CN104145330A - 用于临时接合超薄晶片的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

一种用于临时接合第一晶片和第二晶片的方法，包括将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上，然后固化的第一粘合剂层。接着，将第二粘合剂层涂覆在第二晶片的第一表面上。接着，将第一晶片插入接合器模组内并由一个上卡盘组件保持住第一晶片，使带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝下。接着，将第二晶片插入接合器模组内并放置在一个下卡盘组件上，使第二粘合剂层面朝上并与第一粘合剂层相对。接着，向上移动下卡盘组件，使第二粘合剂层与固化的第一粘合剂层相接触，然后固化第二粘合剂层。

Description

用于临时接合超薄晶片的方法和装置
相关同时在审申请的交叉引用
本申请要求2012年3月16日提出的申请号为61/611,627、名称为“用于临时接合超薄晶片的方法和装置”的美国临时申请的权益，该申请的内容通过引用纳入本申请中。
本申请是2010年4月15日提出的申请号为12/760,973、名称为“热滑动剥离临时接合的半导体晶片的装置”的美国部分继续申请，该申请经过一并转让，且其内容通过引用明确地纳入到本申请中。
技术领域
本发明涉及一种用于临时接合超薄晶片的方法和装置，更特别地涉及包括双涂覆和双固化工序的临时晶片接合。
背景技术
一些半导体晶片工艺包括晶片的薄化步骤。在一些应用中，为了制造集成电路(IC)设备，晶片被减薄至小于100微米的厚度。薄晶片具有使制造出的IC设备具有更高的散热性和更佳的电气运行特性。在一个例子中，GaAs晶片被减薄至25μm，以便制造散热性更好的功率互补金属氧化物半导体(CMOS)设备。晶片减薄也有助于降低设备的电容，且有助于增加其阻抗，这两者均导致所制造设备整体尺寸的降低。在其他应用中，晶片薄化用于3D集成接合并用于通过晶片孔进行制造。
晶片减薄通常通过背面研磨和/或化学机械抛光(CMP)完成。CMP包括在研磨液浆的存在下使晶片的表面与硬质平坦的旋转水平盘片接触。液浆通常含有研磨粉(例如金刚石或碳化硅)以及化学蚀刻剂(例如氨水、氟化物、或其组合)。磨料使基片变薄，而蚀刻剂则将基片表面在亚微米的水平上进行抛光。晶片一直保持与磨料接触，直至一定数量基片达到目标厚度而被移走。
对于厚度大于200μm的晶片，用固定装置将晶片保持在原位，固定装置利用真空卡盘或其他机械附着手段。但是，对于厚度小于200μm的晶片，尤其是厚度小于100μm的晶片，机械方法保持住晶片变得越来越困难，并在减薄期间维持对晶片平面度和完整性的控制也越来越困难。在这些情形下，在CMP过程中晶片产生微小裂纹或破碎实际上是常见的。
减薄期间晶片机械固定的一个替换方法是将设备晶片(即晶片拟加工成的设备)的第一表面贴到载体晶片上，然后将暴露的相对的设备晶片表面减薄。载体晶片与设备晶片之间的接合是临时的，并且一旦减薄和任何其他加工步骤完成即撤除接合。
人们已经提出一些临时接合技术，包括使用热固化的粘合剂化合物。在这些基于粘合剂的临时接合技术中，润湿的厚粘合剂层涂覆到设备晶片表面上，使得粘合剂层覆盖住设备晶片表面所有的结构，包括焊接点、连接器和集成电路(IC)设备。润湿粘合剂层具有在25～150μm范围内的典型厚度。然后，使润湿粘合剂层与载体晶片表面接触，之后固化粘合剂层，从而使设备晶片接合到载体晶片上。如前面提到的一样，接合是临时的，并且处理工序完成后，可以通过用化学品、热或辐射来溶解粘合剂层，取消接合。
这种工艺的问题之一是：厚粘合剂层引起晶片表面平面度的总厚度变化(TTV)大。TTV的影响主要来自于接合后热固化工序。特别地，接合后粘合剂层的厚度与TTV误差大小直接相关。此外，厚的润湿粘合剂层增加了晶片接合步骤粘合期间以未固化的状态从侧面“挤出”的风险。因此，最好减少用于减薄晶片临时接合的粘合剂层的厚度。
发明内容
本发明涉及一种用于临时接合和制造超薄晶片的方法和装置，特别地涉及包括双涂覆和双固化工艺的临时晶片接合方法。
一般地，按照本发明的一个方面突出了用于临时接合两个晶片表面的的方法，包括下列步骤。首先，提供包括彼此相对的第一表面和第二表面的第一晶片；其次，提供包括彼此相对的第一表面和第二表面的第二晶片；接着，将第一粘合剂层涂在第一晶片的第一表面上；接着，将第一粘合剂层固化，从而产生固化的第一粘合剂层；接着，将第二粘合剂层涂在第二晶片的第一表面上；接着，提供包括一个上卡盘组件和一个下卡盘组件的接合器模组，所述下卡盘组件设置在下方并与上卡盘组件相对。接着，将第一晶片插入接合器模组内，通过上卡盘组件保持住第一晶片，以使带有固化的第一粘合剂层的第一晶片的第一表面朝下。接着，将第二晶片插入接合器模组中，并将第二晶片放在下卡盘组件上，以使第二粘合剂层面朝上并与第一粘合剂层相对。接着，向上移动下卡盘组件，使第二粘合剂层与固化的第一粘合剂层接触，然后将第二粘合剂层固化，从而在第一晶片与第二晶片之间形成临时接合。
本发明该方面的实施可以包括一个或多个以下特征。第二粘合剂层通过使一块热板与第二晶片的第二表面相互接触而固化。第一粘合剂层通过旋转涂覆施加在第一晶片的第一表面上。第一粘合剂层包括硅酮弹性体.第一粘合剂层和第二粘合剂层的固化是在固化温度范围是80℃～160℃的范围内发生，时间范围是1～15分钟。上卡盘组件和下卡盘组件分别包括小作用力的上卡盘和下卡盘，首先通过对接合器模组进行抽真空然后通过充气使接合器模组回复至大气压，使第二粘合剂层与固化的第一粘合剂层相接触。该方法进一步包括将临时接合的第一晶片和第二晶片固化的工序。临时接合的第一晶片和第二晶片的固化操作在120℃～220℃的固化温度范围内进行，固化时间范围为1～15分钟。该方法还进一步包括将第一晶片的第二表面减薄并将减薄后第一晶片从第二晶片剥离的工序。
一般地，另一方面，本发明突出一种用于临时接合两个晶片表面的装置，包括第一涂覆室、第二涂覆室、一个固化室和一个接合器模组。第一涂覆室设置用于将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上。第二涂覆室设置用于将第二粘合剂层涂覆在第二晶片的第一表面上。固化室设置成用于固化第一晶片的第一粘合剂层。接合器模组包括一个上卡盘组件和一个设置在下方并与所述上卡盘组件相对的下卡盘组件。上卡盘组件设置用于保持住第一晶片，使带有固化的第一粘合剂层的第一晶片的第一表面朝下。下卡盘组件设置用于保持住第二晶片，使第二粘合剂层面朝上并与固化的第一粘合剂层相对。下卡盘组件设置用于向上运动，从而使第二粘合剂层与固化的第一粘合剂层接触。固化室进一步设置成用于通过使热板与第二晶片的第二表面接触而固化第二粘合剂层，从而形成第一晶片与第二晶片之间的临时接合。上卡盘组件和下卡盘组件分别包括小作用力的上卡盘和下卡盘，首先通过对接合器模组进行抽真空，然后通过充气使接合器模组回复至大气压而使第二粘合剂层与固化的第一粘合剂层相接触。
一般地，另一方面，本发明突出一种用于临时接合两个晶片表面的方法，该方法包括如下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面；提供第二晶片，所述第二晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面；将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上；接着固化第一粘合剂层，由此产生固化的第一粘合剂层；接着，将第二粘合剂层涂覆在已固化的第一粘合剂层上；提供一个接合器模组，所述接合器模组包括一个上卡盘组件和一个设置在下方并与上卡盘组件相对的下卡盘组件。将第一晶片插入接合器模组并由上卡盘组件保持住第一晶片，使带有固化的第一粘合剂层和第二粘合剂层的第一表面面朝下。接着，将第二晶片插入接合器模组内并将第二晶片放在下卡盘组件上，使第二晶片的第一表面朝上并与第二粘合剂层相对。接着，向上移动下卡盘组件，使第二晶片的第一表面与第二粘合剂层接触，然后固化第二粘合剂层，从而形成第一晶片与第二晶片之间的临时接合。
一般地，另一方面，本发明突出一种用于临时接合两个晶片表面的装置，所述装置包括第一涂覆室、一固化室、第二涂覆室和一接合器模组。第一涂覆室设置用于将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上。固化室设置用于固化第一晶片的第一粘合剂层，从而生成第一固化粘合剂层。第二涂覆室设置用于将第二粘合剂层涂覆在第一固化粘合剂层上。接合器模组包括一个上卡盘组件和一个设置在下方并与上卡盘组件相对的下卡盘组件。上卡盘组件设置用于保持住第一晶片，使带有固化的第一粘合剂层和第二粘合剂层的第一晶片的第一表面朝下。下卡盘组件设置用于保持住第二晶片，使第二粘合剂层的第一表面朝上并与第二粘合剂层相对。下卡盘组件设置成可向上运动，从而使第二晶片的第一表面与第二粘合剂层相接触。固化室进一步设置用于固化第二粘合剂层，从而形成第一晶片与第二晶片之间的临时接合。
一般地，另一方面，本发明突出一种用于临时接合两个晶片表面的方法，该方法包括如下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面；提供第二晶片，所述第二晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面；将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上；接着，将第一粘合剂层固化，从而生产固化的第一粘合剂层；接着，将第二粘合剂层涂在第二晶片的第一表面上；提供一个接合器模组，所述接合器模组包括一个上卡盘组件和一个设置在下方并与上卡盘组件相对的下卡盘组件。接着，将第一晶片插入接合器模组内，并将第一晶片放置在下卡盘组件上，使具有固化的第一粘合剂层的第一表面朝上。接着，将第二晶片插入接合器模组内并通过上卡盘组件保持住第二晶片，使第二粘合剂层朝下并与第一粘合剂层相对。接着，向上移动下卡盘组件，使第一粘合剂层与第二粘合剂层相接触。最后，固化第二粘合剂层，从而形成第一晶片与第二晶片之间的临时接合。
一般地，另一方面，本发明突出一种用于临时接合两个晶片表面的方法，该方法包括如下步骤。提供第一晶片，所述第一晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面；提供第二晶片，所述第二晶片包括彼此相对的第一表面和第二表面；将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上；接着，将第一粘合剂层固化，从而生成固化的第一粘合剂层；接着，将第二粘合剂层涂覆在第二晶片的第一表面上；接着，使第一粘合剂层与第二粘合剂层相接触。最后，将第二粘合剂层固化，从而形成第一晶片与第二晶片之间的临时接合。
附图说明
参照附图，图中贯穿几个视图中的相同数字表示相同的部件：
图1A是临时晶片接合工艺和剥离工艺第一实施例的示意图；
图1B是临时晶片接合工艺和剥离工艺第二实施例的示意图；
图2描述接合器的横截面示意图以及用于执行图1A和图1B所述的临时晶片接合工艺的工艺步骤列表。
图3描述图1A的激光剥离步骤的示意性横截面侧视图；
图4描述图1A和图1B中机械剥离步骤示意图性横截面侧视图；
图5是图1A和图1B中去胶带工序的示意图；
图6A和6B是根据本发明的双涂覆和双固化临时接合工艺的示意图；
图7描述根据本发明的双涂覆和双固化临时接合工艺得到的接合后TTV结果；以及
图8是根据本发明的双涂覆和双固化临时接合系统的总体框图；
具体实施方式
参照附图1A，临时接合工艺80a包括以下步骤。首先，设备晶片的表面20涂覆有粘合剂层23(82)。在一个实施例中，粘合剂层23是由美国明尼苏达州(MN，USA)的3M公司生产的紫外可固化粘合剂LC3200TM。然后，将粘合剂包覆的设备晶片翻转过来(84)。接着，光吸收释放层33经旋转包覆在载体晶片30(86)的表面30a上。在一个实施例中，光吸收释放层33是由美国明尼苏达州(MN)的3M公司生产的LC4000。接着，将翻转后的设备晶片20与载体晶片30对准，使具有粘合剂层23的设备晶片的表面20a与具有光吸收释放层33的载体晶片30的表面30a相对。使这两个表面20a和30a相接触，然后粘合剂层23采用紫外线(87)进行固化。这两个晶片在临时接合器410中接合，如图2所示。这种接合是光吸收释放层33与粘合剂层23之间的临时接合，并在0.1mbar真空和所施加的低接合力下形成。
参照附图2，具有激光吸收释放层LTHC层33的载体晶片30放置在上卡盘412上，并由紧固销413保持在原位。接着，设备晶片20放置在下卡盘414上，使粘合剂层23朝上。接着，将晶片20和30对准，将腔室抽真空，带有载体晶片30的上卡盘412降落到设备晶片20上。施加一个小的作用力，以便形成释放层33与粘合剂层23之间的接合。接着，将接合后的堆叠晶片10卸下，采用紫外线固化粘合剂。在另一个实施例中，载体晶片30放置在下卡盘414上，设备晶片20放置在上卡盘412上。在其他实施例中，粘合剂层通过将晶片与热板或通过热辐射进行热固化。
接着，临时接合的堆叠晶片10放置在CMP室内，设备晶片的背面通过CMP进行减薄。经减薄工艺后，堆叠晶片10通过剥离工艺80b进行剥离。
参照附图1A，剥离工艺80b包括以下步骤。将接合的堆叠晶片10固定在切割框架25(56)上，载体晶片30采用YAG激光束进行照射，如图3所示。激光束促使堆叠晶片沿着释放层33(57)分离，分离后的载体晶片30通过将边缘31推开，以机械方法从设备晶片20(58)上提起移走，如图4所示。激光剥离工艺是一种低应力工艺，该工艺不使用化学物质，并且是在室温下进行的。机械剥离工艺采用很小的作用力。分离后，载体经回收、清洗并再次利用。机械剥离操作在一项名称为“机械剥离临时接合的半导体晶片的装置”的同时在审的申请12/761,014中已经描述，其内容通过援引纳入本申请中。然后，粘合剂层23从设备晶片表面20a(59)上剥除，而经减薄的设备晶片20仍然由切割框架25支撑。参照附图5，去胶带所用胶带155贴在暴露的粘合剂层23顶部上。在一个实施例中，去胶带所用胶带155是由3M公司生产的3305胶带。3305胶带是一种透明的聚酯薄膜胶带，具有超粘力的橡胶粘合剂，专门设计用来撕除硅背磨胶带。去胶带所用胶带155被按压并贴附到粘合剂层23上，当胶带155被剥离时，粘合剂层23也被从设备晶片20的表面20a上剥离。化学清洁可以用于从设备晶片表面20a上除去任何残留的粘合剂残余物。但是，采用去除胶带工艺150除去粘合剂层23后设备晶片20上粘合剂残余物水平是很低的，通常不需要进行剥离后的清洁工作。采用去除胶带工艺除去粘合剂层对减薄后的晶片产生的应力很小，并且能与低介电常数绝缘体兼容。
参照附图1B，在另一个实施例中，临时接合工艺80c包括以下步骤。首先，设备晶片20包覆一层很薄的前体层21，所述前体层随后通过等离子体增强化学汽相沉积工艺(PECVD)转变为“释放层”21a。完成后的“释放层21”的总厚度大约为100nm。低至约10W的等离子体能量使晶片保持在温室下。通过改变等离子体的参数，可以改变释放层21的粘合力。在接下来的步骤中，载体晶片30通过旋转涂覆一层更厚的弹性体层23，以覆盖设备晶片所有的形貌边界。在一个包覆步骤中，可以实现层厚在约60μm～200μm内。弹性体是一种液态、高粘性材料。接合和并固化后的弹性体的机械特性使研磨轮也能够从晶片边缘外侧对弹性体进行背面研磨。在下一步中，设备晶片20采用上述小作用力接合工艺接合至载体晶片30上。两个样品以中心对中心的对齐位置放置在接合室410内，彼此相隔约10mm。设备晶片20包覆有厚度约为100nm的很薄的释放层21，载体晶片30包覆有更厚的弹性体23(大约100μm)。在这个时间点上，弹性体23仍然是液态的，在载体晶片的外边缘处形成一个约10μm的封边。将接合室410抽真空后，使两个晶片20和30相接触，上方的设备晶片20首先在封边顶部触碰到载体晶片30上的弹性体23，从而将两个样品之间的内腔密封。通过向接合室充气，两个样品仅被接合室410内的大气压压在一起，而不需要任何触碰晶片的机械作用力。接着，接合后堆叠晶片10通过CMP减薄，然后减薄后的设备晶片20从载体晶片30上剥离。在这种情形下，剥离以真正的机械方法完成。堆叠晶片10被固定到切割胶带上，所述切割胶带被保持在切割框架，减薄后的晶片一侧粘贴到胶带上。用一张平整的多孔板，固定到胶带上的减薄晶片被真空向下吸住。这种组装使易受损的减薄晶片保持在固定、平坦且非常稳定的位置。借助于轻度柔韧、柔软可弯曲的真空卡盘，载体晶片30能够通过将其从一侧提升而脱离，如图1B所示。
如前面提及，这些临时接合工艺80a、80c存在的问题之一是粘合剂层23厚(范围为25～150μm)，这就导致设备晶片表面平面度的总厚度变化(TTV)大。主要的TTV影响来自于结合后的固化工序。实际上，结合后粘合剂层的厚度与TTV误差大小相关。此外，厚的湿粘合剂层增加了在晶片连接步骤(84)期间以未固化的状态从侧面“挤出”的风险。通过应用包括双涂覆步骤和双固化步骤在内的工艺，本发明解决了这些问题。
参照附图6A，本发明的双涂覆/双固化工艺300包括如下步骤。在第一涂覆步骤310中，设备晶片20经旋转涂覆湿粘合剂层23a，使焊点20a被覆盖住,如图6A所示。如上所述，设备晶片20也可以包括一层释放层21。在一个实施例中，焊点20a具有80μm的高度62，粘合剂层23a被沉积，使焊点上的粘合剂层的厚度约为25μm。在随后的第一固化步骤330中，设备晶片20上的湿粘合剂层23a被固化，从而得到一层总厚度为105μm(64)的固化粘合剂层23a。在一个实施例中，固化温度为120℃，第一固化步骤330的固化时间为10分钟。在第二涂覆步骤320中，载体晶片30经旋转涂覆薄的湿粘合剂层23b。在一个实施例中，湿粘合剂层23b的厚度65为25μm。湿粘合剂层23b的厚度可以进一步通过改变涂覆工艺的参数或涂层组分来降低。在下一步骤340中，带有固化的粘合剂层23a的设备晶片20放置在接合器410内，使设备晶片由上卡盘412保持住，然后带有湿粘合剂层23b的载体晶片30放置在下卡盘414上，以使湿粘合剂层23b与固化的粘合剂层23a相对，如图6A和图6B所示。如上所述，上卡盘412和下卡盘414均为小作用力卡盘。接合室410用泵抽气至10mbar的水平。接着，下卡盘414沿方向415向上移动，使两个粘合剂层23a和23b彼此相接触，以形成结合的堆叠晶片10(350)，如图6B所示。然后，接合室410放气，升至大气压，然后，移走结合的堆叠晶片10。在下一步骤360中，结合的堆叠晶片10被放置在固化室406内(在图6B和图8中示出)，以便发生第二固化步骤。在第二固化步骤360中，使热板416与载体晶片30的背面接触，湿粘合剂层23b被固化，从而导致载体晶片30临时接合至设备晶片20。在一个实施例中，该第二固化步骤的固化温度也是120℃，固化时间约为15分钟。还应用了最终固化步骤(未示出)，以确保所有粘合剂层23a、23b得以完全固化。最终固化温度为190℃，时间为10分钟。如上所述，在接下来的步骤中，接合后的堆叠晶片10通过CMP减薄，然后减薄后的设备晶片20从载体晶片30上剥离。
在一个实施例中，设备晶片20的厚度为775μm(不带焊点)，焊点的高度为80μm。载体晶片30是厚度为755μm的空白硅晶片或者厚度为600μm的玻璃晶片。粘合剂是由德国慕尼黑Thin Materials股份公司供应的硅酮弹性体TMAT3.2。临时接合仪器410是由德国加尔兴苏斯微技术公司(Suss Microtec)供应的接合器XBS300。表面计量由一体化的XBS300激光移位厚度测量提供或者通过Foothill Instruments仪器公司供应的用于测量空白晶片上的涂层均一度的表面计量仪提供。图7描述典型的接合后TTV结果。
在其他的实施例中，湿粘合剂层23b被涂覆在固化粘合剂层23a上，而不是涂覆在载体晶片30上。在所有情形下，均不得观察到任何接合后的晶片对上出现粘合剂挤出的现象。可以使用多个涂覆模组402、404、408，以提高该工艺的产量，如图8所示。
对本发明的一些实施例作了说明。但是，将理解的是，在不背离本发明的实质和范围的情况下，可以对本发明做出各种改进。因此，其他实施例也在以下权利要求的范围内。

Claims (25)

1.一种用于临时接合两个晶片表面的方法，包括：提供第一晶片，所述第一晶片包括彼此相对的第一晶片表面和第二晶片表面；提供第二晶片，所述第二晶片包括彼此相对的第一晶片表面和第二晶片表面；将第一粘合剂层涂覆在所述第一晶片的第一表面上；将所述第一粘合剂层固化，从而生成固化的第一粘合剂层；将第二粘合剂层涂覆在第二晶片的第一表面上；提供一个接合器模组，所述接合器模组包括一个上卡盘组件和一个设置在下方并与上卡盘组件相对的下卡盘组件；将所述第一晶片插入接合器模组内并由所述上卡盘组件保持住第一晶片，使得带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝下；将所述第二晶片插入所述接合器模组内并将所述第二晶片放置在所述下卡盘组件上，使得所述第二粘合剂层面朝上并与所述第一粘合剂层相对；向上移动所述下卡盘组件，并使所述第二粘合剂层与所述固化的第一粘合剂层相接触；以及将所述第二粘合剂层固化，从而形成所述第一晶片与所述第二晶片之间的临时接合。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二粘合剂层通过使一块热板与第二晶片的第二表面接触来固化。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一粘合剂层和所述第二粘合剂层通过紫外(UV)固化工艺、热固化工艺、压力固化工艺、催化固化工艺、化学固化工艺或时间诱导固化工艺中的至少一种进行固化。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一粘合剂层通过旋转涂覆施加在第一晶片的第一表面上。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一粘合剂层包括硅酮弹性体。
6.根据要得要求1所述的方法，其中第一粘合剂层和第二粘合剂层固化的温度范围是80℃～160℃，时间范围是1～15分钟。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述上卡盘组件和所述下卡盘组件分别包括小作用力的上卡盘和下卡盘，并且所述第二粘合剂层通过首先对接合器模组抽真空，然后通过充气使接合器模组回复至大气压而使所述第二粘合剂层与所述固化的第一粘合剂层相接触。
8.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括将临时接合的所述第一晶片和所述第二晶片进行固化的工序。
9.根据权利要求8所述的方法，其中临时接合的所述第一晶片和所述第二晶片的固化的温度范围是120℃～220℃，固化时间范围是1～15分钟。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述第一晶片的第二表面减薄并将减薄后第一晶片从第二晶片上剥离的工序。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一粘合剂层的厚度小于110μm，其中所述第二粘合剂层的厚度小于30μm。
12.一种用于临时接合两个晶片表面的装置，包括：设置用于将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上的一第一涂覆室；设置用于将第二粘合剂层涂覆在第二晶片的第一表面上的一第二涂覆室；设置成用于固化第一晶片的第一粘合剂层的一固化室；一个接合器模组，所述接合器模组包括一个上卡盘组件和一个设置在下方并与上卡盘组件相对的下卡盘组件；其中所述上卡盘组件设置用于保持住所述第一晶片，使得带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝下；其中，所述下卡盘组件设置用于保持住所述第二晶片，使得所述第二粘合剂层面朝上并与所述固化的第一粘合剂层相对；其中，所述下卡盘组件设置用于向上移动，从而使所述第二粘合剂层与所述固化的第一粘合剂层相接触；以及其中，所述固化室进一步设置用于固化所述第二粘合剂层，从而形成所述第一晶片与所述第二晶片之间的临时接合。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述固化室设置用于通过使一块热板与所述第二晶片的第二表面接触而将所述第二粘合剂层固化。
14.根据权利要求12所述的装置，其中所述固化室设置用于通过紫外(UV)固化工艺、热固化工艺、压力固化工艺、催化固化工艺、化学固化工艺或时间诱导固化工艺中的至少一种对所述第一粘合剂层和所述第二粘合剂层进行固化。
15.根据权利要求12所述的装置，其中所述上卡盘组件和所述下卡盘组件分别包括小作用力的上卡盘和下卡盘，并且第二粘合剂层通过首先对接合器模组抽真空，然后通过充气使接合器模组回复至大气压而使第二粘合剂层与所述固化的第一粘合剂层相接触。
16.根据权利要求12所述的装置，其中所述第一粘合剂层通过旋转涂覆施加在所述第一晶片的第一表面上。
17.根据权利要求12所述的装置，其中所述第一粘合剂层包括硅酮弹性体。
18.根据权利要求12所述的装置，其中第一粘合剂层和第二粘合剂层固化的温度范围是80℃～160℃，固化时间范围是1～15分钟。
19.根据权利要求12所述的装置，其中所述固化室进一步设置用于固化临时接合的第一晶片和第二晶片。
20.根据权利要求19所述的装置，其中临时接合的所述第一晶片和所述第二晶片固化的温度范围是120℃～220℃，固化时间范围是1～15分钟。
21.根据权利要求12所述的装置，其中所述第一粘合剂层的厚度小于110μm，并且其中所述第二粘合剂层的厚度小于30μm。
22.一种用于临时接合两个晶片表面的方法，包括：提供第一晶片，所述第一晶片包括彼此相对的第一晶片表面和第二晶片表面；提供第二晶片，所述第二晶片包括彼此相对的第一晶片表面和第二晶片表面；将第一粘合剂层涂覆在所述第一晶片的第一表面上；将第一粘合剂层固化，从而生成固化的第一粘合剂层；将第二粘合剂层涂覆在所述固化的第一粘合剂层上；提供一个接合器模组，包括一个上卡盘组件和一个安装在下部且与上卡盘组件相对的下卡盘组件；将所述第一晶片插入接合器模组内并由所述上卡盘组件保持住第一晶片，使得带有固化的第一粘合剂层和所述第二粘合剂层的第一表面朝下；将所述第二晶片插入所述接合器模组内并将所述第二晶片放置在所述下卡盘组件上，使第二晶片的第一表面朝上并与所述第二粘合剂层相对；向上移动所述下卡盘组件，并使所述第二晶片的第一表面与所述第二粘合剂层相接触；以及将所述第二粘合剂层固化，从而形成所述第一晶片与所述第二晶片之间的临时接合。
23.一种用于临时接合两个晶片表面的方法，包括：提供第一晶片，所述第一晶片包括彼此相对的第一晶片表面和第二晶片表面；提供第二晶片，所述第二晶片包括彼此相对的第一晶片表面和第二晶片表面；将第一粘合剂层涂覆在所述第一晶片的第一表面上；将第一粘合剂层固化，从而生成固化的第一粘合剂层；将第二粘合剂层涂覆在所述第二晶片的第一表面上；提供一个接合器模组，所述接合器模组包括一个上卡盘组件和一个设置在下方并与上卡盘组件相对的下卡盘组件；将所述第一晶片插入所述接合器模组内并将所述第一晶片放置在所述下卡盘组件上，使得带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝上；将所述第二晶片插入所述接合器模组内并通过上卡盘组件将所述第二晶片保持住，使得所述第二粘合剂层面朝下并与所述第一粘合剂层相对；将所述下卡盘组件向上移动，并使所述第一粘合剂层与所述第二粘合剂层相接触；以及将所述第二粘合剂层固化，从而形成所述第一晶片与所述第二晶片之间的临时接合。
24.一种用于临时接合两个晶片表面的方法，包括：提供第一晶片，所述第一晶片包括彼此相对的第一晶片表面和第二晶片表面；提供第二晶片，所述第二晶片包括彼此相对的第一晶片表面和第二晶片表面；将第一粘合剂层涂覆在所述第一晶片的第一表面上；将第一粘合剂层固化，从而生成固化的第一粘合剂层；将第二粘合剂层涂覆在第二晶片的第一表面上；使所述第二粘合剂层与所述固化的第一粘合剂层相接触；以及将所述第二粘合剂层固化，从而形成所述第一晶片与所述第二晶片之间的临时接合。
25.根据权利要求24所述的方法，进一步包括：提供一个接合器模组，所述接合器模组包括上卡盘组件和一个安装在下部且与上卡盘组件相对的下卡盘组件；将所述第一晶片插入接合器模组内并由所述上卡盘组件保持住第一晶片，使带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝下；将所述第二晶片插入所述接合器模组内并将所述第二晶片放置在所述下卡盘组件上，使所述第二粘合剂层面朝上并与所述固化的第一粘合剂层相对；以及向上移动所述下卡盘组件，并使所述第二粘合剂层与所述固化的第一粘合剂层相接触。
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