離部６２０は、図１５に示すように、ＢＧテープ４１を、基板１０の一端側から他端側に向けて順次変形させながら、基板１０から剥離する。これにより、ＢＧテープ４１と基板１０とを円滑に剥離できる。

尚、保護テープ剥離部６２０は、ＢＧテープ４１と基板１０とを平行に剥離してもよい。この場合、保護テープ切断部６１０によるＢＧテープ４１の切断は、不要である。

＜基板処理方法＞
次に、上記構成の基板処理システム１を用いた基板処理方法について説明する。図１６は、第１実施形態による基板処理方法のフローチャートである。尚、半導体装置製造方法のフローチャートは、基板処理方法のフローチャートと同様であるので図示を省略する。

図１６に示すように基板処理方法は、搬入工程Ｓ１０１と、ダイシング工程Ｓ１０２と、薄板化工程Ｓ１０３と、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０４と、ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０５と、エキスパンド工程Ｓ１０６と、紫外線照射工程Ｓ１０７と、マウント工程Ｓ１０８と、保護テープ切断工程Ｓ１０９と、保護テープ剥離工程Ｓ１１０と、搬出工程Ｓ１１１とを有する。これらの工程は、制御装置９０による制御下で実施される。尚、これらの工程の順序は、図１６に示す順序には限定されない。

搬入工程Ｓ１０１では、搬送装置２７が載置台２１上のキャリアＣから処理ステーション３０のトランジション部３５に基板１０を搬送し、次いで、搬送装置３３がトランジション部３５からダイシング部１００に基板１０を搬送する。基板１０がＢＧテープ４１を介してＢＧフレーム４９に予め装着された場合、搬送装置３３や搬送装置２７はＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送する。

ダイシング工程Ｓ１０２では、図４に示すように、ダイシング部１００が、基板１０を複数のチップ１３に区画するストリートに沿って基板１０のダイシングを行う。このとき、基板１０の第１主表面１１は、ＢＧテープ４１で保護される。

薄板化工程Ｓ１０３では、図５に示すように、薄板化部２００が、基板１０のＢＧテープ４１で保護された第１主表面１１とは反対側の第２主表面１２を加工することにより、基板１０を薄板化する。このとき、基板１０の第１主表面１１は、ＢＧテープ４１で保護される。

薄板化工程Ｓ１０３では、チャックテーブル２０２の吸着面（例えば図５では上面）を、当該吸着面よりも大きいＢＧフレーム４９に装着されたＢＧテープ４１で覆う。これにより、チャックテーブル２０２の吸着面への研削屑などの異物の付着を抑制でき、異物を洗い流す洗浄の手間を削減でき、基板１０を交換する時の手間を削減できる。

ＤＡＦ付着工程Ｓ１０４では、図６に示すように、ＤＡＦ付着部３００が、薄板化された基板１０の第２主表面１２にＤＡＦ１５を付着する。例えば、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０４では、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５の材料を含むＤＡＦ用塗布液を塗布する。

ＤＡＦ用塗布液は、基板１０の第２主表面１２に塗布され、液膜を形成する。その液膜を乾燥することにより、ＤＡＦ１５が形成される。ＤＡＦ用塗布液を用いる場合、その液膜の膜厚を変更することで、ＤＡＦ１５の膜厚を変更できる。また、ＤＡＦ用塗布液のボトルを交換することで、ＤＡＦ１５の材料を簡単に変更できる。

尚、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０４では、図７に示すように、ＤＡＦ付着部３００が、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、予めフィルム状に成形されたＤＡＦ１５を貼合させてもよい。ＤＡＦ１５が予めフィルム状に成形されるため、基板１０の周囲にＤＡＦ１５が飛散することを防止できる。

ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０５では、図８に示すように、ＤＡＦ分割加工部４００が、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５を分割加工する。

尚、ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０５は行われずに、エキスパンド工程Ｓ１０６が行われてもよい。エキスパンド工程Ｓ１０６においてチップ１３同士の間隔を広げることで、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５を引き裂くことができる。

本実施形態では、ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０５が、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０４の後、エキスパンド工程Ｓ１０６の前に行われる。そのため、引き裂き性の低いＤＡＦ１５が使用可能となるので、ＤＡＦ１５の樹脂の種類の選択肢が広がる。

エキスパンド工程Ｓ１０６では、図９に示すように、エキスパンド部５１０が、ＤＡＦと付着された基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げる。チップ１３同士の間隔を広げることにより、搬送時やピックアップ時のチッピングを抑制できる。

例えばエキスパンド工程Ｓ１０６では、基板１０と貼合されたＢＧテープ４１を放射状に延伸することにより、チップ１３同士の間隔を広げる。延伸されたＢＧテープ４１でチップ１３同士の間隔を広げたまま維持できる。

紫外線照射工程Ｓ１０７では、図１０に示すように、紫外線照射部５２０が、ＢＧテープ４１に紫外線を照射する。ＢＧテープ４１の粘着剤を紫外線の照射によって硬化でき、ＢＧテープ４１の粘着力を低下でき、延伸によって弛んだＢＧテープ４１を保護テープ剥離工程Ｓ１１０において簡単に基板１０から剥離できる。

紫外線照射工程Ｓ１０７は、マウント工程Ｓ１０８の後に行われてもよいが、本実施形態ではマウント工程Ｓ１０８の前に行われる。これにより、紫外線の照射による粘着テープ５１の劣化を防止できる。

マウント工程Ｓ１０８では、図１１に示すように、マウント部５３０が、チップ１３同士の間隔が広げられた基板１０を、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着する。フレーム５９に装着される粘着テープ５１には弛みがないので、弛みのない粘着テープ５１でチップ１３同士の間隔を維持できる。

例えば、マウント工程Ｓ１０８では、図１１または図１２に示すように、ＢＧフレーム４９とは別に用意されるフレーム５９に、粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着する。ＢＧフレーム４９とは別に用意されるフレーム５９を使用することで、研削屑などの異物が基板１０に付着することを抑制できる。

尚、マウント工程Ｓ１０８では、図１３に示すように、ＢＧフレーム４９に、粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着してもよい。フレームの使用数を低減でき、フレームの保持構造を簡単化できる。ＢＧフレーム４９の粘着テープ５１を装着する面（例えば図１３では上面）は、粘着テープ５１の装着前に十分に洗浄される。

保護テープ切断工程Ｓ１０９では、図１４に示すように、保護テープ切断部６１０が、ＢＧフレーム４９およびＢＧフレーム４９の内側に配置される基板１０の両方と貼合された延伸後のＢＧテープ４１を、ＢＧフレーム４９の内周と基板１０の外周との間で切断する。ＢＧテープ４１は、ＢＧフレーム４９と貼合された部分と、基板１０と貼合された部分とに分離される。これにより、基板１０と貼合されたＢＧテープ４１の、ＢＧフレーム４９による拘束が解除される。そのため、保護テープ剥離工程Ｓ１１０において、基板１０と貼合されたＢＧテープ４１を、基板１０の一端から他端に向けて順次変形させながら、基板１０から剥離できる。

保護テープ剥離工程Ｓ１１０では、図１５に示すように、保護テープ剥離部６２０が、延伸後のＢＧテープ４１を基板１０から剥離する。延伸によって弛んだＢＧテープ４１を除去できる。これにより、基板１０は、図３に示すように、チップ１３同士の間隔を広げた状態で、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に保持される。

保護テープ剥離工程Ｓ１１０では、図１５に示すように、ＢＧテープ４１を、基板１０の一端側から他端側に向けて順次変形させながら、基板１０から剥離する。これにより、ＢＧテープ４１と基板１０とを円滑に剥離できる。

尚、保護テープ剥離工程Ｓ１１０では、ＢＧテープ４１と基板１０とを平行に剥離してもよい。この場合、保護テープ切断工程Ｓ１０９によるＢＧテープ４１の切断は、不要である。

搬出工程Ｓ１１１では、搬送装置３３が保護テープ剥離部６２０からトランジション部３５に基板１０を搬送し、次いで、搬送装置２７がトランジション部３５から載置台２１上のキャリアＣに基板１０を搬送する。搬送装置３３や搬送装置２７は、フレーム５９を保持して基板１０を搬送する。キャリアＣは、載置台２１から外部に搬出される。外部に搬出された基板１０は、チップ１３ごとにピックアップされる。このようにして、チップ１３およびＤＡＦ１５を含む半導体装置が製造される。

搬送装置３３や搬送装置２７が特許請求の範囲に記載の基板搬送部に対応する。基板搬送部は、ＢＧテープ４１を装着したＢＧフレーム４９を保持して、ＢＧフレーム４９の内側においてＢＧテープ４１と貼合された基板１０を搬送する。搬送装置２７は、載置板２２に載置されたキャリアＣと、処理ステーション３０のトランジション部３５との間で、基板１０の搬送を行う。搬送装置３３は、搬送領域３１に隣接する処理部同士の間で基板１０を搬送する。これらの搬送工程では、ＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送するので、基板１０のハンドリング性を向上できる。

［第２実施形態］
上記第１実施形態では、基板１０の第１主表面１１を保護する保護テープとして、ＢＧテープ４１が用いられる。これに対し、本実施形態では、基板１０の第１主表面１１を保護する保護テープとして、ＢＧテープ４１とエキスパンドテープ４２（図１８等参照）とが用いられる。エキスパンドテープ４２は、基板１０とＢＧテープ４１との間に配設される。ＢＧテープ４１は、基板１０の薄板化の後、エキスパンドテープ４２の延伸前に、エキスパンドテープ４２から剥離される。基板１０の薄板化の際には、ＢＧテープ４１とエキスパンドテープ４２の両方によって基板１０を保護できる。一方、エキスパンドテープ４２の延伸の際には、予めＢＧテープ４１がエキスパンドテープ４２から剥離されており、ＢＧテープ４１によるエキスパンドテープ４２の拘束が解除されているため、エキスパンドテープ４２を簡単に延伸でき、チップ１３同士の間隔を簡単に広げることができる。以下、相違点について主に説明する。

＜基板処理システム＞
図１７は、第２実施形態による基板処理システムを示す平面図である。基板処理システム１Ａは、基板１０のダイシング、基板１０の薄板化、基板１０へのＤＡＦの付着、チップ同士の間隔の拡大、基板１０のマウントなどを行う。基板処理システム１Ａは、搬入出ステーション２０と、処理ステーション３０Ａと、制御装置９０とを備える。

処理ステーション３０Ａは、搬送領域３１と、トランジション部３５と、後述の各種の処理部とを備える。尚、処理部の配置や個数は、図１７に示す配置や個数に限定されず、任意に選択可能である。また、複数の処理部は、任意の単位で、分散または統合して配置してもよい。

以下、処理ステーション３０Ａに配設される、ダイシング部１００、薄板化部２００、ＤＡＦ付着部３００、ＤＡＦ分割加工部４００、保護テープ薄化部７００、エキスパンド部５１０についてこの順で説明する。

尚、処理ステーション３０Ａに配設される、紫外線照射部５２０、マウント部５３０、保護テープ切断部６１０、および保護テープ剥離部６２０については、ＢＧテープ４１の代わりにエキスパンドテープ４２を処理する点を除き、上記第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。

＜ダイシング部＞
図１８は、第２実施形態によるダイシング部を示す図である。ダイシング部１００は、基板１０のダイシングを行う。基板１０の第１主表面１１は、積層されたＢＧテープ４１とエキスパンドテープ４２とで保護される。

エキスパンドテープ４２は、シート基材と、シート基材の表面に塗布された粘着剤とで構成される。その粘着剤は、紫外線を照射すると硬化して、粘着力を低下するものであってよい。粘着力の低下後に、剥離操作によって簡単にエキスパンドテープ４２を基板１０から剥離できる。

エキスパンドテープ４２は、基板１０とＢＧテープ４１との間に配設される。エキスパンドテープ４２は、ＢＧテープ４１よりも柔らかいものであってよく、ＢＧテープ４１よりも薄いものであってよい。

エキスパンドテープ４２は、リング状のＢＧフレーム４９の開口部を覆うようにＢＧフレーム４９に装着されてよく、ＢＧフレーム４９の開口部において基板１０と貼合される。これにより、ＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送でき、基板１０のハンドリング性を向上できる。

尚、ダイシング部１００は、本実施形態では基板処理システム１Ａの処理ステーション３０Ａに配設されるが、基板処理システム１Ａの外部に設けられてもよい。この場合、基板１０は、ダイシングされたうえで、外部から搬入出ステーション２０に搬入される。

＜薄板化部＞
図１９は、第２実施形態による薄板化部の粗研削部を示す図である。薄板化部２００は、ダイシングされた基板１０の第２主表面１２を加工することにより、基板１０を薄板化する。

基板１０の第１主表面１１は、積層されたＢＧテープ４１とエキスパンドテープ４２とで保護される。保護テープとして比較的柔らかいエキスパンドテープ４２のみを用いる場合に比べて、基板１０の第１主表面１１を確実に保護できる。

ＢＧテープ４１は、エキスパンドテープ４２よりも硬いため、エキスパンドテープ４２の加工応力による変形を抑制できる。これにより、基板１０を精度良く加工できる。

＜ＤＡＦ付着部＞
図２０は、第２実施形態によるＤＡＦ付着部を示す図である。図２０に示すＤＡＦ付着部３００は、薄板化された基板１０の第２主表面１２にＤＡＦ１５を付着する。ＤＡＦ付着部３００は、ＤＡＦ塗布部３１０と、基板保持部３１１とを有する。

基板保持部３１１は、ＢＧテープ４１およびエキスパンドテープ４２を介して基板１０を保持する。保護テープとして比較的柔らかいエキスパンドテープ４２のみを用いる場合に比べて、基板１０の第１主表面１１を確実に保護できる。

尚、ＤＡＦ付着部３００は、図２０に示すＤＡＦ塗布部３１０の代わりに、図７に示すＤＡＦ貼合部３２０を有してもよい。

＜ＤＡＦ分割加工部＞
図２１は、第２実施形態によるＤＡＦ分割加工部を示す図である。ＤＡＦ分割加工部４００は、チップ１３同士の境界線に沿って、ＤＡＦ１５の分割加工を行う。ＤＡＦ分割加工部４００は、例えば、基板保持部４１０と、ＤＡＦ加工部４２０と、移動機構部４３０とを有する。

基板保持部４１０は、ＢＧテープ４１およびエキスパンドテープ４２を介して基板１０を保持する。保護テープとして比較的柔らかいエキスパンドテープ４２のみを用いる場合に比べて、基板１０の第１主表面１１を確実に保護できる。

ＤＡＦ加工部４２０は、本実施形態ではＤＡＦ１５にレーザ光線を照射するレーザ発振器４２１を有するが、ＤＡＦ１５を切削する切削ブレードを有してもよいし、ＤＡＦ１５の表面にスクライブ溝を形成するスクラバーを有してもよい。

＜保護テープ薄化部＞
図２２は、第２実施形態による保護テープ薄化部を示す図である。保護テープ薄化部７００は、一部の保護テープ（例えばＢＧテープ４１）を、残りの保護テープ（例えばエキスパンドテープ４２）から剥離する。保護テープ薄化部７００は、例えば剥離用ローラ７１０などで構成される。

ＢＧテープ４１は、張力によって剥離用ローラ７１０に抱き付きながら剥離用ローラ７１０と基板１０との間を通過し、基板１０から剥離される。この間、基板１０およびエキスパンドテープ４２は平坦に保持される。基板１０から剥離されたＢＧテープ４１は、不図示の巻取芯に巻き取られる。

＜エキスパンド部＞
図２３は、第２実施形態によるエキスパンド部を示す図である。エキスパンド部５１０は、ＤＡＦ１５と付着された基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げる。チップ１３同士の間隔を広げることにより、搬送時やピックアップ時のチッピングを抑制できる。

尚、基板１０は、ＤＡＦ付着部３００から、ＤＡＦ分割加工部４００を経ずに、エキスパンド部５１０に搬送されてもよい。エキスパンド部５１０は、チップ１３同士の間隔を広げることにより、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５を引き裂くことができる。この場合、ＤＡＦ分割加工部４００は、不要である。

本実施形態では、エキスパンド部５１０がチップ１３同士の間隔を広げる前に、ＤＡＦ分割加工部４００がチップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５の分割加工を行う。これにより、引き裂き性の低いＤＡＦ１５が使用可能となるので、ＤＡＦ１５の樹脂の種類の選択肢が広がる。

エキスパンド部５１０は、例えば、基板１０と貼合されたエキスパンドテープ４２を放射状に延伸することにより、チップ１３同士の間隔を広げる保護テープ延伸部５１１を有する。

本実施形態では、保護テープ延伸部５１１がエキスパンドテープ４２を延伸する前に、保護テープ薄化部７００がエキスパンドテープ４２からＢＧテープ４１を剥離してＢＧテープ４１によるエキスパンドテープ４２の拘束を解除する。そのため、エキスパンドテープ４２を簡単に延伸でき、チップ１３同士の間隔を簡単に広げることができる。

エキスパンドテープ４２は、ＢＧテープ４１よりも柔らかく、ＢＧテープ４１よりも薄い。そのため、エキスパンドテープ４２を延伸する場合、ＢＧテープ４１を延伸する場合に比べて、チップ１３同士の間隔を簡単に広げることができる。

＜基板処理方法＞
次に、上記構成の基板処理システム１Ａを用いた基板処理方法について説明する。図２４は、第２実施形態による基板処理方法のフローチャートである。尚、半導体装置製造方法のフローチャートは、基板処理方法のフローチャートと同様であるので図示を省略する。

図２４に示すように基板処理方法は、搬入工程Ｓ１０１と、ダイシング工程Ｓ１０２と、薄板化工程Ｓ１０３と、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０４と、ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０５と、保護テープ薄化工程Ｓ２０１と、エキスパンド工程Ｓ１０６と、紫外線照射工程Ｓ１０７と、マウント工程Ｓ１０８と、保護テープ切断工程Ｓ１０９と、保護テープ剥離工程Ｓ１１０と、搬出工程Ｓ１１１とを有する。これらの工程は、制御装置９０による制御下で実施される。尚、これらの工程の順序は、図２４に示す順序には限定されない。

搬入工程Ｓ１０１では、搬送装置２７が載置台２１上のキャリアＣから処理ステーション３０Ａのトランジション部３５に基板１０を搬送し、次いで、搬送装置３３がトランジション部３５からダイシング部１００に基板１０を搬送する。基板１０がＢＧテープ４１を介してＢＧフレーム４９に予め装着された場合、搬送装置３３や搬送装置２７はＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送する。

ダイシング工程Ｓ１０２では、図１８に示すように、ダイシング部１００が、基板１０を複数のチップ１３に区画するストリートに沿って基板１０のダイシングを行う。このとき、基板１０の第１主表面１１は、積層された複数の保護テープ（ＢＧテープ４１およびエキスパンドテープ４２）で保護される。

エキスパンドテープ４２は、基板１０とＢＧテープ４１との間に配設される。エキスパンドテープ４２は、ＢＧテープ４１よりも柔らかいものであってよく、ＢＧテープ４１よりも薄いものであってよい。

エキスパンドテープ４２は、リング状のＢＧフレーム４９の開口部を覆うようにＢＧフレーム４９に装着されてよく、ＢＧフレーム４９のの開口部において基板１０と貼合される。これにより、ＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送でき、基板１０のハンドリング性を向上できる。

エキスパンドテープ４２を装着したＢＧフレーム４９を保持して、ＢＧフレーム４９の内側においてエキスパンドテープ４２と貼合された基板１０を搬送する基板搬送部としては、例えば搬送装置２７および搬送装置３３が用いられる。

薄板化工程Ｓ１０３では、図１９に示すように、薄板化部２００が、ダイシングされた基板１０の第２主表面１２を加工することにより、基板１０を薄板化する。基板１０の第１主表面１１は、積層されたＢＧテープ４１とエキスパンドテープ４２とで保護される。薄板化部２００は、ＢＧテープ４１およびエキスパンドテープ４２を介して基板１０を吸着する基板吸着部（例えばチャックテーブル２０２）を有する。

薄板化工程Ｓ１０３では、チャックテーブル２０２の吸着面（例えば図１９では上面）を、当該吸着面よりも大きいＢＧフレーム４９に装着されたＢＧテープ４１などで覆う。これにより、チャックテーブル２０２の吸着面への研削屑などの異物の付着を抑制でき、異物を洗い流す洗浄の手間を削減でき、基板１０を交換する時の手間を削減できる。

ＤＡＦ付着工程Ｓ１０４では、図２０に示すように、ＤＡＦ付着部３００が、薄板化された基板１０の第２主表面１２にＤＡＦ１５を付着する。例えば、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０４では、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５の材料を含むＤＡＦ用塗布液を塗布する。

ＤＡＦ用塗布液は、基板１０の第２主表面１２に塗布され、液膜を形成する。その液膜を乾燥することにより、ＤＡＦ１５が形成される。ＤＡＦ用塗布液を用いる場合、その液膜の膜厚を変更することで、ＤＡＦ１５の膜厚を変更できる。また、ＤＡＦ用塗布液のボトルを交換することで、ＤＡＦ１５の材料を簡単に変更できる。

尚、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０４では、図７に示すように、ＤＡＦ付着部３００が、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、予めフィルム状に成形されたＤＡＦ１５を貼合させてもよい。ＤＡＦ１５が予めフィルム状に成形されるため、基板１０の周囲にＤＡＦ１５が飛散することを防止できる。

ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０５では、図２１に示すように、ＤＡＦ分割加工部４００が、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５を分割加工する。

尚、ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０５は行われずに、エキスパンド工程Ｓ１０６が行われてもよい。エキスパンド工程Ｓ１０６においてチップ１３同士の間隔を広げることで、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５を引き裂くことができる。

本実施形態では、ＤＡＦ分割加工工程Ｓ１０５が、ＤＡＦ付着工程Ｓ１０４の後、エキスパンド工程Ｓ１０６の前に行われる。そのため、引き裂き性の低いＤＡＦ１５が使用可能となるので、ＤＡＦ１５の樹脂の種類の選択肢が広がる。

保護テープ薄化工程Ｓ２０１では、図２２に示すように、保護テープ薄化部７００が、一部の保護テープ（例えばＢＧテープ４１）を、残りの保護テープ（例えばエキスパンドテープ４２）から剥離する。

本実施形態では、保護テープ薄化工程Ｓ２０１が、薄板化工程Ｓ１０３の後であってエキスパンド工程Ｓ１０６の前に行われる。薄板化工程Ｓ１０３では、ＢＧテープ４１とエキスパンドテープ４２の両方によって基板１０の第１主表面１１を保護できる。一方、エキスパンド工程Ｓ１０６では、予めＢＧテープ４１がエキスパンドテープ４２から剥離されており、ＢＧテープ４１によるエキスパンドテープ４２の拘束が解除されているため、エキスパンドテープ４２を簡単に延伸でき、チップ１３同士の間隔を簡単に広げることができる。

エキスパンドテープ４２は、ＢＧテープ４１よりも柔らかく、ＢＧテープ４１よりも薄い。そのため、エキスパンドテープ４２を延伸する場合、ＢＧテープ４１を延伸する場合に比べて、チップ１３同士の間隔を簡単に広げることができる。

エキスパンド工程Ｓ１０６では、図２３に示すように、エキスパンド部５１０が、ＤＡＦ１５と付着された基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げる。チップ１３同士の間隔を広げることにより、搬送時やピックアップ時のチッピングを抑制できる。

例えばエキスパンド工程Ｓ１０６では、基板１０と貼合されたエキスパンドテープ４２を放射状に延伸することにより、チップ１３同士の間隔を広げる。延伸されたエキスパンドテープ４２でチップ１３同士の間隔を広げたまま維持できる。

紫外線照射工程Ｓ１０７では、上記第１実施形態の図１０と同様に、紫外線照射部５２０が、エキスパンドテープ４２に紫外線を照射する。エキスパンドテープ４２の粘着剤を紫外線の照射によって硬化でき、エキスパンドテープ４２の粘着力を低下でき、延伸によって弛んだエキスパンドテープ４２を保護テープ剥離工程Ｓ１１０において簡単に基板１０から剥離できる。

紫外線照射工程Ｓ１０７は、マウント工程Ｓ１０８の後に行われてもよいが、本実施形態ではマウント工程Ｓ１０８の前に行われる。これにより、紫外線の照射による粘着テープ５１の劣化を防止できる。

マウント工程Ｓ１０８では、上記第１実施形態の図１１と同様に、マウント部５３０が、チップ１３同士の間隔が広げられた基板１０を、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着する。フレーム５９に装着される粘着テープ５１には弛みがないので、弛みのない粘着テープ５１でチップ１３同士の間隔を維持できる。

例えば、マウント工程Ｓ１０８では、上記第１実施形態の図１１または図１２と同様に、ＢＧフレーム４９とは別に用意されるフレーム５９に、粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着する。ＢＧフレーム４９とは別に用意されるフレーム５９を使用することで、研削屑などの異物が基板１０に付着することを抑制できる。

尚、マウント工程Ｓ１０８では、上記第１実施形態の図１３と同様に、ＢＧフレーム４９に、粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着してもよい。フレームの使用数を低減でき、フレームの保持構造を簡単化できる。ＢＧフレーム４９の粘着テープ５１を装着する面（例えば図１３では上面）は、粘着テープ５１の装着前に十分に洗浄される。

保護テープ切断工程Ｓ１０９では、上記第１実施形態の図１４と同様に、保護テープ切断部６１０が、ＢＧフレーム４９およびＢＧフレーム４９の内側に配置される基板１０の両方と貼合された延伸後のエキスパンドテープ４２を、ＢＧフレーム４９の内周と基板１０の外周との間で切断する。エキスパンドテープ４２は、ＢＧフレーム４９と貼合された部分と、基板１０と貼合された部分とに分離される。これにより、基板１０と貼合されたエキスパンドテープ４２の、ＢＧフレーム４９による拘束が解除される。そのため、保護テープ剥離工程Ｓ１１０において、基板１０と貼合されたエキスパンドテープ４２を、基板１０の一端から他端に向けて順次変形させながら、基板１０から剥離できる。

保護テープ剥離工程Ｓ１１０では、上記第１実施形態の図１５と同様に、保護テープ剥離部６２０が、延伸後のエキスパンドテープ４２を基板１０から剥離する。延伸によって弛んだエキスパンドテープ４２を除去できる。これにより、基板１０は、図３に示すように、チップ１３同士の間隔を広げた状態で、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に保持される。

保護テープ剥離工程Ｓ１１０では、エキスパンドテープ４２を、基板１０の一端側から他端側に向けて順次変形させながら、基板１０から剥離する。これにより、エキスパンドテープ４２と基板１０とを円滑に剥離できる。

尚、保護テープ剥離工程Ｓ１１０では、エキスパンドテープ４２と基板１０とを平行に剥離してもよい。この場合、保護テープ切断工程Ｓ１０９によるエキスパンドテープ４２の切断は、不要である。

搬出工程Ｓ１１１では、搬送装置３３が保護テープ剥離部６２０からトランジション部３５に基板１０を搬送し、次いで、搬送装置２７がトランジション部３５から載置台２１上のキャリアＣに基板１０を搬送する。搬送装置３３や搬送装置２７は、フレーム５９を保持して基板１０を搬送する。キャリアＣは、載置台２１から外部に搬出される。外部に搬出された基板１０は、チップ１３ごとにピックアップされる。このようにして、チップ１３およびＤＡＦ１５を含む半導体装置が製造される。

本実施形態によれば、上記第１実施形態とは異なり、基板処理システム１Ａは、薄板化部２００による基板１０の薄板化の後、複数の保護テープのうち、一部の保護テープ（例えばＢＧテープ４１）を、残りの保護テープ（例えばエキスパンドテープ４２）から剥離する。

尚、基板１０の薄板化のときに使用される保護テープの枚数は、本実施形態ではＢＧテープ４１とエキスパンドテープ４２の２枚であるが、３枚以上でもよい。また、チップ１３同士の間隔を広げるときに延伸される保護テープの枚数は、本実施形態ではエキスパンドテープ４２の１枚であるが、２枚以上でもよい。

［第３実施形態］
上記第１実施形態では、薄板化の際に基板１０を保護する保護テープ（例えばＢＧテープ４１）を放射状に延伸させることにより、チップ１３同士の間隔を広げる。これに対し、本実施形態では、薄板化の後に基板１０と貼合される粘着テープ５１を放射状に延伸させることにより、チップ１３同士の間隔を広げる。薄板化の際に基板１０を保護する保護テープ（例えばＢＧテープ４１）は、粘着テープ５１の延伸の前に基板１０から剥離する。これにより、保護テープとして、延伸困難なものを使用できる。以下、相違点について主に説明する。

＜基板処理システム＞
図２５は、第３実施形態による基板処理システムを示す平面図である。基板処理システム１Ｂは、基板１０のダイシング、基板１０の薄板化、基板１０へのＤＡＦの付着、チップ同士の間隔の拡大、基板１０のマウントなどを行う。基板処理システム１Ｂは、搬入出ステーション２０と、処理ステーション３０Ｂと、制御装置９０とを備える。

処理ステーション３０Ｂは、搬送領域３１と、トランジション部３５と、後述の各種の処理部とを備える。尚、処理部の配置や個数は、図２５に示す配置や個数に限定されず、任意に選択可能である。また、複数の処理部は、任意の単位で、分散または統合して配置してもよい。

以下、処理ステーション３０Ｂに配設される、紫外線照射部５２０Ｂ、保護テープ切断部６１０Ｂ、ＤＡＦ付着部３００Ｂ、保護テープ剥離部６２０Ｂ、エキスパンド部５１０Ｂ、ＤＡＦ切断部４００Ｂ、およびマウント部５３０Ｂについてこの順で説明する。

尚、処理ステーション３０Ｂに配設される、ダイシング部１００、および薄板化部２００は、上記第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。

＜紫外線照射部＞
図２６は、第３実施形態による紫外線照射部を示す図である。紫外線照射部５２０Ｂは、薄板化された基板１０と貼合されたＢＧテープ４１に、紫外線を照射する。ＢＧテープ４１の粘着剤を紫外線の照射によって硬化でき、ＢＧテープ４１の粘着力を低下できる。粘着力の低下後に、剥離操作によって簡単にＢＧテープ４１を基板１０から剥離できる。

紫外線照射部５２０Ｂとしては、ＵＶランプなどが用いられる。紫外線照射部５２０Ｂによる紫外線の照射は、ＢＧテープ４１の粘着力が高い場合に行われ、ＢＧテープ４１の剥離操作の前に行われる。

＜保護テープ切断部＞
図２７は、第３実施形態による保護テープ切断部を示す図である。保護テープ切断部６１０Ｂは、ＢＧフレーム４９およびＢＧフレーム４９の内側に配置される基板１０の両方と貼合されたＢＧテープ４１を、ＢＧフレーム４９の内周と基板１０の外周との間で切断する。ＢＧテープ４１は、ＢＧフレーム４９と貼合された部分と、基板１０と貼合された部分とに分離される。これにより、基板１０と貼合されたＢＧテープ４１の、ＢＧフレーム４９による拘束が解除される。そのため、詳しくは後述するが、図２９に示すように、基板１０と貼合されたＢＧテープ４１を、基板１０の一端から他端に向けて順次変形させながら、基板１０から剥離できる。

保護テープ切断部６１０Ｂは、例えば、ＢＧフレーム４９を保持する保護テープ用フレーム保持部６１１Ｂと、基板１０を保持する基板保持部６１２Ｂと、ＢＧテープ４１を切断する切断加工部６１３Ｂとを有する。保護テープ用フレーム保持部６１１Ｂは、ＢＧテープ４１を介してＢＧフレーム４９を保持する。また、基板保持部６１２Ｂは、ＢＧテープ４１を介して基板１０を保持する。切断加工部６１３Ｂとしては、図２７ではＢＧテープ４１を切削する切削ブレードが用いられるが、ＢＧテープ４１にレーザ光線を照射するレーザ発振器が用いられてもよい。

保護テープ切断部６１０ＢによるＢＧテープ４１の切断は、ＢＧテープ４１をＢＧフレーム４９に装着した場合に行われる。この場合、搬送装置２７および搬送装置３３は、ＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送でき、基板１０のハンドリング性を向上できる。

＜ＤＡＦ付着部＞
図２８は、第３実施形態によるＤＡＦ付着部を示す図である。図２８に示すＤＡＦ付着部３００Ｂは、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５を介して粘着テープ５１を付着する。粘着テープ５１は、ＢＧテープ４１よりも柔らかいものであってよく、ＢＧテープ４１よりも薄いものであってよい。

ＤＡＦ付着部３００Ｂは、例えば、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、予めフィルム状に形成されたＤＡＦ１５および粘着テープ５１を貼合させるＤＡＦ貼合部３２０Ｂを有する。ＤＡＦ１５は、粘着テープ５１の表面に予め形成される。ＤＡＦ貼合部３２０Ｂは、ラミネート用ローラ３２１Ｂなどで構成される。

ＤＡＦ１５および粘着テープ５１で構成される複層テープは、芯に巻き取られた状態で供給され、芯から引き出して使用される。複層テープは、張力によってラミネート用ローラ３２１Ｂに抱き付きながらラミネート用ローラ３２１Ｂと基板１０との間を通過し、基板１０に積層される。この間、基板保持部３２２Ｂは、ＢＧテープ４１を介して、基板１０を平坦に保持する。

尚、ＤＡＦ付着部３００Ｂは、図６に示すＤＡＦ付着部３００と同様に、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５の材料を含むＤＡＦ用塗布液を塗布するＤＡＦ塗布部を有してもよい。この場合、ＤＡＦ付着部３００Ｂは、ＤＡＦ１５の付着後に、ＤＡＦ１５と粘着テープ５１を貼合させる粘着テープ貼合部をさらに有する。粘着テープ貼合部は、ＤＡＦ貼合部３２０Ｂと同様に構成されるので、図示を省略する。

＜保護テープ剥離部＞
図２９は、第３実施形態による保護テープ剥離部を示す図である。保護テープ剥離部６２０Ｂは、ＢＧテープ４１を基板１０から剥離する。基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げるときに、ＢＧテープ４１が妨げとなることを防止できる。保護テープ剥離部６２０Ｂは、例えば剥離用ローラ６２１Ｂなどで構成される。

ＢＧテープ４１は、張力によって剥離用ローラ６２１Ｂに抱き付きながら剥離用ローラ６２１Ｂと基板１０との間を通過し、基板１０から剥離される。この間、基板保持部６２２Ｂは、粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を平坦に保持する。基板１０から剥離されたＢＧテープ４１は、不図示の巻取芯に巻き取られる。

保護テープ剥離部６２０Ｂは、図２９に示すように、ＢＧテープ４１を、基板１０の一端側から他端側に向けて順次変形させながら、基板１０から剥離する。これにより、ＢＧテープ４１と基板１０とを円滑に剥離できる。

尚、保護テープ剥離部６２０Ｂは、ＢＧテープ４１と基板１０とを平行に剥離してもよい。この場合、保護テープ切断部６１０ＢによるＢＧテープ４１の切断は、不要である。

＜エキスパンド部＞
図３０は、第３実施形態によるエキスパンド部を示す図である。エキスパンド部５１０Ｂは、ＤＡＦ１５と付着された基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げる。チップ１３同士の間隔を広げることにより、搬送時やピックアップ時のチッピングを抑制できる。

エキスパンド部５１０Ｂは、例えば、ＤＡＦ１５を介して基板１０と付着された粘着テープ５１を放射状に延伸することにより、チップ１３同士の間隔を広げる粘着テープ延伸部５１５Ｂを有する。粘着テープ延伸部５１５Ｂは、例えば、粘着テープ外周保持部５１６Ｂと、粘着テープ押圧部５１７Ｂと、粘着テープ押圧駆動部５１８Ｂとを有する。

粘着テープ外周保持部５１６Ｂは、粘着テープ５１の外周部を保持する。粘着テープ外周保持部５１６Ｂは、例えばリング状に形成される。粘着テープ外周保持部５１６Ｂと、粘着テープ外周保持部５１６Ｂの内側に配置された基板１０との間には、リング状の隙間が形成される。

粘着テープ押圧部５１７Ｂは、粘着テープ外周保持部５１６Ｂの内周と、粘着テープ外周保持部５１６Ｂで保持されている粘着テープ５１と付着された基板１０の外周との間において、粘着テープ５１を押圧する。粘着テープ押圧部５１７Ｂは、例えば円筒状に形成される。

粘着テープ押圧駆動部５１８Ｂは、粘着テープ外周保持部５１６Ｂと粘着テープ押圧部５１７Ｂとを相対的に移動させる。その移動方向は、基板１０の主表面（例えば第１主表面１１）に対し垂直とされ、例えば鉛直方向とされる。粘着テープ押圧駆動部５１８Ｂは、シリンダなどで構成される。

制御装置９０は、粘着テープ押圧駆動部５１８Ｂを制御して、粘着テープ５１を押圧して粘着テープ５１を放射状に延伸する。これにより、チップ１３同士の間隔を広げることができ、チップ１３同士の間に隙間を形成することができる。

粘着テープ５１は、ＢＧテープ４１よりも柔らかく、ＢＧテープ４１よりも薄い。そのため、粘着テープ５１を延伸する場合、ＢＧテープ４１を延伸する場合に比べて、チップ１３同士の間隔を簡単に広げることができる。

＜ＤＡＦ切断部＞
図３１は、第３実施形態によるＤＡＦ切断部を示す図である。ＤＡＦ切断部４００Ｂは、エキスパンド部５１０Ｂによってチップ１３同士の間隔を広げることにより形成されるチップ１３同士の隙間から、ＤＡＦ１５を切断する。ＤＡＦ切断部４００Ｂは、例えば、ＤＡＦ加工部４２０Ｂと、移動機構部４３０Ｂとを有する。

ＤＡＦ加工部４２０Ｂは、例えばレーザ発振器４２１Ｂと、レーザ発振器４２１Ｂからのレーザ光線をＤＡＦ１５に照射する光学系４２２Ｂとを有する。光学系４２２Ｂは、レーザ発振器４２１Ｂからのレーザ光線をＤＡＦ１５に向けて集光する集光レンズなどで構成される。

移動機構部４３０Ｂは、エキスパンド部５１０ＢとＤＡＦ加工部４２０Ｂとを相対的に移動させる。移動機構部４３０Ｂは、例えばエキスパンド部５１０ＢをＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向およびθ方向に移動させるＸＹＺθステージ等で構成される。

制御装置９０は、ＤＡＦ加工部４２０Ｂおよび移動機構部４３０Ｂを制御して、エキスパンド部５１０Ｂによってチップ１３同士の間に形成される隙間から、ＤＡＦ１５を切断する。レーザ光線は、チップ１３同士の隙間を通り、ＤＡＦ１５を切断する。

尚、ＤＡＦ加工部４２０Ｂは、本実施形態ではＤＡＦ１５にレーザ光線を照射するレーザ発振器を有するが、ＤＡＦ１５を切削する切削ブレードを有してもよい。切削ブレードは、チップ１３同士の隙間を通り、ＤＡＦ１５を切断する。

尚、ＤＡＦ１５の切断は、エキスパンド部５１０Ｂによってチップ１３同士の間隔を広げることにより、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５を引き裂くことでも可能である。この場合、ＤＡＦ切断部４００Ｂは、不要である。

本実施形態では、ＤＡＦ切断部４００Ｂが、エキスパンド部５１０Ｂによってチップ１３同士の間に形成される隙間から、ＤＡＦ１５を切断する。これにより、引き裂き性の低いＤＡＦ１５が使用可能となるので、ＤＡＦ１５の樹脂の種類の選択肢が広がる。

＜マウント部＞
図３２は、第３実施形態によるマウント部を示す図である。マウント部５３０Ｂは、チップ１３同士の間隔が広げられた基板１０を、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着する。

例えば、マウント部５３０Ｂは、ＢＧフレーム４９とは別に用意されるフレーム５９を保持するフレーム保持部５３７Ｂと、フレーム保持部５３７Ｂで保持されているフレーム５９に対し粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着する貼合部５３８Ｂとを有する。貼合部５３８Ｂは、例えば粘着テープ５１のフレーム５９に装着される装着部分５２を平坦に保持する平坦保持部５３９Ｂと、平坦保持部５３９Ｂとフレーム保持部５３７Ｂとを相対的に移動させる移動機構部５４０Ｂとを有する。

粘着テープ５１のフレーム５９に装着される装着部分５２は、平坦保持部５３９Ｂによって平坦に保持され、フレーム５９と平行に保持されながらフレーム５９に対し相対的に接近させられ、フレーム５９と貼合される。一方、粘着テープ５１のフレーム５９に装着されない余剰部分５３は、カッターなどで切除されてよい。粘着テープ５１のフレーム５９に装着される装着部分５２は、弛まないので、チップ１３同士の間隔を維持できる。

尚、マウント部５３０Ｂは、ＢＧフレーム４９を保持するフレーム保持部と、当該フレーム保持部で保持されているＢＧフレーム４９に対し粘着テープ５１およびＤＡＦ１５を介して基板１０を装着する貼合部とを有してもよい。フレームの使用数を低減できる。ＢＧフレーム４９の粘着テープ５１を装着する面は、粘着テープ５１の装着前に十分に洗浄される。

＜基板処理方法＞
次に、上記構成の基板処理システム１Ｂを用いた基板処理方法について説明する。図３３は、第３実施形態による基板処理方法のフローチャートである。尚、半導体装置製造方法のフローチャートは、基板処理方法のフローチャートと同様であるので図示を省略する。

図３３に示すように基板処理方法は、搬入工程Ｓ１０１と、ダイシング工程Ｓ１０２と、薄板化工程Ｓ１０３と、紫外線照射工程Ｓ３０１と、保護テープ切断工程Ｓ３０２と、ＤＡＦ付着工程Ｓ３０３と、保護テープ剥離工程Ｓ３０４と、エキスパンド工程Ｓ３０５と、ＤＡＦ切断工程Ｓ３０６と、マウント工程Ｓ３０７と、搬出工程Ｓ１１１とを有する。これらの工程は、制御装置９０による制御下で実施される。尚、これらの工程の順序は、図３３に示す順序には限定されない。

搬入工程Ｓ１０１では、搬送装置２７が載置台２１上のキャリアＣから処理ステーション３０Ｂのトランジション部３５に基板１０を搬送し、次いで、搬送装置３３がトランジション部３５からダイシング部１００に基板１０を搬送する。基板１０がＢＧテープ４１を介してＢＧフレーム４９に予め装着された場合、搬送装置３３や搬送装置２７はＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送する。

ダイシング工程Ｓ１０２では、図４に示すように、ダイシング部１００が、基板１０を複数のチップ１３に区画するストリートに沿って、基板１０のダイシングを行う。このとき、基板１０の第１主表面１１は、ＢＧテープ４１で保護される。

薄板化工程Ｓ１０３では、図５に示すように、薄板化部２００が、基板１０のＢＧテープ４１で保護された第１主表面１１とは反対側の第２主表面１２を加工することにより、基板１０を薄板化する。このとき、基板１０の第１主表面１１は、ＢＧテープ４１で保護される。

薄板化工程Ｓ１０３では、チャックテーブル２０２の吸着面（例えば図５では上面）を、当該吸着面よりも大きいＢＧフレーム４９に装着されたＢＧテープ４１で覆う。これにより、チャックテーブル２０２の吸着面への研削屑などの異物の付着を抑制でき、異物を洗い流す洗浄の手間を削減でき、基板１０を交換する時の手間を削減できる。

紫外線照射工程Ｓ３０１では、図２６に示すように、紫外線照射部５２０Ｂが、ＢＧテープ４１に紫外線を照射する。ＢＧテープ４１の粘着剤を紫外線の照射によって硬化でき、ＢＧテープ４１の粘着力を低下でき、保護テープ剥離工程Ｓ３０４においてＢＧテープ４１を基板１０から簡単に剥離できる。

紫外線照射工程Ｓ３０１は、ＤＡＦ付着工程Ｓ３０３の後に行われてもよいが、本実施形態ではＤＡＦ付着工程Ｓ３０３の前に行われる。ＤＡＦ付着工程Ｓ３０３でＤＡＦ１５を介して基板１０と付着される粘着テープ５１の紫外線硬化反応による劣化を防止できる。

保護テープ切断工程Ｓ３０２では、図２７に示すように、保護テープ切断部６１０Ｂが、ＢＧフレーム４９およびＢＧフレーム４９の内側に配置される基板１０の両方と貼合されたＢＧテープ４１を、ＢＧフレーム４９の内周と基板１０の外周との間で切断する。ＢＧテープ４１は、ＢＧフレーム４９と貼合された部分と、基板１０と貼合された部分とに分離される。これにより、基板１０と貼合されたＢＧテープ４１の、ＢＧフレーム４９による拘束が解除される。そのため、保護テープ剥離工程Ｓ３０４において、基板１０と貼合されたＢＧテープ４１を、基板１０の一端から他端に向けて順次変形させながら、基板１０から剥離できる。

保護テープ切断工程Ｓ３０２は、ＢＧテープ４１をＢＧフレーム４９に装着した場合に行われる。この場合、搬送装置２７および搬送装置３３は、ＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送でき、基板１０のハンドリング性を向上できる。

ＤＡＦ付着工程Ｓ３０３では、図２８に示すように、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５を介して粘着テープ５１を付着する。粘着テープ５１は、ＢＧテープ４１よりも柔らかいものであってよく、ＢＧテープ４１よりも薄いものであってよい。

ＤＡＦ付着工程Ｓ３０３では、例えば、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、予めフィルム状に形成されたＤＡＦ１５および粘着テープ５１を貼合させてよい。ＤＡＦ１５は、粘着テープ５１の表面に予め形成される。ＤＡＦ１５が予めフィルム状に成形されるため、基板１０の周囲にＤＡＦ１５が飛散することを防止できる。

尚、ＤＡＦ付着工程Ｓ３０３では、図６に示すように、薄板化された基板１０の第２主表面１２に、ＤＡＦ１５の材料を含むＤＡＦ用塗布液を塗布してもよい。ＤＡＦ用塗布液は、基板１０の第２主表面１２に塗布され、液膜を形成する。その液膜を乾燥することにより、ＤＡＦ１５が形成される。ＤＡＦ用塗布液を用いる場合、その液膜の膜厚を変更することで、ＤＡＦ１５の膜厚を変更できる。また、ＤＡＦ用塗布液のボトルを交換することで、ＤＡＦ１５の材料を簡単に変更できる。

保護テープ剥離工程Ｓ３０４では、図２９に示すように、保護テープ剥離部６２０Ｂが、ＢＧテープ４１を基板１０から剥離する。チップ１３同士の間隔を広げるエキスパンド工程Ｓ３０５において、ＢＧテープ４１が妨げとなることを防止できる。

保護テープ剥離工程Ｓ３０４は、薄板化工程Ｓ１０３の後、エキスパンド工程Ｓ３０５の前に行われる。つまり、薄板化の際に基板１０を保護する保護テープ（例えばＢＧテープ４１）は、粘着テープ５１の延伸の前に基板１０から剥離される。そのため、保護テープとして、延伸困難なものを使用できる。

保護テープ剥離工程Ｓ３０４では、図２９に示すように、ＢＧテープ４１を、基板１０の一端側から他端側に向けて順次変形させながら、基板１０から剥離する。ＢＧテープ４１と基板１０とを円滑に剥離できる。

尚、保護テープ剥離工程Ｓ３０４では、ＢＧテープ４１と基板１０とを平行に剥離してもよい。この場合、保護テープ切断工程Ｓ３０２によるＢＧテープ４１の切断は、不要である。

エキスパンド工程Ｓ３０５では、図３０に示すように、エキスパンド部５１０Ｂが、ＤＡＦ１５と付着された基板１０を構成する複数のチップ１３同士の間隔を広げる。チップ１３同士の間隔を広げることにより、搬送時やピックアップ時のチッピングを抑制できる。

例えばエキスパンド工程Ｓ３０５では、ＤＡＦ１５を介して基板１０と付着された粘着テープ５１を放射状に延伸することにより、チップ１３同士の間隔を広げる。延伸された粘着テープ５１でチップ１３同士の間隔を広げたまま維持できる。

粘着テープ５１は、ＢＧテープ４１よりも柔らかく、ＢＧテープ４１よりも薄い。そのため、粘着テープ５１を延伸する場合、ＢＧテープ４１を延伸する場合に比べて、チップ１３同士の間隔を簡単に広げることができる。

ＤＡＦ切断工程Ｓ３０６では、図３１に示すように、ＤＡＦ切断部４００Ｂが、エキスパンド部５１０Ｂによってチップ１３同士の間隔を広げることにより形成されるチップ１３同士の隙間から、ＤＡＦ１５を切断する。これにより、引き裂き性の低いＤＡＦ１５が使用可能となるので、ＤＡＦ１５の樹脂の種類の選択肢が広がる。

尚、ＤＡＦ切断工程Ｓ３０６は行われなくてもよく、その場合、エキスパンド工程Ｓ３０５においてチップ１３同士の間隔を広げることで、チップ１３同士の境界線に沿ってＤＡＦ１５を引き裂く。

マウント工程Ｓ３０７では、図３２に示すように、マウント部５３０Ｂが、チップ１３同士の間隔が広げられた基板１０を、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に装着する。例えば、マウント工程Ｓ３０７では、粘着テープ５１のフレーム５９に装着される装着部分５２を平坦に保持すると共に、粘着テープ５１とフレーム５９とを貼合させる。粘着テープ５１のフレーム５９に装着される装着部分５２は、弛まないので、チップ１３同士の間隔を維持できる。一方、粘着テープ５１のフレーム５９に装着されない余剰部分５３は、カッターなどで切除されてよい。これにより、基板１０は、図３に示すように、チップ１３同士の間隔を広げた状態で、ＤＡＦ１５および粘着テープ５１を介してフレーム５９に保持される。

搬出工程Ｓ１１１では、搬送装置３３がマウント部５３０Ｂからトランジション部３５に基板１０を搬送し、次いで、搬送装置２７がトランジション部３５から載置台２１上のキャリアＣに基板１０を搬送する。搬送装置３３や搬送装置２７は、フレーム５９を保持して基板１０を搬送する。キャリアＣは、載置台２１から外部に搬出される。外部に搬出された基板１０は、チップ１３ごとにピックアップされる。このようにして、チップ１３およびＤＡＦ１５を含む半導体装置が製造される。

搬送装置２７および搬送装置３３は、ＢＧテープ４１を装着したＢＧフレーム４９を保持して、ＢＧフレーム４９の内側においてＢＧテープ４１と貼合された基板１０を搬送してよい。これらの搬送工程では、ＢＧフレーム４９を保持して基板１０を搬送するので、基板１０のハンドリング性を向上できる。

［変形、改良］
以上、基板処理システム、基板処理方法、半導体装置の製造方法の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

例えば、上記実施形態に関し、以下の付記を開示する。
（付記１）
ダイシングされた基板の保護テープで保護されている第１主表面とは反対側の第２主表面を加工することにより、前記基板を薄板化する薄板化工程と、
前記薄板化工程によって薄板化された前記基板の前記第２主表面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を付着するＤＡＦ付着工程と、
前記ＤＡＦと付着された前記基板を構成する複数のチップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、
前記エキスパンド工程によって前記チップ同士の前記間隔が広げられた前記基板を、前記ＤＡＦおよび粘着テープを介してフレームに装着するマウント工程とを有する、基板処理方法。

（付記２）
前記エキスパンド工程では、前記基板と貼合された前記保護テープを延伸することにより、前記チップ同士の前記間隔を広げ、
前記マウント工程の後に、前記エキスパンド工程によって延伸した前記保護テープを前記基板から剥離する保護テープ剥離工程を有する、付記１に記載の基板処理方法。

（付記３）
前記薄板化工程の後であって前記エキスパンド工程の前に、複数の前記保護テープのうち、一部の前記保護テープを、残りの前記保護テープから剥離する保護テープ薄化工程を有し、
前記エキスパンド工程では、前記基板と貼合された前記残りの前記保護テープを延伸することにより、前記チップ同士の前記間隔を広げる、付記２に記載の基板処理方法。

（付記４）
前記ＤＡＦ付着工程の後、前記エキスパンド工程の前に、前記チップ同士の境界に沿って前記ＤＡＦを分割加工するＤＡＦ分割加工工程を有する、付記２または３に記載の基板処理方法。

（付記５）
前記ＤＡＦ付着工程では、前記基板の前記第１主表面に、前記ＤＡＦを介して前記粘着テープを付着し、
前記ＤＡＦ付着工程の後、前記エキスパンド工程の前に、前記ＤＡＦを介して前記粘着テープと付着された前記基板から前記保護テープを剥離する保護テープ剥離工程を有し、
前記エキスパンド工程では、前記ＤＡＦを介して前記基板と付着された前記粘着テープを延伸することにより、前記チップ同士の前記間隔を広げる、付記１に記載の基板処理方法。

（付記６）
前記エキスパンド工程によって前記チップ同士の前記間隔を広げることにより形成された前記チップ同士の隙間から、前記ＤＡＦを切断するＤＡＦ切断工程を有する、付記５に記載の基板処理方法。

（付記７）
前記薄板化工程の後、前記保護テープ剥離工程の前に、保護テープ用フレームおよび前記保護テープ用フレームの内側に配置される前記基板の両方と貼合された前記保護テープを、前記保護テープ用フレームの内周と前記基板の外周との間で切断する保護テープ切断工程を有する、付記５または６に記載の基板処理方法。

（付記８）
前記ＤＡＦ付着工程では、前記薄板化工程によって薄板化された前記基板の前記第２主表面に、前記ＤＡＦの材料を含むＤＡＦ用塗布液を塗布する、付記１〜７のいずれか１項に記載の基板処理方法。

（付記９）
前記ＤＡＦ付着工程では、前記薄板化工程によって薄板化された前記基板の前記第２主表面に、予めフィルム状に成形された前記ＤＡＦを貼合させる、付記１〜７のいずれか１項に記載の基板処理方法。

（付記１０）
前記保護テープを装着した保護テープ用フレームを保持して、前記保護テープ用フレームの内側において前記保護テープと貼合された前記基板を搬送する搬送工程を有する、付記１〜９のいずれか１項に記載の基板処理方法。

（付記１１）
前記薄板化工程では、前記保護テープを介して前記基板を吸着する基板吸着部の吸着面を、前記吸着面よりも大きい前記保護テープ用フレームに装着された前記保護テープで覆う、付記１０に記載の基板処理方法。

（付記１２）
前記マウント工程では、前記保護テープ用フレームとは別に用意されるフレームに、前記粘着テープおよび前記ＤＡＦを介して前記基板を装着する、付記１０または１１に記載の基板処理方法。

（付記１３）
前記マウント工程では、前記保護テープ用フレームに、前記粘着テープおよび前記ＤＡＦを介して前記基板を装着する、付記１０または１１に記載の基板処理方法。

（付記１４）
ダイシングされた基板の保護テープで保護されている第１主表面とは反対側の第２主表面を加工することにより、前記基板を薄板化する薄板化工程と、
前記薄板化工程によって薄板化された前記基板の前記第２主表面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を付着するＤＡＦ付着工程と、
前記ＤＡＦと付着された前記基板を構成する複数のチップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、
前記エキスパンド工程によって前記チップ同士の前記間隔が広げられた前記基板を、前記ＤＡＦおよび粘着テープを介してフレームに装着するマウント工程とを有する、半導体装置の製造方法。

１ 基板処理システム
１０ 基板
１１ 第１主表面
１２ 第２主表面
１３ チップ
１５ ＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）
４１ ＢＧテープ（保護テープ）
４２ エキスパンドテープ（保護テープ）
４９ ＢＧフレーム（保護テープ用フレーム）
５１ 粘着テープ
５９ フレーム
１００ ダイシング部
２００ 薄板化部
３００ ＤＡＦ付着部
３１０ ＤＡＦ塗布部
３２０ ＤＡＦ貼合部
４００ ＤＡＦ分割加工部
５１０ エキスパンド部
５１１ 保護テープ延伸部
５１５Ｂ 粘着テープ延伸部
５２０ 紫外線照射部
５３０ マウント部
５３１ フレーム保持部
５３２ 貼合部
６１０ 保護テープ切断部
６２０ 保護テープ剥離部
７００ 保護テープ薄化部

Claims (14)

1. ダイシングされた基板の保護テープで保護されている第１主表面とは反対側の第２主表面を加工することにより、前記基板を薄板化する薄板化部と、
   前記薄板化部によって薄板化された前記基板の前記第２主表面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を付着するＤＡＦ付着部と、
   前記ＤＡＦと付着された前記基板を構成する複数のチップ同士の間隔を広げるエキスパンド部と、
   前記エキスパンド部によって前記チップ同士の前記間隔が広げられた前記基板を、前記ＤＡＦおよび粘着テープを介してフレームに装着するマウント部とを有する、基板処理システム。
2. 前記エキスパンド部は、前記基板と貼合された前記保護テープを延伸することにより、前記チップ同士の前記間隔を広げる保護テープ延伸部を有し、
   前記保護テープ延伸部によって延伸した前記保護テープを、前記マウント部によって前記粘着テープと貼合された前記基板から剥離する保護テープ剥離部を有する、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記薄板化部による前記基板の薄板化の後、複数の前記保護テープのうち、一部の前記保護テープを、残りの前記保護テープから剥離する保護テープ薄化部を有し、
   前記保護テープ延伸部は、前記基板と貼合された前記残りの前記保護テープを延伸することにより、前記チップ同士の前記間隔を広げる、請求項２に記載の基板処理システム。
4. 前記保護テープ延伸部によって前記保護テープを延伸する前に、前記チップ同士の境界に沿って前記ＤＡＦを分割加工するＤＡＦ分割加工部を有する、請求項２または３に記載の基板処理システム。
5. 前記ＤＡＦ付着部は、前記薄板化部によって薄板化された前記基板の前記第２主表面に、前記ＤＡＦを介して前記粘着テープを付着し、
   前記エキスパンド部によって前記チップ同士の前記間隔を広げる前に、前記ＤＡＦを介して前記粘着テープと付着された前記基板から、前記保護テープを剥離する保護テープ剥離部を有し、
   前記エキスパンド部は、前記ＤＡＦを介して前記基板と付着された前記粘着テープを延伸することにより、前記チップ同士の前記間隔を広げる粘着テープ延伸部を有する、請求項１に記載の基板処理システム。
6. 前記粘着テープ延伸部によって前記チップ同士の前記間隔を広げることにより形成された前記チップ同士の隙間から、前記ＤＡＦを切断するＤＡＦ切断部を有する、請求項５に記載の基板処理システム。
7. 保護テープ用フレームおよび前記保護テープ用フレームの内側に配置される前記基板の両方と貼合された前記保護テープを、前記保護テープ用フレームの内周と前記基板の外周との間で切断する保護テープ切断部を有する、請求項５または６に記載の基板処理システム。
8. 前記ＤＡＦ付着部は、前記薄板化部によって薄板化された前記基板の前記第２主表面に、前記ＤＡＦの材料を含むＤＡＦ用塗布液を塗布するＤＡＦ塗布部を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板処理システム。
9. 前記ＤＡＦ付着部は、前記薄板化部によって薄板化された前記基板の前記第２主表面に、予めフィルム状に成形された前記ＤＡＦを貼合させるＤＡＦ貼合部を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板処理システム。
10. 前記保護テープを装着した保護テープ用フレームを保持して、前記保護テープ用フレームの内側において前記保護テープと貼合された前記基板を搬送する基板搬送部を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板処理システム。
11. 前記薄板化部は、前記保護テープを介して前記基板を吸着する基板吸着部を有し、
    前記基板吸着部の吸着面は、前記吸着面よりも大きい前記保護テープ用フレームに装着された前記保護テープで覆われる、請求項１０に記載の基板処理システム。
12. 前記マウント部は、前記保護テープ用フレームとは別に用意されるフレームを保持するフレーム保持部と、前記フレーム保持部で保持されているフレームに対し前記粘着テープおよび前記ＤＡＦを介して前記基板を装着する貼合部とを有する、請求項１０または１１に記載の基板処理システム。
13. 前記マウント部は、前記保護テープ用フレームを保持するフレーム保持部と、前記フレーム保持部で保持されている前記保護テープ用フレームに対し前記粘着テープおよび前記ＤＡＦを介して前記基板を装着する貼合部とを有する、請求項１０または１１に記載の基板処理システム。
14. ダイシングされた基板の保護テープで保護されている第１主表面とは反対側の第２主表面を加工することにより、前記基板を薄板化する薄板化工程と、
    前記薄板化工程によって薄板化された前記基板の前記第２主表面にＤＡＦ（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）を付着するＤＡＦ付着工程と、
    前記ＤＡＦと付着された前記基板を構成する複数のチップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、
    前記エキスパンド工程によって前記チップ同士の前記間隔が広げられた前記基板を、前記ＤＡＦおよび粘着テープを介してフレームに装着するマウント工程とを有する、基板処理方法。