CN109841557A - 半导体的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的半导体的加工方法，包括：在夹具上附着紫外光固化胶，使该紫外光固化胶的表面硬化；将长形条固定在该紫外光固化胶的表面上；将固定有紫外光固化胶的长形条进行加工形成附着有所述紫外光固化胶的半导体；以及将所述紫外光固化胶的底面充分曝光以移除所述紫外光固化胶而获得独立的半导体。其不需要化学清洗去除蜡，简化清洗工序、减少污染，加工工序易于实现和控制，且对切割的效果有显著改善。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体的加工方法。
背景技术
在半导体制造领域，需要将大块的晶圆分割为长形条再分割成半导体滑块，当前的每个工序都需要在晶圆和长型条的背面用蜡附着在治具上进行加工，因此，最终要对蜡进行清洗。常用的化学除蜡的效果不佳，而且化学清洗剂会造成二次污染。而且，治具和蜡在每个工序中均必不可少，造成工序复杂。
故此，亟需一种改进的半导体硅片的清洗方法，以克服以上的缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改进的半导体的加工方法，其不需要化学清洗去除蜡，简化清洗工序、减少污染，加工工序易于实现和控制，且对切割的效果有显著改善。
为实现上述目的，本发明的半导体的加工方法，包括以下步骤：
在夹具上附着紫外光固化胶，使该紫外光固化胶的表面硬化；
将长形条固定在该紫外光固化胶的表面上；
将固定有紫外光固化胶的长形条进行加工形成附着有所述紫外光固化胶的半导体滑块；以及
将所述紫外光固化胶的底面充分曝光以移除所述紫外光固化胶而获得独立的半导体滑块。
与现有技术相比，本发明的半导体加工方法采用UV胶作为载体，以粘接、清洗、传递长形条，而不需要采用传统的蜡和治具，因此粘接位置可控从而提高后续的切割效果，清洗工序被简化且可获得良好的清洗效果，减少污染；而且，通过控制UV胶的曝光程度而使UV胶的性能改变操作更加易于实现和控制。
较佳地，所述使该紫外光固化胶的表面初步硬化的步骤包括：从所述紫外光固化剂的表面由上至下进行2-5秒的曝光。
较佳地，所述将长形条固定在该紫外光固化胶的表面上的步骤包括：从所述长形条的表面由上至下进行80-100秒的曝光。
较佳地，所述长形条的加工包括以下工序：切割、研磨和测量。
较佳地，在形成附着有所述紫外光固化胶的半导体滑块的步骤之后、移除所述紫外光固化胶的步骤之前，还包括：清洗并烘干所述半导体滑块。
较佳地，将所述紫外光固化胶的底面充分曝光的步骤包括：将所述紫外光固化胶的底面曝光10-15分钟，使所述紫外光固化胶脱离。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的半导体的加工方法作进一步说明，但不因此限制本发明。
本发明的半导体的加工方法的一个实施例包括以下步骤：
UV胶预处理：在夹具上附着UV胶，使该UV胶的表面初步硬化；
长形条固定：将长形条固定在该UV的表面上；
长形条加工：将固定有UV胶的长形条进行加工形成附着有UV胶的半导体滑块；以及
UV胶移除：将UV胶的底面充分曝光以移除UV胶而获得独立的半导体滑块。
具体地，在UV胶预处理步骤中，UV胶附着在夹具上后，从UV胶的表面由上至下进行2-5秒的曝光，使得表面的UV胶初步硬化，但仍有粘度。这样的好处是，使长形条可支撑在UV胶表面，而不形成胶的污渍。
在长形条固定步骤中，首先将长形条安装在UV胶表面，并藉由UV胶的粘度初步粘接在UV胶表面，继而，从长形条的表面由上至下进行80-100秒的曝光，这样，使得UV胶进一步固化，从而将长形条固定在UV胶上。
接着，固定有UV胶的长形条进行后续的常规加工，包括：长形条切割、研磨和性能测量等。需说明的是，该长形条在加工过程中，UV胶不脱离。
优选地，加工后形成的半导体滑块首先经过去离子水刷洗，例如进行X、Y方向上二次刷洗。去离子水的温度为30-40度，时间为20-30分钟。清洗后进行烘干处理。
最后，将附着有UV胶的半导体滑块进行充分曝光，即在UV胶的底面充分曝光，曝光时间为10-15分钟，使得半导体滑块和UV胶呈脱离状或可脱离状，半导体滑块可从UV胶上取下，从而完成半导体滑块的加工工序。
在本发明的加工方法中，采用UV胶作为载体，以粘接、清洗、传递长形条，而不需要采用传统的蜡和治具，因此粘接位置可控从而提高后续的切割效果，清洗工序被简化且可获得良好的清洗效果，减少污染；而且，通过控制UV胶的曝光程度而使UV胶的性能改变操作更加易于实现和控制。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (6)
1.一种半导体的加工方法，包括以下步骤：
在夹具上附着紫外光固化胶，使该紫外光固化胶的表面硬化；
将长形条固定在该紫外光固化胶的表面上；
将固定有紫外光固化胶的长形条进行加工形成附着有所述紫外光固化胶的半导体滑块；以及
将所述紫外光固化胶的底面充分曝光以移除所述紫外光固化胶而获得独立的半导体滑块。
2.如权利要求1所述的半导体的加工方法，其特征在于：所述使该紫外光固化胶的表面初步硬化的步骤包括：从所述紫外光固化剂的表面由上至下进行2-5秒的曝光。
3.如权利要求1所述的半导体的加工方法，其特征在于：所述将长形条固定在该紫外光固化胶的表面上的步骤包括：从所述长形条的表面由上至下进行80-100秒的曝光。
4.如权利要求1所述的半导体的加工方法，其特征在于：所述长形条的加工包括以下工序：切割、研磨和测量。
5.如权利要求1所述的半导体的加工方法，其特征在于：在形成附着有所述紫外光固化胶的半导体的步骤之后、移除所述紫外光固化胶的步骤之前，还包括：清洗并烘干所述半导体滑块。
6.如权利要求1所述的半导体的加工方法，其特征在于：将所述紫外光固化胶的底面充分曝光的步骤包括：将所述紫外光固化胶的底面曝光10-15分钟，使所述紫外光固化胶脱离。
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| CN201711230565.9A CN109841557A (zh) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 半导体的加工方法 |
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| CN201711230565.9A CN109841557A (zh) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 半导体的加工方法 |
Publications (1)
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| CN109841557A true CN109841557A (zh) | 2019-06-04 |
Family
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| CN201711230565.9A Pending CN109841557A (zh) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 半导体的加工方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
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2017
- 2017-11-29 CN CN201711230565.9A patent/CN109841557A/zh active Pending
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